JPH04305381A - ワークの表面を機械加工するイオンプラズマ用装置 - Google Patents
ワークの表面を機械加工するイオンプラズマ用装置Info
- Publication number
- JPH04305381A JPH04305381A JP19508691A JP19508691A JPH04305381A JP H04305381 A JPH04305381 A JP H04305381A JP 19508691 A JP19508691 A JP 19508691A JP 19508691 A JP19508691 A JP 19508691A JP H04305381 A JPH04305381 A JP H04305381A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- machining
- workpiece
- ion plasma
- ion
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003754 machining Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 4
- 239000007779 soft material Substances 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 84
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/047—Changing particle velocity
- H01J2237/0475—Changing particle velocity decelerating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般にイオンプラズマ
技術に、特にワーク(工作物)の表面を機械加工するイ
オンプラズマ用装置に関する。
技術に、特にワーク(工作物)の表面を機械加工するイ
オンプラズマ用装置に関する。
【0002】本発明は、ワークの表面にイオン流を加え
ることによる様なイオンプラズマ機械加工によってマイ
クロエレクトロニックス装置、光学装置、超高周波装置
等に使用されるべき部品を製造する様に意図される製造
ユニットを設計するのに好結果に使用され得る。
ることによる様なイオンプラズマ機械加工によってマイ
クロエレクトロニックス装置、光学装置、超高周波装置
等に使用されるべき部品を製造する様に意図される製造
ユニットを設計するのに好結果に使用され得る。
【0003】
【従来の技術】イオンビームで材料を噴霧化することに
よって酸素雰囲気中で酸化膜を付着する様な、ワークを
機械加工する周知のイオンプラズマ用装置が存在する[
D.T.ウェイ「超低光学的損失のためのイオンビーム
干渉被覆」(“Ion Beam Interfe
rence Coating for Ultr
alowOptical Loss”)、応用光学(
Applied Optics)、第28巻、第14
号、1989年、2813〜2816頁参照]。この装
置は、基板に材料を付着する様に標的に向かって方向づ
けられるイオン流源を収容する真空室を備えている。し
かしながら、この装置は、イオンのカウフマン(Kau
ffman)源の様なイオンの比較的高いエネルギ源(
数keV)を使用する。
よって酸素雰囲気中で酸化膜を付着する様な、ワークを
機械加工する周知のイオンプラズマ用装置が存在する[
D.T.ウェイ「超低光学的損失のためのイオンビーム
干渉被覆」(“Ion Beam Interfe
rence Coating for Ultr
alowOptical Loss”)、応用光学(
Applied Optics)、第28巻、第14
号、1989年、2813〜2816頁参照]。この装
置は、基板に材料を付着する様に標的に向かって方向づ
けられるイオン流源を収容する真空室を備えている。し
かしながら、この装置は、イオンのカウフマン(Kau
ffman)源の様なイオンの比較的高いエネルギ源(
数keV)を使用する。
【0004】斯界に於いて多くの製造方法は、かなり低
いエネルギのイオンビームを必要とする。例えば、機械
加工すべきワークの表面に向かって方向づけられるイオ
ン流源を収容する真空室を備えた周知のイオンプラズマ
用装置が存在する(ヨーロッパ特許第0021140号
に対応する特公昭57−19570号参照)。この装置
は、低エネルギ(100eV以下)のイオン流によって
シリコン含有材料の基板のイオンエッチング(噴霧化)
に対して意図される。複数のワークは其等の表面をイオ
ン流源の方向に向けて固定用装置内に装置される。低エ
ネルギのイオンがワークの表面に当る際、材料は、結晶
材料への明確な照射損傷を与えることなく噴霧化される
。噴霧化の比率を増大するため、フレオンの様な化学的
に活性のガスイオンを使ってもよい。単一エネルギイオ
ン流を得るために、プラズマエミッタを有するイオン源
と、イオン加速のための単一電極系統とが使用される。
いエネルギのイオンビームを必要とする。例えば、機械
加工すべきワークの表面に向かって方向づけられるイオ
ン流源を収容する真空室を備えた周知のイオンプラズマ
用装置が存在する(ヨーロッパ特許第0021140号
に対応する特公昭57−19570号参照)。この装置
は、低エネルギ(100eV以下)のイオン流によって
シリコン含有材料の基板のイオンエッチング(噴霧化)
に対して意図される。複数のワークは其等の表面をイオ
ン流源の方向に向けて固定用装置内に装置される。低エ
ネルギのイオンがワークの表面に当る際、材料は、結晶
材料への明確な照射損傷を与えることなく噴霧化される
。噴霧化の比率を増大するため、フレオンの様な化学的
に活性のガスイオンを使ってもよい。単一エネルギイオ
ン流を得るために、プラズマエミッタを有するイオン源
と、イオン加速のための単一電極系統とが使用される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来技術の装置は、イオン流の強さ(流れ密度)がイオン
の空間電荷の作用によって制限されるためと、(1)式
で示すビームの極限パービアンスPのためとによって1
00eV以下のエネルギを有する活性イオン流を生じ得
ない。 P=Ib Uo 3/2 …(1) (1)式でIb は、イオンビーム電流[A]であり、
Uo は、静電加速系統によって取得可能なイオンエネ
ルギ[B]に対応するボルトである。従って、イオンの
エネルギ(Uo )の低減に応答して、イオンビームの
流れと、イオン流の密度とは、Uo 3/2 に比例し
て減少する。次に、低減する流れは、機械加工の一層遅
い比率と、工程の一層低い効率とを生じさせる。実際上
、これは、100eV以下のイオンエネルギにおいてワ
ークを機械加工することの欠陥につながり、これにより
該装置の生産能力を制限する。
来技術の装置は、イオン流の強さ(流れ密度)がイオン
の空間電荷の作用によって制限されるためと、(1)式
で示すビームの極限パービアンスPのためとによって1
00eV以下のエネルギを有する活性イオン流を生じ得
ない。 P=Ib Uo 3/2 …(1) (1)式でIb は、イオンビーム電流[A]であり、
Uo は、静電加速系統によって取得可能なイオンエネ
ルギ[B]に対応するボルトである。従って、イオンの
エネルギ(Uo )の低減に応答して、イオンビームの
流れと、イオン流の密度とは、Uo 3/2 に比例し
て減少する。次に、低減する流れは、機械加工の一層遅
い比率と、工程の一層低い効率とを生じさせる。実際上
、これは、100eV以下のイオンエネルギにおいてワ
ークを機械加工することの欠陥につながり、これにより
該装置の生産能力を制限する。
【0006】環状通路においてイオン流を横切り磁場を
励磁する磁性系統と、減速用環状電極とを備え、電子の
閉じたドリフト流によってイオン流を減速する周知の系
統が存在する[ソ連のA.I.モロゾフ及びN.N.セ
マシュコによる(Ionnye inzhektor
y i plazmennye uskorit
eli)1990年、エネルゴアトミズダート(Ene
rgoatmizdat)出版社、モスコー、213〜
217頁参照]。これ等の系統は、一般に、細い(1c
m以下の太さ)管状イオン流を減速するために使用可能
であり、この理由のためにイオンプラズマ機械加工ユニ
ットには使えない。
励磁する磁性系統と、減速用環状電極とを備え、電子の
閉じたドリフト流によってイオン流を減速する周知の系
統が存在する[ソ連のA.I.モロゾフ及びN.N.セ
マシュコによる(Ionnye inzhektor
y i plazmennye uskorit
eli)1990年、エネルゴアトミズダート(Ene
rgoatmizdat)出版社、モスコー、213〜
217頁参照]。これ等の系統は、一般に、細い(1c
m以下の太さ)管状イオン流を減速するために使用可能
であり、この理由のためにイオンプラズマ機械加工ユニ
ットには使えない。
【0007】本発明は、ワークの表面を機械加工するイ
オンプラズマ用装置に於いて、機械加工されるワークの
表面に隣接して生じ、且つイオン流に対向する電場によ
りイオン流を減速することで低エネルギの高強度単一運
動ビームの作用を必要とする処理を効果的に実施できる
様にする。
オンプラズマ用装置に於いて、機械加工されるワークの
表面に隣接して生じ、且つイオン流に対向する電場によ
りイオン流を減速することで低エネルギの高強度単一運
動ビームの作用を必要とする処理を効果的に実施できる
様にする。
【0008】
【課題を解決するための手段】機械加工されるワークの
表面に向かって方向づけられるイオン流源を収容する真
空室を備えたイオンプラズマ用装置に於いて、ワークの
表面の機械加工領域へのイオン流の通路のための孔を有
する遮蔽用電極と、真空室の壁及び遮蔽用電極から電気
的に絶縁され、非磁性材料から作られ機械加工されるべ
き少なくとも1つのワークを固定する減速用電極と、そ
の間に間挿される減速用電極を伴い少なくとも一対の磁
性要素から成る磁性系統とを備え、閉じた電子ドリフト
流によってイオン流を減速する系統が設けられ、磁場の
誘導ベクトルが減速用電極の表面にほゞ平行である様に
、各対の磁性要素の磁化ベクトルが、相互に対して方向
づけられると共に、減速用電極の表面に対して方向づけ
られることによってこの課題は解決される。
表面に向かって方向づけられるイオン流源を収容する真
空室を備えたイオンプラズマ用装置に於いて、ワークの
表面の機械加工領域へのイオン流の通路のための孔を有
する遮蔽用電極と、真空室の壁及び遮蔽用電極から電気
的に絶縁され、非磁性材料から作られ機械加工されるべ
き少なくとも1つのワークを固定する減速用電極と、そ
の間に間挿される減速用電極を伴い少なくとも一対の磁
性要素から成る磁性系統とを備え、閉じた電子ドリフト
流によってイオン流を減速する系統が設けられ、磁場の
誘導ベクトルが減速用電極の表面にほゞ平行である様に
、各対の磁性要素の磁化ベクトルが、相互に対して方向
づけられると共に、減速用電極の表面に対して方向づけ
られることによってこの課題は解決される。
【0009】かなりな横断面寸法のワークを機械加工す
るため、一対の磁性要素の各磁性要素は、他の対の対応
する磁性要素に対してそれ等の磁化ベクトルが90°を
超える角度をなす様に設置されることが好ましい。
るため、一対の磁性要素の各磁性要素は、他の対の対応
する磁性要素に対してそれ等の磁化ベクトルが90°を
超える角度をなす様に設置されることが好ましい。
【0010】機械加工されるべきワークの連続的な横断
面における磁気誘導の最高の大きさは、磁性要素の磁化
ベクトルの間の角度が180°であれば、達成可能であ
る。
面における磁気誘導の最高の大きさは、磁性要素の磁化
ベクトルの間の角度が180°であれば、達成可能であ
る。
【0011】ワークの1個宛の機械加工を容易にするた
め、各磁性要素は、好ましくは平行六面体の形状を持つ
べきであり、一方、減速用電極は、磁性要素の長さより
も短い長さの板として形成される。
め、各磁性要素は、好ましくは平行六面体の形状を持つ
べきであり、一方、減速用電極は、磁性要素の長さより
も短い長さの板として形成される。
【0012】特に誘電性ワークを機械加工する際にイオ
ン減速の効果を向上するため、各磁性要素が該要素の磁
化ベクトルに平行にその軸線の延びる貫通孔を有する平
行六面体として形成され、一方、減速用電極が磁性要素
の形状に整合する形状を有し、磁性要素の側面への減速
用電極の投影が該側面内にある様に設置されることが好
ましい。
ン減速の効果を向上するため、各磁性要素が該要素の磁
化ベクトルに平行にその軸線の延びる貫通孔を有する平
行六面体として形成され、一方、減速用電極が磁性要素
の形状に整合する形状を有し、磁性要素の側面への減速
用電極の投影が該側面内にある様に設置されることが好
ましい。
【0013】操作の際の装置の信頼性を改善して、減速
系統の電気的な故障を防止するため、遮蔽用電極は、好
ましくは、磁性系統を収容する箱状ハウジングの形状を
持つべきであり、孔は、イオン流に面する壁に有利に作
られる。
系統の電気的な故障を防止するため、遮蔽用電極は、好
ましくは、磁性系統を収容する箱状ハウジングの形状を
持つべきであり、孔は、イオン流に面する壁に有利に作
られる。
【0014】イオン流源の作用の際に減速系統の磁場の
効果を低減するため、遮蔽用電極は、好ましくは磁気的
な軟質の材料から作られる。
効果を低減するため、遮蔽用電極は、好ましくは磁気的
な軟質の材料から作られる。
【0015】減速系統のかなりな極間間隙において高強
度の磁場を得ることは、磁性要素がSmCo6 の様な
高い保磁力を有する材料から作られるときに可能である
。
度の磁場を得ることは、磁性要素がSmCo6 の様な
高い保磁力を有する材料から作られるときに可能である
。
【0016】ワークの表面を衝撃するイオンのエネルギ
を変更するため、その正の端子が減速用電極に結合され
、その負の端子が遮蔽用電極に結合される直流電源を該
装置が備えることは、有利である。
を変更するため、その正の端子が減速用電極に結合され
、その負の端子が遮蔽用電極に結合される直流電源を該
装置が備えることは、有利である。
【0017】操作における一層高い安定性は、遮蔽用電
極が接地されれば達成される。同一の目的に鑑み、イオ
ン流源と遮蔽用電極との間に配置される電子源を設ける
ことは、好ましい。
極が接地されれば達成される。同一の目的に鑑み、イオ
ン流源と遮蔽用電極との間に配置される電子源を設ける
ことは、好ましい。
【0018】製造工程中に、被覆が機械加工されるワー
クの表面に付着されると共に、他の材料のイオンでワー
クの表面を衝撃して好適材料の原子を同時に付着する製
造工程を実施するため、該装置は、好ましくは、機械加
工されるワークの表面に向って方向づけられる被覆材料
の少なくとも1つの原子源を備えるべきである。
クの表面に付着されると共に、他の材料のイオンでワー
クの表面を衝撃して好適材料の原子を同時に付着する製
造工程を実施するため、該装置は、好ましくは、機械加
工されるワークの表面に向って方向づけられる被覆材料
の少なくとも1つの原子源を備えるべきである。
【0019】閉じた電子ドリフト流を有するイオン流減
速系統を備えたワークの表面を機械加工する提案された
イオンプラズマ用装置は、イオンのエネルギを低減する
ことにより一層広いイオンプラズマの機械加工性能を有
している。
速系統を備えたワークの表面を機械加工する提案された
イオンプラズマ用装置は、イオンのエネルギを低減する
ことにより一層広いイオンプラズマの機械加工性能を有
している。
【0020】以下、添付図面を参照して本発明の特定の
実施例に関し本発明を詳細に説明する。
実施例に関し本発明を詳細に説明する。
【0021】
【実施例】ワークの表面を機械加工するイオンプラズマ
用装置は、イオン流源2と、ワーク4がその中に位置し
ている閉じた電子ドリフト流によってイオン流を減速す
る系統3とを収容する真空室1(図1)を備えている。 この系統3は、減速用電極6と、2個の磁性要素7とを
収容する箱状ハウジングとして形成される遮蔽用電極5
を有している。磁性要素7の磁化ベクトル(M→)は、
磁気誘導のベクトル(B→)が非磁性材料で作られる減
速用電極6の表面にほゞ平行である様に方向づけられる
。
用装置は、イオン流源2と、ワーク4がその中に位置し
ている閉じた電子ドリフト流によってイオン流を減速す
る系統3とを収容する真空室1(図1)を備えている。 この系統3は、減速用電極6と、2個の磁性要素7とを
収容する箱状ハウジングとして形成される遮蔽用電極5
を有している。磁性要素7の磁化ベクトル(M→)は、
磁気誘導のベクトル(B→)が非磁性材料で作られる減
速用電極6の表面にほゞ平行である様に方向づけられる
。
【0022】これにより、磁気誘導のベクトル(B→)
に対してその任意の点において垂直であって減速用電極
6の表面にほゞ平行な電子ドリフト流の線8(図2)は
、閉じられる。減速用電極6を固定する絶縁ユニット9
(図1)は、この線8(図2)の閉鎖を妨げない様に設
置される。該装置は、その正の端子が減速用電極6に結
合され、その負の端子が遮蔽用電極5に結合される直流
電源10(図1)を備えてもよい。又、該装置は、電子
源11と、被覆材料の原子源12とを備えてもよい。 遮蔽用電極5は、接地されてもよい。
に対してその任意の点において垂直であって減速用電極
6の表面にほゞ平行な電子ドリフト流の線8(図2)は
、閉じられる。減速用電極6を固定する絶縁ユニット9
(図1)は、この線8(図2)の閉鎖を妨げない様に設
置される。該装置は、その正の端子が減速用電極6に結
合され、その負の端子が遮蔽用電極5に結合される直流
電源10(図1)を備えてもよい。又、該装置は、電子
源11と、被覆材料の原子源12とを備えてもよい。 遮蔽用電極5は、接地されてもよい。
【0023】磁性要素7(図2)は、減速用電極6がそ
れ等磁性要素7,7間に間挿され継続的に磁化される平
行六面体の形状を有してもよく、その際該電極6の表面
は、要素7の磁化ベクトル(M→)に平行である。
れ等磁性要素7,7間に間挿され継続的に磁化される平
行六面体の形状を有してもよく、その際該電極6の表面
は、要素7の磁化ベクトル(M→)に平行である。
【0024】次に図3を参照すると、平行六面体として
形成される2対の磁性要素7があり、該一対の磁性要素
7の各々は、磁化ベクトル(M→)が角度α>90°、
例えばα=180°(図4)を成すように他の対の対応
する磁性要素7に対して設置される。減速用電極6は、
好ましくは、磁気誘導のベクトル(B→)が電極6の表
面にほゞ平行である領域に設置される。
形成される2対の磁性要素7があり、該一対の磁性要素
7の各々は、磁化ベクトル(M→)が角度α>90°、
例えばα=180°(図4)を成すように他の対の対応
する磁性要素7に対して設置される。減速用電極6は、
好ましくは、磁気誘導のベクトル(B→)が電極6の表
面にほゞ平行である領域に設置される。
【0025】図5を参照すると、磁性要素7は、磁化ベ
クトル(M→)に平行な軸線を持つ孔13を有する平行
六面体の形状を備えてもよい。これにより、減速用電極
6は、磁性要素7の形状と同様の形状を有し、一方、磁
性要素7の側面への減速用電極6の投影は、要素7の領
域内にある。
クトル(M→)に平行な軸線を持つ孔13を有する平行
六面体の形状を備えてもよい。これにより、減速用電極
6は、磁性要素7の形状と同様の形状を有し、一方、磁
性要素7の側面への減速用電極6の投影は、要素7の領
域内にある。
【0026】「磁性要素7−減速用電極6」系統は、図
6に示す如く周期的な構造を有してもよく、磁性要素7
は、任意の上述の形状を有してもよい。該組立体は、図
7に示す様にイオン流に面するその壁に孔19を有し減
速用電極6を収容する箱状ハウジングの形状の付加的な
電極15を備えてもよい。付加的な電極15は、減速用
電極6から電気的に絶縁される。これにより、減速用電
極と、付加的な電極とを1つの直流電源10の正の端子
に結合するか、又は図7に示す様に直流電源10,18
の正の端子の夫々に夫々の該電極を結合することが可能
である。
6に示す如く周期的な構造を有してもよく、磁性要素7
は、任意の上述の形状を有してもよい。該組立体は、図
7に示す様にイオン流に面するその壁に孔19を有し減
速用電極6を収容する箱状ハウジングの形状の付加的な
電極15を備えてもよい。付加的な電極15は、減速用
電極6から電気的に絶縁される。これにより、減速用電
極と、付加的な電極とを1つの直流電源10の正の端子
に結合するか、又は図7に示す様に直流電源10,18
の正の端子の夫々に夫々の該電極を結合することが可能
である。
【0027】図8,図9に示す如く1つ又はそれ以上の
減速用電極6は、機械加工の領域に進入して退出する可
能性を有する任意の装置に設置されてもよい。
減速用電極6は、機械加工の領域に進入して退出する可
能性を有する任意の装置に設置されてもよい。
【0028】減速用電極6の変更及び位置決めと共に磁
性系統の総ての前述の形状は、ベクトルE×Bの方向の
電子ドリフト流Je の線8(図2)を閉じることの前
提条件を満足する。こゝに、Eは、磁場の強さであり、
Bは、磁気誘導である。この流れの代表的な線8は、図
2に示される。減速用電極6を固定する絶縁ユニット9
は、流れJe の自由な閉鎖を阻止しない様に設置され
る。電場は、直流電源10(図1)によって維持される
。
性系統の総ての前述の形状は、ベクトルE×Bの方向の
電子ドリフト流Je の線8(図2)を閉じることの前
提条件を満足する。こゝに、Eは、磁場の強さであり、
Bは、磁気誘導である。この流れの代表的な線8は、図
2に示される。減速用電極6を固定する絶縁ユニット9
は、流れJe の自由な閉鎖を阻止しない様に設置され
る。電場は、直流電源10(図1)によって維持される
。
【0029】電子源11は、イオン流源2と系統3との
間に設置される。ヒ化ガリウム結晶をイオンでエッチン
グするとき、提案される装置は、次の態様で作用する。 10−2Pa以下の真空圧力に到達すると、イオン流源
は、作動される。通常、周知のイオン流源の流れパラメ
ータは、次の通りであり、即ち、イオンのエネルギは、
間に設置される。ヒ化ガリウム結晶をイオンでエッチン
グするとき、提案される装置は、次の態様で作用する。 10−2Pa以下の真空圧力に到達すると、イオン流源
は、作動される。通常、周知のイオン流源の流れパラメ
ータは、次の通りであり、即ち、イオンのエネルギは、
【数1】
であり、イオン流の密度ないし電子ドリフト流はJe
=1〜2mA/cm2 である。
=1〜2mA/cm2 である。
【0030】しかしながら、或る材料を機械加工するた
め、又は或る工程を実施するため、イオンの好適なエネ
ルギは、40eV以下でなければならない。これは、こ
ゝに提案される装置で達成可能である。この目的に鑑み
、大きさeU=(Wo −40)eVの正の電位が遮蔽
用電極5に対応して減速用電極6に加えられる。この式
でe=1.6×10−19 Klは、電子の電荷である
。この場合には、ワーク4の機械加工領域は、イオンを
減速する電場が維持される電気的層(E層)の存在のた
めに適正な状態を備えている。
め、又は或る工程を実施するため、イオンの好適なエネ
ルギは、40eV以下でなければならない。これは、こ
ゝに提案される装置で達成可能である。この目的に鑑み
、大きさeU=(Wo −40)eVの正の電位が遮蔽
用電極5に対応して減速用電極6に加えられる。この式
でe=1.6×10−19 Klは、電子の電荷である
。この場合には、ワーク4の機械加工領域は、イオンを
減速する電場が維持される電気的層(E層)の存在のた
めに適正な状態を備えている。
【0031】この型式の放電の物理学によって理解され
る様に、該電場の維持は、電子ドリフト流の線8(図2
)を閉じるための条件が次の数2式を満足するとき、ワ
ーク4への高いエネルギの電子流を生じることができな
い。
る様に、該電場の維持は、電子ドリフト流の線8(図2
)を閉じるための条件が次の数2式を満足するとき、ワ
ーク4への高いエネルギの電子流を生じることができな
い。
【0032】
【数2】
この式でJe は電子ドリフト流、ne は、電子濃度
であり、角括弧は、ベクトル積を含む。この流れの線8
は、ワーク4又は任意のその他の構造要素の表面を横切
ってはならない。この場合には、直流電源10(図1)
の電力は、この流れを維持するために消費されず、ワー
ク4の表面に向う電子流は、最小限になる。イオンを減
速する系統の提案される幾何学的形状は、ドリフト流の
線8(図2)の閉鎖を保証する。実験は、
であり、角括弧は、ベクトル積を含む。この流れの線8
は、ワーク4又は任意のその他の構造要素の表面を横切
ってはならない。この場合には、直流電源10(図1)
の電力は、この流れを維持するために消費されず、ワー
ク4の表面に向う電子流は、最小限になる。イオンを減
速する系統の提案される幾何学的形状は、ドリフト流の
線8(図2)の閉鎖を保証する。実験は、
【数3】
の磁気誘導のレベルにおいて、電子流がWf /Wo
=0.6〜0.8のイオン減速の比率におけるイオン流
に等しいか、又は小さくてもよいことを示した。イオン
流源2から脱出するWo =200eVのイオンのエネ
ルギにおいてワーク4の表面に当たる終局のエネルギW
f は、約40eVになる。電導性表面の機械加工のた
めの様に電子流がイオン流にかなり勝るべきことが必要
であれば、更に高度のイオン減速すら達成可能である。
=0.6〜0.8のイオン減速の比率におけるイオン流
に等しいか、又は小さくてもよいことを示した。イオン
流源2から脱出するWo =200eVのイオンのエネ
ルギにおいてワーク4の表面に当たる終局のエネルギW
f は、約40eVになる。電導性表面の機械加工のた
めの様に電子流がイオン流にかなり勝るべきことが必要
であれば、更に高度のイオン減速すら達成可能である。
【0033】計算と、実験とは、SmCo6 の様な高
い保磁力の磁気的な硬質の材料を使用する際に200m
m迄の寸法のワーク4に対して、磁気誘導の所要のレベ
ル(種々な流れパラメータに対して0.02〜0.05
Tl)がこゝに提案される構造で得られ得ることを示し
た。
い保磁力の磁気的な硬質の材料を使用する際に200m
m迄の寸法のワーク4に対して、磁気誘導の所要のレベ
ル(種々な流れパラメータに対して0.02〜0.05
Tl)がこゝに提案される構造で得られ得ることを示し
た。
【0034】磁性要素7の形状は、特定のワーク4を機
械加工するのに有利であり、且つ機械加工の工程を容易
にする様に定められる。例えば、平行六面体の形状の一
対の磁性要素7(図2)の使用は、縦横5mm迄の寸法
の個々の部品4を機械加工するのに好適である。好まし
い距離を超えて極間距離が増大すると、ワーク4の中心
における磁気誘導の大きさは、許容可能なレベル以下に
急に低下する。二対の磁性要素7(図3,4)を使用す
れば、一層大きい寸法のワーク4を機械加工することが
できる。系統L1 ,L2 ,αの幾何学的形状を変更
することにより、磁場の分布を変更することが可能であ
る。 α=180°において、ワーク4の周辺の磁気誘導は、
最大限になる。
械加工するのに有利であり、且つ機械加工の工程を容易
にする様に定められる。例えば、平行六面体の形状の一
対の磁性要素7(図2)の使用は、縦横5mm迄の寸法
の個々の部品4を機械加工するのに好適である。好まし
い距離を超えて極間距離が増大すると、ワーク4の中心
における磁気誘導の大きさは、許容可能なレベル以下に
急に低下する。二対の磁性要素7(図3,4)を使用す
れば、一層大きい寸法のワーク4を機械加工することが
できる。系統L1 ,L2 ,αの幾何学的形状を変更
することにより、磁場の分布を変更することが可能であ
る。 α=180°において、ワーク4の周辺の磁気誘導は、
最大限になる。
【0035】電導性材料と誘電性材料とをイオン機械加
工する際、両者を区別することは、不可欠である。誘電
性材料の機械加工の場合には、イオン流と電子流(全電
流は零である)との間の均等さは、自動的に与えられ、
これにより、遮蔽用電極5の電位に対するこの表面の特
定の正の電位は、確立される。こゝに、ワークの表面に
作用するイオンの有限エネルギは、イオンの最初のエネ
ルギと、イオン流の密度とに依存し、これ等は、工程の
要件に由来して実験的に定められる。
工する際、両者を区別することは、不可欠である。誘電
性材料の機械加工の場合には、イオン流と電子流(全電
流は零である)との間の均等さは、自動的に与えられ、
これにより、遮蔽用電極5の電位に対するこの表面の特
定の正の電位は、確立される。こゝに、ワークの表面に
作用するイオンの有限エネルギは、イオンの最初のエネ
ルギと、イオン流の密度とに依存し、これ等は、工程の
要件に由来して実験的に定められる。
【0036】反対に、電導性ワーク4を機械加工すると
き、減速用電極6の電位、従って、イオンの有限エネル
ギは、直流電源10(図1)の端子の電圧を変更するこ
とによって容易に前もって設定される。これにより、減
速用電極6の回路における電流は、正(イオン流が電子
流よりも大きい)又は負(イオン流と電子流との間の逆
の割合)のいずれでもよい。
き、減速用電極6の電位、従って、イオンの有限エネル
ギは、直流電源10(図1)の端子の電圧を変更するこ
とによって容易に前もって設定される。これにより、減
速用電極6の回路における電流は、正(イオン流が電子
流よりも大きい)又は負(イオン流と電子流との間の逆
の割合)のいずれでもよい。
【0037】誘電性ワーク4を機械加工する際にイオン
の有限のエネルギを制御するため、機械加工されるワー
ク4に向かって進む際のイオン流によって真空室1内で
活性化されるプラズマの電位を制御するために電子源1
1を追加することは、有利である。微粒子束を入れるた
めの孔を有するハウジングの形状の遮蔽用電極5を設け
ることは、減速用電極6と遮蔽用電極5との間の電気的
な故障を生じにくくする。ワーク4は、浮遊電位と、接
地される遮蔽用電極5との双方によって機械加工されて
もよい。遮蔽用電極5が直流電源10の回路内にもたら
される態様は、電子ビームの輸送の領域における電子の
平衡に影響を及ぼし、従って、ワーク4を機械加工する
領域における電場の分布に影響を及ぼす。通常、遮蔽用
電極5の接地は、装置の一層安定した操作へ導き得ると
共に、誘電性ワーク4を機械加工する際のイオンの減速
の最終比率の低減へ導き得る。
の有限のエネルギを制御するため、機械加工されるワー
ク4に向かって進む際のイオン流によって真空室1内で
活性化されるプラズマの電位を制御するために電子源1
1を追加することは、有利である。微粒子束を入れるた
めの孔を有するハウジングの形状の遮蔽用電極5を設け
ることは、減速用電極6と遮蔽用電極5との間の電気的
な故障を生じにくくする。ワーク4は、浮遊電位と、接
地される遮蔽用電極5との双方によって機械加工されて
もよい。遮蔽用電極5が直流電源10の回路内にもたら
される態様は、電子ビームの輸送の領域における電子の
平衡に影響を及ぼし、従って、ワーク4を機械加工する
領域における電場の分布に影響を及ぼす。通常、遮蔽用
電極5の接地は、装置の一層安定した操作へ導き得ると
共に、誘電性ワーク4を機械加工する際のイオンの減速
の最終比率の低減へ導き得る。
【0038】イオンの有限エネルギの一層広い範囲の変
更は、孔を有する平行六面体としての磁性要素7(図5
)と、同様な形状の減速用要素6とを形成することによ
って達成可能である。この場合には、図5に最もよく認
められる様に、電子のドリフト路(線8に沿って)の縦
に均等な磁場を得ることが容易である。該均等さは、イ
オンを減速する一層大きい比率を保証する。
更は、孔を有する平行六面体としての磁性要素7(図5
)と、同様な形状の減速用要素6とを形成することによ
って達成可能である。この場合には、図5に最もよく認
められる様に、電子のドリフト路(線8に沿って)の縦
に均等な磁場を得ることが容易である。該均等さは、イ
オンを減速する一層大きい比率を保証する。
【0039】一群のワーク4(図6)、特に小さい寸法
のワーク4を機械加工するとき、前述の形状の任意の磁
性要素7を有する周期的な構造を使用することは、好ま
しい。
のワーク4を機械加工するとき、前述の形状の任意の磁
性要素7を有する周期的な構造を使用することは、好ま
しい。
【0040】イオンの低エネルギ流により誘電性基板を
衝撃することによって伴われる金属原子の流れを付着す
ることで該基板上に密な金属層を得るのに関連して、又
は金属酸化物層を付着するとき、一群の処理を実施する
ため、蒸発器型の様な任意の周知の好適な構造の原子流
源12(図1)を有する装置を設けることは、有利であ
る。
衝撃することによって伴われる金属原子の流れを付着す
ることで該基板上に密な金属層を得るのに関連して、又
は金属酸化物層を付着するとき、一群の処理を実施する
ため、蒸発器型の様な任意の周知の好適な構造の原子流
源12(図1)を有する装置を設けることは、有利であ
る。
【0041】一群のワーク4(図8,9)の機械加工は
、二対の磁性要素7の間の空間へのその運動の可能性を
有する任意の装置に設置される幾つかの減速用電極を使
用して編成されてもよい。この場合には、原子流源12
(図1)が機械加工の領域内への1つ又は幾つかの内の
1つの減速用電極6の移動によって1つ宛に作用すると
き、多層フィルムを得る処理を実施することが可能であ
る。
、二対の磁性要素7の間の空間へのその運動の可能性を
有する任意の装置に設置される幾つかの減速用電極を使
用して編成されてもよい。この場合には、原子流源12
(図1)が機械加工の領域内への1つ又は幾つかの内の
1つの減速用電極6の移動によって1つ宛に作用すると
き、多層フィルムを得る処理を実施することが可能であ
る。
【0042】付加的な電極15の使用は、電子流の一部
が付加的な電極15の回路に生じるため、ワーク4への
電子流の低減を生じる。これは、ワークの温度が特定の
技術の条件の下で制限されれば、重要であり得る。ワー
クに寄与される電力の一層低いレベルは、付加的な電極
15が直流電源10の正の端子に結合されて、一方、減
速用電極6が浮遊電位(電圧計16で計測される)下に
あるときに生じる。正に、減速用電極及び付加的な電極
に対する2つの別個の直流電源10,18の使用は、可
能である。この場合には、減速用電極の回路における電
流は、零とは異なる(電流計17で測定される)。
が付加的な電極15の回路に生じるため、ワーク4への
電子流の低減を生じる。これは、ワークの温度が特定の
技術の条件の下で制限されれば、重要であり得る。ワー
クに寄与される電力の一層低いレベルは、付加的な電極
15が直流電源10の正の端子に結合されて、一方、減
速用電極6が浮遊電位(電圧計16で計測される)下に
あるときに生じる。正に、減速用電極及び付加的な電極
に対する2つの別個の直流電源10,18の使用は、可
能である。この場合には、減速用電極の回路における電
流は、零とは異なる(電流計17で測定される)。
【0043】
【発明の効果】前述に鑑み、本発明は、提案される装置
に新規の技術を受入れ易くするイオンエネギの一層低い
レベルの30〜50eVへの低減により、ワークの表面
を機械加工するイオンプラズマ用装置の生産能力を拡大
を可能にする。
に新規の技術を受入れ易くするイオンエネギの一層低い
レベルの30〜50eVへの低減により、ワークの表面
を機械加工するイオンプラズマ用装置の生産能力を拡大
を可能にする。
【図1】ワークの表面を機械加工する本発明に基づくイ
オンプラズマ用装置の一実施例の全体図である。
オンプラズマ用装置の一実施例の全体図である。
【図2】平行六面体の形状の一対の磁性要素によってイ
オン流を減速する系統の図である。
オン流を減速する系統の図である。
【図3】その磁化ベクトルがそれ等の間で90°を超え
る角度を成す二対の磁性要素によってイオン流を減速す
る系統の図である。
る角度を成す二対の磁性要素によってイオン流を減速す
る系統の図である。
【図4】それ等の磁化ベクトルの間に180°の角度を
有する二対の磁性要素を備える変更された形状の減速系
統の図である。
有する二対の磁性要素を備える変更された形状の減速系
統の図である。
【図5】孔を有する平行六面体の形状の一対の磁性要素
と、該磁性要素と同様な形状の減速用電極とを備える減
速系統の図である。
と、該磁性要素と同様な形状の減速用電極とを備える減
速系統の図である。
【図6】図2,4,5に示す形状の任意の要素の周期的
な構造の形状を有する減速系統の図である。
な構造の形状を有する減速系統の図である。
【図7】付加的な電極を有する減速用電極を備える本発
明による変更された形状の減速系統の図である。
明による変更された形状の減速系統の図である。
【図8】二対の磁性要素の間の空間に進入して退出する
様に減速用電極を移動する装置に設置される減速用電極
を備える減速系統の断面図である。
様に減速用電極を移動する装置に設置される減速用電極
を備える減速系統の断面図である。
【図9】図8による幾つか(例えば3つ)の、減速用電
極を移動する原理を示す平面図である。
極を移動する原理を示す平面図である。
1 真空室
2 イオン流源
3 減速する系統
4 ワーク
5 遮蔽用電極
6 減速用電極
7 磁性要素
M→ 磁化ベクトル
B→ 磁気誘導のベクトル
α 角度
10 直流電源
11 電子源
12 原子流源
13 孔
15 付加的な電極
18 付加的な電極用直流電源
19 孔
20 孔
Claims (15)
- 【請求項1】 機械加工されるワークの表面に向って
方向付けられるイオン流源(2)を収容する真空室(1
)を備えた、該表面を機械加工するイオンプラズマ用装
置において、前記表面の機械加工領域へのイオン流の通
路のための孔を持つ遮蔽用電極(5)と、前記真空室(
1)の壁及び該遮蔽用電極(5)から電気的に絶縁され
、非磁性材料から作られ、機械加工される少なくとも1
個のワーク(4)をその上に固定する減速用電極(6)
と、それ等の間に間挿される該減速用電極(6)を伴う
少なくとも一対の磁性要素(7)から成る磁性系統とを
有し、閉じた電子ドリフト流によってイオン流を減速す
る系統(3)を備え、磁気誘導のベクトル(B→)が機
械加工される前記ワーク(4)の表面にほゞ平行になる
様に、各対の該磁性要素(7)の磁化ベクトル(M→)
が、相互に対して方向付けられると共に、該減速用電極
(6)の表面に対して方向付けられることを特徴とする
ワークの表面を機械加工するイオンプラズマ用装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載のワークの表面を機械
加工するイオンプラズマ用装置において、二対の磁性要
素(7)の存在において、その磁化ベクトル(M→)が
それ等の間に90°を超える角度(α)をなす様に、1
つの該対の各磁性要素(7)が、他の対の対応する磁性
要素(7)に対して位置決めされる(図3)ことを特徴
とするワークの表面を機械加工するイオンプラズマ用装
置。 - 【請求項3】 請求項2に記載のワークの表面を機械
加工するイオンプラズマ用装置において、前記磁性要素
(7)の磁化ベクトル(M→)間の角度(α)が、18
0°である(図4)ことを特徴とするワークの表面を機
械加工するイオンプラズマ用装置。 - 【請求項4】 請求項1から請求項3のいずれか1つ
の項に記載のワークの表面を機械加工するイオンプラズ
マ用装置において、前記各磁性要素(7)が、平行六面
体の形状を有し、一方、前記減速用電極(6)が、該磁
性要素(7)の長さよりも短い長さの板の形状を有する
ことを特徴とするワークの表面を機械加工するイオンプ
ラズマ用装置。 - 【請求項5】 請求項1から請求項3のいずれか1つ
の項に記載のワークの表面を機械加工するイオンプラズ
マ用装置において、前記各磁性要素(7)が、該磁性要
素(7)の磁化ベクトル(M→)に平行に延びる軸線を
持つ貫通孔(13)を有する平行六面体の形状を備え、
一方、前記減速用電極(6)の該磁性要素(7)の側面
への投影が該磁性要素の領域内にある様に、該減速用電
極(6)が、該磁性要素(7)の形状に類似する形状を
有することを特徴とするワークの表面を機械加工するイ
オンプラズマ用装置。 - 【請求項6】 請求項1から請求項5のいずれか1つ
の項に記載のワークの表面を機械加工するイオンプラズ
マ用装置において、前記遮蔽用電極(5)が、前記磁性
系統を収容する箱状ハウジングの形状を有し、前記機械
加工領域へのイオン流の通路のための前記孔が、該イオ
ン流に面する壁に設けられることを特徴とするワークの
表面を機械加工するイオンプラズマ用装置。 - 【請求項7】 請求項1に記載のワークの表面を機械
加工するイオンプラズマ用装置において、前記遮蔽用電
極(5)が、磁気的な軟質の材料から作られることを特
徴とするワークの表面を機械加工するイオンプラズマ用
装置。 - 【請求項8】 請求項1に記載のワークの表面を機械
加工するイオンプラズマ用装置において、前記磁性要素
(7)が、高い保磁力を特色とする磁性材料から作られ
ることを特徴とするワークの表面を機械加工するイオン
プラズマ用装置。 - 【請求項9】 請求項1に記載のワークの表面を機械
加工するイオンプラズマ用装置において、その正の端子
が前記減速用電極(6)に結合され、その負の端子が前
記遮蔽用電極(5)に結合されている直流電源(10)
を備えることを特徴とするワークの表面を機械加工する
イオンプラズマ用装置。 - 【請求項10】 請求項8に記載のワークの表面を機
械加工するイオンプラズマ用装置において、前記遮蔽用
電極(5)が接地されることを特徴とするワークの表面
を機械加工するイオンプラズマ用装置。 - 【請求項11】 請求項1に記載のワークの表面を機
械加工するイオンプラズマ用装置において、前記イオン
流源(2)と前記遮蔽用電極(5)との間に設置される
電子源(11)を備えることを特徴とするワークの表面
を機械加工するイオンプラズマ用装置。 - 【請求項12】 請求項1に記載のワークの表面を機
械加工するイオンプラズマ用装置において、前記ワーク
の表面に被覆を付着するとき、機械加工される該表面に
向って方向付けられる被覆材料の少なくとも1つの原子
源(12)を好ましくは備えるワークの表面を機械加工
するイオンプラズマ用装置。 - 【請求項13】 請求項1に記載のワークの表面を機
械加工するイオンプラズマ用装置において、前記減速用
電極(6)を収容し電気的にイオン流に面するその壁に
孔(19)を有し該減速用電極(6)から絶縁される箱
状ハウジングの形状を持つ付加的な電極(15)を備え
ることを特徴とするワークの表面を機械加工するイオン
プラズマ用装置。 - 【請求項14】 請求項13に記載のワークの表面を
機械加工するイオンプラズマ用装置において、直流電源
(18)の正の端子が、前記付加的な電極(15)に結
合されることを特徴とするワークの表面を機械加工する
イオンプラズマ用装置。 - 【請求項15】 請求項2又は請求項3に記載のワー
クの表面を機械加工するイオンプラズマ用装置において
、機械加工されるべき少なくとも1個のワーク(4)を
その上に固定する少なくとも1つの減速用電極(6)を
備え、該電極(6)が、装置に設置されて、前記二対の
磁性要素(7)の間の空間に進入して退出する様に移動
可能であり、一方、前記遮蔽用電極(5)が、該減速用
電極(6)の通路のためにそれを貫通する他の孔(20
)を有することを特徴とするワークの表面を機械加工す
るイオンプラズマ用装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4855467 | 1990-07-30 | ||
SU4855467 | 1990-07-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04305381A true JPH04305381A (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=21530013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19508691A Pending JPH04305381A (ja) | 1990-07-30 | 1991-07-10 | ワークの表面を機械加工するイオンプラズマ用装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0469236B1 (ja) |
JP (1) | JPH04305381A (ja) |
DE (1) | DE69113161T2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4259145A (en) * | 1979-06-29 | 1981-03-31 | International Business Machines Corporation | Ion source for reactive ion etching |
DE3502902A1 (de) * | 1984-01-31 | 1985-08-08 | Futaba Denshi Kogyo K.K., Mobara, Chiba | Ionenstrahl-aufdampfvorrichtung |
-
1991
- 1991-04-09 DE DE1991613161 patent/DE69113161T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-04-09 EP EP19910105592 patent/EP0469236B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-10 JP JP19508691A patent/JPH04305381A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0469236A2 (en) | 1992-02-05 |
EP0469236B1 (en) | 1995-09-20 |
DE69113161T2 (de) | 1996-02-15 |
EP0469236A3 (en) | 1993-04-21 |
DE69113161D1 (de) | 1995-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR900006488B1 (ko) | 마이크로파 여기 스퍼터링 방법 및 장치 | |
JP3159949B2 (ja) | 陰極アーク放電を用いた薄膜蒸着装置 | |
EP0148504A2 (en) | Method and apparatus for sputtering | |
JPH05502971A (ja) | 低周波誘導型高周波プラズマ反応装置 | |
US4716340A (en) | Pre-ionization aided sputter gun | |
JP2007154265A (ja) | シートプラズマ成膜装置 | |
US5726412A (en) | Linear microwave source for plasma surface treatment | |
US5262611A (en) | Apparatus for ion-plasma machining workpiece surfaces including improved decelerating system | |
JPS63184333A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
US5397448A (en) | Device for generating a plasma by means of cathode sputtering and microwave-irradiation | |
CA1252581A (en) | Electron beam-excited ion beam source | |
EP0639939B1 (en) | Fast atom beam source | |
EP0658917A2 (en) | Fine-processing apparatus using low-energy neutral particle beam | |
EP0789506B1 (en) | Apparatus for generating magnetically neutral line discharge type plasma | |
US6843891B2 (en) | Apparatus for sputter deposition | |
JPS59232420A (ja) | ドライエツチング装置 | |
JP4795174B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
JP3064214B2 (ja) | 高速原子線源 | |
JPH04305381A (ja) | ワークの表面を機械加工するイオンプラズマ用装置 | |
JP2674995B2 (ja) | 基板処理方法およびその装置 | |
JP4384295B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH0535537B2 (ja) | ||
Baranov et al. | How to Control Plasma Parameters | |
Tereshin et al. | Thin films deposition with ECR planar plasma source | |
JPS5887272A (ja) | プレ−ナマグネトロンスパツタ装置 |