JPH04291210A - 光結合装置の製造方法 - Google Patents

光結合装置の製造方法

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JPH04291210A
JPH04291210A JP3055161A JP5516191A JPH04291210A JP H04291210 A JPH04291210 A JP H04291210A JP 3055161 A JP3055161 A JP 3055161A JP 5516191 A JP5516191 A JP 5516191A JP H04291210 A JPH04291210 A JP H04291210A
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JP
Japan
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light
lens
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light receiving
condensing means
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Ikuo Hanawa
花輪 育夫
Akira Fukushima
福島 昭
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Fujitsu Ltd
Fujitsu Quantum Devices Ltd
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Fujitsu Ltd
Fujitsu Quantum Devices Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバからの光信
号を受光素子により受光する光結合装置に関する。
【0002】近年、光通信の高速化に伴い、より周波数
応答の優れた受光素子による光結合が要求されている。 そのため、端子間容量の少ない裏面入射型の受光素子に
より簡易、高精度に光結合する必要がある。
【0003】
【従来の技術】一般に、受光素子には、受光面と配線部
が同一面上に有する表面入射型と、受光面と配線部がそ
れぞれ反対面に有する裏面入射型とがある。
【0004】この表面入射型の受光素子を使用する光結
合装置は、該受光素子を基板上に実装して受光面側で配
線を行うもので、受光素子のPN接合(光電変換領域)
の位置が受光面に近く光結合における調整等の自由度が
比較的大きい。従って、光ファイバからの光信号をレン
ズで集光させて受光することはもちろん、光ファイバか
ら直接光信号を受光する光結合方法をとることができる
。しかし、光通信の高速化に伴い、より端子間容量の少
ない受光素子が要求されるようになると、表面入射型の
受光素子で受光面積を小さくしていくことでは対処しき
れず裏面入射型の受光素子が有望視されてきている。
【0005】この裏面入射型の受光素子は、受光面から
PN接合部までの距離が表面入射型に比べて比較的長い
。従って、光ファイバのみで直接良好な光結合を得るた
めには、受光面にファイバ端面を極力近づける必要があ
る。
【0006】そこで、図4に、裏面入射型の受光素子を
使用した従来の光結合装置の概念図を示す。図4におい
て、光結合装置30は、基板31に穿孔部32が形成さ
れ、その一端に裏面入射型の受光素子33が、受光面を
穿孔部32内に向けて取付けられる。そして、光ファイ
バ34からの光信号をレンズ35により集光して、該受
光素子33において受光し、電気信号として取出すもの
である。
【0007】このような光結合装置30は、レンズ35
により集光して、該受光素子33の厚さを考慮しながら
光結合を行うものである。すなわち、レンズ35,光フ
ァイバ34及び受光素子33の位置関係により良好な受
光状態とするものである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記裏面入射
型の受光素子を有する光結合装置30では、光ファイバ
34(端面)、レンズ35及び受光素子33が分離する
ことから、部品点数が多くなると共に、焦点位置の調整
等が困難であり、高精度を図ることがてきないという問
題がある。
【0009】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、部品点数の削減、光結合精度の向上を図る光結
合装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】図1に、本発明の原理説
明図を示す。図1において、第1の工程では、基板に、
段差を形成させて穿孔部を形成する。第2の工程では、
該基板上の穿孔部の一端の周辺にバンク部を設ける。第
3の工程では、該基板上のバンク部内より集光材を溶融
して、該バンク部及び前記穿孔部の段差間で集光手段を
埋設する。そして、第4の工程では、該基板の穿孔部の
他端に、該集光手段を介して入射する光信号を受光する
受光素子を取着するものである。
【0011】
【作用】上述のように、基板に形成された段差を有する
穿孔部の一端に集光手段を埋設する。埋設は、集光材を
所定温度で溶融させて行うもので、バンク部と穿孔部の
段差部分で集光手段が形成させる。そして、穿孔部の他
端に受光素子を取着して、該集光手段を介して入射する
光信号を受光するものである。
【0012】このように、集光手段を介して穿孔部より
光信号を受光する受光素子は裏面入射型であり、受光の
ために必要とする集光手段は基板に埋設されている。従
って、光結合装置を構成する部品点数を削減することが
可能になると共に、集光手段により予め光結合されるこ
とから光結合精度の向上を図ることが可能となる。
【0013】
【実施例】図2に本発明の一実施例の構成図を示す。図
2において、光結合装置1は、例えばセラミックの基板
2に座ぐりにより段差3aを有する穿孔部3が形成され
ており、該穿孔部3は小径孔3b及び大径孔3cにより
構成される。この穿孔部3の一端における小径孔3bの
周辺にはリング状のバンク部4が設けられ、このバンク
部4内と穿孔部3の小径3b間に集光手段であるレンズ
4が埋設される。また、穿孔部3の他端における大径孔
3cには、ろう材6により受光素子であるAPD(アバ
ランシェ・フォト・ダイオード)7が取着される。一方
、レンズ5の前方にはシングルモードの光ファイバ8の
端面が位置し、光信号を出力する。
【0014】ここで、APD7は、III −V族の化
合物で形成されたもので、例えばInP(インジウム・
リン)で形成されるバッファ領域7aと、InGaAs
(インジウム・ガリウム・ヒ素)で形成される光電変換
領域7bと、InPで形成される増倍領域7cと、該増
倍領域7cに形成される電極7dとにより構成される。 すなわち、穿孔部3の大径孔3c側に受光領域7aを配
し、反対面に電極7dを形成してワイヤ7eにより配線
を行う裏面入射型のAPD7である。
【0015】このような光結合装置1は、光ファイバ8
の端面より出射される光信号がレンズ5を介して集光さ
れて、APD7のバッファ領域7a、光電変換領域7b
に入射され、電気信号に変換されて出力されるものであ
る。この場合、レンズ5の焦点距離は、レンズ5を形成
する集光材(レンズ材で例えばシリコンを主成分とする
ホウケイ酸ガラス(融点約600℃))の量、及び材質
(溶融時の粘度等)、溶融温度、バンク部4のリング径
D、小径孔3bの径d1 、及び長さL、大径孔3cの
径d2 により決定され、最終的調整は光ファイバ8の
端面のレンズ5までの距離により行う。
【0016】このように、レンズ5を基板2に埋設する
ことにより、光学系を構成する部品点数を削減すること
ができると共に光結合精度を向上させることができる。 また、振動等による光結合系のずれが最小限に抑えるこ
とができ、耐環境性能を向上させることができるもので
ある。
【0017】次に、図3に、本発明の製造工程図を示す
。図3において、まず、セラミックの基板2に座ぐりに
よる段差3aによって形成される小径孔3b及び(径d
1 、長さL)及び大径孔3cからなる穿孔部3を形成
する(図3(A))。また、穿孔部3の一端における小
径孔3bの周辺にリング形状(径D)のバンク部4を設
け、このバンク部4内に上述のレンズ材5aを載置する
(図3(B))。
【0018】続いて、例えば約600℃以上の温度を加
えて該レンズ材5aを溶融させてレンズ5を形成する(
図3(C))。すなわち、バンク部4が溶融するレンズ
材5aを堰止める土手の役割をなし、溶融したレンズ材
5が小径孔3bの端面及び段差3aで表面張力で非球面
形状となってレンズ5を形成して、該基板2に埋設され
るものである。そして、穿孔部3の他端における大径孔
3c側にバッファ領域7aを配して、例えば金・錫化合
物等のろう材6により受光素子7を基板2に取着するも
のである(図3(D))。
【0019】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板に形
成された段差を有する穿孔部の一端に集光手段を、集光
材を溶融させて埋設し、該穿孔部の他端に受光素子を取
着することにより、装置を構成する光学系の部品点数を
削減することができ、光結合精度を向上させることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法の原理説明図である。
【図2】本発明の一実施例の構成図である。
【図3】本発明の製造工程図である。
【図4】従来の光結合装置の概念図である。
【符号の説明】
1  光結合装置 2  基板 3  穿孔部 3a  段差 4  バンク部 5  レンズ 5a  レンズ材 7  APD 8  光ファイバ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  基板(2)に、段差(3a)を形成さ
    せて穿孔部(3)を形成する工程と、該基板(2)上の
    穿孔部(3)の一端の周辺にバンク部(4)を設ける工
    程と、該基板(2)上のバンク部(4)内より集光材(
    5a)を溶融して、該バンク部(4)及び前記穿孔部(
    3)の段差(3a)間で集光手段(5)を埋設する工程
    と、該基板(2)の穿孔部(3)の他端に、該集光手段
    (5)を介して入射する光信号を受光する受光素子(7
    )を取着する工程と、を有することを特徴とする光結合
    装置の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7524391B2 (en) 2000-12-26 2009-04-28 Seiko Epson Corporation Optical device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2012098756A (ja) * 2012-02-07 2012-05-24 Kyocera Corp 光路変換体及びその実装構造並びに光モジュール
JP2017103435A (ja) * 2015-12-04 2017-06-08 日本電信電話株式会社 光部品構造

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US7524391B2 (en) 2000-12-26 2009-04-28 Seiko Epson Corporation Optical device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2012098756A (ja) * 2012-02-07 2012-05-24 Kyocera Corp 光路変換体及びその実装構造並びに光モジュール
JP2017103435A (ja) * 2015-12-04 2017-06-08 日本電信電話株式会社 光部品構造

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