JPH04300289A - 炭素膜形成方法 - Google Patents
炭素膜形成方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
ンドを含む炭素膜またはダイヤモンド膜の作製方法に関
し、特に反応ガスとして1−アダマンタノールまたは2
−アダマンタノールを用いてこれらの膜を作製する方法
に関する。
膜またはダイヤモンド膜を形成する方法としては熱フィ
ラメントCVD(化学的気相成長)法が最もよく利用さ
れている。該方法とは、例えば図1に示すように石英反
応管1に反応性ガスをガス導入口2より流入し金属タン
グステン(またはタンタル)製フィラメント3に電流を
流し該フィラメントを1500℃〜3000℃に加熱し
熱電子を放出させることによって基板4を 400℃〜
1300℃に加熱する。化学反応により基体上にダイヤ
モンドを含む炭素膜またはダイヤモンド膜を形成する方
法である。この時、反応容器内の圧力は 1〜350T
orr に維持されている。それゆえ、熱CVD法は安
価で手軽に行うことができる方法である。
ヤモンド膜形成方法として、マイクロ波プラズマCVD
法がある。該方法とは、例えば図2に示すようにマイク
ロ波導波管6の一部に石英反応管1を挿入し該石英反応
管の上部から、反応ガスを導入し、下部から真空排気を
行う。マイクロ波の発振周波数は2.45GHzが最も
よく用いられている。反応容器の圧力は10〜200T
orr に保たれている。
イヤモンドを含む炭素膜およびダイヤモンド膜を形成す
る方法としては反応圧力が 0.1Torrより高い場
合に起こる現象であるMCR( Mixed Cycl
otronResonance)を用いる有磁場マイク
ロ波プラズマCVD法と、反応圧力が 0.1Torr
以下と非常に低い場合に起こる現象であるECR(El
ectron Cyclotron Resonanc
e)を用いるECRプラズマCVD法とがある。
する装置の概略図を図3に示す。磁場コイル7による磁
界とマイクロ波導波管6から反応室に導入されたマイク
ロ波の相互作用を利用してガス導入口2より流入される
反応性ガスを効率よく励起し、基板4上にダイヤモンド
を含む炭素膜またはダイヤモンド膜を形成する。基板4
は基板保持板を加熱することにより外部コントロールさ
れている。また、浮遊電界8を基板4に加えることもで
きる。反応ガスとしてはメタン、一酸化炭素、エチレン
、メタノール、エタノールなどの通常において気体また
は液体の炭化水素を水素で希釈したガスが用いられてい
る。また、水、二酸化炭素、酸素を少量添加したガスも
用いられている。
形状は有磁場マイクロ波CVD装置とほぼ同じであるが
、反応圧力が 0.1Torr以下と非常に低いために
プラズマが有磁場マイクロ波CVD法より広がり大面積
成膜が可能になっている。そのため、ほとんどのECR
プラズマCVD装置が図4に示してあるようにデポダウ
ン形式である。図3のような有磁場マイクロ波CVD装
置では反応室の質量および操作性の問題から必然的に大
面積に成膜するのは非常に効率が悪い。一般には反応ガ
スをガス導入口2より流入するが、希釈ガスをガス導入
口2より、原料ガスをガス導入口9またはガス導入口1
0より流入する方法も用いられている。希釈ガスとして
は水素が用いられ、原料ガスとして通常は気体で存在し
ているメタン、アセチレン、一酸化炭素、二酸化炭素な
どが用いられ、極稀に通常は液体で存在しているメタノ
ール、エタノール、アセトンなどが用いられている。基
板保持台を回転させることによって基板4上のダイヤモ
ンドを含む炭素膜またはダイヤモンド膜の膜厚および膜
質の均一性を向上させることを行うこともある。
波の相互作用を利用している有磁場マイクロ波CVD法
では成膜速度が1μm/hr以下であり、ECRプラズ
マCVD法においては 0.3μm/hr以下である。
に成膜することが困難で最大φ100mm の基板上に
しか成膜することができない。
ヤモンド成分が少ない炭素膜しか形成されない。まして
、ダイヤモンド膜になることはまずない。さらに、ガス
導入口2より混合ガスを流入する場合、基板に活性種が
到達するまでに再結合が起こり、炭素を含む活性種を基
板近傍で十分に得ることができない。そのため、上記よ
りさらに低い成膜速度しか得られなかった。ガス導入口
9より原料ガスを、ガス導入口2より希釈ガスを流入し
た場合、プラズマの広がりの端で境界ができ、十分な原
料ガスを基板に供給することができない。そのため、成
膜速度が低くなっている。ガス導入口10より原料ガス
を、ガス導入口2より希釈ガスを流入すると、成膜速度
は 0.3μm/hrとECRプラズマCVD法で考え
られる最大の成膜速度を保つことはできるが均一性はあ
まり良くなく、膜厚についてみれば、最大膜厚の30%
以下の膜厚部分さえ存在する。これは、ガス導入管にプ
ラズマがさえぎられているためだと考えられる。
に反応ガスの種類を考えればよい。従来では、気体もし
くは液体の反応ガスを使用していたが、ダイヤモンド構
造と同じSP3 混成軌道を有する立体構造を持った固
体を昇華させて反応ガスとして利用すれば、成膜速度の
向上、さらには膜質の向上を期待できる。そのため図5
に構造式が示してある1−アダマンタノールまたは2−
アダマンタノールなどの分子構造中にダイヤモンド構造
およびOH基を持つ有機化合物を用いる。好ましくは1
−アダマンタノールが良い。例えば、1−アダマンタノ
ールを原料ガスとして使用することによって最大15μ
m/hrの成膜速度を得ることができるようになった。
法を考えた。図6にダイヤモンドを含む炭素膜またはダ
イヤモンド膜を形成するのに使用した装置の概略図を示
す。外観はECRプラズマCVD装置と大差ないが、ガ
ス導入方法が異なっている。減圧状態に保持されたプラ
ズマ発生室21に水素原子、または酸素原子、または水
素原子と酸素原子の両方を含む気体をプラズマ発生室の
上方のガス導入口2より導入し、該気体に対して磁場コ
イル7により磁界及びマイクロ波導波管6よりマイクロ
波電力を加え、その相互作用により高密度のプラズマを
発生せしめ、水素原子、または酸素原子、または水素原
子と酸素原子の両方を含む気体中の励起されたイオン種
、活性種などを反応室中に保持されている基板表面上に
吹きつけ、それと同時に基板保持台を回転しつつ基板保
持台中央下部にあるガス導入口11より炭素を含む膜形
成気体を流入し、前記基板表面上にダイヤモンドを含む
炭素膜またはダイヤモンド膜を形成する。このようにす
れば、ガス導入管によってプラズマがさえぎられること
なく炭素を含んだ原料ガスを基板近傍に流すことが可能
である。ただし、基板の置き方が変わるため大面積上に
成膜するには工夫を要する。図7に基板保持台を上から
みた図を示す。個々の基板4は処理面積が小さくなるが
、全体で見れば大面積に成膜されることには変わりがな
い。すなわち、多枚数処理ができるので面積的には問題
ない。また、個々の基板の処理面積を大きくしたいので
あれば、反応室、プラズマ生成室を基板の大きさに合わ
せて大きく作製すればよい。
膜は成膜速度が上昇する傾向にあるが、ダイヤモンド膜
は成膜速度が減少する傾向にある。このように、成膜温
度は成膜される膜に大きな影響を及ぼすので、基板温度
を外部加熱により1000℃まで自由にコントロールで
きるようにした。
ヤモンドを含む炭素膜またはダイヤモンド膜を形成した
。 「実施例1」本実験における成膜条件を以下に示す。基
板はφ100mm のSiウェハーを4枚用いた。図7
で示してあるように基板を配置した。原料ガスとして1
−アダマンタノール20sccm、活性種発生用ガスと
して水素 100sccm を用いた。反応圧力は
2.0×10−2Torr、基板温度は 500℃、処
理時間は1hr、マイクロ波(2.45GHz) 出力
3kW、最大磁場強度2kgauss。膜厚の測定は、
成膜の際にSiウェハー上にマスキング用のダミーSi
ウェハーを置き、成膜された部分とマスクにより成膜さ
れなかった部分の段差により行った。
4μmであった。すなわち、成膜速度がおよそ14μm
/hrということである。膜厚の均一性評価すなわちφ
100mm Siウェハー上に成膜された膜の膜厚分布
を図8に示す。原料ガス導入口付近の膜が厚くなってい
るが、最も膜が薄い部分でも最大膜厚の90%以上の膜
厚があるので均一性は良い膜であると言える。
ンドを含む炭素膜またはダイヤモンド膜になっているか
調べなければならない。そこで、ラマン分光法により膜
質を評価した。図9にφ100mm Siウェハーの中
心部分に成膜された膜の膜質をラマン分光法で測定した
結果を示す。1550cm−1付近にアモルファス状炭
素膜のブロードなピークが存在しているが、1332c
m−1にダイヤモンドの鋭いピークを確認することがで
きる。かなりダイヤモンド成分が含まれている炭素膜で
ある。すなわち、ダイヤモンド膜が成膜されたと考えて
も良い。ラマン分光の感度はアモルファス状炭素に対し
ては鋭い感度をもっているがダイヤモンドに対してはそ
れほどの感度はもっていないこともピーク強度の差にな
ってあらわれている。
下に示す。基板はφ100mm のSiウェハーを4枚
用いた。 図7で示してあるように基板を配置した。原料ガスとし
て1−アダマンタノール50sccm、活性種発生用ガ
スとして水素 100sccm、酸素 25sccm
の混合ガスを用いた。反応圧力は 2.0×10−2T
orr、基板温度は 500℃、処理時間は1hr、マ
イクロ波(2.45GHz) 出力3kW、最大磁場強
度2kgauss。膜厚の測定は、実施例1と同様の方
法で行った。
μmであった。すなわち、成膜速度がおよそ8μm/h
rということである。φ100mm Siウェハー上に
成膜された膜の膜厚分布は、最も膜が薄い部分でも最大
膜厚の90%以上の膜厚があるので均一性は良い膜であ
ると言える。
0にφ100mmSiウェハーの中心部分に成膜された
膜の膜質をラマン分光法で測定した結果を示す。133
2cm−1にダイヤモンドの鋭いピークが存在している
。1550cm−1付近のアモルファス状炭素膜のブロ
ードなピークはほとんど確認することがきない。すなわ
ち、本実験で形成された膜はダイヤモンド膜である。
ガスに酸素を加えると膜質は向上するが成膜速度は減少
することがわかる。
下に示す。基板はφ100mm のSiウェハーを4枚
用いた。 図7で示してあるように基板を配置した。原料ガスとし
て2−アダマンタノール20sccm、活性種発生用ガ
スとして水素 100sccm を用いた。反応圧力
は 2.0×10−2Torr、基板温度は 500℃
、処理時間は1hr、マイクロ波(2.45GHz)
出力電力3kW、最大磁場強度2kgauss。膜厚の
測定は、実施例1と同様の方法で行った。
μmであった。すなわち、成膜速度がおよそ9μm/h
rということである。φ100mm Siウェハー上に
成膜された膜の膜厚分布は、最も膜が薄い部分でも最大
膜厚の90%以上の膜厚があるので均一性は良い膜であ
ると言える。
1にφ100mmSiウェハーの中心部分に成膜された
膜の膜質をラマン分光法で測定した結果を示す。155
0cm−1付近にアモルファス状炭素膜のブロードなピ
ークが存在しているが、1332cm−1にダイヤモン
ドの鋭いピークを確認することができる。膜質は実施例
1とほぼ同じダイヤモンド膜である。
む原料ガスを1−アダマンタノールから2−アダマンタ
ノールに変えると膜質は変化しないが、成膜速度が減少
することがわかる。
ヤモンドを含む炭素膜またはダイヤモンド膜を従来より
20倍以上の成膜速度および従来以上の均一性をもって
得ることができるようになった。
アダマンタノールの構造図である。
ある。
のラマンスペクトルである。
マンスペクトルである。
膜のラマンスペクトルである。
Claims (3)
- 【請求項1】減圧状態に保持されたプラズマ発生室に水
素原子、酸素原子、または水素原子と酸素原子の両方を
含む気体を導入し、該気体に対して外部より磁界及びマ
イクロ波電力を加え、その相互作用により高密度のプラ
ズマを発生せしめ、水素原子、酸素原子、または水素原
子と酸素原子の両方を含む気体中の励起されたイオン種
、活性種などを反応室中に保持されている基板表面上に
吹きつけ、さらに基板近傍に炭素を含む膜形成原料を流
入することにより、前記基板表面上にダイヤモンドを含
む炭素膜またはダイヤモンド膜を形成する方法において
、上記膜形成原料は分子構造としてダイヤモンド構造を
内部に有し、かつOH基を持っている有機化合物を用い
ることを特徴とする炭素膜形成方法。 - 【請求項2】請求項1記載の分子構造としてダイヤモン
ド構造を内部に有し、かつOH基を持っている有機化合
物として1−アダマンタノールまたは2−アダマンタノ
ールを用いることを特徴とする炭素膜形成方法。 - 【請求項3】減圧状態に保持されたプラズマ発生室に水
素原子、酸素原子、または水素原子と酸素原子の両方を
含む気体を導入し、該気体に対して外部より電力を加え
、高密度のプラズマを発生せしめ、水素原子、酸素原子
、または水素原子と酸素原子の両方を含む気体中の励起
されたイオン種、活性種などを反応室中に保持されてい
る基板表面上に吹きつけ、基板保持台を回転しつつ基板
保持台中央下部から炭素を含む膜形成気体を流入し、前
記基板表面上にダイヤモンドを含む炭素膜またはダイヤ
モンド膜を形成することを特徴とする炭素膜形成方法。
Priority Applications (2)
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JP3087779A JP2975971B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 炭素膜形成方法 |
US08/093,973 US5397558A (en) | 1991-03-26 | 1993-07-02 | Method of forming diamond or diamond containing carbon film |
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Publications (2)
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JPH04300289A true JPH04300289A (ja) | 1992-10-23 |
JP2975971B2 JP2975971B2 (ja) | 1999-11-10 |
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JP3087779A Expired - Fee Related JP2975971B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-27 | 炭素膜形成方法 |
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JP (1) | JP2975971B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008058691A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の製造方法、液晶装置用基板、プロジェクタ |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP3087779A patent/JP2975971B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2008058691A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の製造方法、液晶装置用基板、プロジェクタ |
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JP2975971B2 (ja) | 1999-11-10 |
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