JPH04306903A - 発振器装置と信号生成方法 - Google Patents
発振器装置と信号生成方法Info
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- JPH04306903A JPH04306903A JP3324055A JP32405591A JPH04306903A JP H04306903 A JPH04306903 A JP H04306903A JP 3324055 A JP3324055 A JP 3324055A JP 32405591 A JP32405591 A JP 32405591A JP H04306903 A JPH04306903 A JP H04306903A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/364—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising field effect transistors
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/0002—Types of oscillators
- H03B2200/0012—Pierce oscillator
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、発振器に関し、特に、
低ジッタのクリスタル共振器を用いた発振器に関する。
低ジッタのクリスタル共振器を用いた発振器に関する。
【0002】
【従来の技術】多くの電気回路(例:アナログまたはデ
ジタル受信機/伝送器)において、その動作と発振を制
御する為に、高安定性で低ジッタの発振器が必要である
。
ジタル受信機/伝送器)において、その動作と発振を制
御する為に、高安定性で低ジッタの発振器が必要である
。
【0003】このジッタの発生主原因は、基準発振器の
不安定性である。周波数基準が、周波数シンセサイザの
出力周波数、伝送中のデジタルデータのパルス速度と位
相、または、デジタルレシーバのサンプリング速度を決
定する。周波数基準の周波数または位相のずれは、シス
テム中で倍増され、この全体の影響が周波数基準のシス
テム全体のノイズ性能を決定する。
不安定性である。周波数基準が、周波数シンセサイザの
出力周波数、伝送中のデジタルデータのパルス速度と位
相、または、デジタルレシーバのサンプリング速度を決
定する。周波数基準の周波数または位相のずれは、シス
テム中で倍増され、この全体の影響が周波数基準のシス
テム全体のノイズ性能を決定する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】典型的な周波数基準は
、クリスタル発振器からのもので、このクリスタル発振
器は、管理された環境(一定温度)中に配置される。 良好な周波数安定度を有するクリスタル発振器も公知で
あり、また、そのような発振器のジッタ性能も満足すべ
きものであるが、ある種の応用では、これでも足りない
場合がある。このため、本発明の目的は、ジッタ性能の
良いクリスタル発振器を提供することである。
、クリスタル発振器からのもので、このクリスタル発振
器は、管理された環境(一定温度)中に配置される。 良好な周波数安定度を有するクリスタル発振器も公知で
あり、また、そのような発振器のジッタ性能も満足すべ
きものであるが、ある種の応用では、これでも足りない
場合がある。このため、本発明の目的は、ジッタ性能の
良いクリスタル発振器を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する為に
、本発明の発振器は、2個の端子を有する共振器(13
)と、前記共振器の端子に接続された負性抵抗生成手段
(19)と、前記共振器の対応端子に接続された2個の
端子と少なくとも1個の出力とを有する比較器(20)
とを有することを特徴とする。
、本発明の発振器は、2個の端子を有する共振器(13
)と、前記共振器の端子に接続された負性抵抗生成手段
(19)と、前記共振器の対応端子に接続された2個の
端子と少なくとも1個の出力とを有する比較器(20)
とを有することを特徴とする。
【0006】本発明の所定の周波数信号を生成する方法
は、負性抵抗を生成するステップ(19)と、前記負性
抵抗を共振器の2個の端子に接続するステップと、共振
器の各端子の電圧を互いに比較器(20)で比較するス
テップとからなることを特徴とする。
は、負性抵抗を生成するステップ(19)と、前記負性
抵抗を共振器の2個の端子に接続するステップと、共振
器の各端子の電圧を互いに比較器(20)で比較するス
テップとからなることを特徴とする。
【0007】
【実施例】図1において、送受信装置10、10’が伝
送媒体11を介して、接続されている。送受信装置10
、10’が、それぞれ無線伝送器で、無線受信機である
とすれば、伝送媒体11は、空間媒体である。あるいは
、送受信装置10、10’がデジタル伝送器で、デジタ
ル受信機であるとすれば、伝送媒体11は、より線対ま
たは同軸ケーブルである。かくして、送受信装置10、
10’に共通なことは、動作周波数または送受信装置1
0、10’の伝送レートを確立する基準周波数が与えら
れる。送受信装置10、10’の周波数基準は、発振器
12、12’のものとして示され、その周波数は、クリ
スタル共振器13、13’の共振周波数で決定される。 例えば、無線送信器または受信機では、発振器12、1
2’は、周波数シンセサイザで、デジタル伝送器または
受信機では、発振器12、12’は、その機能を制御し
同期させるマスタクロックシステムである。
送媒体11を介して、接続されている。送受信装置10
、10’が、それぞれ無線伝送器で、無線受信機である
とすれば、伝送媒体11は、空間媒体である。あるいは
、送受信装置10、10’がデジタル伝送器で、デジタ
ル受信機であるとすれば、伝送媒体11は、より線対ま
たは同軸ケーブルである。かくして、送受信装置10、
10’に共通なことは、動作周波数または送受信装置1
0、10’の伝送レートを確立する基準周波数が与えら
れる。送受信装置10、10’の周波数基準は、発振器
12、12’のものとして示され、その周波数は、クリ
スタル共振器13、13’の共振周波数で決定される。 例えば、無線送信器または受信機では、発振器12、1
2’は、周波数シンセサイザで、デジタル伝送器または
受信機では、発振器12、12’は、その機能を制御し
同期させるマスタクロックシステムである。
【0008】図3に示す回路図は、図2示す従来のクリ
スタル発振器を改良したもので、クリスタル共振器13
の2つの端子間に配置された負性抵抗19を生成する手
段と、比較器20とを有し、この比較器20の入力端子
は、クリスタル共振器13の2つの端子間に配置されて
いる。比較器20の出力は、クリスタル共振器13で規
定される周波数の信号を有する。
スタル発振器を改良したもので、クリスタル共振器13
の2つの端子間に配置された負性抵抗19を生成する手
段と、比較器20とを有し、この比較器20の入力端子
は、クリスタル共振器13の2つの端子間に配置されて
いる。比較器20の出力は、クリスタル共振器13で規
定される周波数の信号を有する。
【0009】従来のクリスタル共振器は、出力信号に加
えられるジッタノイズの影響を受ける。この従来のクリ
スタル共振器が図2に示されている。この共振器は、ピ
ース(Pierce)共振器として知られ、2個の増幅
器14、15(CMOSインバータで適当なバイアス回
路を有している)で発振器12を構成している。この増
幅器14は、ここでは、反転アンプであるが、発振を起
こすに必要なゲインを提供し、一方、増幅器15は、増
幅器14の出力のバッファとして機能する。クリスタル
共振器13は、キャパシタ16とともに、増幅器14間
に配置される。このキャパシタ16は、クリスタル共振
器13の共振周波数を所望の周波数に合わせる機能をす
る。多くのクリスタル共振器13は、特定の負荷キャパ
シタンスを有し、この負荷キャパシテンスは、クリスタ
ル共振器の共振周波数を所望の共振周波数に合わせる。 クリスタル共振器13と増幅器14とキャパシタ16の
共振結合は、その出力点で低ジッタ信号を有するが、増
幅器14の出力点から信号のつ増幅器15による結合と
増幅機能が、ジッタの大部分を出力信号に加える。この
ジッタは、多くのソース(増幅器15に接続された電力
供給ノイズ)から発生する。増幅器14、15は、他の
論理回路を有するワンチップ上に形成されると、ジッタ
を減少させる為に、電力供給源から増幅器14、15へ
の十分なバイパスは実際は可能ではない。
えられるジッタノイズの影響を受ける。この従来のクリ
スタル共振器が図2に示されている。この共振器は、ピ
ース(Pierce)共振器として知られ、2個の増幅
器14、15(CMOSインバータで適当なバイアス回
路を有している)で発振器12を構成している。この増
幅器14は、ここでは、反転アンプであるが、発振を起
こすに必要なゲインを提供し、一方、増幅器15は、増
幅器14の出力のバッファとして機能する。クリスタル
共振器13は、キャパシタ16とともに、増幅器14間
に配置される。このキャパシタ16は、クリスタル共振
器13の共振周波数を所望の周波数に合わせる機能をす
る。多くのクリスタル共振器13は、特定の負荷キャパ
シタンスを有し、この負荷キャパシテンスは、クリスタ
ル共振器の共振周波数を所望の共振周波数に合わせる。 クリスタル共振器13と増幅器14とキャパシタ16の
共振結合は、その出力点で低ジッタ信号を有するが、増
幅器14の出力点から信号のつ増幅器15による結合と
増幅機能が、ジッタの大部分を出力信号に加える。この
ジッタは、多くのソース(増幅器15に接続された電力
供給ノイズ)から発生する。増幅器14、15は、他の
論理回路を有するワンチップ上に形成されると、ジッタ
を減少させる為に、電力供給源から増幅器14、15へ
の十分なバイパスは実際は可能ではない。
【0010】図3に示される本発明の発振器12は、従
来共振器以下の低ジッタノイズしか有さない。クリスタ
ル共振器13は、キャパシタ16と並列で、負性抵抗1
9(ーRg)にノード17、18を介して、接続されて
いる。負性抵抗19の構成は、以下で詳述する。更に、
比較器20の2つの入力は、ノード17、18に接続さ
れ、比較器20をクリスタル共振器13、キャパシタ1
6、負性抵抗19に並列に配置する。比較器20の出力
は、ここでは、差動出力を有するよう図示されているが
、発振器12の低ジッタノイズ出力信号を提供する。 完全な差動比較器を使用すると、電力供給源ノイズに起
因する発振器12からのジッタを減少させる。更に、好
ましくは、発振器12の出力に結合される全ての回路は
、差動回路であることである。このことの利点は、差動
出力は、「バランス」信号であるが、結合ノイズに対す
る敏感性が、シングルエンド信号に対してよりも少なく
、また、差動信号を使用した回路は、非差動回路よりも
電力供給源ノイズに対して敏感ではない。更に、差動信
号は、シングルエンド信号に比較して、ピーク間信号の
振れが2倍で、そのため、SN比が増加し、ノイズの影
響を減少させる。
来共振器以下の低ジッタノイズしか有さない。クリスタ
ル共振器13は、キャパシタ16と並列で、負性抵抗1
9(ーRg)にノード17、18を介して、接続されて
いる。負性抵抗19の構成は、以下で詳述する。更に、
比較器20の2つの入力は、ノード17、18に接続さ
れ、比較器20をクリスタル共振器13、キャパシタ1
6、負性抵抗19に並列に配置する。比較器20の出力
は、ここでは、差動出力を有するよう図示されているが
、発振器12の低ジッタノイズ出力信号を提供する。 完全な差動比較器を使用すると、電力供給源ノイズに起
因する発振器12からのジッタを減少させる。更に、好
ましくは、発振器12の出力に結合される全ての回路は
、差動回路であることである。このことの利点は、差動
出力は、「バランス」信号であるが、結合ノイズに対す
る敏感性が、シングルエンド信号に対してよりも少なく
、また、差動信号を使用した回路は、非差動回路よりも
電力供給源ノイズに対して敏感ではない。更に、差動信
号は、シングルエンド信号に比較して、ピーク間信号の
振れが2倍で、そのため、SN比が増加し、ノイズの影
響を減少させる。
【0011】本発明の発振器12の使用の利点は、最高
級レベルミキサ(ダイオードリングミキサ)を駆動する
点である。その理由は、この種のミキサは、バランスの
とれた差動信号を用いて、広いダイナミックレンジとミ
キサのポート間の高い絶縁が達成できるからである。
級レベルミキサ(ダイオードリングミキサ)を駆動する
点である。その理由は、この種のミキサは、バランスの
とれた差動信号を用いて、広いダイナミックレンジとミ
キサのポート間の高い絶縁が達成できるからである。
【0012】負性抵抗19の大きさは、クリスタル共振
器13、キャパシタ16、比較器20と、ノード17,
18に接続された他の回路におけるロスと組み合わせ時
、発振に影響する程、十分大きいものがよい。
器13、キャパシタ16、比較器20と、ノード17,
18に接続された他の回路におけるロスと組み合わせ時
、発振に影響する程、十分大きいものがよい。
【0013】負性抵抗19と比較器20の一実施例が図
4に示されいている。負性抵抗19の構成は、トランジ
スタ28と抵抗29とを有し、抵抗29は、トランジス
タ28のドレインとゲート間に接続される。トランジス
タ28のドレインは、ノード17に接続され、そのゲー
トは、ノード18に接続される。電流源30は、電流を
ノード17に提供する。2個の直列接続されたキャパシ
タ23(これらは必ずしも同一である必要はない)は、
トランジスタ28のソースに接続された共通端子を有し
、トランジスタ28と抵抗29に並列接続され、ノード
17、18間に負性インピーダンスーRgを生成する。 更に、キャパシタ23は、負性インピーダンスーRgに
対し、反応要素として機能し、これは、キャパシタ16
の値を決定するに際し、考慮にいれられる。キャパシタ
23の特定の値があれば、キャパシタ16は必要ない。
4に示されいている。負性抵抗19の構成は、トランジ
スタ28と抵抗29とを有し、抵抗29は、トランジス
タ28のドレインとゲート間に接続される。トランジス
タ28のドレインは、ノード17に接続され、そのゲー
トは、ノード18に接続される。電流源30は、電流を
ノード17に提供する。2個の直列接続されたキャパシ
タ23(これらは必ずしも同一である必要はない)は、
トランジスタ28のソースに接続された共通端子を有し
、トランジスタ28と抵抗29に並列接続され、ノード
17、18間に負性インピーダンスーRgを生成する。 更に、キャパシタ23は、負性インピーダンスーRgに
対し、反応要素として機能し、これは、キャパシタ16
の値を決定するに際し、考慮にいれられる。キャパシタ
23の特定の値があれば、キャパシタ16は必要ない。
【0014】比較器20は、トランジスタ31、32を
有し、そのソースは、電流源37に接続されている。ト
ランジスタ31、32のゲートは、ノード17、18に
、電圧レベルシフタ(トランジスタ40、41)を介し
て、比較器20に対する入力として接続される。トラン
ジスタ31、32のドレインは、出力ノード38、39
の対応出力に接続される。比較器20の負荷は、トラン
ジスタ33、34と抵抗35、36の活性、双方向性の
負荷である。トランジスタ33、34は、共通のゲート
とソース端子を有する。この共通ソース端子は、電力源
に接続される。抵抗35、36は、出力ノード38、3
9間に直列接続され、トランジスタ33、34の共通ゲ
ートに接続された共通ノードを有する。トランジスタ3
3、34のドレインは、出力ノード38、39に接続さ
れる。トランジスタ40、41は、ソースフォロワとし
て機能し、ノード17、18の信号のレベルシフトをし
て、トランジスタ31、32に十分高い平均ゲート電圧
を提供し、その結果、トランジスタ31、32は、飽和
領域で動作する。電流源42、43は、トランジスタ4
0、41の対応ソースとトランジスタ31、32の対応
ゲートに接続され、十分な電流を流し、トランジスタ4
0、41を動作させ、トランジスタ31、32のゲート
キャパシタンスをチャージする。
有し、そのソースは、電流源37に接続されている。ト
ランジスタ31、32のゲートは、ノード17、18に
、電圧レベルシフタ(トランジスタ40、41)を介し
て、比較器20に対する入力として接続される。トラン
ジスタ31、32のドレインは、出力ノード38、39
の対応出力に接続される。比較器20の負荷は、トラン
ジスタ33、34と抵抗35、36の活性、双方向性の
負荷である。トランジスタ33、34は、共通のゲート
とソース端子を有する。この共通ソース端子は、電力源
に接続される。抵抗35、36は、出力ノード38、3
9間に直列接続され、トランジスタ33、34の共通ゲ
ートに接続された共通ノードを有する。トランジスタ3
3、34のドレインは、出力ノード38、39に接続さ
れる。トランジスタ40、41は、ソースフォロワとし
て機能し、ノード17、18の信号のレベルシフトをし
て、トランジスタ31、32に十分高い平均ゲート電圧
を提供し、その結果、トランジスタ31、32は、飽和
領域で動作する。電流源42、43は、トランジスタ4
0、41の対応ソースとトランジスタ31、32の対応
ゲートに接続され、十分な電流を流し、トランジスタ4
0、41を動作させ、トランジスタ31、32のゲート
キャパシタンスをチャージする。
【0015】具体例
以下の具体例は、図4の回路において、LANのインタ
フェースに使用されるジッタのピーク間が500ピコセ
カンドで、20MHzのクリスタル共振器を実施するの
に使用されるに適当な値が示されている。 クリスタル共振器13 20MHzMトロン株先
会社製MP−1 キヤパシタ16 使用しないキャパ
シタ23 100pFトランジスタ
28 nチャネルMOSFET3000
x2um,gm=20mmho 抵抗29 10Kオー
ム電流源30 1mAトラ
ンジスタ31、32 nチャネルMOSFET40x
2um,gm=0.3mmho トランジスタ33、34 nチャネルMOSFET4
0x2um,gm=0.3mmho 抵抗35、36 10Kオームトラ
ンジスタ40、41 pチャネルMOSFET10x
2um,gm=50mmho 電流源42、43 5uA電流源
5ボルト
フェースに使用されるジッタのピーク間が500ピコセ
カンドで、20MHzのクリスタル共振器を実施するの
に使用されるに適当な値が示されている。 クリスタル共振器13 20MHzMトロン株先
会社製MP−1 キヤパシタ16 使用しないキャパ
シタ23 100pFトランジスタ
28 nチャネルMOSFET3000
x2um,gm=20mmho 抵抗29 10Kオー
ム電流源30 1mAトラ
ンジスタ31、32 nチャネルMOSFET40x
2um,gm=0.3mmho トランジスタ33、34 nチャネルMOSFET4
0x2um,gm=0.3mmho 抵抗35、36 10Kオームトラ
ンジスタ40、41 pチャネルMOSFET10x
2um,gm=50mmho 電流源42、43 5uA電流源
5ボルト
【0016】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明のよれば、高安
定性で低ジッタの発振器または、発振方法が提供できる
。
定性で低ジッタの発振器または、発振方法が提供できる
。
【図1】クリスタル制御による送受信装置のブロック図
である。
である。
【図2】従来技術のクリスタル発振器装置のブロック図
である。
である。
【図3】本発明のクリスタル発振器装置のブロック図で
ある。
ある。
【図4】図3の負性抵抗生成器と比較器の詳細ブロック
図である。
図である。
10 10’ 送受信装置
11 伝送媒体
12、12’ 発振器
13、13’ クリスタル共振器
14、15 増幅器
16 キャパシタ
17、18 ノード
19 負性抵抗
20 比較器
23 キャパシタ
28 トランジスタ
29 抵抗
30 電流源
31、32 トランジスタ
33、34 トランジスタ
35、36 抵抗
37 電流源
38、39 出力ノード
40、41 トランジスタ
42、43 電流源
Claims (11)
- 【請求項1】 2個の端子を有する共振器(13)と
、前記共振器の端子に接続された負性抵抗生成手段(1
9)と、前記共振器の対応端子に接続された2個の入力
端子と少なくとも1個の出力端子とを有する比較器(2
0)とからなることを特徴とする発振器装置。 - 【請求項2】 前記共振器の端子に接続されたキャパ
シタ手段(16)を更に有することを特徴とする請求項
1の装置。 - 【請求項3】 前記負性抵抗生成手段は、前記共振器
の1端子に接続された入力端子と、2個の出力端子とを
有し、その第1出力端子が共振器の他の端子に接続され
るトランジスタ(28)と、前記共振器の端子に接続さ
れる抵抗(29)とからなり、前記キャパシタ手段は、
共振器の1端子と前記トランジスタの第2出力端子との
間に接続された第1キャパシタ(23)と、共振器の他
の端子と前記トランジスタの第2出力端子との間に接続
された第2キャパシタ(23)と からなることを特
徴とする請求項2の装置。 - 【請求項4】 前記比較器は、差動出力を有すること
を特徴とする請求項3の装置。 - 【請求項5】 前記共振器は、クリスタル共振器であ
ることを特徴とする請求項1の装置。 - 【請求項6】 前記トランジスタは、MOSFETで
あることを特徴とする請求項1の装置。 - 【請求項7】 前記負性抵抗生成手段と比較器とは、
集積回路上で形成されることを特徴とする請求項1の装
置。 - 【請求項8】 2個の端子を有する共振器(13)に
より決定される所定の周波数信号を生成する方法におい
て、負性抵抗を生成するステップ(19)と、前記負性
抵抗を共振器の2個の端子に接続するステップと、共振
器の各端子の電圧を互いに比較器(20)で比較するス
テップとからなることを特徴とする信号生成方法。 - 【請求項9】 前記比較器は、差動出力を有すること
を特徴とする請求項8の方法。 - 【請求項10】 前記共振器は、クリスタル共振器で
あることを特徴とする請求項8の方法。 - 【請求項11】 前記負性抵抗と比較器とは、集積回
路上で形成されることを特徴とする請求項8の方法。
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- 1991-11-13 JP JP3324055A patent/JPH04306903A/ja active Pending
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