JPH04291020A - ディジタル画像信号の磁気記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ディジタルビデオ信
号等のディジタル画像信号を磁気テープに記録するため
に用いて好適なディジタル画像信号の磁気記録方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、カラービデオ信号をディジタル化
して磁気テープ等の記録媒体に記録するディジタルＶＴ
Ｒとしては、放送局用のＤ１フォーマットのコンポーネ
ント型のディジタルＶＴＲ及びＤ２フォーマットのコン
ポジット型のディジタルＶＴＲが実用化されている。前
者のＤ１フォーマットのディジタルＶＴＲは、輝度信号
及び第１、第２の色差信号をそれぞれ１３．５ＭＨｚ、
６．７５ＭＨｚのサンプリング周波数でＡ／Ｄ変換した
後、所定の信号処理を行って磁気テープ上に記録するも
ので、これらコンポーネント成分のサンプリング周波数
の比が４：２：２であるところから、４：２：２方式と
も称されている。後者のＤ２フォーマットのディジタル
ＶＴＲは、コンポジットカラービデオ信号をカラー副搬
送波信号の周波数ｆｓｃの４倍の周波数の信号でサンプ
リングを行ってＡ／Ｄ変換し、所定の信号処理を行った
後、磁気テープに記録するようにしている。

【０００３】これらのディジタルＶＴＲは、共に放送局
用に使用されることを前提として設計されているため、
画質最優先とされ、１サンプルが例えば８ビットにＡ／
Ｄ変換されたディジタルカラービデオ信号を実質的に圧
縮することなしに記録するようにしている。一例として
、前者のＤ１フォーマットのディジタルＶＴＲのデータ
量について説明する。カラービデオ信号の情報量は、上
述のサンプリング周波数で、各サンプル当たり８ビット
でＡ／Ｄ変換した場合には、約２１６Ｍｂｐｓ（メガビ
ット／秒）の情報量となる。このうち水平及び垂直のブ
ランキング期間のデータを除くと、１水平期間の輝度信
号の有効画素数が７２０、色差信号の有効画素数が３６
０となり、各フィールドの有効走査線数がＮＴＳＣ方式
（５２５／６０）では２５０となるので、１秒間の映像
信号のデータ量Ｄｖは Ｄｖ＝（７２０＋３６０　＋３６０）×８　×２５０　
×６０＝１７２．８　Ｍｂｐｓ となる。

【０００４】ＰＡＬ方式（６２５／５０）でもフィール
ド毎の有効走査線数が３００で、１秒間でのフィールド
数が５０であることを考慮すると、そのデータ量がＮＴ
ＳＣ方式と等しくなることがわかる。これらのデータに
エラー訂正及びフォーマット化のための冗長成分を加味
すると、映像データのビットレートは合計で約２０５．
８Ｍｂｐｓとなる。また、オーディオ・データＤａは約
１２．８Ｍｂｐｓとなり、さらに編集用のギャップ、プ
リアンブル、ポストアンブル等の付加データＤｏが約６
．６Ｍｂｐｓとなるので、ＮＴＳＣ方式の場合の記録デ
ータ全体の情報量Ｄｔは以下の通りとなる。 Ｄｔ＝Ｄｖ＋Ｄａ＋Ｄｏ ＝１７２．８　＋１２．８＋６．６　＝１９２．２　Ｍ
ｂｐｓ

【０００５】この情報量を有するデータを記録す
るため、Ｄ１フォーマットのディジタルＶＴＲでは、ト
ラックパターンとして、ＮＴＳＣ方式では１フィールド
で１０トラック、また、ＰＡＬ方式では１２トラックを
用いるセグメント方式が採用されている。また、記録テ
ープとしては１９ｍｍ幅のものが使用され、テープ厚さ
は１３μｍと１６μｍとの二種類があり、これを収納す
るカセットには大（Ｌ）、中（Ｍ）、小（Ｓ）の三種類
のものが用意されている。これらのテープに上述したフ
ォーマットで情報データを記録しているため、データの
記録密度としては約２０．４μｍ２　／ｂｉｔ程度とな
っている。以上のパラメータを総合すると、Ｄ１フォー
マットのディジタルＶＴＲの各サイズのカセットの再生
時間は次の通りとなる。すなわち、Ｓサイズのカセット
ではテープ厚さが１３μｍのときには１３分、１６μｍ
のときには１１分、Ｍサイズのカセットではテープ厚さ
が１３μｍのときには４２分、１６μｍのときには３４
分、Ｌサイズのカセットではテープ厚さが１３μｍのと
きには９４分、１６μｍのときには７６分である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このように、Ｄ１フォ
ーマットのディジタルＶＴＲは、放送局用の、画質最優
先の性能を求めたＶＴＲとしては十分のものであるが、
１９ｍｍ幅を有するテープを装着した大型のカセットを
使用しても、高々１．５時間程度の再生時間しか得られ
ず、家庭用のＶＴＲとして使用するには、頗る不適当な
ものといえる。一方、例えば、５μｍのトラック幅に対
して最短波長０．５μｍの信号を記録するようにすれば
、１．２５μｍ２　／ｂｉｔの記録密度を実現すること
ができ、記録情報量を再生歪みが少ないような形で圧縮
する方法を併用することによって、テープ幅が８ｍｍ或
いはそれ以下の幅狭の磁気テープを使用しても長時間の
記録・再生が可能となる。

【０００７】しかしながら、記録密度を上述のように１
．２５μｍ２　／ｂｉｔ程度に高めると、磁気テープの
再生時のビットエラーレートが非常に高くなってしまう
という問題があった。従って、この発明の目的は、磁気
記録媒体に記録されたディジタル画像信号の再生出力の
エラー訂正を行う前のビットエラーレートを１×１０−
４以下に低減することができるディジタル画像信号の磁
気記録方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明は、入力ディジタル画像信号を複数の画
素データからなるブロック単位のデータに変換してブロ
ック化し、ブロック化されたデータをブロック単位に圧
縮符号化し、圧縮符号化されたデータをチャンネル符号
化し、チャンネル符号化されたデータを回転ドラムに装
着された磁気ヘッドにより磁気記録媒体に記録するよう
にしたディジタル画像信号の磁気記録方法において、磁
気記録媒体は非磁性支持体上に複数層の金属磁性薄膜が
酸化物からなる中間層を介して積層された磁性層を形成
してなり、磁性層の残留磁束密度と厚さと抗磁力との積
からなるエネルギー積は１００Ｇ・ｃｍ・Ｏｅ以上であ
るものである。第２の発明においては、第１の発明にお
ける金属磁性薄膜を、非磁性支持体上に４０〜７０°の
入射角で金属を蒸着することにより形成する。

【０００９】第３の発明は、入力ディジタル画像信号を
複数の画素データからなるブロック単位のデータに変換
してブロック化し、ブロック化されたデータをブロック
単位に圧縮符号化し、圧縮符号化されたデータをチャン
ネル符号化し、チャンネル符号化されたデータを回転ド
ラムに装着された磁気ヘッドにより磁気記録媒体に記録
するようにしたディジタル画像信号の磁気記録方法にお
いて、磁気記録媒体は非磁性支持体上にこの非磁性支持
体上に４０〜７０°の入射角で金属を蒸着することによ
り形成された単層または複数層の金属磁性薄膜からなる
磁性層を形成してなり、磁性層の残留磁束密度と厚さと
抗磁力との積からなるエネルギー積は１００Ｇ・ｃｍ・
Ｏｅ以上であるものである。この発明の好適な実施形態
においては、磁気記録媒体の磁性層側の表面の粗さは中
心線平均粗さＲａ　で３０Å以下とされる。

【００１０】

【作用】磁気記録媒体が非磁性支持体上に複数層の金属
磁性薄膜が酸化物からなる中間層を介して積層された磁
性層を形成してなり、しかも磁性層の残留磁束密度と厚
さと抗磁力との積からなるエネルギー積が１００Ｇ・ｃ
ｍ・Ｏｅ以上であることにより、データの記録密度を１
μｍ２　／ｂｉｔ程度に高めても、磁気記録媒体に記録
されたディジタル画像信号の再生出力のエラー訂正を行
う前のビットエラーレートを１×１０−４以下に低減す
ることができる。特に、非磁性支持体上に４０〜７０°
の入射角で金属を蒸着して金属磁性薄膜を形成すること
により、磁性層の結晶粒径を小さくすることができ、こ
れによってビットエラーレートをより一層低減すること
ができる。

【００１１】また、磁気記録媒体が非磁性支持体上にこ
の非磁性支持体上に４０〜７０°の入射角で金属を蒸着
することにより形成された単層または複数層の金属磁性
薄膜からなる磁性層を形成してなることにより、磁性層
の結晶粒径を小さくすることができ、従って磁性層中の
結晶粒の充填密度を高くすることができる。そして、こ
のことと磁性層の残留磁束密度と厚さと抗磁力との積か
らなるエネルギー積が１００Ｇ・ｃｍ・Ｏｅ以上である
こととによって、上述と同様に、データの記録密度を１
μｍ２　／ｂｉｔ程度に高めても、磁気記録媒体に記録
されたディジタル画像信号の再生出力のエラー訂正を行
う前のビットエラーレートを１×１０−４以下に低減す
ることができる。

【００１２】

【実施例】以下、この発明の一実施例について説明する
。この説明は、下記の順序に従ってなされる。 ａ．信号処理部 ｂ．ブロック符号化 ｃ．チャンネルエンコーダ及びチャンネルデコーダｄ．
ヘッド・テープ系 ｅ．電磁変換系 ａ．信号処理部 まず、この一実施例のディジタルＶＴＲの信号処理部に
ついて説明する。図１は記録側の構成を全体として示す
ものである。符号１Ｙ、１Ｕ、１Ｖでそれぞれ示す入力
端子に、例えばカラービデオカメラからの三原色信号Ｒ
、Ｇ、Ｂから形成されたディジタル輝度信号Ｙ、ディジ
タル色差信号Ｕ、Ｖが供給される。この場合、各信号の
クロックレートは上述のＤ１フォーマットの各コンポー
ネント信号の周波数と同一とされる。すなわち、それぞ
れのサンプリング周波数が１３．５ＭＨｚ、６．７５Ｍ
Ｈｚとされ、かつこれらの１サンプル当たりのビット数
が８ビットとされている。従って、入力端子１Ｙ、１Ｕ
、１Ｖに供給される信号のデータ量としては、上述した
ように、約２１６Ｍｂｐｓとなる。この信号のうちブラ
ンキング期間のデータを除去し、有効領域の情報のみを
取り出す有効情報抽出回路２によってデータ量が約１６
７Ｍｂｐｓに圧縮される。有効情報抽出回路２の出力の
うちの輝度信号Ｙが周波数変換回路３に供給され、サン
プリング周波数が１３．５ＭＨｚからその３／４に変換
される。この周波数変換回路３としては、例えば間引き
フィルタが使用され、折り返し歪みが生じないようにな
されている。周波数変換回路３の出力信号がブロック化
回路５に供給され、輝度データの順序がブロックの順序
に変換される。ブロック化回路５は、後段に設けられた
ブロック符号化回路８のために設けられている。

【００１３】図３は、符号化の単位のブロックの構造を
示す。この例は、３次元ブロックであって、例えば２フ
レームにまたがる画面を分割することにより、図３に示
すように、（４ライン×４画素×２フレーム）の単位ブ
ロックが多数形成される。図３において、実線は奇数フ
ィールドのラインを示し、破線は偶数フィールドのライ
ンを示す。また、有効情報抽出回路２の出力のうち、二
つの色差信号Ｕ、Ｖがサブサンプリング及びサブライン
回路４に供給され、サンプリング周波数がそれぞれ６．
７５ＭＨｚからその半分に変換された後、二つのディジ
タル色差信号が交互にライン毎に選択され、１チャンネ
ルのデータに合成される。従って、このサブサンプリン
グ及びサブライン回路４からは線順次化されたディジタ
ル色差信号が得られる。この回路４によってサブサンプ
ル及びサブライン化された信号の画素構成を図４に示す
。図４において、○は第１の色差信号Ｕのサンプリング
画素を示し、△は第２の色差信号Ｖのサンプリング画素
を示し、×はサブサンプルによって間引かれた画素の位
置を示す。

【００１４】サブサンプリング及びサブライン回路４の
線順次出力信号がブロック化回路６に供給される。ブロ
ック化回路６では、ブロック化回路５と同様に、テレビ
ジョン信号の走査の順序の色差データがブロックの順序
のデータに変換される。このブロック化回路６は、ブロ
ック化回路５と同様に、色差データを（４ライン×４画
素×２フレーム）のブロック構造に変換する。ブロック
化回路５及び６の出力信号が合成回路７に供給される。 合成回路７では、ブロックの順序に変換された輝度信号
及び色差信号が１チャンネルのデータに変換され、合成
回路７の出力信号がブロック符号化回路８に供給される
。このブロック符号化回路８としては、後述するように
ブロック毎のダイナミックレンジに適応した符号化回路
（ＡＤＲＣと称する）、ＤＣＴ回路等が適用できる。 ブロック符号化回路８の出力信号がフレーム化回路９に
供給され、フレーム構造のデータに変換される。このフ
レーム化回路９では、画像系のクロックと記録系のクロ
ックとの乗り換えが行われる。

【００１５】フレーム化回路９の出力信号がエラー訂正
符号のパリティ発生回路１０に供給され、エラー訂正符
号のパリティが生成される。パリティ発生回路１０の出
力信号がチャンネルエンコーダ１１に供給され、記録デ
ータの低域部分を減少させるようなチャンネルコーディ
ングがなされる。チャンネルエンコーダ１１の出力信号
が記録アンプ１２Ａ、１２Ｂ及び回転トランス（図示せ
ず）を介して磁気ヘッド１３Ａ、１３Ｂに供給され、磁
気テープに記録される。なお、図示は省略するが、オー
ディオ信号は、ビデオ信号とは別に圧縮符号化され、チ
ャンネルエンコーダに供給される。

【００１６】上述の信号処理によって、入力のデータ量
２１６Ｍｂｐｓが有効走査期間のみを抽出することによ
って約１６７Ｍｂｐｓに低減され、さらに周波数変換と
サブサンプル及びサブラインとによって、これが８４Ｍ
ｂｐｓに減少される。このデータは、ブロック符号化回
路８で圧縮符号化することにより約２５Ｍｂｐｓに圧縮
され、その後のパリティ、オーディオ信号等の付加的な
情報を加えて、記録データ量としては３１．５６Ｍｂｐ
ｓ程度となる。

【００１７】次に、再生側の構成について図２を参照し
て説明する。図２において磁気ヘッド１３Ａ、１３Ｂか
らの再生データが回転トランス（図示せず）及び再生ア
ンプ２１Ａ、２１Ｂを介してチャンネルデコーダ２２に
供給される。チャンネルデコーダ２２において、チャン
ネルコーディングの復調がされ、チャンネルデコーダ２
２の出力信号がＴＢＣ回路（時間軸補正回路）２３に供
給される。このＴＢＣ回路２３において、再生信号の時
間軸変動成分が除去される。ＴＢＣ回路２３からの再生
データがＥＣＣ回路２４に供給され、エラー訂正符号を
用いたエラー訂正とエラー修整とが行われる。ＥＣＣ回
路２４の出力信号がフレーム分解回路２５に供給される
。フレーム分解回路２５によって、ブロック符号化デー
タの各成分がそれぞれ分離されると共に、記録系のクロ
ックから画像系のクロックへの乗り換えがなされる。 フレーム分解回路２５で分離された各データがブロック
復号回路２６に供給され、各ブロック単位に原データと
対応する復元データが復号され、復号データが分配回路
２７に供給される。この分配回路２７で、復号データが
輝度信号と色差信号とに分離される。これらの輝度信号
及び色差信号がブロック分解回路２８及び２９にそれぞ
れ供給される。ブロック分解回路２８及び２９は、送信
側のブロック化回路５及び６と逆に、ブロックの順序の
復号データをラスター走査の順に変換する。

【００１８】ブロック分解回路２８からの復号輝度信号
が補間フィルタ３０に供給される。補間フィルタ３０で
は、輝度信号のサンプリングレートが３ｆｓ　から４ｆ
ｓ　（４ｆｓ　＝１３．５ＭＨｚ）　に変換される。補
間フィルタ３０からのディジタル輝度信号Ｙは出力端子
３３Ｙに取り出される。一方、ブロック分解回路２９か
らのディジタル色差信号が分配回路３１に供給され、線
順次化されたディジタル色差信号Ｕ、Ｖがディジタル色
差信号Ｕ及びＶにそれぞれ分離される。分配回路３１か
らのディジタル色差信号Ｕ及びＶが補間回路３２に供給
され、それぞれ補間される。補間回路３２は、復元され
た画素データを用いて間引かれたライン及び画素のデー
タを補間するもので、この補間回路３２からは、サンプ
リングレートが４ｆｓ　のディジタル色差信号Ｕ及びＶ
が得られ、出力端子３３Ｕ、３３Ｖにそれぞれ取り出さ
れる。

【００１９】ｂ．ブロック符号化 上述の図１におけるブロック符号化回路８としては、先
に本出願人が出願した特願昭５９−２６６４０７号、特
願昭５９−２６９８６６号等に示されるＡＤＲＣ（Ａｄ
ａｐｔｉｖｅ　Ｄｙｎａｍｉｃ　Ｒａｎｇｅ　Ｃｏｄｉ
ｎｇ）　エンコーダが用いられる。 このＡＤＲＣエンコーダは、各ブロックに含まれる複数
の画素データの最大値ＭＡＸ及び最小値ＭＩＮを検出し
、これらの最大値ＭＡＸ及び最小値ＭＩＮからブロック
のダイナミックレンジＤＲを検出し、このダイナミック
レンジＤＲに適応した符号化を行い、原画素データのビ
ット数よりも少ないビット数により、再量子化を行うも
のである。ブロック符号化回路８の他の例として、各ブ
ロックの画素データをＤＣＴ（Ｄｉｓｃｒｅｔｅ　Ｃｏ
ｓｉｎｅ　Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）　した後、このＤＣＴ
で得られた係数データを量子化し、量子化データをラン
レングス・ハフマン符号化して圧縮符号化する構成を用
いても良い。ここでは、ＡＤＲＣエンコーダを用い、さ
らにマルチダビングした時にも画質劣化が生じないエン
コーダの例を図５を参照して説明する。

【００２０】図５において、符号４１で示す入力端子に
、例えば１サンプルが８ビットに量子化されたディジタ
ルビデオ信号（或いはディジタル色差信号）が図１の合
成回路７より入力される。入力端子４１からのブロック
化データが最大値、最小値検出回路４３及び遅延回路４
４に供給される。最大値、最小値検出回路４３は、ブロ
ック毎に最小値ＭＩＮ、最大値ＭＡＸを検出する。遅延
回路４４は、最大値及び最小値が検出されるのに要する
時間、入力データを遅延させる。遅延回路４４からの画
素データが比較回路４５及び比較回路４６に供給される
。

【００２１】最大値、最小値検出回路４３からの最大値
ＭＡＸが減算回路４７に供給され、最小値ＭＩＮが加算
回路４８に供給される。これらの減算回路４７及び加算
回路４８には、ビットシフト回路４９から４ビット固定
長でノンエッジマッチング量子化をした場合の１量子化
ステップ幅の値（Δ＝（１／１６）ＤＲ）が供給される
。ビットシフト回路４９は、（１／１６）の割算を行う
ように、ダイナミックレンジＤＲを４ビットシフトする
構成とされている。減算回路４７からは、（ＭＡＸ−Δ
）のしきい値が得られ、加算回路４８からは、（ＭＩＮ
＋Δ）のしきい値が得られる。これらの減算回路４７及
び加算回路４８からのしきい値が比較回路４５及び４６
にそれぞれ供給される。なお、このしきい値を規定する
値Δは、量子化ステップ幅に限らず、ノイズレベルに相
当する固定値としても良い。

【００２２】比較回路４５の出力信号がＡＮＤゲート５
０に供給され、比較回路４６の出力信号がＡＮＤゲート
５１に供給される。ＡＮＤゲート５０及び５１には、遅
延回路４４からの入力データが供給される。比較回路４
５の出力信号は、入力データがしきい値より大きい時に
ハイレベルとなり、従って、ＡＮＤゲート５０の出力端
子には、（ＭＡＸ〜ＭＡＸ−Δ）の最大レベル範囲に含
まれる入力データの画素データが抽出される。比較回路
４６の出力信号は、入力データがしきい値より小さい時
にハイレベルとなり、従って、ＡＮＤゲート５１の出力
端子には、（ＭＩＮ〜ＭＩＮ＋Δ）の最小レベル範囲に
含まれる入力データの画素データが抽出される。

【００２３】ＡＮＤゲート５０の出力信号が平均化回路
５２に供給され、ＡＮＤゲート５１の出力信号が平均化
回路５３に供給される。これらの平均化回路５２及び５
３は、ブロック毎に平均値を算出するもので、端子５４
からブロック周期のリセット信号がこれらの平均化回路
５２及び５３に供給されている。平均化回路５２からは
、（ＭＡＸ〜ＭＡＸ−Δ）の最大レベル範囲に属する画
素データの平均値ＭＡＸ´が得られ、平均化回路５３か
らは、（ＭＩＮ〜ＭＩＮ＋Δ）の最小レベル範囲に属す
る画素データの平均値ＭＩＮ´が得られる。平均値ＭＡ
Ｘ´から平均値ＭＩＮ´が減算回路５５で減算され、減
算回路５５からダイナミックレンジＤＲ´が得られる。 また、平均値ＭＩＮ´が減算回路５６に供給され、遅延
回路５７を介された入力データから平均値ＭＩＮ´が減
算回路５６において減算され、最小値除去後のデータＰ
ＤＩが形成される。このデータＰＤＩ及び修整されたダ
イナミックレンジＤＲ´が量子化回路５８に供給される
。この実施例では、量子化に割り当てられるビット数ｎ
が０ビット（コード信号を伝送しない）、１ビット、２
ビット、３ビット、４ビットの何れかとされる可変長の
ＡＤＲＣであって、エッジマッチング量子化がなされる
。割り当てビット数ｎは、ブロック毎にビット数決定回
路５９において決定され、ビット数ｎのデータが量子化
回路５８に供給される。

【００２４】可変長ＡＤＲＣは、ダイナミックレンジＤ
Ｒ´が小さいブロックでは、割り当てビット数ｎを少な
くし、ダイナミックレンジＤＲ´が大きいブロックでは
、割り当てビット数ｎを多くすることで、効率の良い符
号化を行うことができる。すなわち、ビット数ｎを決定
する際のしきい値をＴ１〜Ｔ４（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜Ｔ
４）とすると、（ＤＲ´＜Ｔ１）のブロックは、コード
信号が伝送されず、ダイナミックレンジＤＲ´の情報の
みが伝送され、（Ｔ１≦ＤＲ´＜Ｔ２）のブロックは、
（ｎ＝１）とされ、（Ｔ２≦ＤＲ´＜Ｔ３）のブロック
は、（ｎ＝２）とされ、（Ｔ３≦ＤＲ´＜Ｔ４）のブロ
ックは、（ｎ＝３）とされ、（ＤＲ´≧Ｔ４）のブロッ
クは、（ｎ＝４）とされる。このような可変長ＡＤＲＣ
では、しきい値Ｔ１〜Ｔ４を変えることにより、発生情
報量を制御すること（いわゆるバッファリング）ができ
る。従って、１フィールド或いは、１フレーム当たりの
発生情報量を所定値にすることが要求されるこの発明の
ディジタルＶＴＲのような伝送路に対しても可変長ＡＤ
ＲＣを適用できる。

【００２５】図５において、符号６０は、発生情報量を
所定値にするためのしきい値Ｔ１〜Ｔ４を決定するバッ
ファリング回路を示す。バッファリング回路６０では、
しきい値の組（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）が複数例えば
３２組用意されており、これらのしきい値の組がパラメ
ータコードＰｉ（ｉ＝０、１、２、・・、３１）により
区別される。パラメータコードＰｉの番号ｉが大きくな
るに従って、発生情報量が単調に減少するように設定さ
れている。但し、発生情報量が減少するに従って、復元
画像の画質が劣化する。バッファリング回路６０からの
しきい値Ｔ１〜Ｔ４が比較回路６１に供給され、遅延回
路６２を介されたダイナミックレンジＤＲ´が比較回路
６１に供給される。遅延回路６２は、バッファリング回
路６０でしきい値の組が決定されるのに要する時間、Ｄ
Ｒ´を遅延させる。比較回路６１では、ブロックのダイ
ナミックレンジＤＲ´と各しきい値とがそれぞれ比較さ
れ、比較出力がビット数決定回路５９に供給され、その
ブロックの割り当てビット数ｎが決定される。量子化回
路５８では、ダイナミックレンジＤＲ´と割り当てビッ
ト数ｎとを用いて遅延回路６３を介された最小値除去後
のデータＰＤＩがエッジマッチングの量子化により、コ
ード信号ＤＴに変換される。量子化回路５８は、例えば
ＲＯＭで構成されている。遅延回路６２及び６４をそれ
ぞれ介して修整されたダイナミックレンジＤＲ´及び平
均値ＭＩＮ´が出力され、さらにコード信号ＤＴとしき
い値の組を示すパラメータコードＰｉが出力される。こ
の例では、一旦ノンエッジマッチ量子化された信号が新
たなダイナミックレンジ情報に基づいて、エッジマッチ
量子化されているためにダビングした時の画像劣化は少
ないものとされる。

【００２６】ｃ．チャンネルエンコーダ及びチャンネル
デコーダ 次に、図１のチャンネルエンコーダ１１及びチャンネル
デコーダ２２について説明する。これらの回路の詳細に
ついては、本出願人が出願した特願平１−１４３４９１
号にその具体構成が開示されているが、その概略構成に
ついて図６及び図７を参照して説明する。図６において
、符号７１は、図１のパリティ発生回路１０の出力が供
給される適応型スクランブル回路で、複数のＭ系列のス
クランブル回路が用意され、その中で入力信号に対し高
周波成分及び直流成分の最も少ない出力が得られるよう
なＭ系列が選択されるように構成されている。符号７２
がパーシャルレスポンス・クラス４検出方式のためのプ
リコーダで１／１−Ｄ２　（Ｄは単位遅延用回路）の演
算処理がなされる。このプリコーダ出力を記録アンプ１
２Ａ、１２Ｂを介して磁気ヘッド１３Ａ、１３Ｂにより
記録・再生し、再生出力を再生アンプ２１Ａ、２１Ｂに
よって増幅するようになされている。

【００２７】チャンネルデコーダ２２の構成を示す図７
において、符号７３がパーシャルレスポンス・クラス４
の再生側の演算処理回路を示し、１＋Ｄの演算が再生ア
ンプ２１Ａ、２１Ｂの出力に対して行われる。符号７４
がいわゆるビタビ復号回路を示し、演算処理回路７３の
出力に対してデータの相関性や確からしさ等を用いた演
算により、ノイズに強いデータの復号が行われる。この
ビタビ復号回路７４の出力がディスクランブル回路７５
に供給され、記録側でのスクランブル処理によって並び
かえられたデータが元の系列に戻されて原データが復元
される。この実施例において用いられるビタビ復号回路
７４によって、ビット毎の復号を行う場合よりも、再生
Ｃ／Ｎ換算で３ｄＢの改善がなされる。

【００２８】ｄ．テープ・ヘッド系 上述の磁気ヘッド１３Ａ及び１３Ｂは、図８Ａに示すよ
うに、回転ドラム７６に対して、１８０°の対向間隔で
取りつけられている。或いは図８Ｂに示すように、磁気
ヘッド１３Ａ及び１３Ｂが一体構造とされた形でドラム
７６に取りつけられる。ドラム７６の周面には、１８０
°よりやや大きいか、またはやや少ない巻き付け角で磁
気テープ（図示せず）が斜めに巻きつけられている。図
８Ａに示すヘッド配置では、磁気テープに対して磁気ヘ
ッド１３Ａ及び１３Ｂがほぼ交互に接し、図８Ｂに示す
ヘッド配置では、磁気ヘッド１３Ａ及び１３Ｂが同時に
磁気テープを走査する。

【００２９】磁気ヘッド１３Ａ及び１３Ｂのそれぞれの
ギャップの延長方向（アジマス角と称する）が異ならさ
れている。例えば図９に示すように、磁気ヘッド１３Ａ
と１３Ｂとの間に、±２０°のアジマス角が設定されて
いる。このアジマス角の相違により、磁気テープには、
図１０に示すような記録パターンが形成される。この図
１０からわかるように、磁気テープ上に形成された隣合
うトラックＴＡ及びＴＢは、アジマス角が相違した磁気
ヘッド１３Ａ及び１３Ｂによりそれぞれ形成されたもの
となる。従って、再生時には、アジマス損失により、隣
合うトラック間のクロストーク量を低減することができ
る。

【００３０】図１１Ａ及び図１１Ｂは、磁気ヘッド１３
Ａ、１３Ｂを一体構造（いわゆるダブルアジマスヘッド
）とした場合のより具体的な構成を示す。例えば１５０
ｒｐｓ（ＮＴＳＣ方式）の高速で回転される上ドラム７
６に対して、一体構造の磁気ヘッド１３Ａ及び１３Ｂが
取りつけられ、下ドラム７７が固定とされている。従っ
て、磁気テープ７８には、１フィールドのデータが５本
のトラックに分割して記録される。このセグメント方式
により、トラックの長さを短くすることができ、トラッ
クの直線性のエラーを小さくできる。磁気テープ７８の
巻き付け角θは例えば１６６°とされ、ドラム径φは１
６．５ｍｍとされている。また、ダブルアジマスヘッド
を使用し、同時記録を行っている。通常、上ドラム７６
の回転部の偏心等により、磁気テープ７８の振動が生じ
、トラックの直線性のエラーが発生する。図１２Ａに示
すように、磁気テープ７８が下側に押さえつけられ、ま
た、図１２Ｂに示すように、磁気テープ７８が上側に引
っ張られ、これにより磁気テープ７８が振動し、トラッ
クの直線性が劣化する。しかしながら、ダブルアジマス
ヘッドで同時記録を行うことにより、１８０°で一対の
磁気ヘッドが対向配置されたものと比較して、この直線
性のエラー量を小さくすることができる。さらに、ダブ
ルアジマスヘッドは、ヘッド間の距離が小さいので、ペ
アリング調整をより正確に行うことができるという利点
がある。このようなテープ・ヘッド系により、狭い幅の
トラックの記録・再生を行うことができる。

【００３１】ｅ．電磁変換系 次に、この発明に用いられる電磁変換系について説明す
る。まず、記録媒体としての磁気テープ（ＭＥテープ）
は次のような方法で製造される。第１の方法では、例え
ば厚さ１０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ
）フィルムからなるベース上に、例えばアクリル酸エス
テル系ラテックスを主成分とするエマルジョンを含有し
た液を塗布した後、乾燥を行い、ベースの一主面上に上
記エマルジョン微粒子よりなる微小突起を形成する。 ベースに内添されるフィラーとしては、ＳｉＯ２　、Ｔ
ｉＯ２　、Ａｌ２　Ｏ３　等が用いられる。この後、次
のような方法で、上記ベース上に、下層の金属磁性薄膜
上に中間酸化物層を介して上層の金属磁性薄膜が積層さ
れた構造の磁性層を形成する。

【００３２】すなわち、まず、例えば図１３に示す真空
蒸着装置を用いて、ベースＢ上にＣｏからなる金属磁性
薄膜を形成する。図１３において、符号８１ｃ、８１ｄ
は真空槽、８２は間仕切り板、８４はベースＢの供給ロ
ール、８５は巻き取りロール、８６ａ、８６ｂはガイド
ロール、８７はベースＢをガイドする円筒型のクーリン
グキャン、８８は蒸発源、８９は蒸発源８８を加熱する
電子ビーム、９０はベースＢに対する蒸発金属の入射角
θを規制するための遮蔽板、９１は酸素（Ｏ２　）ガス
の導入パイプ、９２は電子銃である。

【００３３】このように構成された真空蒸着装置におい
て、ベースＢは供給ロール８４からガイドロール８６ａ
、クーリングキャン８７、ガイドロール８６ｂ、巻き取
りロール８５の順に移送される。このとき、クーリング
キャン８７において、酸素雰囲気中でＣｏからなる金属
磁性薄膜が斜め蒸着によりベースＢ上に形成される。 このＣｏからなる金属磁性薄膜の膜厚は例えば９００Å
程度とする。この真空蒸着は、真空槽８１ｃ、８１ｄを
例えば真空度１×１０−４Ｔｏｒｒに保ちながら、これ
らの真空槽８１ｃ、８１ｄ内に導入パイプ９１により酸
素ガスを例えば２００ｃｃ／ｍｉｎ　の割合で導入しな
がら行う。ベースＢに対する蒸発金属の入射角θは例え
ば４５°（θｍｉｎ　）〜９０°（θｍａｘ　）の範囲
とする。なお、蒸発源８８に用いられるインゴットの組
成は例えばＣｏ１００％である。

【００３４】次に、上述のようにしてベースＢ上に形成
されたＣｏからなる金属磁性薄膜上に、例えばＤＣマグ
ネトロンスパッタにより、例えば膜厚が２００Å程度の
中間酸化物層（例えば、Ｃｏ３　Ｏ４　層）を形成する
。このＤＣマグネトロンスパッタにおいては、例えばＣ
ｏ１００％のターゲットを用い、酸素ガスとアルゴンガ
スとからなる混合ガス雰囲気中で反応性スパッタを行う
。この場合、ターゲットとベースＢとの間の距離は例え
ば２０ｍｍとする。また、アルゴンガスの流量は例えば
２００ｃｃ／ｍｉｎ　とし、酸素ガスの流量は例えば７
０ｃｃ／ｍｉｎ　とする。ベースＢの走行速度は例えば
１０ｍ／ｍｉｎ　程度とする。

【００３５】次に、再び図１３に示す真空蒸着装置を用
いて、上述と同様な方法により、上記中間酸化物層上に
例えば膜厚が９００Å程度のＣｏからなる金属磁性薄膜
を形成する。これによって、Ｃｏからなる下層の金属磁
性薄膜上に中間酸化物層を介してＣｏからなる上層の金
属磁性薄膜が積層された構造の磁性層が形成される。こ
の多層構造の磁性層の全体の厚さは例えば２０００Å程
度である。以上のようにして多層構造の磁性層が形成さ
れたベースＢに、例えばカーボン及びエポキシ系バイン
ダーからなるバックコートとパーフルオロポリエーテル
からなる潤滑剤のトップコートとを施した後、これを８
ｍｍ幅に裁断して磁気テープを作製する。

【００３６】図１４に、磁性層の膜構造や中間酸化物層
の厚さを種々に変えて作製した磁気テープの特性を比較
例とともに示す。なお、図１４中、Ｒａ　は磁気テープ
の磁性層側の表面の中心線平均粗さである。また、図１
４の膜構造において、順２層とは、下層の金属磁性薄膜
と上層の金属磁性薄膜との柱状の結晶粒の長手方向の軸
が同一方向に向いている場合を示し、逆２層とは、この
柱状の結晶粒の長手方向の軸が膜面に立てた法線に関し
て互いに逆側に向いている場合を示す。図１４からわか
るように、中間酸化物層を介して２層の金属磁性薄膜が
積層された構造の磁性層を有する実施例１〜４の磁気テ
ープでは、ビットエラーレートは１×１０−４以下にな
っている。これに対して、単層の金属磁性薄膜により磁
性層が形成された比較例では、ビットエラーレートは４
．８×１０−４と大きい。また、図１４から明らかなよ
うに、実施例１〜４及び比較例の磁気テープは、いずれ
もＲａ　≦３０Å、エネルギー積≧１００Ｇ・ｃｍ・Ｏ
ｅの条件を満たしている。

【００３７】なお、磁気テープの表面粗さの測定は、通
常ＪＩＳ　　Ｂ０６０１により行われるが、今回の測定
は下記条件により行った。 測定器：タリステップ（ランクテーラー社製）針径：０
．２×０．２μｍ、角型針 針圧：２ｍｇ ハイパスフィルター：０．３３Ｈｚ

【００３８】図１５は、下層の金属磁性薄膜上に中間酸
化物層を介して上層の金属磁性薄膜が積層された構造の
磁性層の深さ（厚さ）方向のオージェプロファイルの測
定結果の一例を示す。但し、測定には日本電子（株）製
のオージェ電子分光装置（Ｊａｍｐ３０）を使用し、入
射電子の加速電圧は２．００ｋＶ、真空度は９．０×１
０−８Ｐａ、オージェ電子の分析系の時定数は２０ｍｓ
、エッチング用のイオンの加速電圧は１．００ｋＶ、エ
ッチング速度は１６．６Å／ｍｉｎ　とした。図１５に
おいて、Ｃｏの二つのピークが下層の金属磁性薄膜と上
層の金属磁性薄膜とに対応し、これらのピークの間に存
在するＯのピークがこれらの金属磁性薄膜の間の中間酸
化物層に対応する。このＯのピークの半値幅は約３００
Åである。下層及び上層の金属磁性薄膜と中間酸化物層
との間には遷移層が存在し、それらの間の境界は必ずし
も明確ではないが、中間酸化物層の厚さは例えばこのＯ
のピークの半値幅を目安にして評価することができる。

【００３９】上述のように磁性層を下層の金属磁性薄膜
と上層の金属磁性薄膜との２層構造とするとともに、こ
れらの金属磁性薄膜の間に中間酸化物層を設けているこ
とにより、磁性層における磁気的カップリングを少なく
することができるとともに、短波長領域における電磁変
換特性の向上を図ることができる。特に、中間酸化物層
の厚さを磁性層全体の厚さの約２０％以下とすることに
より、短波長領域における電磁変換特性を良好なものと
することができる。そして、上述のようにビットエラー
レートを低減することができる。このような多層構造の
磁性層を有する磁気テープにおいて、Ｃｏからなる金属
磁性薄膜の膜厚は、６００Åよりも小さいと出力不足と
なり、１２００Åよりも大きいとノイズが増えるので、
６００〜１２００Åであるのが好ましい。また、中間酸
化物層の厚さは、３００Åよりも大きいと下層の金属磁
性薄膜から信号を取り出しくくなるため、３００Å以下
とするのが好ましい。

【００４０】第２の方法では、図１６に示す真空蒸着装
置を用いて、ベースＢ上にＣｏからなる単層の金属磁性
薄膜を酸素雰囲気中で斜め蒸着により形成する。この図
１６に示す真空蒸着装置は図１３に示す真空蒸着装置と
同様な構成を有するが、ベースＢに対する蒸発金属の入
射角θが遮蔽板９０により４０°（θｍｉｎ　）〜７０
°（θｍａｘ　）の範囲に制限されている点が図１３に
示す真空蒸着装置と異なる。この真空蒸着は、真空槽８
１ｃ、８１ｄを例えば真空度１×１０−４Ｔｏｒｒに保
ちながら、これらの真空槽８１ｃ、８１ｄ内に導入パイ
プ９１により酸素ガスを例えば２００ｃｃ／ｍｉｎ　の
割合で導入しながら行う。この単層の金属磁性薄膜から
なる磁性層の厚さは例えば２０００Åとする。なお、蒸
発源８８に用いられるインゴットの組成は例えばＣｏ１
００％である。また、蒸発金属の入射角θの範囲が上述
のように狭くなると、金属磁性薄膜の成膜速度が小さく
なるため、蒸発金属の入射角θの範囲に応じてベースＢ
の走行速度を調整することにより、所望の成膜速度を得
ることができる。 この後、第１の方法と同様にして例えば８ｍｍ幅の磁気
テープを作製する。

【００４１】図１７に、ベースＢに対する蒸発金属の入
射角θの範囲を変えて作製した磁気テープの特性を示す
。図１７からわかるように、ベースＢに対する蒸発金属
の入射角θを４０〜７０°に制限して斜め蒸着を行った
実施例５では、記録波長λ＝０．５μｍの出力として０
．５ｄＢが得られ、ビットエラーレートは５．０×１０
−５と小さい。さらに、入射角θを実施例５の場合より
もさらに制限して４５〜６５°として斜め蒸着を行った
実施例６では、λ＝０．５μｍの出力として０．７ｄＢ
が得られ、ビットエラーレートは３．８×１０−５とさ
らに小さくなっている。これに対して、ベースＢに対す
る蒸発金属の入射角θが４０〜９０°である比較例では
、λ＝０．５μｍの出力は０であり、ビットエラーレー
トは６．６×１０−４と大きかった。

【００４２】このようにベースＢに対する蒸発金属の入
射角θを４０〜７０°または４５〜６５°に制限して斜
め蒸着を行った実施例５、６においてλ＝０．５μｍの
出力として大きな値が得られ、ビットエラーレートが低
減されるのは、次のような理由によるものと考えられる
。すなわち、入射角θを４０〜７０°または４５〜６５
°の範囲に制限したことにより、ベースＢ上に入射する
金属のベースＢの膜面に平行な方向の成分が小さくなり
、磁性層の結晶粒径が小さくなる。これによって、磁性
層中の結晶粒の充填密度が高くなり、キャリアレベル対
ノイズレベル比（Ｃ／Ｎ）が向上する。その結果、ビッ
トエラーレートが上述のように低減される。

【００４３】上述のように、ベースＢに対する蒸発金属
の入射角θを制限することによりビットエラーレートを
低減することができるが、この手法は、上記第１の方法
における多層構造の磁性層を形成する場合にも用いるこ
とができる。すなわち、上記第１の方法において、蒸発
金属の入射角θを４０〜７０°の範囲に制限することに
より、ビットエラーレートをより一層低減することがで
きる。その例を図１８に示す。図１８からわかるように
、上記第１の方法において、蒸発金属の入射角θを４０
〜７０°の範囲に制限して斜め蒸着を行った実施例７、
８では、ビットエラーレートはそれぞれ２．８×１０−
５、３．３×１０−５であり、図１４に示す実施例１、
２、３、４の場合に比べて小さくなっている。これに対
して、入射角θの範囲が４０〜９０°と広い比較例では
、ビットエラーレートはそれぞれ４．８×１０−４と大
きい。なお、図１８中の参考例は、上記第１の方法によ
る多層構造の磁性層の金属磁性薄膜を、入射角θを４５
〜９０°として蒸着を行うことにより形成した磁気テー
プについてのものである。

【００４４】図１９はこの発明に用いられる磁気ヘッド
の一例を示す。図１９に示すように、この磁気ヘッドは
、単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトコア１０１Ａ、１０１Ｂ
上にスパッタ法により形成されたＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒ
ｕ系軟磁性層１０２、１０３の間にギャップ１０４を有
している。このギャップ１０４のトラック幅方向の両側
にはガラス１０５、１０６が充填され、これによってト
ラック幅が例えば約４μｍ幅に規制されている。１０７
は巻線孔であり、この巻線孔１０７に記録用コイル（図
示せず）が巻装される。この磁気ヘッドの実効ギャップ
長は０．２０μｍである。この磁気ヘッドは、ギャップ
１０４の近傍に飽和磁束密度Ｂｓ　が１４．５ｋＧのＦ
ｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系軟磁性層１０２、１０３を用い
ているため、高抗磁力の磁気テープに対してもヘッドの
磁気飽和を生じることなく記録を行うことができる。

【００４５】以上のようなＭＥテープと磁気ヘッドとを
用いることにより、１．２５μｍ２　／ｂｉｔ以下の記
録密度が実現される。すなわち、上述のように、５μｍ
のトラック幅に対して最短波長０．５μｍの信号を記録
することによって１．２５μｍ２　／ｂｉｔが実現され
る。 ところが、再生出力のＣ／Ｎは記録波長及びトラック幅
が減少するに従って劣化することが知られており、この
劣化をおさえるために、上述した構成のテープ及びヘッ
ドが使用されている。本出願人は、１９８８年に８ｍｍ
幅のＭＥテープを使用してトラックピッチ１５μｍで最
短波長０．５μｍのディジタルＶＴＲを試作したが、こ
の時は４０ｍｍ径の回転ドラムを使用して６０ｒｐｍで
このドラムを回転させ、記録・再生を行った。このシス
テムでは、記録波長１μｍに対して、５ｌｄＢのＣ／Ｎ
が得られた。そして、そのシステムのビット・エラーレ
ートは４×１０−５であった。この発明の実施例のよう
に、５μｍ幅のトラックを使用すると、同一の仕様で約
４４ｄＢのＣ／Ｎしか得られず画質が劣化することにな
る。この７ｄＢのＣ／Ｎの劣化分を補うために、上述し
たこの発明の実施例の構成が用いられることになる。

【００４６】すなわち、一般に記録及び再生中のテープ
と磁気ヘッドとの間のスペーシングが大きくなれば信号
出力レベルが低下することが知られており、このスペー
シングの量はテープの平坦度に依存することも知られて
いる。また、塗布型テープの場合、テープの平坦度は塗
布剤に依存するが、ＭＥテープの場合は、ベースそのも
のの表面平坦度に依存することが知られている。上述の
実施例では、ベースフィルムの表面粗さを極力小に選定
することによりＣ／Ｎが１ｄＢ上昇するという実験結果
が得られた。また、上述した実施例の蒸着材料、蒸着方
法を用いることにより、１９８８年の時の試作で用いら
れた磁気テープに対して３ｄＢのＣ／Ｎ向上が実験結果
として得られた。以上のことから、この発明のヘッド及
びテープを用いることにより、以前の試作機に対して４
ｄＢのＣ／Ｎの上昇が得られたことになる。また、この
発明では、チャンネル復号にビタビ復号が用いられてい
るため、以前の試作機で使用されていたビット毎の復号
に対して３ｄＢの上昇が得られることが確認された。以
上により、全体として７ｄＢのＣ／Ｎ劣化分を補うこと
ができ、１．２５μｍ２　／ｂｉｔの記録密度で１９８
８年の試作機と同等のビットエラーレートが得られるこ
とになる。再生出力に関して、エラー訂正符号の訂正処
理の前の段階のビットエラーレートが１０−４以下であ
ることが必要なのは、２０％程度の冗長度のエラー訂正
符号を使用した時に、訂正可能な程度の量にエラーを抑
えるためである。

【００４７】

【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
データの記録密度を１μｍ２　／ｂｉｔ程度に高めても
、磁気記録媒体に記録されたディジタル画像信号の再生
出力のエラー訂正を行う前のビットエラーレートを１×
１０−４以下に低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例によるディジタルＶＴＲに
おける信号処理部の記録側の構成を示すブロック図であ
る。

【図２】信号処理部の再生側の構成を示すブロック図で
ある。

【図３】ブロック符号化のためのブロックの一例を示す
略線図である。

【図４】サブサンプリング及びサブラインの説明に用い
る略線図である。

【図５】ブロック符号化回路の一例のブロック図である
。

【図６】チャンネルエンコーダの一例の概略を示すブロ
ック図である。

【図７】チャンネルデコーダの一例の概略を示すブロッ
ク図である。

【図８】ヘッド配置の説明に用いる略線図である。

【図９】ヘッドのアジマスの説明に用いる略線図である
。

【図１０】記録パターンの説明に用いる略線図である。

【図１１】テープ・ヘッド系の一例を示す上面図及び側
面図である。

【図１２】ドラムの偏心でテープの振動が生じることを
説明するための略線図である。

【図１３】磁気テープの製法の説明に用いる略線図であ
る。

【図１４】この発明の種々の実施例による磁気テープの
特性を示す表である。

【図１５】下層の金属磁性薄膜上に中間酸化物層を介し
て上層の金属磁性薄膜を積層した構造の磁性層の深さ方
向のオージェプロファイルの測定結果の一例を示す図で
ある。

【図１６】磁気テープの製法の説明に用いる略線図であ
る。

【図１７】この発明の種々の実施例による磁気テープの
特性を示す表である。

【図１８】この発明の種々の実施例による磁気テープの
特性を示す表である。

【図１９】磁気ヘッドの構造の一例を示す斜視図である

【符号の説明】

１Ｙ　　コンポーネント信号の入力端子１Ｕ　　コンポ
ーネント信号の入力端子１Ｖ　　コンポーネント信号の
入力端子５　　ブロック化回路 ６　　ブロック化回路 ８　　ブロック符号化回路 １１　　チャンネルエンコーダ １３Ａ　　磁気ヘッド １３Ｂ　　磁気ヘッド ２２　　チャンネルデコーダ ２６　　ブロック復号回路 ２８　　ブロック分解回路 ２９　　ブロック分解回路 Ｂ　　ベース ８１ｃ　　真空槽 ８１ｄ　　真空槽 ８７　　クーリングキャン ８８　　蒸発源 ９０　　遮蔽板

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　入力ディジタル画像信号を複数の画素
   データからなるブロック単位のデータに変換してブロッ
   ク化し、該ブロック化されたデータをブロック単位に圧
   縮符号化し、該圧縮符号化されたデータをチャンネル符
   号化し、該チャンネル符号化されたデータを回転ドラム
   に装着された磁気ヘッドにより磁気記録媒体に記録する
   ようにしたディジタル画像信号の磁気記録方法において
   、上記磁気記録媒体は非磁性支持体上に複数層の金属磁
   性薄膜が酸化物からなる中間層を介して積層された磁性
   層を形成してなり、上記磁性層の残留磁束密度と厚さと
   抗磁力との積からなるエネルギー積は１００Ｇ・ｃｍ・
   Ｏｅ以上であることを特徴とするディジタル画像信号の
   磁気記録方法。
2. 【請求項２】　　上記非磁性支持体上に４０〜７０°の
   入射角で金属を蒸着することにより上記金属磁性薄膜を
   形成するようにした請求項１記載のディジタル画像信号
   の磁気記録方法。
3. 【請求項３】　　入力ディジタル画像信号を複数の画素
   データからなるブロック単位のデータに変換してブロッ
   ク化し、該ブロック化されたデータをブロック単位に圧
   縮符号化し、該圧縮符号化されたデータをチャンネル符
   号化し、該チャンネル符号化されたデータを回転ドラム
   に装着された磁気ヘッドにより磁気記録媒体に記録する
   ようにしたディジタル画像信号の磁気記録方法において
   、上記磁気記録媒体は非磁性支持体上にこの非磁性支持
   体上に４０〜７０°の入射角で金属を蒸着することによ
   り形成された単層または複数層の金属磁性薄膜からなる
   磁性層を形成してなり、上記磁性層の残留磁束密度と厚
   さと抗磁力との積からなるエネルギー積は１００Ｇ・ｃ
   ｍ・Ｏｅ以上であることを特徴とするディジタル画像信
   号の磁気記録方法。