JPH04286379A - 磁気センサの製造方法 - Google Patents
磁気センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH04286379A JPH04286379A JP3051024A JP5102491A JPH04286379A JP H04286379 A JPH04286379 A JP H04286379A JP 3051024 A JP3051024 A JP 3051024A JP 5102491 A JP5102491 A JP 5102491A JP H04286379 A JPH04286379 A JP H04286379A
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- JP
- Japan
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- magnetic field
- pattern
- potential output
- magnetic sensor
- sensor
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、被移動検出物の移動位
置を非接触によって検出する磁気作用を利用した磁気セ
ンサの製造方法に関するものである。
置を非接触によって検出する磁気作用を利用した磁気セ
ンサの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、エアーシリンダー等のＦＡ電子制
御に用いられている従来の磁気センサについて説明する
。
御に用いられている従来の磁気センサについて説明する
。
【０００３】図３（ａ）〜（ｃ）は、従来の磁気センサ
１の構成と特性を示すものである。図３（ａ）において
、磁界がない状態で蒸着されたＮｉＦｅの膜により構成
された感知部パターン２と補償部パターン３により構成
され、センサの両端に定電圧を加えるＶｃｃ端子４，Ｇ
ｒｏｕｎｄ端子５，感知部パターン２と補償部パターン
３の間に中点電位出力端子６を有している。また、図３
（ｂ）は感知部パターン２に直角に磁界を加えた時の磁
気抵抗特性で、図３（ｃ）は補償部パターン３に平行に
磁界を加えた時の磁気抵抗特性である。
１の構成と特性を示すものである。図３（ａ）において
、磁界がない状態で蒸着されたＮｉＦｅの膜により構成
された感知部パターン２と補償部パターン３により構成
され、センサの両端に定電圧を加えるＶｃｃ端子４，Ｇ
ｒｏｕｎｄ端子５，感知部パターン２と補償部パターン
３の間に中点電位出力端子６を有している。また、図３
（ｂ）は感知部パターン２に直角に磁界を加えた時の磁
気抵抗特性で、図３（ｃ）は補償部パターン３に平行に
磁界を加えた時の磁気抵抗特性である。
【０００４】以上のように構成された磁気センサ１につ
いて、以下その動作について説明する。まず、感知部パ
ターン２に直角方向に交流磁界Ｈを加えていくと、磁気
抵抗特性は図３（ｂ）のように感知部パターン２の抵抗
値が徐々に変化しヒステリシスがないのに対して、この
とき補償部パターン３には平行な交流磁界が加わってい
くため磁気抵抗特性は図３（ｃ）のような振舞いを示し
、零磁界近傍においてヒステリシスを持った変化をする
。
いて、以下その動作について説明する。まず、感知部パ
ターン２に直角方向に交流磁界Ｈを加えていくと、磁気
抵抗特性は図３（ｂ）のように感知部パターン２の抵抗
値が徐々に変化しヒステリシスがないのに対して、この
とき補償部パターン３には平行な交流磁界が加わってい
くため磁気抵抗特性は図３（ｃ）のような振舞いを示し
、零磁界近傍においてヒステリシスを持った変化をする
。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そして中点電位出力端
子５の電位は、感知部パターン２と補償部パターン３の
抵抗値のバランスで得られるものである。ところがまた
補償部パターン３の零磁界近傍での抵抗値の変化量は感
知部パターン２の抵抗値の変化量に比べて小さいが、零
磁界近傍のヒステリシスの影響でこの合成出力は図２（
ｂ）に示すように中点電位出力特性に零磁界近傍におい
て乱れを生じる。このため、エアーシリンダーのヘッド
等の位置と中点電位出力とを対応させて使う場合、位置
と中点電位出力との対応がつかず、位置精度が低下する
という問題点を有していた。
子５の電位は、感知部パターン２と補償部パターン３の
抵抗値のバランスで得られるものである。ところがまた
補償部パターン３の零磁界近傍での抵抗値の変化量は感
知部パターン２の抵抗値の変化量に比べて小さいが、零
磁界近傍のヒステリシスの影響でこの合成出力は図２（
ｂ）に示すように中点電位出力特性に零磁界近傍におい
て乱れを生じる。このため、エアーシリンダーのヘッド
等の位置と中点電位出力とを対応させて使う場合、位置
と中点電位出力との対応がつかず、位置精度が低下する
という問題点を有していた。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、零磁界近傍において中点電位出力波形の乱れのない
高精度の磁気センサを提供することを目的とする。
で、零磁界近傍において中点電位出力波形の乱れのない
高精度の磁気センサを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の磁気センサの製造方法は、０．８×１０３〜
１２×１０３Ａ／ｍの直流磁界中にて蒸着することによ
ってこの磁界方向とほぼ直角に配置した短冊状の感知部
パターンと磁界方向とほぼ平行に配置した短冊状の補償
部パターンをＮｉ系合金からなり膜厚２５０〜２０００
Å，パターン幅５〜３０μｍの薄膜として形成するもの
である。
に本発明の磁気センサの製造方法は、０．８×１０３〜
１２×１０３Ａ／ｍの直流磁界中にて蒸着することによ
ってこの磁界方向とほぼ直角に配置した短冊状の感知部
パターンと磁界方向とほぼ平行に配置した短冊状の補償
部パターンをＮｉ系合金からなり膜厚２５０〜２０００
Å，パターン幅５〜３０μｍの薄膜として形成するもの
である。
【０００８】
【作用】上記の方法によれば、補償部パターンと平行な
磁場中で蒸着されて形成された補償部パターンは、その
長手方向に一軸異方性を有し、補償部パターンに平行な
磁界が加えられた時の零磁界近傍でのヒステリシスをも
った特性はなくなる。また、感知部パターンは、磁場中
蒸着の磁界方向とほぼ直角にパターンを形成しているた
めスピンが揃い難くなるが、パターンの形状による異方
性の効果が得やすいように、磁場中蒸着の磁界強度，膜
厚，パターン幅を上記のように設定することによって、
無磁場で蒸着したときと変わらぬ磁気抵抗特性が得られ
る。従って、感知部パターンに直角に交流磁界を加えて
用いると、中点電位出力端子から得られる中点電位出力
波形は、補償部パターンの影響を受けることがなく、感
知部パターンの抵抗値の変化だけに依存した零磁界近傍
でも乱れのない波形を得ることができる。よって位置と
中点電位出力とを対応させて使う場合でも、位置精度が
低下するという不都合を生じなくなる。
磁場中で蒸着されて形成された補償部パターンは、その
長手方向に一軸異方性を有し、補償部パターンに平行な
磁界が加えられた時の零磁界近傍でのヒステリシスをも
った特性はなくなる。また、感知部パターンは、磁場中
蒸着の磁界方向とほぼ直角にパターンを形成しているた
めスピンが揃い難くなるが、パターンの形状による異方
性の効果が得やすいように、磁場中蒸着の磁界強度，膜
厚，パターン幅を上記のように設定することによって、
無磁場で蒸着したときと変わらぬ磁気抵抗特性が得られ
る。従って、感知部パターンに直角に交流磁界を加えて
用いると、中点電位出力端子から得られる中点電位出力
波形は、補償部パターンの影響を受けることがなく、感
知部パターンの抵抗値の変化だけに依存した零磁界近傍
でも乱れのない波形を得ることができる。よって位置と
中点電位出力とを対応させて使う場合でも、位置精度が
低下するという不都合を生じなくなる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例の磁気センサの製造方
法について、図１〜図３を参照しながら説明する。図１
（ａ）は本発明の一実施例を示す磁気センサ１の平面図
である。同図において、矢印方向の５×１０３Ａ／ｍ程
度の直流磁界７中にて蒸着されたＮｉＦｅの膜厚５００
Å程度の薄膜によりセンサパターンは構成され、磁場中
蒸着の磁界７方向とほぼ直角に配置したパターン幅１０
μｍ程度の短冊状の感知部パターン２と磁場中蒸着の磁
界方向とほぼ平行に配置した短冊状の補償部パターン３
を有している。これらのパターン２，３を直列に接続し
たセンサの両端に定電圧を加えるＶｃｃ端子４，Ｇｒｏ
ｕｎｄ端子５，感知部パターン２と補償部パターン３の
間に中点電位出力端子６を有した構成となっている。ま
た、図１（ｂ）は感知部パターン２に直角に磁界を加え
た時の磁気抵抗特性で、図１（ｃ）は補償部パターン３
に平行に磁界を加えた時の磁気抵抗特性である。
法について、図１〜図３を参照しながら説明する。図１
（ａ）は本発明の一実施例を示す磁気センサ１の平面図
である。同図において、矢印方向の５×１０３Ａ／ｍ程
度の直流磁界７中にて蒸着されたＮｉＦｅの膜厚５００
Å程度の薄膜によりセンサパターンは構成され、磁場中
蒸着の磁界７方向とほぼ直角に配置したパターン幅１０
μｍ程度の短冊状の感知部パターン２と磁場中蒸着の磁
界方向とほぼ平行に配置した短冊状の補償部パターン３
を有している。これらのパターン２，３を直列に接続し
たセンサの両端に定電圧を加えるＶｃｃ端子４，Ｇｒｏ
ｕｎｄ端子５，感知部パターン２と補償部パターン３の
間に中点電位出力端子６を有した構成となっている。ま
た、図１（ｂ）は感知部パターン２に直角に磁界を加え
た時の磁気抵抗特性で、図１（ｃ）は補償部パターン３
に平行に磁界を加えた時の磁気抵抗特性である。
【００１０】本実施例による磁気センサの中点電位出力
特性を図２（ａ）に示しているが、この図から明らかな
ように、本実施例による磁気センサは零磁界近傍での中
点電位出力特性の点で優れた効果が得られる。これは補
償部パターン３の零磁界近傍のヒステリシスが解消され
たことによる。
特性を図２（ａ）に示しているが、この図から明らかな
ように、本実施例による磁気センサは零磁界近傍での中
点電位出力特性の点で優れた効果が得られる。これは補
償部パターン３の零磁界近傍のヒステリシスが解消され
たことによる。
【００１１】以上のように本実施例によれば、５×１０
３Ａ／ｍ程度の直流磁界中にてＮｉＦｅからなり膜厚５
００Åで磁場中蒸着の磁界方向とほぼ平行に配置した短
冊状の補償部パターンを設けることにより、補償部パタ
ーンの長手方向に一軸異方性を持たせ、零磁界近傍にお
けるヒステリシスをなくし、結果的に中点電位出力波形
の乱れをなくすことができる。
３Ａ／ｍ程度の直流磁界中にてＮｉＦｅからなり膜厚５
００Åで磁場中蒸着の磁界方向とほぼ平行に配置した短
冊状の補償部パターンを設けることにより、補償部パタ
ーンの長手方向に一軸異方性を持たせ、零磁界近傍にお
けるヒステリシスをなくし、結果的に中点電位出力波形
の乱れをなくすことができる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、補償部パ
ターンに平行な磁界が加えられた時の零磁界近傍でのヒ
ステリシスをもった特性を改善し、補償部パターンの抵
抗値の中点電位出力に及ぼす影響をなくすことによって
、零磁界近傍における中点電位出力波形の乱れのない優
れた磁気センサを実現できるものである。
ターンに平行な磁界が加えられた時の零磁界近傍でのヒ
ステリシスをもった特性を改善し、補償部パターンの抵
抗値の中点電位出力に及ぼす影響をなくすことによって
、零磁界近傍における中点電位出力波形の乱れのない優
れた磁気センサを実現できるものである。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例における磁気センサ
のパターンの平面図 （ｂ），（ｃ）はそれぞれ同センサの磁気抵抗特性図
のパターンの平面図 （ｂ），（ｃ）はそれぞれ同センサの磁気抵抗特性図
【
図２】（ａ），（ｂ）はそれぞれ本実施例及び従来の磁
気センサの出力特性図
図２】（ａ），（ｂ）はそれぞれ本実施例及び従来の磁
気センサの出力特性図
【図３】（ａ）は従来の磁気センサのパターンの平面図
（ｂ），（ｃ）はそれぞれ同センサの磁気抵抗特性図
（ｂ），（ｃ）はそれぞれ同センサの磁気抵抗特性図
１ 磁気センサ
２ 感知部パターン
３ 補償部パターン
４ Ｖｃｃ端子
５ Ｇｒｏｕｎｄ端子
６ 中点電位出力端子
Claims (1)
- 【請求項１】０．８×１０３〜１２×１０３Ａ／ｍの直
流磁界中にて蒸着することによってこの磁界方向とほぼ
直角に配置した短冊状の感知部パターンと磁界方向とほ
ぼ平行に配置した短冊状の補償部パターンをＮｉ系合金
からなり膜厚２５０〜２０００Å，パターン幅５〜３０
μｍの薄膜として形成することを特徴とする磁気センサ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3051024A JPH04286379A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 磁気センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3051024A JPH04286379A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 磁気センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04286379A true JPH04286379A (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=12875241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3051024A Pending JPH04286379A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 磁気センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04286379A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0712505A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-17 | Ckd Corp | 磁気リニアスケール |
| JP2007538386A (ja) * | 2004-03-24 | 2007-12-27 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 改善されたパーマロイ・センサ |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP3051024A patent/JPH04286379A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0712505A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-17 | Ckd Corp | 磁気リニアスケール |
| JP2007538386A (ja) * | 2004-03-24 | 2007-12-27 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 改善されたパーマロイ・センサ |
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