JPH04291035A - 光ディスク基板 - Google Patents
光ディスク基板Info
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- JPH04291035A JPH04291035A JP3056731A JP5673191A JPH04291035A JP H04291035 A JPH04291035 A JP H04291035A JP 3056731 A JP3056731 A JP 3056731A JP 5673191 A JP5673191 A JP 5673191A JP H04291035 A JPH04291035 A JP H04291035A
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Links
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスク基板に係り、
特に温度変化による反り等の変形を防止した光ディスク
基板に関する。
特に温度変化による反り等の変形を防止した光ディスク
基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリカーボネイト等の透明なプラスチッ
ク基板を用いた光ディスクは、温度変動に依って光ディ
スク基板が反って変形することがある。これは室温で長
時間放置している光ディスク基板を、光ディスク装置に
装着した場合、この光ディスク装置内の温度は高温であ
るので、この急激な温度変動により光ディスク基板に反
り等の変形を発生することが多い。
ク基板を用いた光ディスクは、温度変動に依って光ディ
スク基板が反って変形することがある。これは室温で長
時間放置している光ディスク基板を、光ディスク装置に
装着した場合、この光ディスク装置内の温度は高温であ
るので、この急激な温度変動により光ディスク基板に反
り等の変形を発生することが多い。
【０００３】このように光ディスク基板が変形すると、
レーザ光の焦点が記録膜に確実に合致し難くなり、情報
の記録、再生が精度良く行い得ない問題がある。この光
ディスク基板の変形の原因は、光ディスクを形成するプ
ラスチックのような基板と、その上に形成する記録膜、
或いは保護膜等の光記録媒体との熱膨張率の差に起因す
る。
レーザ光の焦点が記録膜に確実に合致し難くなり、情報
の記録、再生が精度良く行い得ない問題がある。この光
ディスク基板の変形の原因は、光ディスクを形成するプ
ラスチックのような基板と、その上に形成する記録膜、
或いは保護膜等の光記録媒体との熱膨張率の差に起因す
る。
【０００４】光ディスク基板の記録膜としては、非晶質
希土類遷移金属合金のテルビウム・鉄・コバルト（Ｔｂ
ＦｅＣｏ）等の金属薄膜を用いており、これに急激な温
度変化を与えると、ポリカーボネイトやポリメチルメタ
アクリレイト等のプラスチック基板は、前記した記録膜
等の光記録媒体より熱膨張率が大であるので、基板が熱
膨張するのに対して記録膜の方は熱膨張率が小さいので
、基板が変形するようになる。
希土類遷移金属合金のテルビウム・鉄・コバルト（Ｔｂ
ＦｅＣｏ）等の金属薄膜を用いており、これに急激な温
度変化を与えると、ポリカーボネイトやポリメチルメタ
アクリレイト等のプラスチック基板は、前記した記録膜
等の光記録媒体より熱膨張率が大であるので、基板が熱
膨張するのに対して記録膜の方は熱膨張率が小さいので
、基板が変形するようになる。
【０００５】このような光ディスク基板として特開昭６
３−１９７０４２ 号に於いて、基板上に下地層として
耐熱性樹脂を用い、また記録層上の保護層として硬度の
高い無機材料を用いた光ディスク基板が開示されている
。
３−１９７０４２ 号に於いて、基板上に下地層として
耐熱性樹脂を用い、また記録層上の保護層として硬度の
高い無機材料を用いた光ディスク基板が開示されている
。
【０００６】そして下地層として基板と記録層に対して
屈折率差の小さい材料を用いて入射光の反射総量を減少
させて記録層に入射する光量を増加させ、また保護層と
して熱伝導率の少ない材料を選ぶことで、記録層の相変
化が行われる位置での熱放散を防止して高密度記録を行
っているが、本発明の目的とする基板の変形を防止する
効果は無い。
屈折率差の小さい材料を用いて入射光の反射総量を減少
させて記録層に入射する光量を増加させ、また保護層と
して熱伝導率の少ない材料を選ぶことで、記録層の相変
化が行われる位置での熱放散を防止して高密度記録を行
っているが、本発明の目的とする基板の変形を防止する
効果は無い。
【０００７】また特開昭６２−９７１４９号に於いて、
透明樹脂基板と記録層の間に、光硬化型の樹脂と透明無
機材料の混合物より成る密着層を設けた光ディスクが開
示されている。そして透明樹脂基板上に密着性良く、金
属、もしくは金属化合物等の系統よりなる記録層を形成
して高温高湿下でも記録層の剥離が見られない光ディス
クが開示されているが、この場合は透明樹脂基板と記録
層の密着を高めることを主眼としており、本願発明の目
的とする基板の変形を防止する効果は無い。
透明樹脂基板と記録層の間に、光硬化型の樹脂と透明無
機材料の混合物より成る密着層を設けた光ディスクが開
示されている。そして透明樹脂基板上に密着性良く、金
属、もしくは金属化合物等の系統よりなる記録層を形成
して高温高湿下でも記録層の剥離が見られない光ディス
クが開示されているが、この場合は透明樹脂基板と記録
層の密着を高めることを主眼としており、本願発明の目
的とする基板の変形を防止する効果は無い。
【０００８】また特開昭６３−９８８５４号に於いて、
透明な樹脂基板と記録膜の間に、引張強度が光照射時の
加熱により生じる熱応力よりも大となるジルコニアより
なる熱絶縁薄膜を設けた光ディスクが開示されているが
、上記熱絶縁薄膜を被着する箇所や、この熱絶縁薄膜の
材料が本願発明と異なっており、本発明の目的とする基
板の変形を防止する効果に付いては言及されていない。
透明な樹脂基板と記録膜の間に、引張強度が光照射時の
加熱により生じる熱応力よりも大となるジルコニアより
なる熱絶縁薄膜を設けた光ディスクが開示されているが
、上記熱絶縁薄膜を被着する箇所や、この熱絶縁薄膜の
材料が本願発明と異なっており、本発明の目的とする基
板の変形を防止する効果に付いては言及されていない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は室温での光デ
ィスク基板の放置時と、該光ディスク基板を高温の光デ
ィスク装置内に装着した場合に於ける急激な熱変動によ
り発生する反りによって、基板が変形するのを防止した
光ディスク基板を目的とする。
ィスク基板の放置時と、該光ディスク基板を高温の光デ
ィスク装置内に装着した場合に於ける急激な熱変動によ
り発生する反りによって、基板が変形するのを防止した
光ディスク基板を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の光ディスク基板
は、透明基板の一方の面上に第１の保護膜、記録膜、第
２の保護膜を順次設けて成る光記録媒体を有する光ディ
スクに於いて、温度上昇によって熱膨張率が小さくなる
負の熱膨張率、或いは熱膨張率が略零の値を有する無機
材料よりなる薄膜を、前記基板の他方の面側、および／
或いは前記第２の保護膜上に反り防止層として設けたこ
とを特徴とする。
は、透明基板の一方の面上に第１の保護膜、記録膜、第
２の保護膜を順次設けて成る光記録媒体を有する光ディ
スクに於いて、温度上昇によって熱膨張率が小さくなる
負の熱膨張率、或いは熱膨張率が略零の値を有する無機
材料よりなる薄膜を、前記基板の他方の面側、および／
或いは前記第２の保護膜上に反り防止層として設けたこ
とを特徴とする。
【００１１】また前記無機材料よりなる薄膜が、リチウ
ム酸化物、酸化アルミニウムおよび二酸化珪素より成る
複合酸化物、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムおよ
び二酸化珪素より成る複合酸化物、酸化チタンおよび酸
化アルミニウムの複合酸化物、或いは酸化タンタルおよ
び酸化タングステンの複合酸化物であることを特徴とす
る。
ム酸化物、酸化アルミニウムおよび二酸化珪素より成る
複合酸化物、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムおよ
び二酸化珪素より成る複合酸化物、酸化チタンおよび酸
化アルミニウムの複合酸化物、或いは酸化タンタルおよ
び酸化タングステンの複合酸化物であることを特徴とす
る。
【００１２】
【作用】光ディスク基板に急激な温度変動を与えると、
プラスチック基板の方が、記録膜、および保護膜等の光
記録媒体よりも熱膨張率が大であるので、基板の下部方
向に向かって凸状態になって反る。この光ディスク基板
のレーザ照射側（つまり記録層を形成する側に対して反
対側）、或いは最上層の第２の保護膜上に、温度が上昇
するにつれて熱膨張率が低下する、いわゆる温度に対し
て負の熱膨張率を示す無機材料層よりなる反り防止層を
設ける。
プラスチック基板の方が、記録膜、および保護膜等の光
記録媒体よりも熱膨張率が大であるので、基板の下部方
向に向かって凸状態になって反る。この光ディスク基板
のレーザ照射側（つまり記録層を形成する側に対して反
対側）、或いは最上層の第２の保護膜上に、温度が上昇
するにつれて熱膨張率が低下する、いわゆる温度に対し
て負の熱膨張率を示す無機材料層よりなる反り防止層を
設ける。
【００１３】このようにすると、基板上に第１の保護膜
、記録膜および第２の保護膜よりなる光記録媒体を積層
した場合に比較して逆方向に向かって基板を変形させる
ようになり、両者の反りに依る変形が互いに相殺し有っ
て基板は平坦になる。
、記録膜および第２の保護膜よりなる光記録媒体を積層
した場合に比較して逆方向に向かって基板を変形させる
ようになり、両者の反りに依る変形が互いに相殺し有っ
て基板は平坦になる。
【００１４】また熱膨張率が略零の無機材料層よりなる
反り防止層を前記した光ディスク基板のレーザ照射側、
或いは最上層の第２の保護膜上に設けることで、この反
り防止層が基板の変形するのを吸収する形となり、変形
を防止するようになる。
反り防止層を前記した光ディスク基板のレーザ照射側、
或いは最上層の第２の保護膜上に設けることで、この反
り防止層が基板の変形するのを吸収する形となり、変形
を防止するようになる。
【００１５】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳
細に説明する。図１（ａ）に示すように、ポリカーボネ
イトよりなるプラスチック製の基板１上に厚さが１００
ｎｍ でテルビウム− 二酸化珪素（Ｔｂ−ＳｉＯ２）
よりなる第１ の保護膜、その上に厚さが１００ｎｍ
のテルビウム−鉄−コバルト（ＴｂＦｅＣｏ）よりな
る記録膜、更にその上に厚さが１００ｎｍ でテルビウ
ム− 二酸化珪素（Ｔｂ−ＳｉＯ２） よりなる第２の
保護膜を設け、これ等の第１ の保護膜、記録膜および
第２ の保護膜よりなる光記録媒体２を設ける。
細に説明する。図１（ａ）に示すように、ポリカーボネ
イトよりなるプラスチック製の基板１上に厚さが１００
ｎｍ でテルビウム− 二酸化珪素（Ｔｂ−ＳｉＯ２）
よりなる第１ の保護膜、その上に厚さが１００ｎｍ
のテルビウム−鉄−コバルト（ＴｂＦｅＣｏ）よりな
る記録膜、更にその上に厚さが１００ｎｍ でテルビウ
ム− 二酸化珪素（Ｔｂ−ＳｉＯ２） よりなる第２の
保護膜を設け、これ等の第１ の保護膜、記録膜および
第２ の保護膜よりなる光記録媒体２を設ける。
【００１６】そしてこの光ディスク基板を室温より５０
℃の温度まで、連続的に上昇する恒温槽内に設置し、こ
の光ディスク基板の反りを測定し、その結果を図１（ｂ
）および図２（ａ）に示す。図１（ｂ）、および図２（
ａ）に示すように、このような光ディスク基板は温度が
上昇するに連れて反り量が増大し、基板１の中心Ｏより
下部方向に向かって、矢印Ａに示すように凸状態で反る
。
℃の温度まで、連続的に上昇する恒温槽内に設置し、こ
の光ディスク基板の反りを測定し、その結果を図１（ｂ
）および図２（ａ）に示す。図１（ｂ）、および図２（
ａ）に示すように、このような光ディスク基板は温度が
上昇するに連れて反り量が増大し、基板１の中心Ｏより
下部方向に向かって、矢印Ａに示すように凸状態で反る
。
【００１７】このような反り量の測定には、図３に示す
ような反り量測定装置を用い、前記のように形成した光
ディスク基板１１を図示しないが恒温槽内に設置し、該
基板１１を所定の回転数で回転し、恒温槽内の温度を室
温より５０℃迄連続的に向上させながら、該基板１１の
下部側に図示しないが、容量測定用センサを備えたトラ
ンスジューサー・プローブ１２を設置し、該基板の下部
とトランスジューサー・プローブ１２間の距離が変動す
るに連れて該プローブ１２と基板１１間の静電容量が変
動するので、その容量を静電容量型の変位計１３を用い
て測定し、その結果を記録装置１４で測定した。
ような反り量測定装置を用い、前記のように形成した光
ディスク基板１１を図示しないが恒温槽内に設置し、該
基板１１を所定の回転数で回転し、恒温槽内の温度を室
温より５０℃迄連続的に向上させながら、該基板１１の
下部側に図示しないが、容量測定用センサを備えたトラ
ンスジューサー・プローブ１２を設置し、該基板の下部
とトランスジューサー・プローブ１２間の距離が変動す
るに連れて該プローブ１２と基板１１間の静電容量が変
動するので、その容量を静電容量型の変位計１３を用い
て測定し、その結果を記録装置１４で測定した。
【００１８】また図１（ｃ）に示すように、ポリカーボ
ネイトより成るプラスチック製の基板１上に、負の熱膨
張率を示す本発明のリチウム・アルミノ珪酸塩（ＬｉＡ
ｌＳｉＯｘ ） 、つまり酸化リチウム（ＬｉＯ２）、
酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３） および酸化珪素（
ＳｉＯ２） の複合無機酸化物を、スパッタ法で１００
ｎｍ の厚さに形成した反り防止層３を設け、この基板
を前記したのと同様に恒温槽内に設置し、温度を室温よ
り５０℃迄連続的に上昇させ、その反り量を前記した反
り量測定装置で測定した。
ネイトより成るプラスチック製の基板１上に、負の熱膨
張率を示す本発明のリチウム・アルミノ珪酸塩（ＬｉＡ
ｌＳｉＯｘ ） 、つまり酸化リチウム（ＬｉＯ２）、
酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３） および酸化珪素（
ＳｉＯ２） の複合無機酸化物を、スパッタ法で１００
ｎｍ の厚さに形成した反り防止層３を設け、この基板
を前記したのと同様に恒温槽内に設置し、温度を室温よ
り５０℃迄連続的に上昇させ、その反り量を前記した反
り量測定装置で測定した。
【００１９】その結果を図２（ｂ）に示す。図２（ｂ）
に於ける曲線ａ 、ｂ に示すように、この複合酸化物
を２０ｎｍ、５０ｎｍ被着した場合は、反り量は殆ど変
化せず、曲線ｃ に示すように１００ｎｍ この複合酸
化物を被着した時には、反り量が増大した。この結果は
図１（ｄ）および図２（ｂ）に示すように、前記した基
板上に光記録媒体を設けた場合と逆に、温度が上昇する
とともに、基板の中心Ｏより基板の下部側に向かって、
つまり矢印Ｂ方向に向かって、基板の下部方向に向かっ
て凹状態に反りが発生する。
に於ける曲線ａ 、ｂ に示すように、この複合酸化物
を２０ｎｍ、５０ｎｍ被着した場合は、反り量は殆ど変
化せず、曲線ｃ に示すように１００ｎｍ この複合酸
化物を被着した時には、反り量が増大した。この結果は
図１（ｄ）および図２（ｂ）に示すように、前記した基
板上に光記録媒体を設けた場合と逆に、温度が上昇する
とともに、基板の中心Ｏより基板の下部側に向かって、
つまり矢印Ｂ方向に向かって、基板の下部方向に向かっ
て凹状態に反りが発生する。
【００２０】また図１（ｅ）に示すように、前記したポ
リカーボネイトよりなるプラスチック製の基板１上に、
前記した厚さが１００ｎｍ でテルビウム− 二酸化珪
素（Ｔｂ−ＳｉＯ２） よりなる第１ の保護膜、その
上に厚さが１００ｎｍ のテルビウム−鉄−コバルト（
ＴｂＦｅＣｏ）よりなる記録膜、更にその上に厚さが１
００ｎｍ でテルビウム− 二酸化珪素（Ｔｂ−ＳｉＯ
２） よりなる第２の保護膜を設け、これ等の第１ の
保護膜、記録膜および第２ の保護膜よりなる光記録媒
体２を設ける。そしてこの光記録媒体２の上に、更に本
発明のリチウム・アルミノ珪酸塩（ＬｉＡｌＳｉＯｘ
） 、つまり酸化リチウム（ＬｉＯ２）、酸化アルミニ
ウム（Ａｌ２Ｏ３） および二酸化珪素（ ＳｉＯ２）
の複合無機酸化物を、スパッタ法で１００ｎｍの厚さ
に形成した反り防止層３を設け、この本発明の基板を前
記したのと同様に恒温槽内に設置し、温度を室温より５
０℃迄連続的に上昇させ、その反り量を前記した反り量
測定装置で測定した。
リカーボネイトよりなるプラスチック製の基板１上に、
前記した厚さが１００ｎｍ でテルビウム− 二酸化珪
素（Ｔｂ−ＳｉＯ２） よりなる第１ の保護膜、その
上に厚さが１００ｎｍ のテルビウム−鉄−コバルト（
ＴｂＦｅＣｏ）よりなる記録膜、更にその上に厚さが１
００ｎｍ でテルビウム− 二酸化珪素（Ｔｂ−ＳｉＯ
２） よりなる第２の保護膜を設け、これ等の第１ の
保護膜、記録膜および第２ の保護膜よりなる光記録媒
体２を設ける。そしてこの光記録媒体２の上に、更に本
発明のリチウム・アルミノ珪酸塩（ＬｉＡｌＳｉＯｘ
） 、つまり酸化リチウム（ＬｉＯ２）、酸化アルミニ
ウム（Ａｌ２Ｏ３） および二酸化珪素（ ＳｉＯ２）
の複合無機酸化物を、スパッタ法で１００ｎｍの厚さ
に形成した反り防止層３を設け、この本発明の基板を前
記したのと同様に恒温槽内に設置し、温度を室温より５
０℃迄連続的に上昇させ、その反り量を前記した反り量
測定装置で測定した。
【００２１】その結果を図２（ｃ）に示す。図２（ｃ）
および図１（ｅ）に示すように、本発明の光ディクス基
板では、温度を上昇させても、殆ど反りは発生し無かっ
た。このことは、図４に示すように、本発明のリチウム
・アルミノ珪酸塩（ＬｉＡｌＳｉＯｘ ） 、つまり酸
化リチウム（ＬｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ
３） および二酸化珪素（ ＳｉＯ２） の複合無機酸
化物は、温度が上昇するにつれて熱膨張率が負の値で絶
対値が増加する傾向があり、温度を上昇させた場合、基
板を凹状態に反らす傾向があり、この反りの方向が、前
記した基板上に光記録媒体のみを形成した場合に於ける
、基板の凸側に反る方向と相殺し有って、温度が上昇し
ても本発明の光ディスク基板には反りは殆ど発生しない
。
および図１（ｅ）に示すように、本発明の光ディクス基
板では、温度を上昇させても、殆ど反りは発生し無かっ
た。このことは、図４に示すように、本発明のリチウム
・アルミノ珪酸塩（ＬｉＡｌＳｉＯｘ ） 、つまり酸
化リチウム（ＬｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ
３） および二酸化珪素（ ＳｉＯ２） の複合無機酸
化物は、温度が上昇するにつれて熱膨張率が負の値で絶
対値が増加する傾向があり、温度を上昇させた場合、基
板を凹状態に反らす傾向があり、この反りの方向が、前
記した基板上に光記録媒体のみを形成した場合に於ける
、基板の凸側に反る方向と相殺し有って、温度が上昇し
ても本発明の光ディスク基板には反りは殆ど発生しない
。
【００２２】なお、本実施例では基板上に光記録媒体を
形成した後、最上層の第２ 保護膜上に反り防止層を設
けたが、基板の裏面側、つまりレーザ光が入射する側に
反り防止層を設け、基板表面上には第１ 保護膜、記録
膜および第２ 保護膜の光記録媒体を被着した構成を採
っても同様な効果があることを本発明者等は実験の結果
、確認している。
形成した後、最上層の第２ 保護膜上に反り防止層を設
けたが、基板の裏面側、つまりレーザ光が入射する側に
反り防止層を設け、基板表面上には第１ 保護膜、記録
膜および第２ 保護膜の光記録媒体を被着した構成を採
っても同様な効果があることを本発明者等は実験の結果
、確認している。
【００２３】また本実施例の他に、反り防止層として前
記形成した光記録媒体の最上層の第２ 保護膜上、或い
は基板のレーザ光の照射側に酸化マグネシウム（ＭｇＯ
） 、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３） および二酸化
珪素（ＳｉＯ２）の複合酸化物のコーティエライトの無
機材料よりなる反り防止層を１００ｎｍ の厚さにスパ
ッタ法で形成しても同様の効果がある。図５（ａ）にこ
の反り防止層の温度変動に対する熱膨張率を示す。
記形成した光記録媒体の最上層の第２ 保護膜上、或い
は基板のレーザ光の照射側に酸化マグネシウム（ＭｇＯ
） 、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３） および二酸化
珪素（ＳｉＯ２）の複合酸化物のコーティエライトの無
機材料よりなる反り防止層を１００ｎｍ の厚さにスパ
ッタ法で形成しても同様の効果がある。図５（ａ）にこ
の反り防止層の温度変動に対する熱膨張率を示す。
【００２４】また他の実施例として反り防止層として前
記形成した光記録媒体の最上層の第２ 保護膜上、或い
は基板のレーザ光の照射側に酸化アルミニウム（Ａｌ２
Ｏ３） と酸化チタン（ＴｉＯ２）の複合酸化物のチタ
ン酸アルミニウムの無機材料よりなる反り防止層を１０
０ｎｍ の厚さにスパッタ法で形成しても同様の効果が
ある。図５（ｂ）にこの反り防止層の温度変動に対する
熱膨張率を示す。
記形成した光記録媒体の最上層の第２ 保護膜上、或い
は基板のレーザ光の照射側に酸化アルミニウム（Ａｌ２
Ｏ３） と酸化チタン（ＴｉＯ２）の複合酸化物のチタ
ン酸アルミニウムの無機材料よりなる反り防止層を１０
０ｎｍ の厚さにスパッタ法で形成しても同様の効果が
ある。図５（ｂ）にこの反り防止層の温度変動に対する
熱膨張率を示す。
【００２５】また他の実施例として上記した基板上に形
成した光記録媒体の最上層の第２ 保護膜上、或いは基
板のレーザ光の照射側に酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）
と酸化タングステン（ＷＯ２） の複合酸化物の無機材
料よりなる反り防止層を１００ｎｍ の厚さにスパッタ
法で形成しても同様の効果がある。図５（ｃ）にこの反
り防止層の温度変動に対する熱膨張率を示す。
成した光記録媒体の最上層の第２ 保護膜上、或いは基
板のレーザ光の照射側に酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）
と酸化タングステン（ＷＯ２） の複合酸化物の無機材
料よりなる反り防止層を１００ｎｍ の厚さにスパッタ
法で形成しても同様の効果がある。図５（ｃ）にこの反
り防止層の温度変動に対する熱膨張率を示す。
【００２６】上記したコーティエライトの無機材料、チ
タン酸アルミニウムの無機材料および酸化タンタル（Ｔ
ａ２Ｏ５） と酸化タングステン（ＷＯ２） の複合酸
化物の無機材料は、いずれも、前記した実施例で示した
リチウム・アルミノ珪酸塩（ＬｉＡｌＳｉＯｘ ） 、
つまり酸化リチウム（ＬｉＯ２）、酸化アルミニウム（
Ａｌ２Ｏ３） および二酸化珪素（ ＳｉＯ２）の複合
無機酸化物と同様に、温度上昇に対して負の熱膨張率を
有する。
タン酸アルミニウムの無機材料および酸化タンタル（Ｔ
ａ２Ｏ５） と酸化タングステン（ＷＯ２） の複合酸
化物の無機材料は、いずれも、前記した実施例で示した
リチウム・アルミノ珪酸塩（ＬｉＡｌＳｉＯｘ ） 、
つまり酸化リチウム（ＬｉＯ２）、酸化アルミニウム（
Ａｌ２Ｏ３） および二酸化珪素（ ＳｉＯ２）の複合
無機酸化物と同様に、温度上昇に対して負の熱膨張率を
有する。
【００２７】また、上記した他に熱膨張率が温度上昇に
対して略零を示すような無機材料よりなる反り防止層を
、光記録媒体の最上層の第２ 保護膜上、或いは基板の
裏面側のレーザ光の入射側に設けても、基板の反りを防
止するのに同様な効果がある。
対して略零を示すような無機材料よりなる反り防止層を
、光記録媒体の最上層の第２ 保護膜上、或いは基板の
裏面側のレーザ光の入射側に設けても、基板の反りを防
止するのに同様な効果がある。
【００２８】なお、本実施例は反り防止層をスパッタ法
で形成したが、蒸着方法等の真空成膜法によって形成し
ても良い。
で形成したが、蒸着方法等の真空成膜法によって形成し
ても良い。
【００２９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の光ディスク
基板によれば、該基板の温度上昇によっても反りを発生
し難い、高信頼度の光ディスク基板が得られる効果があ
る。
基板によれば、該基板の温度上昇によっても反りを発生
し難い、高信頼度の光ディスク基板が得られる効果があ
る。
【図１】 本発明の光ディスク基板を説明する断面図
である。
である。
【図２】 本発明の光ディスク基板と反り量との関係
図である。
図である。
【図３】 本発明の光ディスク基板の反り量測定装置
である。
である。
【図４】 本発明の反り防止層の温度と熱膨張率との
関係図である。
関係図である。
【図５】 本発明の他の反り防止層と熱膨張率との関
係図である。
係図である。
１ 基板
２ 光記録媒体
３ 反り防止層
１１ 光ディスク基板
１２ トランスジューサー・プローブ１３ 変位計
１４ 記録装置
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板（１） の一方の面上に第１
の保護膜、記録膜、第２の保護膜を順次設けて成る光記
録媒体（２） を有する光ディスクに於いて、温度上昇
によって熱膨張率が小さくなる負の熱膨張率、或いは熱
膨張率が略零の値を有する無機材料よりなる薄膜を、前
記基板の他方の面側、および／或いは前記第２の保護膜
上に反り防止層（３） として設けたことを特徴とする
光ディスク基板。 - 【請求項２】 請求項１記載の無機材料よりなる薄膜
が、リチウム酸化物、酸化アルミニウムおよび二酸化珪
素より成る複合酸化物、酸化マグネシウム、酸化アルミ
ニウムおよび二酸化珪素より成る複合酸化物、酸化チタ
ンおよび酸化アルミニウムの複合酸化物、或いは酸化タ
ンタルおよび酸化タングステンの複合酸化物であること
を特徴とする光ディスク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3056731A JPH04291035A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 光ディスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3056731A JPH04291035A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 光ディスク基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04291035A true JPH04291035A (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=13035656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3056731A Withdrawn JPH04291035A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 光ディスク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04291035A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007242237A (ja) * | 1999-02-24 | 2007-09-20 | Sharp Corp | 光情報記録媒体および光情報記録媒体の製造方法 |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP3056731A patent/JPH04291035A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007242237A (ja) * | 1999-02-24 | 2007-09-20 | Sharp Corp | 光情報記録媒体および光情報記録媒体の製造方法 |
| JP4545779B2 (ja) * | 1999-02-24 | 2010-09-15 | シャープ株式会社 | 光情報記録媒体および光情報記録媒体の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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