JPH04287956A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04287956A JPH04287956A JP3578291A JP3578291A JPH04287956A JP H04287956 A JPH04287956 A JP H04287956A JP 3578291 A JP3578291 A JP 3578291A JP 3578291 A JP3578291 A JP 3578291A JP H04287956 A JPH04287956 A JP H04287956A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- external
- external lead
- semiconductor device
- welding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、主として金属封止型
半導体装置の内部リードと外部リードの接合方法に関す
るものである。
半導体装置の内部リードと外部リードの接合方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は金属封止型半導体装置の断面図を
示すもので銅からなるステム５に予めロウ付けされた内
部リード２は、半導体チップ６から金線８により結線さ
れており、更に、その状態のステムとパイプ状外部リー
ド１を有するキャップ７とを電気溶接により接合、内部
を封止した構造となっている。更に、図４Ａ部及び図５
に示す様にパイプ状外部リード１に挿入された内部リー
ドを外部から一対の電極３によっては加圧し、つぶすと
共に両電極間に電流を流すことにより電気的接続を得る
。尚、前記内部リード２及びステム５の表面には半導体
チップ６が接合しやすい様に表面に金メッキが施されて
いる。図３は従来の半導体装置のかしめ部の正面図及び
右側面図である。
示すもので銅からなるステム５に予めロウ付けされた内
部リード２は、半導体チップ６から金線８により結線さ
れており、更に、その状態のステムとパイプ状外部リー
ド１を有するキャップ７とを電気溶接により接合、内部
を封止した構造となっている。更に、図４Ａ部及び図５
に示す様にパイプ状外部リード１に挿入された内部リー
ドを外部から一対の電極３によっては加圧し、つぶすと
共に両電極間に電流を流すことにより電気的接続を得る
。尚、前記内部リード２及びステム５の表面には半導体
チップ６が接合しやすい様に表面に金メッキが施されて
いる。図３は従来の半導体装置のかしめ部の正面図及び
右側面図である。
【０００３】次にその作用について説明する。内部リー
ド２と外部リード１は、加圧により圧接されると共に、
印加電流により内部リード２の表面の金メッキにより金
ロウ接合を形成する。これにより、内部リード２と外部
リード１は電気的接合を行なうことが出来る。
ド２と外部リード１は、加圧により圧接されると共に、
印加電流により内部リード２の表面の金メッキにより金
ロウ接合を形成する。これにより、内部リード２と外部
リード１は電気的接合を行なうことが出来る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上の様な構造となっているので、リードに外力が加わっ
た時、又は接合面に油等汚れが付着した場合、金ロウ接
合の形成が不充分なため、電気的接触を損なう等の問題
点があった。
上の様な構造となっているので、リードに外力が加わっ
た時、又は接合面に油等汚れが付着した場合、金ロウ接
合の形成が不充分なため、電気的接触を損なう等の問題
点があった。
【０００５】この発明は上記の様な問題点を解消するた
めになされたもので、内部リードと外部リードの接触が
良好に得られる構造の半導体装置を得ることを目的とす
る。
めになされたもので、内部リードと外部リードの接触が
良好に得られる構造の半導体装置を得ることを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、外部リードを平坦につぶした後、その平坦面をＹ
ＡＧレーザ溶接，電気溶接等で内部リードと外部リード
を溶接したものである。
置は、外部リードを平坦につぶした後、その平坦面をＹ
ＡＧレーザ溶接，電気溶接等で内部リードと外部リード
を溶接したものである。
【０００７】
【作用】この発明における半導体装置は、内部リードと
外部リードが溶接接合されるので電気的接続が良好とな
る。
外部リードが溶接接合されるので電気的接続が良好とな
る。
【０００８】
【実施例】実施例１．図１は、この発明による半導体装
置のかしめ部の断面正面図及び右側面図であり、図にお
いて、１はニッケル，コバールからなる外部リード、２
はコバール，ニッケル等からなるパイプ状の内部リード
であり、Ｂ部が溶接により内部リード２と外部リード１
が接合されている。その方法として、図５に示す従来と
同様に一対の治具で加圧，つぶした後、図２の様にＹＡ
Ｇレーザ光により、平坦部の一部を溶接する。図２にお
いて、４はレーザ照射口であり、又点線はそのレーザ光
を表わし、矢印方向に移動させることにより、広範囲に
溶接する。
置のかしめ部の断面正面図及び右側面図であり、図にお
いて、１はニッケル，コバールからなる外部リード、２
はコバール，ニッケル等からなるパイプ状の内部リード
であり、Ｂ部が溶接により内部リード２と外部リード１
が接合されている。その方法として、図５に示す従来と
同様に一対の治具で加圧，つぶした後、図２の様にＹＡ
Ｇレーザ光により、平坦部の一部を溶接する。図２にお
いて、４はレーザ照射口であり、又点線はそのレーザ光
を表わし、矢印方向に移動させることにより、広範囲に
溶接する。
【０００９】次にその作用について説明する。図１の様
に、平坦部のＢ部は、外部リード１と内部リード２はＹ
ＡＧレーザ溶接により溶融接合する。
に、平坦部のＢ部は、外部リード１と内部リード２はＹ
ＡＧレーザ溶接により溶融接合する。
【００１０】なお、上記実施例では溶接の方法をＹＡＧ
レーザ溶接によるものを示したが、他の例えば電気溶接
，ガスレーザ溶接等によって行なっても同様の効果を奏
する。
レーザ溶接によるものを示したが、他の例えば電気溶接
，ガスレーザ溶接等によって行なっても同様の効果を奏
する。
【００１１】
【発明の効果】以上の様に、この発明によれば、溶融接
合するので、外力，接合面への汚染よる影響が小さい良
好な電気的接続を得られる効果がある。
合するので、外力，接合面への汚染よる影響が小さい良
好な電気的接続を得られる効果がある。
【図１】この発明の一実施例によるかしめ部の断面正面
図及び右側面図である。
図及び右側面図である。
【図２】この発明の一実施例を示すレーザ溶接時のかし
め部断面正面図及び右側面図である。
め部断面正面図及び右側面図である。
【図３】従来の半導体装置のかしめ部の断面正面図及び
右側面図である。
右側面図である。
【図４】金属封止型半導体装置の断面正面図である。
【図５】従来の半導体装置をかしめする時のかしめ部断
面正面図及び右側面図である。
面正面図及び右側面図である。
１ 外部リード
２ 内部リード
３ かしめ用電極
４ レーザ照射口
５ ステム
６ 半導体チップ
７ キャップ本体
８ 金線
Claims (1)
- 【請求項１】 パイプ状の外部リードに線状の内部リ
ードを挿入した後、外部から加圧・変形させることによ
り、内部リードと外部リードの電気的接続を得る構造の
リードを有する半導体装置において、前記外部リードを
相対する治具で平坦につぶした後、平坦部をＹＡＧ等の
レーザ光，電機スポット法，超音波法等により溶接する
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3578291A JPH04287956A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3578291A JPH04287956A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04287956A true JPH04287956A (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=12451472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3578291A Pending JPH04287956A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04287956A (ja) |
-
1991
- 1991-03-01 JP JP3578291A patent/JPH04287956A/ja active Pending
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