JPH0430668B2 - - Google Patents
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- JPH0430668B2 JPH0430668B2 JP24190683A JP24190683A JPH0430668B2 JP H0430668 B2 JPH0430668 B2 JP H0430668B2 JP 24190683 A JP24190683 A JP 24190683A JP 24190683 A JP24190683 A JP 24190683A JP H0430668 B2 JPH0430668 B2 JP H0430668B2
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- alloy
- carriage assembly
- assembly structure
- glass solder
- magnetic disk
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/54—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head into or out of its operative position or across tracks
- G11B5/55—Track change, selection or acquisition by displacement of the head
- G11B5/5521—Track change, selection or acquisition by displacement of the head across disk tracks
Landscapes
- Supporting Of Heads In Record-Carrier Devices (AREA)
- Moving Of Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はスウイングアーム方式磁気デイスク装
置用のセラミツクス製キヤリジアセンブリ構造体
の製作法に関するものである。
置用のセラミツクス製キヤリジアセンブリ構造体
の製作法に関するものである。
従来公知のスウイングアーム方式磁気デイスク
装置のキヤリジアセンブリ構造体の構成を第１図
に示す。アルミ合金またはその他の金属よりなる
ガイドアーム２、ガイドアームスペース３および
ヘツド支持部材（図示せず）とをろう付等により
一体に結合し、この一体化された構造部１と、枠
体４に巻回されたボイスコイル５とをねじ等によ
り結合して構成されている。このような従来のキ
ヤリジアセンブリ構造体の振動特性はアクセス方
向曲げ共振により約2.4KHzで大きな振動変位が
発生するために、位置決め精度に悪影響をおよぼ
している。そこでこれらキヤリジアセンブリ構造
体にアルミナ、窒化硅素あるいは炭化硅素等のセ
ラミツクス材を用いることによりアクセス方向の
機械的な曲げ共振点を実稼動帯域よりもかなり高
周波数帯域に移行させ低振動化を図ると共に、軽
量化、高剛性化を図り、高速高精度にアクセス性
能を向上させることが可能である。しかし、従来
のセラミツクスの接合法としては、例えばアルミ
ナについてはMo−Mn法や酸化第１銅法のよう
に1000℃以上の高温で表面を金属化処理（メタラ
イズ）した後メツキを行ない、そのメツキ間を半
田やろう付により接合している。そのため、セラ
ミツクスと接合金属部との熱膨張係数の差により
セラミツクス側に大きな熱応力が残留し、セラミ
ツクス側に割れが発生したり強度を低下させる。
また接合部の強度がメタライズ層とメツキ層との
接着性に依存するので接合部の強度信頼性は低
い。さらに接合温度が高温であるためセラミツク
スが変形する恐れもあり作業性も悪い。
装置のキヤリジアセンブリ構造体の構成を第１図
に示す。アルミ合金またはその他の金属よりなる
ガイドアーム２、ガイドアームスペース３および
ヘツド支持部材（図示せず）とをろう付等により
一体に結合し、この一体化された構造部１と、枠
体４に巻回されたボイスコイル５とをねじ等によ
り結合して構成されている。このような従来のキ
ヤリジアセンブリ構造体の振動特性はアクセス方
向曲げ共振により約2.4KHzで大きな振動変位が
発生するために、位置決め精度に悪影響をおよぼ
している。そこでこれらキヤリジアセンブリ構造
体にアルミナ、窒化硅素あるいは炭化硅素等のセ
ラミツクス材を用いることによりアクセス方向の
機械的な曲げ共振点を実稼動帯域よりもかなり高
周波数帯域に移行させ低振動化を図ると共に、軽
量化、高剛性化を図り、高速高精度にアクセス性
能を向上させることが可能である。しかし、従来
のセラミツクスの接合法としては、例えばアルミ
ナについてはMo−Mn法や酸化第１銅法のよう
に1000℃以上の高温で表面を金属化処理（メタラ
イズ）した後メツキを行ない、そのメツキ間を半
田やろう付により接合している。そのため、セラ
ミツクスと接合金属部との熱膨張係数の差により
セラミツクス側に大きな熱応力が残留し、セラミ
ツクス側に割れが発生したり強度を低下させる。
また接合部の強度がメタライズ層とメツキ層との
接着性に依存するので接合部の強度信頼性は低
い。さらに接合温度が高温であるためセラミツク
スが変形する恐れもあり作業性も悪い。
本発明の目的は接合温度を下げると共に熱応力
を軽減し変形を防止することによつて、アクセス
方向の機械的な曲げ共振点を実稼動帯域よりもか
なり高周波数帯域に移行させて低振動化を図ると
共に軽量および高剛性化を図り、高速高精度にア
クセス性能を向上させたスウイングアーム方式磁
気デイスク装置用のキヤリジアセンブリ構造体の
製作法を提供することにある。
を軽減し変形を防止することによつて、アクセス
方向の機械的な曲げ共振点を実稼動帯域よりもか
なり高周波数帯域に移行させて低振動化を図ると
共に軽量および高剛性化を図り、高速高精度にア
クセス性能を向上させたスウイングアーム方式磁
気デイスク装置用のキヤリジアセンブリ構造体の
製作法を提供することにある。
上記目的を達成させるために、本発明はセラミ
ツクス製アーム間の接合面間にAlまたはAl合金
あるいはガラス半田を挿入し、真空中にて加熱お
よび加圧するようにしたものである。Alまたは
Al合金の融点は660℃以下であり、しかも降伏点
が非常に小さいので冷却中に発生した熱応力はこ
れらが降伏することによりかなり緩和されると共
に変形の心配もない。また、ガラス半田もガラス
転位点が低いものを選定することにより同様の効
果が得られる。
ツクス製アーム間の接合面間にAlまたはAl合金
あるいはガラス半田を挿入し、真空中にて加熱お
よび加圧するようにしたものである。Alまたは
Al合金の融点は660℃以下であり、しかも降伏点
が非常に小さいので冷却中に発生した熱応力はこ
れらが降伏することによりかなり緩和されると共
に変形の心配もない。また、ガラス半田もガラス
転位点が低いものを選定することにより同様の効
果が得られる。
以下、本発明の一実施例を図面により説明す
る。
る。
実施例 １
第２図および第３図に示すようにカイドアーム
２とガイドアームスペーサ３間およびこれら構造
体１の端面と枠体４端面間にAl合金を芯材（厚
さ0.2mm）、Al−Si−Mg合金（厚さ0.05mm）を両
表皮材とする三層のクラツド板を挿入し、真空雰
囲気下（真空度10-4Torr）で接合温度600℃、接
合圧力1.0Kgｆ／mm2で30分間加熱保持して接合し
た。この場合、Al−Si−Mg合金の融点は約585
℃であるため、接合温度600℃では前記クラツド
板の両表皮材のみ溶融状態となりアルミナ中の酸
素とAlとが反応して完全に接合する。なお、Mg
は濡れ性向上に寄与する。
２とガイドアームスペーサ３間およびこれら構造
体１の端面と枠体４端面間にAl合金を芯材（厚
さ0.2mm）、Al−Si−Mg合金（厚さ0.05mm）を両
表皮材とする三層のクラツド板を挿入し、真空雰
囲気下（真空度10-4Torr）で接合温度600℃、接
合圧力1.0Kgｆ／mm2で30分間加熱保持して接合し
た。この場合、Al−Si−Mg合金の融点は約585
℃であるため、接合温度600℃では前記クラツド
板の両表皮材のみ溶融状態となりアルミナ中の酸
素とAlとが反応して完全に接合する。なお、Mg
は濡れ性向上に寄与する。
本実施例で接合した構造体１の接合強度（引張
り強さ）は4.5Kgｆ／mm2であつた。また本実施例
で接合したキヤリジアセンブリ構造体のアクセス
方向の曲げ共振点は3.1KHzであり、従来のアル
ミ製に比較してかなり高周波数帯域に移動しゲイ
ン余裕も大きくなつた。
り強さ）は4.5Kgｆ／mm2であつた。また本実施例
で接合したキヤリジアセンブリ構造体のアクセス
方向の曲げ共振点は3.1KHzであり、従来のアル
ミ製に比較してかなり高周波数帯域に移動しゲイ
ン余裕も大きくなつた。
実施例 ２
実施例１と同様、各接合面間にPbO−B2O3−
SiO2組成よりなるガラス半田フリツトを塗布し
大気中、微小加圧状態で620℃で15分間加熱保持
して接合した。その結果、２Kgｆ／mm2の引張り強
さが得られた。また、キヤリジアセンブリ構造体
のアクセス方向の曲げ共振点は3.4KHzとなり、
かなり高周波数帯域に移動した。
SiO2組成よりなるガラス半田フリツトを塗布し
大気中、微小加圧状態で620℃で15分間加熱保持
して接合した。その結果、２Kgｆ／mm2の引張り強
さが得られた。また、キヤリジアセンブリ構造体
のアクセス方向の曲げ共振点は3.4KHzとなり、
かなり高周波数帯域に移動した。
以上説明したように、本発明によればAl，Al
合金あるいは低融点ガラス半田等を用いて接合す
ることにより次のような効果がある。
合金あるいは低融点ガラス半田等を用いて接合す
ることにより次のような効果がある。
(1) 接合温度が低いため、冷却における温度差が
小さくなつて熱膨張差に起因する熱応力が小さ
くでき、また降伏点の低いAlあるいはAl合金、
ガラス転位点の低いガラス半田により冷却中に
これらが降伏して熱応力が緩和できるのでセラ
ミツクスに割れが発生しにくくなり、強度が大
きく信頼性の高い接合部が得られる。
小さくなつて熱膨張差に起因する熱応力が小さ
くでき、また降伏点の低いAlあるいはAl合金、
ガラス転位点の低いガラス半田により冷却中に
これらが降伏して熱応力が緩和できるのでセラ
ミツクスに割れが発生しにくくなり、強度が大
きく信頼性の高い接合部が得られる。
(2) 接合温度が低いために、加熱接合時の変形が
防止できる。
防止できる。
(3) 接合体のアクセス方向の曲げ共振点が高周波
数帯域へ移動すると共に、軽量化、高剛性化に
より高速高精度が図れる。
数帯域へ移動すると共に、軽量化、高剛性化に
より高速高精度が図れる。
第１図は従来のキヤリジアセンブリ構造体の外
観斜視図、第２図および第３図は本発明のスウイ
ングアーム方式磁気デイスク装置に用いられるキ
ヤリジアセンブリ構造体の一実施例を示す斜視図
または正面図である。 １……キヤリジアセンブリ構造体、２……ガイ
ドアーム、３……ガイドアームスペーサ、４……
枠体。
観斜視図、第２図および第３図は本発明のスウイ
ングアーム方式磁気デイスク装置に用いられるキ
ヤリジアセンブリ構造体の一実施例を示す斜視図
または正面図である。 １……キヤリジアセンブリ構造体、２……ガイ
ドアーム、３……ガイドアームスペーサ、４……
枠体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ スウイングアーム方式磁気デイスク装置用の
セラミツクスよりなるキヤリジアセンブリ構造体
のセラミツクス部材間の接合面間にAl，Al合金
またはガラス半田を挿入し、加熱および加圧して
接合することを特徴とするスウイングアーム方式
磁気デイスク装置用キヤリジアセンブリ構造体の
製作法。 ２ 特許請求の範囲第１項において、前記Al合
金として、Al合金の両側をAl−Si合金ではさん
だ積層板あるいはクラツド材を用い、Al−Si合
金の固相線以上の温度に加熱すると共に加圧する
ことを特徴とするスウイングアーム方式磁気デイ
スク装置用キヤリジアセンブリ構造体の製作法。 ３ 特許請求の範囲第１項において、前記ガラス
半田として、主成分がPbO，B2O3，SiO2，
Al2O3，BaO，CaO，Na2O，K2OおよびMgOの
いずれかよりなり、熱膨張係数が被接合セラミツ
クスに近いガラス半田を用い、これらガラス半田
のガラス転位点より高い温度で大気中あるいは雰
囲気中で加熱することを特徴とするスウイングア
ーム方式磁気デイスク装置用キヤリジアセンブリ
構造体の製作法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24190683A JPS60136066A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | スウイングア−ム方式磁気デイスク装置用キヤリジアセンブリ構造体の製作法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24190683A JPS60136066A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | スウイングア−ム方式磁気デイスク装置用キヤリジアセンブリ構造体の製作法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60136066A JPS60136066A (ja) | 1985-07-19 |
| JPH0430668B2 true JPH0430668B2 (ja) | 1992-05-22 |
Family
ID=17081307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24190683A Granted JPS60136066A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | スウイングア−ム方式磁気デイスク装置用キヤリジアセンブリ構造体の製作法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60136066A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4949194A (en) * | 1988-02-26 | 1990-08-14 | Quest Technology Corporation | Ceramic support arm for movably positioning transducers |
| CA2055060C (en) * | 1990-12-31 | 1996-04-16 | John R. Reidenbach | Rotary actuator for disk drive assemblies |
| US6618226B2 (en) | 2001-07-10 | 2003-09-09 | International Business Machines Corporation | Locally deformable sleeve on disk drive pivot assembly |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP24190683A patent/JPS60136066A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60136066A (ja) | 1985-07-19 |
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