JPH0430679B2 - - Google Patents

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JPH0430679B2
JPH0430679B2 JP58239056A JP23905683A JPH0430679B2 JP H0430679 B2 JPH0430679 B2 JP H0430679B2 JP 58239056 A JP58239056 A JP 58239056A JP 23905683 A JP23905683 A JP 23905683A JP H0430679 B2 JPH0430679 B2 JP H0430679B2
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    • G11C27/02Sample-and-hold arrangements
    • G11C27/024Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element
    • G11C27/026Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element associated with an amplifier

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  • Amplifiers (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は一般に帰還形サンプルホールド電子回
路に関し、特に段の形態を成す複数の斯かる回路
のトランスバーサルフイルタバンクとして接続
し、MOS形集積回路に組込んだ装置に関する。
発明の背景 サンプリングスイツチの機能を達成するための
MOSトランジスタに依存する帰還形サンプルホ
ールド回路式トランスバーサルフイルタバンクに
は、固定パターンノイズと電源ノイズとの両方の
問題が存在している。
固定パターンノイズは、MOSトランジスタ・
スイツチング・デバイスの特性に由来するもので
ある。各サンプルホールド段においては、スイツ
チング制御信号源からのスイツチングパルス列に
応答して動作するMOSサンプリングスイツチを
介して、保持キヤパシタは信号に接続されてい
る。信号追跡状態から信号保持状態へ変化させる
ためのパルス列により、スイツチが導通性のON
状態から抵抗性のOFF状態に動作した場合には、
保持キヤパシタ上の電圧に影響を与えるスイツチ
ング電荷の貫通によつて誤差が発生し、“貫通電
圧オフセツト”として一般に言及されるような保
持信号を誘起する。与えられた回路における
MOSスイツチングトランジスタのなかにわずか
な変化があると、バンクの複数段のなかに該当す
る貫通電圧オフセツトの変化が生ずるため、出力
信号に固定パターンノイズが生ずる。
バンクの出力に接続されたいずれかの回路から
保持キヤパシタをDC的に隔離するためには、保
持キヤパシタから出力信号を取出さなければなら
ないが、この目的で使用されるバツフアに対して
は電源除去の問題が関係している。保持キヤパシ
タはMOSバツフアトランジスタ、通常はソース
ホロワのゲートに接続されている。バツフアトラ
ンジスタのドレーンは電源電圧レールに結合され
ている。この構成で、バツフアトランジスタのゲ
ート・ドレーン間キヤパシタンスは電源ノイズを
保持キヤパシタンスに寄生的に結合している。
発明の要旨 本発明においては、サンプルホールド形トラン
スバーサル・フイルタ・バンクの各段の帰還形サ
ンプルホールド回路部が2重帰還形サンプルホー
ルド式のものである。一対のNチヤネル形バツフ
アトランジスタのひとつはエンハンスモード形で
あり、他はデプレシヨンモード形であつて、これ
らは保持キヤパシタと電源供給レールとの間の寄
生的容量結合が事実上除去されるように二重帰還
形サンプルホールド部に接続されている。さら
に、バツフアトランジスタのひとつの寄生ゲー
ト・ドレーン間キヤパシタンスが二重帰還形サン
プルホールド部に対して結合キヤパシタの機能を
有するものであるように回路素子が構成してあ
る。二重帰還の特長が事実上、固定パターンノイ
ズを除去するものである反面、相補対称形バツフ
アトランジスタは電源ノイズ除去性能を大幅に改
善するものである。
詳細な説明 第1図は、トランスバーサルフイルタバンク1
0を示す図である。フイルタバンク10は高利
得、高性能の増幅器12を備え、増幅器12はそ
の非反転入力14において、単純なサンプルホー
ルドスイツチとキヤパシタとの組合せからの信号
を受信し、複数の相互接続された同一の帰還サン
プルホールド段16により共用されている。増幅
器12の出力18は段16の入力節点22として
接続されている。増幅器12の反転入力20は段
16の帰還節点24に接続されている。段16は
順次、信号をサンプルホールドし、出力信号を出
力節点26に与え、そこから信号は他の用途に供
するため他の回路へと通過してゆく。
段16の順次動作はクロツク信号源28からの
スイツチングパルス列により制御されている。各
段16は特定の段16に関連した3つのスイツチ
ングパルス列T1,T2,T3を受信する。これらの
パルス列T1,T2,T3の時間系列、ならびにそれ
らのパルス間隔T1,T2,T3については、フイル
タバンク10の動作モードに関して、さらに詳細
に後で論ずる。段16のひとつは、第2図に詳細
に示してある。段16は二重帰還形サンプルホー
ルド式のものであり、第1および第2のサンプル
ホールド回路を備えている。第2の回路は、動作
中に誘起された誤差電圧を較正するように、第1
の回路に付加したものである。斯かる構成は米合
衆国特許出願第426293号に記載されている。
入力節点22は、第1のサンプルスイツチ30
から成る第1サンプルホールド分岐点に導びか
れ、その後“サンプリングスイツチ”は第1の保
持キヤパシタ32へ直列に接続され、さらにその
後、“保持キヤパシタ”の他の端子は接地されて
いる。この第1の分岐点と並列に、較正用サンプ
リングスイツチ34から成立つ第2の較正用分岐
点があり、その後“較正スイツチ”と較正用保持
キヤパシタ36があつて、さらにその後、“較正
キヤパシタ”は入力節点22と接地端子との間に
直列接続されている。サンプルホールドの第1の
信号は、サンプリングスイツチ30とホールドキ
ヤパシタ32との間の共通節点38において得ら
れる。サンプルホールドの較正信号は、較正スイ
ツチ34と較正キヤパシタ36との間の共通節点
40において得られる。
これらの保持信号節点38,40は、一対のバ
ツフアトランジスタ44,46を含むバツフア4
2に結合されている。ひとつは、そのドレーンが
電源供給レールVDDに接続され、そのゲートが較
正用共通節点40に接続されたデプレシヨンモー
ド形トランジスタ44である。他は、そのゲート
が第1の共通節点38に接続され、そのソースが
定電流源47に接続されたエンハンスメントモー
ド形バツフアトランジスタ46である。デプレシ
ヨンモード形バツフアトランジスタ44のソース
は、節点48においてエンハンスメントモード形
トランジスタ46のドレーンに接続されている。
両バツフアトランジスタ44,46のバルク領域
は、出力節点26においてエンハンスメントモー
ド形トランジスタ46のソースに接続されてい
る。しかしながら、エンハンスメントモード形ト
ランジスタ46のソースに接続する代りに、デプ
レシヨンモード形トランジスタ44は、そのバル
クが自身のソースに接続されている。
出力節点26と増幅器12の反転入力(−)と
の間には、帰還イネーブルスイツチによつて制御
することができる帰還線路が接続されている。サ
ンプリングスイツチ30、較正スイツチ34、な
らびに帰還イネーブルスイツチ54はすべて単
極、単役のMOSトランジスタにより作られた電
子式スイツチである。図においては詳細を省略し
て、段16が容易によく理解できるように単純な
スイツチとして描いてある。
段16の3つのスイツチ30,34,54の順
次動作は第3図のタイミングダイアグラムにより
示してあり、第3図において縦軸は電圧を表わ
し、横軸は時間を表わす。スイツチ30,34,
54はそれぞれクロツク信号源28からの別々の
スイツチングパルス列T1,T2,T3によりアドレ
スされている。T1〜T3に関連したスイツチが閉
じている期間によりパルス列は照合される。斯く
して、T1は、期間T1に対してサンプリングスイ
ツチ30を閉じるように出力されたクロツク信号
源28からのパルス列を照合する。T2は、期間
T2に対して較正スイツチ34を閉じるパルス列
を照合する。T3は、期間T3に対して帰還イネー
ブルスイツチ54を閉じるパルス列を照合する。
タイミングダイアグラムに示すように、それぞれ
スイツチ30,34,54に関連した線T1,T2
T3は、パルス列のスイツチングパルスの高−低
電圧レベルを表わすものである。レベルが高レベ
ルである場合には、スイツチは閉じている。レベ
ルが低レベルである場合には、スイツチは開いて
いる。段16の全動作サイクル期間T3には、帰
還イネーブルスイツチ54は閉じている。この期
間にはフイルタバンク10の他のすべての段16
の貫通イネーブルスイツチ54は開いていて、他
の段は事実上デイスエーブルされているものと理
解される。最初に、第1の期間T1にはサンプリ
ングスイツチ30を介して入力節点22の電圧を
保持キヤパシタ32が追跡していて、この期間に
はサンプリングスイツチ30と較正スイツチ34
とは共に閉じている。
この1の期間T1の終了時点で、サンプリング
スイツチ30は開くが、較正スイツチ34は閉じ
たままである。第2の期間T2の終了時点では、
較正スイツチ34も開く、このスイツチングシー
ケンスが段16の出力に与える効果は、後で詳細
に論ずる。
節点48と第1の共通節点38との間に接続さ
れた結合キヤパシタ56に破線で示してあるが、
これは結合キヤパシタ56が実際にはエンハンス
モード形バツフアトランジスタ46のゲート・ド
レーン間の寄生キヤパシタンスであるためであ
る。出力信号における貫通電圧オフセツトを較正
するための第2の期間T2においては、このキヤ
パシタンスが第1の共通節点38と較正用共通節
点40との間に結合を与えいる。
第1のスイツチ期間T1の終了時点でサンプリ
ングスイツチ30が開くならば、保持キヤパシタ
32上にオフセツト電圧が誘起する。これは、
MOSトランジスタの特性であるスイツチング電
荷貫通誤差から得られるものである。しかしなが
ら、較正用共通節点40からの較正信号が寄生的
なゲート・ドレーン結合キヤパシタンス56を介
して保持キヤパシタ32に結合されるように、第
2の期間T2の残りの期間に較正スイツチ34は
閉じたままである。結合キヤパシタ56が大きさ
のほゞ等しい保持キヤパシタ32ならびに較正キ
ヤパシタ36の両方よりかなり小さいと云う事実
により、保持キヤパシタ32に対する較正キヤパ
シタ36の結合が減ぜられている。その結果、第
2のスイツチ期間T2の終了時点において較正ス
イツチ34が開き、電荷貫通誤差を発生させるな
らば、この誤差の保持キヤパシタ32における信
号レベルに対する影響が可なり減ぜられ、重要で
はなくなつている。
異なつたDCレベルにおいては両方のバツフア
トランジスタ44,46がバツフアとして働らい
ているとは云え、第1のスイツチ期間T1におい
ては、節点48と出力節点26との両方における
信号が入力節点22における信号に追従する、較
正期間においては、デプレシヨンモード形バツフ
アトランジスタ44はソース節点48に対して利
得が1のバツフアであるとして機能し続け、エン
ハンスモード形バツフアトランジスタ44のゲー
ト・ドレーン間のオーバラツプ領域は結合キヤパ
シタ56として働らく。電源供給レールVDDにお
けるノイズの寄生結合は第1の保持キヤパシタ3
2よりも、むしろ較正キヤパシタ36に対するも
のである。その結果、出力節点26における斯か
るノイズの段16の出力信号への影響は大きく減
ぜられる。何故ならば、デプレシヨンモード形バ
ツフアトランジスタ44、あるいはエンハンスメ
ントモード形バツフアトランジスタ46のゲー
ト・ドレーン間の寄生キヤパシタンスは、典型的
には較正キヤパシタ36、あるいは保持キヤパシ
タ32の値のほゞ1/30倍も小さな値である。
第4図は、第3図の段をさらに詳細に示したも
のである。スイツチ30,34,54はそれぞ
れ、単一トグルスイツチとして機能する対称形ト
ランジスタ構成を形作つているため、並列に接続
された2個のエンハンスメントモードの相補対称
形MOSトランジスタの組合せとして知られてい
る。一対のトランジスタのPチヤネル部分はイン
バータ58を介して制御信号源パルスを受取る。
斯かる並列構成は、部分的にスイツチング電荷の
貫通を消去し、単一トランジスタで非常に顕著な
ボデイ効果の問題を減ずるものである。スイツチ
30,34,54はそれぞれ、クロツク信号源2
8からのそれぞれのスイツチングパルス列T1
T2,T3を受けるものとして示してある。エンハ
ンスメントモード形バツフアトランジスタ46の
ソースは、バイアス電源源47に接続されたもの
として示してある。第4図におけるトランジスタ
の“+”、ならびに“−”の記号は、バルク領域
が正の電源端子、ならびに負の電源端子に接続さ
れているものとして示したものである。
(一般的考察) 帰還形サンプルホールド・トランスバーサル・
フイルタ・バンク10の典形的な実際の応用で
は、増幅器に対する入力信号がオーデイオ周波あ
るいはそれ以上であり、増幅器12の入力14の
前の段16に対する回路13によつて与えられて
いるような、到来信号をサンプルホールドするこ
とが忠告される。これによつて、較正キヤパシタ
36が充電されていて、較正の確度に影響してい
る期間には、増幅器12の出力18における信号
レベルが大幅に変化するのを防いでいる。十分に
低い周波数の信号に対して、回路13は省略する
ことができる。
上の議論はそれぞれ結合されているサンプルホ
ールド段16のバンク10を含むものであるとは
云え、有用な低オフセツト電圧形帰還サンプルホ
ールド機能を達成するよう、増幅器12に関連し
て単一段16を使用することもできるものと理解
しなければならない。
第1および第2のサンプルホールド分岐点は適
切なサンプルホールドのサンプル構造のものとす
ることができるが、バンク10の段16に対して
記載したような単一のサンプルスイツチ30と保
持キヤパシタ32とを特定に構成したものである
必要はない。
本発明による段16の種々の接地電位節点は或
る基準電位レベルにあるが、すべて、これらの節
点のレベルが同一である必要性はない。事実、或
る場合には、異なるレベルである方有利なことも
ある。
結合キヤパシタ56の蓄積キヤパシタ32に対
する大きさの比は、特定の回路応用に対して決定
されている。与えられた信号帯域幅に対して、較
正量は演算増幅器12の性能特性、ならびにスイ
ツチ38,40に許容されているスイツチング電
荷貫通量に依存している。電話信号に対する上記
比の典型的な値は、20〜60の間の値であると期待
できる。
電圧源手段の極性を逆にすれば、問題の回路の
該当デバイスの極性性導電チヤネルに関し、逆極
性の導電性チヤネルのデバイスを使用して、上記
回路を実現することができることは明らかであ
る。
上記装置においては、サンプルホールド段16
の較正用サンプルホールド分岐点は、デプレシヨ
ンモード形トランジスタ44の形態で利得が1の
バツフアによつて第1のサンプルホールド分岐点
に結合されているが、斯かるバツフアされた結合
は、例えばNチヤネルエンハンスメントモード形
トランジスタ46のドレーンを駆動するためのP
チヤネルソースホロワ構成のような他の手段によ
つても実施できる。このバツフアは利得1のもの
である必要はない。その理由は、バツフアの損失
は第1の分岐点と較正用分岐点との間の結合を減
ずるように、単に付加したものにすぎないためで
ある。一般に、このバツフアは、エンハンスメン
トモード形トランジスタ46のドレーンにおける
インピーダンスより低い値の出力インピーダンス
を有し、ソース・ドレーン間電圧が低ずぎるため
に活性動作領域から外れてエンハンスメントモー
ド形トランジスタ46が動作する程度まで電圧降
下が大きくてはならない。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の原理によりサンプルホール
ド形トランスバーサルフイルタとして接続された
複数の二重帰還形サンプルホールド段を示す回路
ブロツク系統図である。第2図は、第1図の二重
帰還形サンプルホールド式トランスバーサルフイ
ルタの一段を示す回路系統図である。第3図は、
第2図の段のスイツチのタイミングシーケンスを
グラフ的に表わした図である。第4図は、スイツ
チの構造を詳細に示す第2図の段の回路系統図で
ある。 〔主要部分の符号の説明〕、10……フイルタ
バンク、12……増幅器、16……サンプルホー
ルド段、28……クロツク信号源、30,34…
…サンプリングスイツチ、32,36……保持キ
ヤパシタ、44,46……トランジスタ、47…
…バイアス電圧源、54……帰還イネーブルスイ
ツチ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 反転入力端子、非反転入力端子、ならびに出
    力端子を備えた増幅器と、 入力端子ならびに出力端子を備えたバツフア
    と、信号入力端子と前記バツフアの入力端子との
    間に接続されたサンプリングスイツチと、 第1の側において前記バツフアの入力端子に接
    続され、第2の側において基準電位点に接続され
    た保持キヤパシタと、 前記バツフアの出力端子に接続され、前記増幅
    器の入力端子に結合された帰還手段と を具備してなる回路において、 第1の側において前記増幅器の出力端子に接続
    された較正用スイツチと、 第1の側において基準電位点に接続され、第2
    の側において前記較正用スイツチの第2の側に接
    続された較正用保持キヤパシタと、 ゲートが前記サンプリングスイツチの第2の側
    に接続され、ドレーン・ソース導電路がバイアス
    電流手段に接続されたエンハンスメントモードの
    トランジスタと、 前記較正用スイツチの第2の側を前記エンハン
    スメントモード形トランジスタのドレーンに結合
    するためのバツフア手段と、 を具備してなることを特徴とするサンプルホール
    ド回路。 2 特許請求の範囲第1項記載のサンプルホール
    ド回路において、 前記バツフア手段はゲートが前記較正用スイツ
    チの第2の側に接続され、ドレーン・ソース間導
    電路がバイアス電流手段に接続されたデプレシヨ
    ンモード形トランジスタである ことを特徴とするサンプルホールド回路。 3 特許請求の範囲第2項記載のサンプルホール
    ド回路において、 前記第1および第2のトランジスタは同一の導
    電チヤネル極性を有し、前記デプレシヨンモード
    形トランジスタはソースが前記エンハンスメント
    モード形トランジスタのドレーンに接続され、ド
    レーンが正の電圧源手段に接続されたものであ
    り、前記エンハンスメントトランジスタのソース
    はバイアス電流源手段と直列に負の電圧源手段に
    接続されたものである。 ことを特徴とするサンプルホールド回路。 4 特許請求の範囲第3項記載のサンプルホール
    ド回路において、 増幅器の非反転入力端子に入る前に信号をサン
    プルホールドするための手段を具備したことを特
    徴とするサンプルホールド回路。
JP58239056A 1982-12-20 1983-12-20 サンプルホ−ルド回路 Granted JPS59117791A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/451,026 US4542304A (en) 1982-12-20 1982-12-20 Switched capacitor feedback sample-and-hold circuit
US451026 1982-12-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59117791A JPS59117791A (ja) 1984-07-07
JPH0430679B2 true JPH0430679B2 (ja) 1992-05-22

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ID=23790508

Family Applications (1)

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JP58239056A Granted JPS59117791A (ja) 1982-12-20 1983-12-20 サンプルホ−ルド回路

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Country Link
US (1) US4542304A (ja)
EP (1) EP0114475B1 (ja)
JP (1) JPS59117791A (ja)
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