JPH04298839A - 光磁気ディスク装置 - Google Patents
光磁気ディスク装置Info
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- JPH04298839A JPH04298839A JP8585891A JP8585891A JPH04298839A JP H04298839 A JPH04298839 A JP H04298839A JP 8585891 A JP8585891 A JP 8585891A JP 8585891 A JP8585891 A JP 8585891A JP H04298839 A JPH04298839 A JP H04298839A
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- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
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- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、書込みと読出しの役
割を２つの光ヘッドに分担させ、高記録密度化を達成す
る光磁気ディスク装置に関する。
割を２つの光ヘッドに分担させ、高記録密度化を達成す
る光磁気ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来技術および発明が解決しようとする課題】光ディ
スク装置においては、光ヘッドに取り付けられた半導体
レ−ザからのレ−ザビ−ムをスポット状に照射すること
により、情報を記録・消去する。近時、光ディスク装置
は一層の高記録密度化が望まれており、そのためにはビ
ット径を小さくすることが考えられる。ビット径は半導
体レ−ザの波長が短くなるほど小さくなるため、ビット
径を小さくするためには半導体レ−ザを短波長化すれば
よい。
スク装置においては、光ヘッドに取り付けられた半導体
レ−ザからのレ−ザビ−ムをスポット状に照射すること
により、情報を記録・消去する。近時、光ディスク装置
は一層の高記録密度化が望まれており、そのためにはビ
ット径を小さくすることが考えられる。ビット径は半導
体レ−ザの波長が短くなるほど小さくなるため、ビット
径を小さくするためには半導体レ−ザを短波長化すれば
よい。
【０００３】しかしながら、現在入手できる最も短波長
の半導体レ−ザ（λ＝６７０ｎｍ）では、最大パワ−が
５ｍＷ程度であり、パワ−不足のため書込みには適さず
、読出しにしか使用することができない。レ−ザビ−ム
のパワ−を考慮すると、半導体レ−ザの波長は短くせい
ぜい７８０ｎｍであり、この波長のレ−ザビ−ム径から
予想されるビットサイズは１μｍφ程度と、最近の高記
録密度化の要請からは未だ不十分である。
の半導体レ−ザ（λ＝６７０ｎｍ）では、最大パワ−が
５ｍＷ程度であり、パワ−不足のため書込みには適さず
、読出しにしか使用することができない。レ−ザビ−ム
のパワ−を考慮すると、半導体レ−ザの波長は短くせい
ぜい７８０ｎｍであり、この波長のレ−ザビ−ム径から
予想されるビットサイズは１μｍφ程度と、最近の高記
録密度化の要請からは未だ不十分である。
【０００４】このように、短波長半導体レ−ザのパワ−
不足が半導体レ−ザの短波長化による高記録密度化のネ
ックになっている。
不足が半導体レ−ザの短波長化による高記録密度化のネ
ックになっている。
【０００５】この発明は、このような実情に鑑みてなさ
れたものであって、従来よりも高密度で情報を書込むこ
とができる光磁気ディスク装置を提供することを目的と
する。
れたものであって、従来よりも高密度で情報を書込むこ
とができる光磁気ディスク装置を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するために、半導体レ−ザを備えた書込みヘッドと
、第２高調波発生素子（ＳＨＧ素子）と半導体レ−ザと
を一体化した読出しヘッドとを具備し、前記書込みヘッ
ドにより光磁気ディスクに対し光磁気情報を書込み、前
記読出しヘッドによりその情報を読み出すことを特徴と
する光磁気ディスク装置を提供する。
解決するために、半導体レ−ザを備えた書込みヘッドと
、第２高調波発生素子（ＳＨＧ素子）と半導体レ−ザと
を一体化した読出しヘッドとを具備し、前記書込みヘッ
ドにより光磁気ディスクに対し光磁気情報を書込み、前
記読出しヘッドによりその情報を読み出すことを特徴と
する光磁気ディスク装置を提供する。
【０００７】
【作用】光磁気ディスク装置における情報の書込みに際
しては、レ−ザパワ−、パルス幅および印加磁場を調節
することにより、ビット径を微小化することができる。 しかし、情報の読出しに際しては、読出し領域はレ−ザ
のスポット径で定まるため、同じ半導体レ−ザでは微小
ビットを正確に読出すことができない。この発明におい
ては、書込みヘッド及び読出しヘッドを設けて夫々に役
割を分担させ、読出しヘッドにＳＨＧ素子を設けて読出
し用レ−ザビ−ムのスポット径を微小化した。これによ
り、従来の単独の半導体レ−ザを用いた装置よりも高密
度で情報を記録することができる。
しては、レ−ザパワ−、パルス幅および印加磁場を調節
することにより、ビット径を微小化することができる。 しかし、情報の読出しに際しては、読出し領域はレ−ザ
のスポット径で定まるため、同じ半導体レ−ザでは微小
ビットを正確に読出すことができない。この発明におい
ては、書込みヘッド及び読出しヘッドを設けて夫々に役
割を分担させ、読出しヘッドにＳＨＧ素子を設けて読出
し用レ−ザビ−ムのスポット径を微小化した。これによ
り、従来の単独の半導体レ−ザを用いた装置よりも高密
度で情報を記録することができる。
【０００８】
【実施例】以下、添付図面を参照して、この発明の実施
例について説明する。
例について説明する。
【０００９】図１はこの発明の一実施例に係る光磁気デ
ィスク装置を示す概略構成図である。この装置は、書込
みヘッド１０と読出しヘッド３０とを備えており、これ
らにより、光磁気ディスク５０に情報を書込み、書込ん
だ情報を読出す。情報の書込み及び読出しの際には、光
ディスク５０は、回転軸６０に固定された状態で、回転
軸６０を中心にして図示しないドライブ装置により回転
される。
ィスク装置を示す概略構成図である。この装置は、書込
みヘッド１０と読出しヘッド３０とを備えており、これ
らにより、光磁気ディスク５０に情報を書込み、書込ん
だ情報を読出す。情報の書込み及び読出しの際には、光
ディスク５０は、回転軸６０に固定された状態で、回転
軸６０を中心にして図示しないドライブ装置により回転
される。
【００１０】書込みヘッド１０は、波長が８３０ｎｍ又
は７８０ｎｍの半導体レ−ザ１１を備えており、この半
導体レ−ザ１１は図示しない駆動回路によって情報信号
に基づいてパルス状に発光されるように制御される。半
導体レ−ザ１１から発振されたレ−ザ光は、コリメ−ト
レンズ１２により平行光にされ、λ／４板１３を介して
ビ−ムスプリッタ１４に導かれる。ビ−ムスプリッタ１
４を透過したレ−ザ光はレンズ１５を介して光磁気ディ
スク５０に集光され、後述するように情報が書込まれる
。
は７８０ｎｍの半導体レ−ザ１１を備えており、この半
導体レ−ザ１１は図示しない駆動回路によって情報信号
に基づいてパルス状に発光されるように制御される。半
導体レ−ザ１１から発振されたレ−ザ光は、コリメ−ト
レンズ１２により平行光にされ、λ／４板１３を介して
ビ−ムスプリッタ１４に導かれる。ビ−ムスプリッタ１
４を透過したレ−ザ光はレンズ１５を介して光磁気ディ
スク５０に集光され、後述するように情報が書込まれる
。
【００１１】ビ−ムスプリッタ１４にて反射された方の
光は、ビ−ムスプリッタ１６によりさらに２つの光に分
離され、一方はレンズ１７を介してトラッキングサ−ボ
用のＰＩＮ光ダイオ−ド１８に導かれ、他方はレンズ１
９を介してフォ−カスサ−ボ用のＰＩＮ光ダイオ−ド２
０に導かれる。
光は、ビ−ムスプリッタ１６によりさらに２つの光に分
離され、一方はレンズ１７を介してトラッキングサ−ボ
用のＰＩＮ光ダイオ−ド１８に導かれ、他方はレンズ１
９を介してフォ−カスサ−ボ用のＰＩＮ光ダイオ−ド２
０に導かれる。
【００１２】書込みヘッド１０による情報の書込みは、
レ−ザビ−ムを照射することにより照射部分の温度を上
昇させて、その部分の保磁力を低下させ、外部磁場によ
りその部分に磁化反転を生じさせて反転ビットを形成す
ることにより達成される。この場合に、レ−ザのパワ−
やパルス幅、すなわちレ−ザの照射時間を変えることに
よって記録層の温度分布を変えることができ、それに伴
ってビット形成のための磁場の閾値（保磁力）が変化す
る。また、外部磁場を調節することにより、保磁力に打
ち勝って磁化が反転する領域の大きさを制御することが
できる。従って、図２に示すように、レ−ザのパワ−や
パルス幅、及び外部磁場の大きさを適切に調節すること
により、ビットの大きさを変化させることができ、ビ−
ム径（ここでは、光強度が中心強度の１／ｅ２ 以上に
なる領域の径；約１．２μｍ）よりも小さい径のビット
を形成することが可能である。
レ−ザビ−ムを照射することにより照射部分の温度を上
昇させて、その部分の保磁力を低下させ、外部磁場によ
りその部分に磁化反転を生じさせて反転ビットを形成す
ることにより達成される。この場合に、レ−ザのパワ−
やパルス幅、すなわちレ−ザの照射時間を変えることに
よって記録層の温度分布を変えることができ、それに伴
ってビット形成のための磁場の閾値（保磁力）が変化す
る。また、外部磁場を調節することにより、保磁力に打
ち勝って磁化が反転する領域の大きさを制御することが
できる。従って、図２に示すように、レ−ザのパワ−や
パルス幅、及び外部磁場の大きさを適切に調節すること
により、ビットの大きさを変化させることができ、ビ−
ム径（ここでは、光強度が中心強度の１／ｅ２ 以上に
なる領域の径；約１．２μｍ）よりも小さい径のビット
を形成することが可能である。
【００１３】一方、読出しヘッド３０は、波長が８３０
ｎｍ又は７８０ｎｍの半導体レ−ザ３１と第２高調波発
生（ＳＨＧ）素子３３とを備えている。半導体レ−ザ３
１から発振された連続光は、コリメ−トレンズ１２によ
り平行光にされＳＨＧ素子３３に導かれる。ＳＨＧ素子
３２では入射されたレ−ザ光が第２高調波となり、この
第２高調波がビ−ムスプリッタ３４に導かれる。ビ−ム
スプリッタ３４を透過したレ−ザ光は反射ミラ−３５及
びレンズ３６を介して光磁気ディスク５０に集光される
。光磁気ディスク５０で反射した光は、再びレンズ３６
、ミラ−３５を介してビ−ムスプリッタ３４に導かれる
。この光はビ−ムスプリッタ３４で反射し、λ／２板３
７及びレンズ３８を介して偏光ビ−ムスプリッタ３９に
導かれ、ここで分離された光が夫々ＰＩＮ光ダイオ−ド
４０及び４１に導かれる。これらダイオ−ド４０及び４
１からの信号が図示しない差動増幅器に導かれ、再生信
号として出力される。
ｎｍ又は７８０ｎｍの半導体レ−ザ３１と第２高調波発
生（ＳＨＧ）素子３３とを備えている。半導体レ−ザ３
１から発振された連続光は、コリメ−トレンズ１２によ
り平行光にされＳＨＧ素子３３に導かれる。ＳＨＧ素子
３２では入射されたレ−ザ光が第２高調波となり、この
第２高調波がビ−ムスプリッタ３４に導かれる。ビ−ム
スプリッタ３４を透過したレ−ザ光は反射ミラ−３５及
びレンズ３６を介して光磁気ディスク５０に集光される
。光磁気ディスク５０で反射した光は、再びレンズ３６
、ミラ−３５を介してビ−ムスプリッタ３４に導かれる
。この光はビ−ムスプリッタ３４で反射し、λ／２板３
７及びレンズ３８を介して偏光ビ−ムスプリッタ３９に
導かれ、ここで分離された光が夫々ＰＩＮ光ダイオ−ド
４０及び４１に導かれる。これらダイオ−ド４０及び４
１からの信号が図示しない差動増幅器に導かれ、再生信
号として出力される。
【００１４】このようにＳＨＧ素子３２で発生した第２
高調波は、その波長が半導体レ−ザ３１から発振される
レ−ザ光の１／２、すなわち４１５ｎｍ又は３９０ｎｍ
となり、レ−ザビ−ム径も１／２となる。従って、上述
のようにして形成するビットサイズを読出し用ビ−ム径
と一致するように形成すれば、効果的に大きなＣ／Ｎの
信号を取り出すことができ、しかもビットが小さくなっ
た分だけ記録密度を高めることができる（理論的には約
４倍）。
高調波は、その波長が半導体レ−ザ３１から発振される
レ−ザ光の１／２、すなわち４１５ｎｍ又は３９０ｎｍ
となり、レ−ザビ−ム径も１／２となる。従って、上述
のようにして形成するビットサイズを読出し用ビ−ム径
と一致するように形成すれば、効果的に大きなＣ／Ｎの
信号を取り出すことができ、しかもビットが小さくなっ
た分だけ記録密度を高めることができる（理論的には約
４倍）。
【００１５】次に、光磁気ディスク５０について説明す
る。図３はこの発明に用いられる光磁気ディスクの一態
様を示す断面図、図４は他の態様を示す断面図である。 図３のディスクは、基板５１上にカ−回転角θｋ をエ
ンハンスするためのエンハンス層５２、光磁気記録層５
３及び保護層５４が順次形成されている。エンハンス層
５２としてはエンハンス効果が大きい誘電体が用いられ
、例えば、その効果が特に大きいＺｎＳ（Ｏ，Ｎ）層が
用いられる。また、光磁気記録層５３としては、垂直磁
化膜でありθｋ が大きい希土類−遷移金属合金層、例
えばＴｂＦｅＣｏ層が用いられる。さらに、保護層５４
としては誘電体又は有機材料が用いられ、例えばエンハ
ンス層５２と同様のＺｎＳ（Ｏ，Ｎ）層が用いられる。
る。図３はこの発明に用いられる光磁気ディスクの一態
様を示す断面図、図４は他の態様を示す断面図である。 図３のディスクは、基板５１上にカ−回転角θｋ をエ
ンハンスするためのエンハンス層５２、光磁気記録層５
３及び保護層５４が順次形成されている。エンハンス層
５２としてはエンハンス効果が大きい誘電体が用いられ
、例えば、その効果が特に大きいＺｎＳ（Ｏ，Ｎ）層が
用いられる。また、光磁気記録層５３としては、垂直磁
化膜でありθｋ が大きい希土類−遷移金属合金層、例
えばＴｂＦｅＣｏ層が用いられる。さらに、保護層５４
としては誘電体又は有機材料が用いられ、例えばエンハ
ンス層５２と同様のＺｎＳ（Ｏ，Ｎ）層が用いられる。
【００１６】また、図４のディスクは、光磁気記録層５
３の上に、再びエンハンス層５２が設けられ、その上に
Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，又はＡｌなどの高反射率を有する金
属からなる反射層５５が形成されている。このディスク
では、カ−効果とファラデ−効果とを重畳させることが
でき、一層大きいＣ／Ｎを得ることができる。
３の上に、再びエンハンス層５２が設けられ、その上に
Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，又はＡｌなどの高反射率を有する金
属からなる反射層５５が形成されている。このディスク
では、カ−効果とファラデ−効果とを重畳させることが
でき、一層大きいＣ／Ｎを得ることができる。
【００１７】なお、上述のように小さいビットを読出す
場合ためには、読出しヘッド３０からの短波長ビ−ムが
照射された際における性能指数（Ｒ１／２・θｋ ；こ
の値が大きいほどＣ／Ｎが高くなる）が最大になるよう
に、光ディスクの各層の厚さが決定される。また、ビッ
トサイズが小さくなることから、ディスク基板のトラッ
クピッチをピットザイズに合わせて小さくすることによ
り高記録密度化を達成することは言うまでもないことで
あり、トラックピッチとしては１．０μｍ以下が採用さ
れる。
場合ためには、読出しヘッド３０からの短波長ビ−ムが
照射された際における性能指数（Ｒ１／２・θｋ ；こ
の値が大きいほどＣ／Ｎが高くなる）が最大になるよう
に、光ディスクの各層の厚さが決定される。また、ビッ
トサイズが小さくなることから、ディスク基板のトラッ
クピッチをピットザイズに合わせて小さくすることによ
り高記録密度化を達成することは言うまでもないことで
あり、トラックピッチとしては１．０μｍ以下が採用さ
れる。
【００１８】
【発明の効果】この発明によれば、従来よりも４倍程度
の高密度で情報を書込むことができる光磁気ディスク装
置が提供される。このように、光磁気ディスクのメモリ
容量を飛躍的に向上させることができるため、大容量メ
モリを必要とする動画像ファイルメモリ等に利用するこ
とができる。また、３．５インチ以下の小さい光磁気デ
ィスクであっても大きな記録容量を保持させることがで
き、ラップトップなどの携帯用パ−ソナルコンピュ−タ
の外部記憶メモリとしての用途が考えられる。
の高密度で情報を書込むことができる光磁気ディスク装
置が提供される。このように、光磁気ディスクのメモリ
容量を飛躍的に向上させることができるため、大容量メ
モリを必要とする動画像ファイルメモリ等に利用するこ
とができる。また、３．５インチ以下の小さい光磁気デ
ィスクであっても大きな記録容量を保持させることがで
き、ラップトップなどの携帯用パ−ソナルコンピュ−タ
の外部記憶メモリとしての用途が考えられる。
【図１】この発明の一実施例に係る光磁気ディスク装置
を示す概略構成図。
を示す概略構成図。
【図２】記録ビットを形成する際の状況を説明するため
の図。
の図。
【図３】光磁気ディスクの一態様を示す断面図。
【図４】光磁気ディスクの他の態様を示す断面図。
１０；書込みヘッド、１１，３１；半導体レ−ザ、３０
；読出しヘッド、３２；ＳＨＧ素子、５０；光磁気ディ
スク。
；読出しヘッド、３２；ＳＨＧ素子、５０；光磁気ディ
スク。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レ−ザを備えた書込みヘッドと
、第２高調波発生素子と半導体レ−ザとを一体化した読
出しヘッドとを具備し、前記書込みヘッドにより光磁気
ディスクに対し光磁気情報を書込み、前記読出しヘッド
によりその情報を読み出すことを特徴とする光磁気ディ
スク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8585891A JPH04298839A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 光磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8585891A JPH04298839A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 光磁気ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04298839A true JPH04298839A (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=13870579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8585891A Pending JPH04298839A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 光磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04298839A (ja) |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP8585891A patent/JPH04298839A/ja active Pending
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