JPH04291936A - Bonding apparatus of lead part for semiconductor chip use - Google Patents

Bonding apparatus of lead part for semiconductor chip use

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JPH04291936A
JPH04291936A JP8138891A JP8138891A JPH04291936A JP H04291936 A JPH04291936 A JP H04291936A JP 8138891 A JP8138891 A JP 8138891A JP 8138891 A JP8138891 A JP 8138891A JP H04291936 A JPH04291936 A JP H04291936A
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JP
Japan
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chip
semiconductor chip
stage
chip stage
bonding
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JP8138891A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuhiro Tejima
康裕 手島
Mamoru Shinjo
新城 護
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To prevent an unbalanced force from being exerted on a semiconductor chip at a bonding operation even when the parallelism between a bonding head and the face of a chip stage is not adjusted regarding the bonding apparatus, of a lead part for semiconductor chip use, which is used to bond the lead part to the semiconductor chip. CONSTITUTION:The title apparatus is provided with the following: a chip stage 1 on which a semiconductor chip 1 is placed; and a bonding head 3 which bonds a lead part 4A for semiconductor chip use to the semiconductor chip 2 by exerting heat and pressure on the semiconductor chip 2 together with a film 4 while the film 4 on which the lead part 4A has been formed is attached to the semiconductor chip 2 on the chip stage 1 from the upper part. The rear surface 1A of the chip stage 1 and the receiving face 6A on the rear surface 1A of the chip stage 1 are constituted respectively as spherical surfaces. The apparatus is constituted to place the semiconductor chip 2 on the chip stage 1 in such a way that the center on the surface of the semiconductor chip 2 coincides with the center O of rotation of the chip stage 1.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップにリード
部を接合するための半導体チップ用リード部ボンディン
グ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor chip lead bonding apparatus for bonding a lead to a semiconductor chip.

【0002】近年、チップステージ上の半導体チップに
対し上方から半導体チップ用リード部を形成されたフィ
ルムを当てがってこのフィルムとともに半導体チップに
対し熱および圧力を加えることにより、半導体チップへ
リード部を接合するTAB(テープオートメイテットボ
ンディング)技術が提案されている。
[0002] In recent years, a film on which a lead portion for the semiconductor chip is formed is applied from above to a semiconductor chip on a chip stage, and heat and pressure are applied to the semiconductor chip together with the film, thereby forming a lead portion to the semiconductor chip. TAB (tape automated bonding) technology has been proposed for bonding.

【0003】かかるTAB技術はリード数に無関係に半
導体チップに対し一括接合が可能であるため注目されて
いる技術である。
[0003] Such TAB technology is attracting attention because it allows batch bonding to semiconductor chips regardless of the number of leads.

【0004】0004

【従来の技術】図9は従来の半導体チップ用リード部ボ
ンディング装置を示す模式図であるが、この図9におい
て、101は半導体チップ102を載置するチップステ
ージで、103はボンディングヘッド〔ILB(インナ
リードボンディング)ツール〕で、このボンディングヘ
ッド103は、チップステージ101上の半導体チップ
102に対し上方から半導体チップ用リード部104A
を形成されたフィルム104を当てがって、このフィル
ム104とともに半導体チップ102に対し熱および圧
力を加えることにより、半導体チップ102へリード部
104Aを接合するものである。
2. Description of the Related Art FIG. 9 is a schematic diagram showing a conventional semiconductor chip lead bonding apparatus. In FIG. 9, 101 is a chip stage on which a semiconductor chip 102 is placed, and 103 is a bonding head [ILB Inner lead bonding) tool], this bonding head 103 connects the semiconductor chip 102 on the chip stage 101 from above to the semiconductor chip lead part 104A.
The lead portion 104A is bonded to the semiconductor chip 102 by applying the film 104 formed thereon and applying heat and pressure to the semiconductor chip 102 together with the film 104.

【0005】なお、102Aは半導体チップ102への
リード部接合部としてのバンプで、このバンプ102A
は金あるいは錫からなる。
[0005] Reference numeral 102A denotes a bump as a lead joining portion to the semiconductor chip 102.
is made of gold or tin.

【0006】また、105はフィルムキャリアで、この
フィルムキャリア105はフィルム104を送って、フ
ィルム104中の半導体チップ用リード部104Aを半
導体チップ102上にセットするものである。
Further, 105 is a film carrier, and this film carrier 105 is used to feed the film 104 and set the semiconductor chip lead portion 104A in the film 104 on the semiconductor chip 102.

【0007】このような構成により、半導体チップ10
2をチップステージ101上に載置したあと、フィルム
キャリア105を用いてフィルム104中の半導体チッ
プ用リード部104Aを半導体チップ102上にセット
する。
With such a configuration, the semiconductor chip 10
2 is placed on the chip stage 101, the semiconductor chip lead portion 104A in the film 104 is set on the semiconductor chip 102 using the film carrier 105.

【0008】その後は、ボンディングヘッド103を下
降させて、フィルム104とともに半導体チップ102
に対し熱および圧力を加えることにより、半導体チップ
102へリード部104Aを接合することが行なわれる
After that, the bonding head 103 is lowered and the semiconductor chip 102 is bonded together with the film 104.
By applying heat and pressure to the semiconductor chip 102, the lead portion 104A is bonded to the semiconductor chip 102.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体チップ用リード部ボンディング装置で
は、半導体チップ102が大型化したり多ピン化したり
した場合、リード部の一括接合が難しい。その理由の1
つはツールとステージ面との間において高い平行度が要
求される点である。すなわち、もし図10に示すように
、平行度が確実に調整されていないと、接合時にバンプ
102Aにかかる加圧力に偏りが生じて、チップの損傷
(図8の符号A部参照)や不十分な接合(図10の符号
B部参照)の原因になるのである。
However, with such a conventional semiconductor chip lead bonding apparatus, when the semiconductor chip 102 becomes large in size or has a large number of pins, it is difficult to bond the leads all at once. One of the reasons
The first point is that high parallelism is required between the tool and the stage surface. In other words, as shown in FIG. 10, if the parallelism is not adjusted reliably, the pressure applied to the bump 102A during bonding will be uneven, resulting in damage to the chip (see section A in FIG. 8) or insufficient parallelism. This causes a severe bonding (see part B in FIG. 10).

【0010】従って、通常はボンディングヘッドとチッ
プステージ面との平行度を調整して、平行度が例えば5
ミクロン以内のずれにおさめる必要がある。
Therefore, the parallelism between the bonding head and the chip stage surface is usually adjusted so that the parallelism is, for example, 5.
It is necessary to keep the deviation within microns.

【0011】しかし、現実問題として、この平行度調整
は難しく手間がかかるほか、バンプ形成のバラツキやチ
ップステージあるいはチップの汚れによるずれに対して
は補正できない。
However, as a practical matter, this parallelism adjustment is difficult and time-consuming, and it is not possible to correct deviations due to variations in bump formation or dirt on the chip stage or chip.

【0012】本発明は、このような課題に鑑み創案され
たもので、ボンディングヘッドとチップステージ面との
平行度を調整していなくても、接合時に半導体チップに
偏った力がかからないようにした、半導体チップ用リー
ド部ボンディング装置を提供することを目的とする。
The present invention was devised in view of these problems, and it is possible to prevent unbalanced force from being applied to the semiconductor chip during bonding even if the parallelism between the bonding head and the chip stage surface is not adjusted. An object of the present invention is to provide a lead bonding device for semiconductor chips.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】このため、本発明の半導
体チップ用リード部ボンディング装置は、半導体チップ
を載置するチップステージと、該チップステージ上の該
半導体チップに対し上方から半導体チップ用リード部を
形成されたフィルムを当てがって該フィルムとともに該
半導体チップに対し熱および圧力を加えることにより、
半導体チップへ該リード部を接合するボンディングヘッ
ドとをそなえ、該チップステージの下面および該チップ
ステージの下面の受面がそれぞれ球面として構成される
とともに、該半導体チップの表面の中心が該チップステ
ージの回転中心と一致するように、該半導体チップが該
チップステージ上に載置されることを特徴としている(
請求項1)。
[Means for Solving the Problems] Therefore, the semiconductor chip lead bonding apparatus of the present invention includes a chip stage on which a semiconductor chip is placed, and a semiconductor chip lead bonding device that connects the semiconductor chip from above to the semiconductor chip on the chip stage. By applying heat and pressure to the semiconductor chip together with the film formed with the part,
A bonding head for bonding the lead portion to the semiconductor chip is provided, the lower surface of the chip stage and the receiving surface of the lower surface of the chip stage are each configured as a spherical surface, and the center of the surface of the semiconductor chip is located on the surface of the chip stage. The semiconductor chip is placed on the chip stage so as to coincide with the center of rotation (
Claim 1).

【0014】また、本発明の半導体チップ用リード部ボ
ンディング装置は、該チップステージの下面と該チップ
ステージの下面の受面との間にいて、周上に沿い少なく
とも3つの弾性体が介装されていることを特徴としてい
る(請求項2)。
Further, in the semiconductor chip lead bonding apparatus of the present invention, at least three elastic bodies are interposed along the circumference between the lower surface of the chip stage and the receiving surface of the lower surface of the chip stage. (Claim 2).

【0015】さらに、本発明の半導体チップ用リード部
ボンディング装置は、該チップステージの下面と該チッ
プステージの下面の受面との間において、周上に沿い少
なくとも3つのベアリングが介装されていることを特徴
としている(請求項3)。
Furthermore, in the semiconductor chip lead bonding apparatus of the present invention, at least three bearings are interposed along the circumference between the lower surface of the chip stage and the receiving surface of the lower surface of the chip stage. (Claim 3)

【0016】また、本発明の半導体チップ用リード部ボ
ンディング装置は、該チップステージ上の該半導体チッ
プを固定すべく、該チップステージの半導体チップ載置
面に開口する真空吸着通路が設けられたことを特徴とし
ている(請求項4)。
Further, the semiconductor chip lead bonding apparatus of the present invention is provided with a vacuum suction passage opening on the semiconductor chip mounting surface of the chip stage in order to fix the semiconductor chip on the chip stage. (Claim 4).

【0017】[0017]

【作用】上述の本発明の半導体チップ用リード部ボンデ
ィング装置(請求項1)では、半導体チップをチップス
テージ上に載置したあと、フィルム中の半導体チップ用
リード部を半導体チップ上にセットする。
[Operation] In the above-described semiconductor chip lead bonding apparatus (claim 1) of the present invention, after the semiconductor chip is placed on the chip stage, the semiconductor chip lead part in the film is set on the semiconductor chip.

【0018】その後は、ボンディングヘッドを下降させ
て、フィルムとともに半導体チップに対し熱および圧力
を加えることにより、半導体チップへリード部を接合す
ることが行なわれる。
Thereafter, the bonding head is lowered and heat and pressure are applied to the semiconductor chip together with the film, thereby bonding the lead portion to the semiconductor chip.

【0019】そして、ボンディングヘッドとチップステ
ージ面との平行度が調整されていなくても、チップステ
ージの下面およびチップステージの下面の受面がそれぞ
れ球面として構成されるとともに、半導体チップの表面
の中心がチップステージの回転中心と一致するように、
半導体チップがチップステージ上に載置されているので
、ボンディングヘッドによる加圧時に、チップステージ
がチップステージ支持部のチップステージ支持用凹面を
微小揺動する。これにより接合時に半導体チップに偏っ
た力がかからない。
Even if the parallelism between the bonding head and the chip stage surface is not adjusted, the lower surface of the chip stage and the receiving surface of the lower surface of the chip stage are configured as spherical surfaces, and the center of the surface of the semiconductor chip so that it coincides with the center of rotation of the chip stage.
Since the semiconductor chip is placed on the chip stage, when pressure is applied by the bonding head, the chip stage slightly swings the chip stage supporting concave surface of the chip stage support portion. This prevents unbalanced force from being applied to the semiconductor chip during bonding.

【0020】また、本発明の半導体チップ用リード部ボ
ンディング装置(請求項2)では、チップステージの下
面とチップステージの下面の受面との間に介装された各
弾性体により、接合後に、半導体チップを取り去ると、
チップステージが元の位置へ自動復帰する。
Further, in the semiconductor chip lead bonding apparatus (claim 2) of the present invention, after bonding, each elastic body interposed between the lower surface of the chip stage and the receiving surface of the lower surface of the chip stage, When the semiconductor chip is removed,
The chip stage automatically returns to its original position.

【0021】さらに、本発明の半導体チップ用リード部
ボンディング装置(請求項3)では、チップステージの
下面とチップステージの下面の受面との間に介装された
各ベアリングにより、チップステージの移動を滑らかに
する。
Furthermore, in the semiconductor chip lead bonding apparatus (claim 3) of the present invention, the movement of the chip stage is controlled by each bearing interposed between the lower surface of the chip stage and the receiving surface of the lower surface of the chip stage. smoothen.

【0022】また、本発明の半導体チップ用リード部ボ
ンディング装置(請求項4)では、チップステージの半
導体チップ載置面に開口する真空吸着通路により、チッ
プステージ上の半導体チップを固定することが行なわれ
る。
Furthermore, in the semiconductor chip lead bonding apparatus (claim 4) of the present invention, the semiconductor chip on the chip stage is fixed by the vacuum suction passage that opens on the semiconductor chip mounting surface of the chip stage. It will be done.

【0023】[0023]

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0024】図1は本発明の一実施例を示す模式的断面
図であるが、この図1において、1は半導体チップ2を
載置するチップステージで、このチップステージ1はチ
ップステージ支持用の凹面6Aをもつチップステージ支
持部6に支持されている。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of the present invention. In FIG. 1, numeral 1 denotes a chip stage on which a semiconductor chip 2 is placed, and this chip stage 1 is used for supporting the chip stage. It is supported by a chip stage support portion 6 having a concave surface 6A.

【0025】そして、このチップステージ1の下面1A
およびチップステージ支持部6に形成されたチップステ
ージ1の下面1Aの受面としての凹面6Aがそれぞれ球
面として構成されている。
The lower surface 1A of this chip stage 1
A concave surface 6A formed on the chip stage support portion 6 and serving as a receiving surface for the lower surface 1A of the chip stage 1 is configured as a spherical surface.

【0026】これにより、チップステージ1は、チップ
ステージ支持部6に対し矢印方向に微小な範囲において
揺動自在に支承されていることになる。
As a result, the chip stage 1 is supported by the chip stage support portion 6 so as to be able to swing freely within a small range in the direction of the arrow.

【0027】また、半導体チップ2の表面の中心がチッ
プステージ1の回転中心Oと一致するように、半導体チ
ップ2がチップステージ1上に載置されるようになって
いる。
Further, the semiconductor chip 2 is placed on the chip stage 1 so that the center of the surface of the semiconductor chip 2 coincides with the rotation center O of the chip stage 1.

【0028】なお、2Aは半導体チップ2へのリード部
接合部としてのバンプで、このバンプ2Aは金あるいは
錫からなる。
Incidentally, reference numeral 2A denotes a bump as a lead portion joining portion to the semiconductor chip 2, and this bump 2A is made of gold or tin.

【0029】また、3はボンディングヘッド〔ILB(
インナリードボンディング)ツール〕で、このボンディ
ングヘッド3は、チップステージ1上の半導体チップ2
に対し上方から半導体チップ用リード部4Aを形成され
たフィルム4を当てがって、このフィルム4とともに半
導体チップ2に対し熱および圧力を加えることにより、
半導体チップ2へリード部4Aを接合するものである。
Further, 3 is a bonding head [ILB(
Inner lead bonding) tool], this bonding head 3 connects the semiconductor chip 2 on the chip stage 1.
By applying the film 4 on which the semiconductor chip lead portion 4A is formed from above to the film 4 and applying heat and pressure to the semiconductor chip 2 together with the film 4,
This is for joining the lead portion 4A to the semiconductor chip 2.

【0030】さらに、5はフィルムキャリアで、このフ
ィルムキャリア5はフィルム4を送って、フィルム4中
の半導体チップ用リード部4Aを半導体チップ2上にセ
ットするものである。
Further, 5 is a film carrier, and this film carrier 5 is used to feed the film 4 and set the semiconductor chip lead portion 4A in the film 4 on the semiconductor chip 2.

【0031】また、図2に示すよう、チップステージ1
の下面1Aとチップステージ支持部6のチップステージ
支持用凹面6Aとの間において、周上に沿い弾性体とし
ての固体ゴム7が120°間隔で3つ介装されるととも
に、固体ゴム7が配設されている部分間において、同様
にして、周上に沿いベアリング8が120°間隔で3つ
介装されている。
Furthermore, as shown in FIG. 2, the chip stage 1
Between the lower surface 1A and the chip stage supporting concave surface 6A of the chip stage support part 6, three solid rubbers 7 as elastic bodies are interposed along the circumference at 120° intervals, and the solid rubbers 7 are disposed. Similarly, three bearings 8 are interposed along the circumference at intervals of 120 degrees between the provided portions.

【0032】なお、図3に示すように、固体ゴム7とベ
アリング8とを同じ位相で配設してもよい。
Note that, as shown in FIG. 3, the solid rubber 7 and the bearing 8 may be arranged in the same phase.

【0033】さらに、図1に示すように、チップステー
ジ1の半導体チップ載置面1Bに開口する真空吸着通路
9が設けられているが、この真空吸着通路9はチップス
テージ1を貫通し更にチップステージ支持部6を通って
図示しない真空ポンプに接続されている。
Furthermore, as shown in FIG. 1, a vacuum suction passage 9 is provided which opens on the semiconductor chip mounting surface 1B of the chip stage 1. It is connected to a vacuum pump (not shown) through the stage support section 6.

【0034】なお、真空吸着通路9のチップステージ1
の下面1Aとチップステージ支持部6のチップステージ
支持用凹面6Aとの境界部分は、真空吸着通路9のチッ
プステージ支持部側部分が幅広に設定されている。これ
はチップステージ1がチップステージ支持部6のチップ
ステージ支持用凹面6Aを微小揺動しても真空吸着通路
9が切断状態にならないようにするためである。このよ
うにしてチップステージ1上の半導体チップ2を固定す
ることができるのである。
Note that the chip stage 1 of the vacuum suction passage 9
The boundary between the lower surface 1A of the chip stage supporting part 6 and the chip stage supporting concave surface 6A of the chip stage supporting part 6 is set to be wide at the part of the vacuum suction passage 9 on the chip stage supporting part side. This is to prevent the vacuum suction passage 9 from being cut off even if the chip stage 1 slightly swings the chip stage support concave surface 6A of the chip stage support portion 6. In this way, the semiconductor chip 2 on the chip stage 1 can be fixed.

【0035】なお、Lはチップステージ1の回転中心O
を通る垂直軸である。
Note that L is the rotation center O of the chip stage 1.
is the vertical axis passing through .

【0036】上述の構成により、半導体チップ2をチッ
プステージ1上に載置したあと、フィルム4中の半導体
チップ用リード部4Aを半導体チップ2上にセットする
With the above-described configuration, after the semiconductor chip 2 is placed on the chip stage 1, the semiconductor chip lead portion 4A in the film 4 is set on the semiconductor chip 2.

【0037】このとき、チップステージ1の半導体チッ
プ載置面1Bに開口する真空吸着通路9により、チップ
ステージ1上の半導体チップ2を確実に固定することが
行なわれる。
At this time, the semiconductor chip 2 on the chip stage 1 is reliably fixed by the vacuum suction passage 9 opened to the semiconductor chip mounting surface 1B of the chip stage 1.

【0038】その後は、ボンディングヘッド3を下降さ
せて、フィルム4とともに半導体チップ2に対し熱およ
び圧力を加えることにより、半導体チップ2へリード部
4Aを接合することが行なわれる。
Thereafter, the bonding head 3 is lowered to apply heat and pressure to the semiconductor chip 2 together with the film 4, thereby bonding the lead portion 4A to the semiconductor chip 2.

【0039】ところで、半導体チップ2上のバンプ2A
形成のバラツキや塵や汚れによる半導体チップ1の傾き
がある場合を考えると、この場合は、チップステージ1
の下面1Aおよびチップステージ1の下面の受面6Aが
それぞれ球面として構成されているので、ボンディング
ヘッド3による加圧時に、チップステージ1がチップス
テージ支持部6のチップステージ支持用凹面6Aを微小
揺動して、接合時に半導体チップ2に偏った力がかから
ない。これによりボンディグに悪影響を与えることがな
い。
By the way, the bumps 2A on the semiconductor chip 2
Considering the case where the semiconductor chip 1 is tilted due to variations in formation or dust or dirt, in this case, the chip stage 1
Since the lower surface 1A and the receiving surface 6A of the lower surface of the chip stage 1 are each configured as a spherical surface, when the bonding head 3 applies pressure, the chip stage 1 causes the chip stage supporting concave surface 6A of the chip stage support part 6 to undergo minute vibrations. This prevents unbalanced force from being applied to the semiconductor chip 2 during bonding. This does not adversely affect bonding.

【0040】また、ボンディングヘッド3とチップステ
ージ面との平行度が調整されていない場合を考えると、
この場合は、チップステージ1の下面1Aおよびチップ
ステージ1の下面の受面6Aがそれぞれ球面として構成
されているので、ボンディングヘッド3による加圧時に
、チップステージ1がチップステージ支持部6のチップ
ステージ支持用凹面6Aを微小揺動して、自動的にボン
ディングヘッド3とチップステージ面との平行度が調整
されるため、接合時に半導体チップ2に偏った力がかか
らない。これによりこの場合もボンディグに悪影響を与
えることがない。
Furthermore, considering the case where the parallelism between the bonding head 3 and the chip stage surface is not adjusted,
In this case, since the lower surface 1A of the chip stage 1 and the receiving surface 6A of the lower surface of the chip stage 1 are each configured as a spherical surface, when the bonding head 3 applies pressure, the chip stage 1 Since the parallelism between the bonding head 3 and the chip stage surface is automatically adjusted by slightly swinging the supporting concave surface 6A, no unbalanced force is applied to the semiconductor chip 2 during bonding. As a result, bonding is not adversely affected in this case as well.

【0041】すなわち、本装置は平行度調整という点に
おいてセルフアラインメント機能を有する。
That is, this device has a self-alignment function in terms of parallelism adjustment.

【0042】また、半導体チップ2の表面の中心がチッ
プステージ1の回転中心Oと一致するように、半導体チ
ップ2がチップステージ1上に載置されているので、チ
ップステージ1がチップステージ支持部6のチップステ
ージ支持用凹面6Aを微小揺動しても、半導体チップ2
へのリード部接合位置はほとんど狂わない。
Furthermore, since the semiconductor chip 2 is placed on the chip stage 1 so that the center of the surface of the semiconductor chip 2 coincides with the rotation center O of the chip stage 1, the chip stage 1 is placed on the chip stage support part. Even if the concave surface 6A for supporting the chip stage of No. 6 is slightly oscillated, the semiconductor chip 2
The position of the lead part to be joined will hardly go out of order.

【0043】このようにして、半導体チップ2上のバン
プ2A形成のバラツキや塵や汚れによる半導体チップ1
の傾きがあっても、ボンディグに悪影響を与えることが
なく、更にはボンディングヘッド3とチップステージ面
1Bとの平行度が調整されていなくても、接合時に半導
体チップ2に偏った力がかからないため、半導体チップ
2の破損や接合不良がなくなるのである。
In this way, the semiconductor chip 1 due to variations in the formation of the bumps 2A on the semiconductor chip 2, dust and dirt, etc.
Even if the bonding head 3 is tilted, it does not adversely affect the bonding, and furthermore, even if the parallelism between the bonding head 3 and the chip stage surface 1B is not adjusted, no biased force is applied to the semiconductor chip 2 during bonding. This eliminates damage to the semiconductor chip 2 and poor bonding.

【0044】また、上記のようにチップステージ1がチ
ップステージ支持部6のチップステージ支持用凹面6A
を微小揺動する際に、チップステージ1がチップステー
ジ1の下面1Aとチップステージ下面1Aの受面6Aと
の間に介装された各ベアリング8によって、チップステ
ージ1は滑らかに移動することができる。
Furthermore, as described above, the chip stage 1 is mounted on the chip stage support concave surface 6A of the chip stage support portion 6.
When the chip stage 1 is slightly oscillated, the chip stage 1 can be smoothly moved by each bearing 8 interposed between the lower surface 1A of the chip stage 1 and the receiving surface 6A of the lower surface 1A of the chip stage. can.

【0045】さらに、接合後に、半導体チップ2を取り
去るが、このときチップステージ1の下面1Aとチップ
ステージ下面1Aの受面6Aとの間に介装された各固体
ゴム7により、チップステージ1を元の位置へ自動復帰
させることができる。
Further, after bonding, the semiconductor chip 2 is removed, and at this time, the chip stage 1 is held by each solid rubber 7 interposed between the lower surface 1A of the chip stage 1 and the receiving surface 6A of the chip stage lower surface 1A. It can be automatically returned to its original position.

【0046】なお、弾性体として、固体ゴム7の代わり
に、コイルスプリングを用いても同様のチップステージ
自動復帰作用が得られる。
Note that the same automatic return function of the chip stage can be obtained by using a coil spring instead of the solid rubber 7 as the elastic body.

【0047】また、上記の実施例では、チップステージ
自動復帰用弾性体やチップステージの移動を円滑にする
ベアリングおよび半導体チップ固定用真空吸着通路を全
て具備した例を挙げたが、図4,5に示すようにチップ
ステージ自動復帰用弾性体としての固体ゴム7やコイル
スプリング10だけを具備したものや、図6に示すよう
にベアリング8だけを具備したものや、図7に示すよう
に半導体チップ固定用真空吸着通路9だけを具備したも
のにも、同様にして、本発明を適用することができる。
Furthermore, in the above embodiment, an example was given in which all of the elastic body for automatic return of the chip stage, the bearing for smoothing the movement of the chip stage, and the vacuum suction passage for fixing the semiconductor chip were provided. As shown in FIG. 6, there are those equipped with only solid rubber 7 and coil springs 10 as elastic bodies for chip stage automatic return, those equipped with only bearings 8 as shown in FIG. 6, and those equipped with only a bearing 8 as shown in FIG. The present invention can be similarly applied to a device equipped with only the fixing vacuum suction passage 9.

【0048】なお、図4〜7においては、チップステー
ジ1の下面1Aおよびチップステージ下面1Aの受面6
Aがそれぞれ球面として構成されるとともに、半導体チ
ップ2の表面の中心がチップステージ1の回転中心と一
致するように、半導体チップ2がチップステージ1上に
載置されるという構成は共通に有していることはいうま
でもなく、更に固体ゴム7やコイルスプリング10,ベ
アリング8が、チップステージ1の下面1Aとチップス
テージ支持部6のチップステージ支持用凹面6Aとの間
において、周上に沿い等間隔で3つ配設されていること
もいうまでもない。
In addition, in FIGS. 4 to 7, the lower surface 1A of the chip stage 1 and the receiving surface 6 of the lower surface 1A of the chip stage 1 are shown.
A is configured as a spherical surface, and the semiconductor chip 2 is placed on the chip stage 1 so that the center of the surface of the semiconductor chip 2 coincides with the center of rotation of the chip stage 1. Needless to say, the solid rubber 7, coil spring 10, and bearing 8 are further provided along the circumference between the lower surface 1A of the chip stage 1 and the concave surface 6A for chip stage support of the chip stage support part 6. Needless to say, there are three arranged at equal intervals.

【0049】さらに、図8に示すように、チップステー
ジ1の下面1Aおよびチップステージ下面1Aの受面6
Aがそれぞれ球面として構成されるとともに、半導体チ
ップ2の表面の中心がチップステージ1の回転中心と一
致するように、半導体チップ2がチップステージ1上に
載置されるように構成しただけで、チップステージ自動
復帰用弾性体7,10やチップステージ1の移動を円滑
にするベアリング8および半導体チップ固定用真空吸着
通路9については全て省略したものにも、同様にして、
本発明を適用することができるものである。
Furthermore, as shown in FIG. 8, the lower surface 1A of the chip stage 1 and the receiving surface 6 of the lower surface 1A of the chip stage 1
A is configured as a spherical surface, and the semiconductor chip 2 is placed on the chip stage 1 so that the center of the surface of the semiconductor chip 2 coincides with the center of rotation of the chip stage 1. The chip stage automatic return elastic bodies 7 and 10, the bearing 8 for smoothing the movement of the chip stage 1, and the vacuum suction passage 9 for fixing the semiconductor chip are all omitted in the same manner.
This is to which the present invention can be applied.

【0050】なお、固体ゴム7やコイルスプリング10
,ベアリング8を、チップステージ1の下面1Aとチッ
プステージ支持部6のチップステージ支持用凹面6Aと
の間において、周上に沿い4つ以上配設することももち
ろん可能である。
Note that the solid rubber 7 and the coil spring 10
, it is of course possible to arrange four or more bearings 8 along the circumference between the lower surface 1A of the chip stage 1 and the chip stage supporting concave surface 6A of the chip stage support section 6.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の半導体チ
ップ用リード部ボンディング装置(請求項1)によれば
、チップステージの下面およびチップステージの下面の
受面がそれぞれ球面として構成されるとともに、半導体
チップの表面の中心がチップステージの回転中心と一致
するように、半導体チップがチップステージ上に載置さ
れるように構成されているので、半導体チップ上のバン
プ形成のバラツキや塵や汚れによる半導体チップの傾き
があっても、ボンディグに悪影響を与えることがなく、
更にはボンディングヘッドとチップステージ面との平行
度が調整されていなくても、接合時に半導体チップに偏
った力がかからないため、半導体チップの破損や接合不
良がなくなるという利点がある。
As described in detail above, according to the semiconductor chip lead bonding apparatus (claim 1) of the present invention, the lower surface of the chip stage and the receiving surface of the lower surface of the chip stage are each configured as a spherical surface. In addition, since the semiconductor chip is configured to be placed on the chip stage so that the center of the surface of the semiconductor chip coincides with the center of rotation of the chip stage, variations in bump formation on the semiconductor chip, dust, etc. Even if the semiconductor chip is tilted due to dirt, bonding will not be adversely affected.
Furthermore, even if the parallelism between the bonding head and the chip stage surface is not adjusted, no biased force is applied to the semiconductor chip during bonding, so there is an advantage that damage to the semiconductor chip and defective bonding are eliminated.

【0052】また、本発明の半導体チップ用リード部ボ
ンディング装置(請求項2)では、チップステージの下
面とチップステージの下面の受面との間において、周上
に沿い少なくとも3つの弾性体が介装されているので、
接合後に、半導体チップを取り去ると、チップステージ
を元の位置へ自動復帰させることができる利点がある。
Further, in the semiconductor chip lead bonding apparatus (claim 2) of the present invention, at least three elastic bodies are interposed along the circumference between the lower surface of the chip stage and the receiving surface of the lower surface of the chip stage. Because it is equipped with
When the semiconductor chip is removed after bonding, there is an advantage that the chip stage can be automatically returned to its original position.

【0053】さらに、本発明の半導体チップ用リード部
ボンディング装置(請求項3)では、チップステージの
下面とチップステージの下面の受面との間において、周
上に沿い少なくとも3つのベアリングが介装されている
ので、請求項1,2にかかる発明で得られる効果に加え
て、チップステージの移動を滑らかにできる利点がある
Furthermore, in the semiconductor chip lead bonding apparatus (claim 3) of the present invention, at least three bearings are interposed along the circumference between the lower surface of the chip stage and the receiving surface of the lower surface of the chip stage. Therefore, in addition to the effects obtained by the inventions according to claims 1 and 2, there is an advantage that the movement of the chip stage can be made smooth.

【0054】また、本発明の半導体チップ用リード部ボ
ンディング装置(請求項4)では、チップステージの半
導体チップ載置面に開口する真空吸着通路が設けられて
いるので、チップステージ上の半導体チップを確実に固
定できる利点がある。
Furthermore, in the semiconductor chip lead bonding apparatus (claim 4) of the present invention, since the vacuum suction passageway is provided which opens on the semiconductor chip mounting surface of the chip stage, the semiconductor chip on the chip stage is It has the advantage of being securely fixed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の一実施例を示す模式的断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例を示す模式的平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view showing one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例の変形例を示す模式的平面図
である。
FIG. 3 is a schematic plan view showing a modification of one embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施例の変形例を示す模式的断面図
である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a modification of one embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施例の変形例を示す模式的断面図
である。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a modification of one embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施例の変形例を示す模式的断面図
である。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a modification of one embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施例の変形例を示す模式的断面図
である。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a modification of one embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施例の変形例を示す模式的断面図
である。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a modification of one embodiment of the present invention.

【図9】従来例を示す模式的断面図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a conventional example.

【図10】従来例の課題を説明するための模式的断面図
である。
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view for explaining the problems of the conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  チップステージ 1A  チップステージの下面 1B  半導体チップ載置面 2  半導体チップ 2A  バンプ 3  ボンディングヘッド 4  フィルム 4A  リード部 5  フィルムキャリア 6  チップステージ支持部 6A  チップステージ受面 7  固体ゴム(弾性体) 8  ベアリング 9  真空吸着通路 10  コイルスプリング(弾性体) 101  チップステージ 101A  チップステージの下面 102  半導体チップ 102A  バンプ 103  ボンディングヘッド 104  フィルム 104A  リード部 105  フィルムキャリア 1 Chip stage 1A Bottom surface of chip stage 1B Semiconductor chip mounting surface 2 Semiconductor chip 2A Bump 3 Bonding head 4 Film 4A Lead part 5 Film carrier 6 Chip stage support part 6A Chip stage receiving surface 7 Solid rubber (elastic body) 8 Bearing 9 Vacuum suction passage 10 Coil spring (elastic body) 101 Chip stage 101A Bottom surface of chip stage 102 Semiconductor chip 102A Bump 103 Bonding head 104 Film 104A Lead part 105 Film carrier

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  半導体チップ(2)を載置するチップ
ステージ(1)と、該チップステージ(1)上の該半導
体チップ(2)に対し上方から半導体チップ用リード部
(4A)を形成されたフィルム(4)を当てがって該フ
ィルム(4)とともに該半導体チップ(2)に対し熱お
よび圧力を加えることにより、半導体チップ(2)へ該
リード部(4A)を接合するボンディングヘッド(3)
とをそなえ、該チップステージ(1)の下面(1A)お
よび該チップステージ(1)の下面(1A)の受面(6
A)がそれぞれ球面として構成されるとともに、該半導
体チップ(2)の表面の中心が該チップステージ(1)
の回転中心(O)と一致するように、該半導体チップ(
2)が該チップステージ(1)上に載置されることを特
徴とする、半導体チップ用リード部ボンディング装置。
1. A chip stage (1) on which a semiconductor chip (2) is placed, and a semiconductor chip lead part (4A) formed from above on the semiconductor chip (2) on the chip stage (1). A bonding head (for bonding the lead part (4A) to the semiconductor chip (2) by applying the film (4) and applying heat and pressure to the semiconductor chip (2) together with the film (4) 3)
The lower surface (1A) of the chip stage (1) and the receiving surface (6
A) are each configured as a spherical surface, and the center of the surface of the semiconductor chip (2) is located at the chip stage (1).
The semiconductor chip (
2) is placed on the chip stage (1).
【請求項2】  該チップステージ(1)の下面(1A
)と該チップステージ(1)の下面(1A)の受面(6
A)との間において、周上に沿い少なくとも3つの弾性
体(7,10)が介装されていることを特徴とする、請
求項1記載の半導体チップ用リード部ボンディング装置
2. The lower surface (1A) of the chip stage (1)
) and the receiving surface (6) of the lower surface (1A) of the chip stage (1).
2. The semiconductor chip lead part bonding apparatus according to claim 1, wherein at least three elastic bodies (7, 10) are interposed along the circumference between the semiconductor chip lead part and the lead part A).
【請求項3】  該チップステージ(1)の下面(1A
)と該チップステージ(1)の下面(1A)の受面(6
A)との間において、周上に沿い少なくとも3つのベア
リング(8)が介装されていることを特徴とする、請求
項1または請求項2に記載の半導体チップ用リード部ボ
ンディング装置。
3. The lower surface (1A) of the chip stage (1)
) and the receiving surface (6) of the lower surface (1A) of the chip stage (1).
3. The semiconductor chip lead bonding apparatus according to claim 1, wherein at least three bearings (8) are interposed along the circumference between the semiconductor chip lead bonding apparatus and the lead part A).
【請求項4】  該チップステージ(1)上の該半導体
チップ(2)を固定すべく、該チップステージ(1)の
半導体チップ載置面(1B)に開口する真空吸着通路(
9)が設けられたことを特徴とする、請求項1に記載の
半導体チップ用リード部ボンディング装置。
4. In order to fix the semiconductor chip (2) on the chip stage (1), a vacuum suction passage (
9). The semiconductor chip lead bonding apparatus according to claim 1, further comprising: 9).
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013012541A (en) * 2011-06-28 2013-01-17 Apic Yamada Corp Parallel lifting mechanism and semiconductor manufacturing apparatus
JP2018206792A (en) * 2017-05-30 2018-12-27 Tdk株式会社 Thermocompression bonding apparatus and manufacturing method of electronic component

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