JPH04298175A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

Info

Publication number
JPH04298175A
JPH04298175A JP3063543A JP6354391A JPH04298175A JP H04298175 A JPH04298175 A JP H04298175A JP 3063543 A JP3063543 A JP 3063543A JP 6354391 A JP6354391 A JP 6354391A JP H04298175 A JPH04298175 A JP H04298175A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal charge
transfer section
signal
solid
horizontal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3063543A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2868915B2 (ja
Inventor
Yukio Endo
幸雄 遠藤
Yoshitaka Egawa
佳孝 江川
Masayuki Matsunaga
誠之 松長
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP3063543A priority Critical patent/JP2868915B2/ja
Publication of JPH04298175A publication Critical patent/JPH04298175A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2868915B2 publication Critical patent/JP2868915B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、CCD(電荷転送素子
)を用いた固体撮像装置に係わり、特にダイナミックレ
ンジの拡大をはかった固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】CCD撮像素子等の固体撮像装置は、撮
像管に比べて小型軽量,高信頼性といった特徴があるた
め、NTSC方式の放送用ビデオカメラや民生用ビデオ
カメラ等に普及している。また、次世代のハイビジョン
放送(HD−TV)用のビデオカメラとしても期待され
ている。
【0003】図5に、従来のビデオカメラに用いられる
インターライン転送型CCD撮像素子(IT−CCD)
の配置構成例を示す。IT−CCDは、光電変換部C、
垂直CCD(P)、水平CCD(H)、リセットトラン
ジスタR及び出力アンプA等から構成される。光電変換
部Cで光信号を信号電荷に変換し、垂直CCDへ転送し
、垂直CCDにφ11,φ12,φ13,φ14の4相
のクロックパルスを印加することで、水平CCDへ信号
電荷を転送する。水平CCDは2相のクロックパルスφ
H1,φH2で駆動し、最終的に信号電荷を出力アンプ
Aで電圧に変換して出力する。また、一画素毎にリセッ
トトランジスタRで信号電荷をクリアする。
【0004】図6に、光電変換部Cでの信号電荷Qcの
蓄積動作を示す。IT−CCDは、フィールド蓄積モー
ドで動作しているために、Aフィールドでは光電変換部
Cの垂直方向の2画素加算の組合せを1HA ,2HA
 として垂直CCDで加算し、水平CCDで読出す。即
ち、1フィールド期間蓄積した信号電荷Qcを垂直CC
DにPF1のパルスを印加することにより、光電変換部
Cより垂直CCDに読出し、垂直CCDで1HA ,2
HA の加算を行う。さらに、ラインシフトパルスPL
 を印加して、水平転送パルスφH で水平方向に読出
す。Bフィールドでは、Aフィールド期間蓄積した信号
電荷をPF2パルスで垂直CCDに転送し、垂直CCD
で1HB ,2HB の加算動作を行い、ラインシフト
パルスPL を印加して、水平転送パルスφHで読出す
【0005】この1フィールド期間に光電変換部Cで蓄
積される信号電荷Qcは、標準信号量の時はQA のよ
うになり、PF1,PF2のパルスで1フィールドに期
間蓄積した信号電荷を読出す。しかし、入力信号が大き
い時はQB のように、1フィールド期間の途中で飽和
QMAX となる。この場合、ハイライトの信号がつぶ
れるため、不自然な画像となる。特に、HD−TV用の
多画素化素子では、高密度化となるため垂直CCDが小
さくなり、ダイナミックレンジが低下して上記の問題が
顕著に現れる。
【0006】このような問題を対策した駆動法として、
光電感度のハイライト部を圧縮してダイナミックレンジ
を向上する方法(特公平1−18629号)が提案され
ており、通常ニー特性制御と呼ばれている。この方法は
、感光画素でクリップ動作をしてニー特性を得るもので
ある。このため、2次元的配置された各感光画素の読出
しゲート部のしきい値ムラが再生像に固定パターンノイ
ズとして表われる問題がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のビ
デオカメラでは、電球等のハイライト光が被写体に入る
と、標準信号の3〜5倍光以上はつぶれて再生されない
。また、自動感度付ビデオカメラでは、全体が黒くなる
ために、逆光等の人間の顔が黒くしずんでしまう問題が
あった。さらに、従来のニー特性制御法では、固定パタ
ーンノイズが発生して再生像を劣化させる問題があった
【0008】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、ハイライト部でも固定パターンノイズを発生させ
ずに再生することのできる、高ダイナミックレンジの固
体撮像装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、2個以
上の隣接する感光画素を1組として、この1組の感光画
素の光電感度特性を異なるようにして光電変換し、得ら
れた信号電荷を別々に読出して、光電感度特性の高い方
の信号電荷はハイライト部をクリップしてから1画素の
信号に加算することにある。
【0010】即ち本発明は、半導体基板上に二次元的に
配列された感光画素と、これらの感光画素の垂直配列方
向に沿って設けられた複数本の垂直転送部と、これらの
垂直転送部の転送端部に隣接して設けられた水平転送部
とを備え、感光画素で光電変換された信号電荷を垂直転
送部と水平転送部を通して出力する固体撮像装置におい
て、感光画素の隣接する複数個を1組とし、感光画素の
大きさや感光時間等を変えることにより各組内における
感光画素の光電感度特性を異ならせ、各組内における感
光画素の信号電荷を別々に読出して、垂直転送部,水平
転送部を転送させる。そして、これらの転送部を通して
出力される各組内の信号電荷のうち、光電感度特性の高
い方の信号電荷(光電変換特性の一番低い信号電荷以外
)は所定レベル以上をクリップしてから一画素の信号と
なるように加算するようにしたものである。
【0011】ここで、光電感度特性を異ならせる手段と
しては、(1) 隣接する感光画素の大きさを異ならせ
る、(2) 隣接する感光画素の感光時間を異ならせる
、(3) 感光画素上部に設ける集光レンズの形状を隣
接する感光画素で異ならせる、(4) 隣接する感光画
素の光透過率を異ならせる、等の構成を採用すればよい
【0012】
【作用】本発明によれば、光電感度特性の高い方の感光
画素はハイライト光が入射すると直ぐに飽和してしまう
が、光電感度特性の低い方の感光画素はなかなか飽和し
ない。さらに、入力光のレベルが小さい場合、光電感度
特性の低い方の感光画素では殆ど検知できないが、光電
感度特性の高い方の感光画素で十分に検知することがで
きる。従って、光電感度特性の異なる2つ若しくはそれ
以上の感光画素の出力信号を加算して画素信号を得るこ
とにより、高感度で、且つ高ダイナミックレンジを実現
することが可能となる。これは、ハイライト光や逆光に
対して強いビデオカメラの実現を容易とする。また、ハ
イライト光を圧縮して読出すことになるので、多画素化
によるダイナミックレンジの低下を改善することが可能
となる。
【0013】また、本発明では感光画素でクリップ動作
をしないで、水平転送部以後でクリップ動作を行うため
、従来見られた感光画素の読出しゲートのしきい値のム
ラが固定パターンノイズとして表われる問題もない。 これは、水平転送部の転送端部に設けられた出力部又は
外部回路で、強制的に固定パターンノイズの原因となる
バラツキのある信号をクリップしてしまうことで可能と
なる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。
【0015】図1は本発明の第1の実施例に係わる固体
撮像装置を示す概略構成図である。この装置は、第1の
感光画素1,第2の感光画素2,垂直CCD3,水平C
CD4,出力ゲート5,フローテング拡散層6,リセッ
トゲート7,リセットドレイン8及び出力アンプ9等か
ら構成されている。
【0016】感光画素1,2は二次元的配列され、垂直
CCD3は感光画素の垂直配列方向に沿って配列され、
水平CCD4は垂直CCD3の転送端部に近接して配置
されている。また、出力ゲート5,フローテング拡散層
6,リセットゲート7及び出力アンプ9等からなる出力
部は、水平CCD4の転送端部に近接して配置されてい
る。
【0017】この撮像装置では、撮像エリアから入力し
た光信号は、感光画素1,2で信号電荷に変換される。 変換された信号電荷は、垂直CCD3に読出され転送さ
れた後、水平CCD4で転送される。垂直CCD3は、
1個の感光画素で1組の転送段数を持っている。そして
、水平CCD4も同様に、1個の感光画素で1組の転送
段数を持っている。
【0018】垂直CCD3は4相のクロックパルスφV
1,φV2,φV3,φV4で駆動され、水平CCD4
は2相のクロックパルスφH1,φH2で駆動される。 図に示す●印は第1の感光画素1から読出された信号電
荷QA を示し、○印は第2の感光画素2から読出され
た信号電荷QB を示す。QA は、垂直CCD3を転
送され水平CCD4の転送路41 に入る。QB は、
垂直CCD3を転送され水平CCD4の転送路42 に
入る。このとき、転送路41 は転送路42 よりも先
にあることが必要である。そして、信号電荷QA ,Q
B は水平CCD4を転送されフローティング拡散層6
で電圧に変換されて出力アンプ9を通りOS端子より出
力される。
【0019】次に、図2及び図3を参照して、信号電荷
をクリップする動作と信号電荷QA と信号電荷QB 
を加算する動作について説明する。
【0020】図2は、水平CCD4の転送電極φH1,
φH2へ印加するパルス,リセットゲート7へ印加する
パルスRS,及び出力端子OSの信号電圧波形の関係を
示している。図3は、図2のパルスを印加したときの水
平CCD4からリセットドレインRDまでの信号電荷の
変化を示している。
【0021】図2のt1 ,t2 ,t3 の時刻は、
図3のt1 ,t2 ,t3 の時刻と一致しており、
図2のタイミングのとき、図3の動作が得られることを
示している。 図2のリセットゲート7へ印加するパルスRSにおいて
、パルスV1 は信号電荷をクリップする電圧を示し、
V2 は信号電荷を加算する電圧を示している。図2の
出力端子OSの波形の中で、Aは第1の感光画素1から
読出された信号電荷QA を示し、Bは第2の感光画素
2から読出された信号電荷QB を示している。また、
図3のA,Bも同様である。
【0022】第1の感光画素1より得られた信号電荷は
、水平CCD4の中の41 へ転送される(図中●印の
QA )。第2の感光画素2より得られた信号電荷は、
水平CCD4の中の42 へ転送される(図中○印のQ
B )。そして、水平CCD4に2相のパルスφH1,
φH2を印加する。t1 の時刻では水平CCD4の最
後の電極が、図示の場合はφH2が高いレベルから低レ
ベルになるとき信号電荷QA は出力ゲート5を越えて
フローティング拡散層6へ転送される。
【0023】このとき、リセットゲート7へ印加するパ
ルスの低レベルをV1に設定しておき、ここにきた信号
電荷のハイライト部より少し少ないレベルでクリップす
るようにして、余分な信号電荷(第1の感光画素1のバ
ラツキ分)を図3に示す矢印の方向のリセットドレイン
8へ捨てる。この動作により、従来見られていた固定パ
ターンノイズを除去することが可能となる。そして、t
2時刻では、リセットゲート7へ印加するパルスの低レ
ベルをV2 に設定する(V1 より低いレベルとなる
)。 次の時刻t3 では、第2の感光画素2より得られた信
号電荷QB が信号電荷QA に加算される。
【0024】図3に示した、AはQA が電圧に変換さ
れた状態を示し、BはQB が電圧に変換された状態を
示す。また、P1 はV1 を印加したときのポテンシ
ャル電位を示し、P2 はV2 を印加したときのポテ
ンシャル電位を示す。
【0025】以上の動作により、信号電荷の大きい画素
(第1の感光画素1)の電圧レベルをハイライト部でク
リップした後、信号電荷の小さい画素の電圧と加算して
取出すことが可能となる。
【0026】ここで、高ダイナミックレンジ動作につい
て説明する。図4は、感光画素の光入力量に対する信号
出力電圧の変化を示す図である。実線Aは第1の感光画
素1に対応して、破線Bは第2の感光画素2に対応して
いる。
【0027】第1の感光画素1は面積が大きいため感度
が高く速く飽和し、第2の感光画素2は面積が小さいた
め感度の飽和に時間がかかる。第1の感光画素1では、
実線Aに示すように感度が高いために光入力IA で飽
和される。このとき、感光画素1の飽和点のバラツキQ
A は図のハッチングで示す範囲となる。このバラツキ
を出力部又は外部回路でVM 点でクリップすれば、バ
ラツキのない光電変換特性Aが得られる。
【0028】第2の感光画素2では、感度が低いため飽
和しない信号出力B(破線で示す)が得られる。これら
得られた信号A,Bを加算して−点鎖線A+Bの光電変
換特性を得る。この特性は、ニー特性となる。ここでは
、入力光IAが第2の感光画素2が飽和するまでの点I
B までダイナミックレンジが広くなったことになる。 例えば、第2の感光画素2の面積を第1の感光画素1の
面積の1/100に設定すれば、第2の感光画素2が飽
和する点は第1の感光画素1の100倍になるため、入
力光のダイナミックレンジは100倍に広がることにな
る。
【0029】なお、図4のA+Bの信号の傾斜点(ニー
点と呼ぶ)VM ′は、第1の出力信号のクリップ点V
M を変化することで容易に変えることができ。
【0030】このように本実施例では、光電感度特性を
異なる2個の感光画素で1画素を形成することにより、
ダイナミックレンジの拡大をはかることができ、これに
より電球等のハイライト光でもつぶれずに再生すること
ができ、且つ逆光撮像でも被写体が黒くしずむ現象等を
解決することができる。しかも、感光画素でクリップ動
作を行うのではなく、出力部でバラツキのある信号電荷
をクリップしているので、従来見られた感光画素のムラ
を抑えて、固定パターンノイズの発生を未然に防止する
ことができる。
【0031】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。実施例では、1線の水平CCDで説明
したが、第1の感光画素と第2の感光画素の信号電荷を
別々の水平CCDで転送する、即ち2線水平CCDを用
いてもよい。また、第1の感光画素の信号電圧をクリッ
プする手段として、信号電荷を電気信号に変換した後に
、外部回路に設けたクリップ回路で行うようにしてもよ
い。この場合、第1の信号電圧をクリップして第2の信
号電圧と同位相になる処理を行った後、2つの信号を加
算して1画素の信号電圧とすればよい。
【0032】また、第1の感光画素と第2の感光画素の
感度を異ならせる手段は画素の大きさを異ならせる方法
に限定されない。例えば、第2の感光画素の光透過率を
低くしても実現できる。この場合、例えばポリSiの膜
厚を厚くして光透過率を下げることが可能である。また
、感光時間を異ならせてもよい。この場合、感光画素の
大きさは同じにして、第2の感光画素の感光時間のみ短
くすればよい。この方法は例えば、第2の感光画素のみ
に読出しゲートをオンして余分な信号電荷を掃出す。 そして、次の期間に第1、第2の感光画素の信号電荷を
読出すことで可能である。また、感度を異ならせる方法
として感光画素部に設けた集光レンズの形状を異ならせ
てもよい。さらに、これらの方法を併用することも可能
である。
【0033】また、加算画素数は2画素に限るものでは
なく、3画素以上としてもよい。この場合、それぞれの
感度を異らせることによって、任意の光電変換特性、例
えばγ特性を作ることが可能である。また、実施例では
インターライン転送型CCDを用いたが、フレーム転送
型CCD,フレーム・インターライン転送型CCD,光
導電膜を積層したCCD,MOS型素子等、画素信号を
独立して読出すことのできる撮像素子であれば、本発明
を適用可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施することができる。
【0034】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、感
光画素の2個以上の隣接画素を1組として、各組内にお
ける感光画素の光電感度特性を異なるようにして光電変
換し、得られた信号電荷を別々に読出して垂直転送部,
水平転送部を転送し、光電感度が高い方の信号電荷を出
力部又は外部回路でクリップしたのち1画素信号に加算
している。従って、従来見られた感光画素での飽和のバ
ラツキによる固定パターンノイズを抑圧することができ
、高ダイナミックレンジの固体撮像装置を実現すること
が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係わる撮像装置を示す概略
構成図、
【図2】実施例におけるパルス印加のタイミングを示す
信号波形図、
【図3】実施例におけるポテンシャルの変化及び信号電
荷の転送状態を示す模式図、
【図4】実施例装置の光電変換特性を従来装置と比較し
て示す特性図、
【図5】従来のCCD撮像装置を示す概略構成図、
【図
6】従来装置の動作を説明するためのタイミング図。
【符号の説明】
1…第1の感光画素、 2…第2の感光画素、 3…垂直CCD、 4…水平CCD、 5…出力ゲート、 6…フローティング拡散層、 7…リセットゲート、 8…リセットドレイン、 9…出力アンプ。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体基板上に二次元的に配列された感光
    画素と、これらの感光画素の垂直配列方向に沿って設け
    られた複数本の垂直転送部と、これらの垂直転送部の転
    送端部に隣接して設けられた水平転送部とを備え、感光
    画素で光電変換された信号電荷を垂直転送部と水平転送
    部を通して出力する固体撮像装置において、前記感光画
    素の隣接する複数個を1組とし、各組内における感光画
    素の光電感度特性を異ならせる手段と、各組内における
    感光画素の信号電荷を別々に読出して垂直転送部,水平
    転送部を転送させる手段と、前記各転送部を通して出力
    される各組内の信号電荷のうち、光電感度特性の高い方
    の信号電荷に対し所定レベル以上をクリップする手段と
    、この手段によりクリップした信号電荷と光電感度特性
    の低い方の信号電荷を加算する手段とを具備してなるこ
    とを特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項2】前記水平転送部の転送端部に出力ゲート,
    出力拡散層,リセットゲート及びリセットドレインから
    なる出力部が設けられ、リセットゲートに印加するパル
    スの低レベルを制御して前記クリップを行い、リセット
    ゲートに印加するパルスの周波数を前記水平転送部に印
    加する水平駆動パルスの周波数の整数分の1に設定して
    前記信号電荷の加算を行うことを特徴とする請求項1記
    載の固体撮像装置。
  3. 【請求項3】前記各組内における複数の信号電荷を別々
    に電気信号に変換して外部回路に取り出し、各組内にお
    ける光電感度特性の高い方に相当する信号を所定レベル
    でクリップし、このクリップした信号と光電感度特性の
    低い方に相当する信号とを、位相を合わせて加算するこ
    とを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
JP3063543A 1991-03-27 1991-03-27 固体撮像装置 Expired - Fee Related JP2868915B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3063543A JP2868915B2 (ja) 1991-03-27 1991-03-27 固体撮像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3063543A JP2868915B2 (ja) 1991-03-27 1991-03-27 固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04298175A true JPH04298175A (ja) 1992-10-21
JP2868915B2 JP2868915B2 (ja) 1999-03-10

Family

ID=13232242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3063543A Expired - Fee Related JP2868915B2 (ja) 1991-03-27 1991-03-27 固体撮像装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2868915B2 (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0917360A2 (en) * 1997-11-14 1999-05-19 Sony Corporation Solid-state image sensing apparatus, method for driving the same and camera
JPH11234575A (ja) * 1998-02-18 1999-08-27 Nec Corp 固体撮像装置
US5966174A (en) * 1994-05-27 1999-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving a solid state imaging device using plural reading operations per image scanning time
EP1237363A1 (en) * 1999-11-22 2002-09-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging device
US6674470B1 (en) 1996-09-19 2004-01-06 Kabushiki Kaisha Toshiba MOS-type solid state imaging device with high sensitivity
US6744539B1 (en) 1999-06-09 2004-06-01 Sony Corporation Solid-state image pick-up apparatus, driving method therefor, and image input apparatus
JP2007103590A (ja) * 2005-10-03 2007-04-19 Nikon Corp 撮像素子、焦点検出装置、および、撮像システム
US7227193B2 (en) 2004-03-17 2007-06-05 Fujifilm Corporation Solid-state image sensor with micro-lenses for preventing shading
US7349024B2 (en) * 2003-03-25 2008-03-25 Fujifilm Corporation Imaging apparatus in which type of light source is discriminated to correctly adjust white balance
US7551217B2 (en) 2004-11-19 2009-06-23 Fujifilm Corporation Solid-state image sensor obviating degradation of image quality and apparatus using the same
US7609306B2 (en) 2004-11-19 2009-10-27 Fujifilm Corporation Solid-state image pickup apparatus with high- and low-sensitivity photosensitive cells, and an image shooting method using the same
US7608866B2 (en) 2006-03-08 2009-10-27 Fujifilm Corporation Solid-state image sensor with micro-lenses for anti-shading
WO2012042741A1 (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 パナソニック株式会社 固体撮像装置及び撮像装置
US8253818B2 (en) 2008-10-02 2012-08-28 Panasonic Corporation Pixel shift type imaging device
JP2014120955A (ja) * 2012-12-17 2014-06-30 Nec Corp 撮像装置及びその駆動方法
US8792025B2 (en) 2011-06-07 2014-07-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Image processing apparatus, image processing method, and solid-state imaging apparatus
US9503656B2 (en) 2013-12-11 2016-11-22 Seiko Epson Corporation Solid state imaging device and image acquisition method using solid state imaging elements having a PN junction

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5966174A (en) * 1994-05-27 1999-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving a solid state imaging device using plural reading operations per image scanning time
US6249314B1 (en) 1994-05-27 2001-06-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging apparatus having a solid-state imaging device and a signal processing circuit and method for driving the solid-state imaging device
US6674470B1 (en) 1996-09-19 2004-01-06 Kabushiki Kaisha Toshiba MOS-type solid state imaging device with high sensitivity
EP0917360A2 (en) * 1997-11-14 1999-05-19 Sony Corporation Solid-state image sensing apparatus, method for driving the same and camera
EP0917360A3 (en) * 1997-11-14 2001-09-12 Sony Corporation Solid-state image sensing apparatus, method for driving the same and camera
JPH11234575A (ja) * 1998-02-18 1999-08-27 Nec Corp 固体撮像装置
US6744539B1 (en) 1999-06-09 2004-06-01 Sony Corporation Solid-state image pick-up apparatus, driving method therefor, and image input apparatus
EP1237363A1 (en) * 1999-11-22 2002-09-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging device
EP1237363A4 (en) * 1999-11-22 2003-05-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd SEMICONDUCTOR IMAGING DEVICE
US7349024B2 (en) * 2003-03-25 2008-03-25 Fujifilm Corporation Imaging apparatus in which type of light source is discriminated to correctly adjust white balance
US7227193B2 (en) 2004-03-17 2007-06-05 Fujifilm Corporation Solid-state image sensor with micro-lenses for preventing shading
US7551217B2 (en) 2004-11-19 2009-06-23 Fujifilm Corporation Solid-state image sensor obviating degradation of image quality and apparatus using the same
US7609306B2 (en) 2004-11-19 2009-10-27 Fujifilm Corporation Solid-state image pickup apparatus with high- and low-sensitivity photosensitive cells, and an image shooting method using the same
JP2007103590A (ja) * 2005-10-03 2007-04-19 Nikon Corp 撮像素子、焦点検出装置、および、撮像システム
US7608866B2 (en) 2006-03-08 2009-10-27 Fujifilm Corporation Solid-state image sensor with micro-lenses for anti-shading
US8253818B2 (en) 2008-10-02 2012-08-28 Panasonic Corporation Pixel shift type imaging device
WO2012042741A1 (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 パナソニック株式会社 固体撮像装置及び撮像装置
JP2012074763A (ja) * 2010-09-27 2012-04-12 Panasonic Corp 固体撮像装置及び撮像装置
US8792025B2 (en) 2011-06-07 2014-07-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Image processing apparatus, image processing method, and solid-state imaging apparatus
JP2014120955A (ja) * 2012-12-17 2014-06-30 Nec Corp 撮像装置及びその駆動方法
US9503656B2 (en) 2013-12-11 2016-11-22 Seiko Epson Corporation Solid state imaging device and image acquisition method using solid state imaging elements having a PN junction

Also Published As

Publication number Publication date
JP2868915B2 (ja) 1999-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3088591B2 (ja) 固体撮像装置および駆動方法
JP2868915B2 (ja) 固体撮像装置
JP3213529B2 (ja) 撮像装置
JPH0118629B2 (ja)
JPH05137072A (ja) 固体撮像装置
JPH03117281A (ja) 固体撮像装置
US6778215B1 (en) Driving method of solid-state image pickup device and image pickup system
JP3878575B2 (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法
JP2005269060A (ja) Ccd固体撮像素子の駆動方法
US4985776A (en) Method of driving solid-state imaging element
JPH0262170A (ja) 固体撮像装置
US7616354B2 (en) Image capture apparatus configured to divisionally read out accumulated charges with a plurality of fields using interlaced scanning
JPS639288A (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JPH04207581A (ja) 撮像装置
JP3792771B2 (ja) 固体撮像カメラ
JP2623154B2 (ja) 固体撮像デバイスの駆動方法
JP2986685B2 (ja) 固体撮像装置の駆動方法と信号処理方法
JP2807342B2 (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JP4001904B2 (ja) 固体撮像装置の駆動方法
JP4296025B2 (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法
JPH0787402A (ja) 固体撮像装置と撮像システム
JP3179438B2 (ja) Ccdの駆動方法及び固体撮像装置
JPS60257677A (ja) 固体撮像素子
JP3392607B2 (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JP2812990B2 (ja) 固体撮像素子並びに固体撮像素子用信号処理回路

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071225

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081225

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091225

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091225

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101225

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees