JP2677506B2

JP2677506B2 - 磁気リニアスケール

Info

Publication number: JP2677506B2
Application number: JP5184453A
Authority: JP
Inventors: 幸生小澤; 厚之坂井
Original assignee: CKD Corp
Current assignee: CKD Corp
Priority date: 1993-06-28
Filing date: 1993-06-28
Publication date: 1997-11-17
Anticipated expiration: 2012-11-17
Also published as: JPH0712505A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、強磁性体金属の薄膜に
より形成される磁気抵抗素子の磁気抵抗効果を利用し
て、移動する永久磁石の位置をリニアに検出する磁気リ
ニアスケールに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、磁気センサは、近接スイッチ、位
置検出器、電子ロック装置、キーボード、薄膜磁気ヘッ
ド、圧力スイッチングセンサ、パターン認識センサ等と
して広く使用されている。そして、磁界の強さを計測す
るための磁気センサには、磁気抵抗効果を有する磁気抵
抗素子が広く使用されている。ここで、磁気抵抗効果と
は、強磁性体金属薄膜等の素子を磁界内に置くとき、導
体中の内部電気抵抗が変化する現象をいう。磁気抵抗効
果を利用する磁気抵抗素子としては、インジウムアンチ
モン、ガリウム砒素等の化合物半導体を利用したもの
と、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｏ、パーマロイ等の強磁性体金属で
形成される磁気感応薄膜を利用したものの２種類が使用
されている。

【０００３】そして、一般に、半導体磁気抵抗素子では
磁界をかけるとその内部抵抗が増加する。すなわち、半
導体磁気抵抗素子は正の磁気特性をもっている。これに
対して強磁性体磁気抵抗素子では、磁界をかけるとその
内部抵抗が減少する。すなわち、強磁性体磁気抵抗素子
は負の磁気特性をもっている。一方、従来、強磁性体金
属で形成される磁気感応薄膜は、真空蒸着法やスパッタ
法を利用して、ガラス基板等の上にパーマロイ等の強磁
性体金属を、厚さ約１０００オングストロームの薄膜状
に付着させることにより形成されている。強磁性体金属
薄膜で形成される磁気抵抗素子は、半導体磁気抵抗素子
よりも周波数特性が優れているため広く使用されてい
る。磁気抵抗素子は、上記磁気感応薄膜をエッチング加
工により、つづら折れ状のパターンとすることで形成さ
れる。

【０００４】磁気抵抗素子パターンにより形成される磁
気センサをリニアスケールとして使用することが、実公
昭５７−６９６２号公報に記載されている。図１２に従
来の磁気リニアスケールを示す。磁気抵抗素子５１およ
び温度補償素子５２は、一定の線幅を有するパターンと
して形成されている。磁気抵抗素子５１および温度補償
素子５２のパターンは直角の位相差をもつように形成さ
れている。そして、磁気抵抗素子５１および温度補償素
子５２は、パターンの線の長手方向に対して直角に磁界
を受けた場合に、内部抵抗値が減少する性質を有してお
り、パターンの線の長手方向に磁界を受けた場合には、
内部抵抗値が変化しない。そのため、図１２に示すよう
に、永久磁石５７が矢印Ｂの方向に移動する場合、磁気
抵抗素子５１の内部抵抗値は変化するが、温度補償素子
５２の内部抵抗値は変化しない。。従って、この磁気抵
抗素子５１の内部抵抗の変化を計測することにより、永
久磁石の位置を検出することができる。

【０００５】一方、強磁性体金属薄膜のパターンで形成
される磁気抵抗素子では温度依存性が大きく、このまま
では実用上問題がある。強磁性体金属は一般的に温度に
より内部抵抗が変化する性質があり、また磁気抵抗素子
では薄膜状のパターンであるため温度変化の影響を受け
やすい。従って、磁気抵抗素子の内部抵抗が磁界の強さ
のみでなく、周囲温度によっても変化してしまう。この
問題を解決する手段として、図１２に示すように、磁気
抵抗素子５１と同一形状で方向の異なる温度補償回路５
２を同一基板上に設け、差動的に温度補償を行うことが
行われていた。すなわち、磁気抵抗素子５１のパターン
線の長手方向に平行に磁石５７が移動された場合、磁気
抵抗素子５１の内部抵抗値は減少するが、温度補償素子
５２の内部抵抗値は磁界によっては変化しない。よっ
て、温度補償素子５２の内部抵抗値の変化は、温度変化
のみを直接表わすこととなる。それに対して、磁気抵抗
素子５１の内部抵抗値は磁界の強さ及び周囲温度の両方
により変化している。従って、磁気抵抗素子５１の内部
抵抗値の変化を温度補償素子５２の内部抵抗値の変化に
より温度補償することが可能である。

【０００６】しかしながら、上記磁気リニアスケールに
は、次のような問題があった。従来の磁気リニアスケー
ルが検出可能な範囲は、最大１０ｍｍ程度であり長い距
離のリニアスケールとして使用することができなかっ
た。また、長い距離を計測するために従来の磁気リニア
スケールを大きくした場合、大きすぎて取付に制約を受
ける問題があった。その問題を解決する手段として、本
出願人は、実開平４−２１８１２号公報において、図１
３に示すように、磁気抵抗素子５１のつづら折れの長さ
を順次変化させることにより磁気リニアスケールの感度
をリニアに変化させ、長い距離に渡って計測可能な磁気
リニアスケールを提案した。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
磁気リニアスケールには、以下のような問題があった。（１）図１３に示す磁気リニアスケールでは、磁気抵抗
素子５１のつづら折れの長さを変化させているため、磁
気リニアスケールの幅が大きくなっていた。特に、磁気
リニアスケールは、狭い場所で簡単に使用できることに
利点があるため、幅が大きくなることは問題であった。
また、磁気リニアスケールが幅方向に変化しているた
め、永久磁石の位置が幅方向にずれた場合に、磁気リニ
アスケールの出力が大きく変動してしまっていた。その
ため、永久磁石に対して磁気リニアスケールを高い精度
で取り付ける必要があり、使い勝手が悪いという問題が
あった。

【０００８】（２）従来のように磁気抵抗素子５１およ
び温度補償素子５２を利用して差動的に温度補償を行わ
せるためには、磁気抵抗素子５１および温度補償素子５
２の寸法を精度よく管理することが必要であった。磁気
抵抗素子５１の温度変化による内部抵抗値の変化を温度
補償するのに、磁気抵抗素子５１および温度補償素子５
２の寸法精度が悪いと複雑な演算や定数を決定するため
の余分な実験等が必要になるためである。ここで、磁気
抵抗素子５１および温度補償素子５２の寸法等は、蒸着
により膜厚が決まり、エッチング加工によりパターンの
線幅が決まる。このうち、ウエットエッチング加工は、
エッチング液の濃度や液温度等により大きく変動するも
のであり、パターンの線幅を所定の幅に精度よく加工す
るのは難しかった。従って、磁気抵抗素子５１および温
度補償素子５２の加工精度を良くすることは困難であ
り、また、そのために余分なコストが発生していた。こ
のことは特に、磁気センサを周囲温度が数十度の幅で変
化する環境で使用するような場合に問題となっていた。

【０００９】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたものであり、幅が狭く、また周囲温度が変化
しても十分な温度補償を行って、永久磁石の位置を正確
に測定可能な磁気リニアスケールを容易かつ低コストで
提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、（１）本発明の磁気リニアスケールは、基板上に強磁性
体金属の蒸着薄膜により形成され、磁気抵抗効果を奏す
る磁気抵抗素子と、基板に対して一定間隔を保ちながら
平行移動する永久磁石を有する磁気リニアスケールであ
って、磁気抵抗素子が、永久磁石が移動する方向と直交
する方向において一定幅で形成され、永久磁石が移動す
る方向において密度がリニアに変化する。（２）上記（１）の構成を有する磁気リニアスケールに
おいて、磁気抵抗素子のパターンを構成する線よりも狭
い幅のパターンより構成される温度補償回路を有するこ
とを特徴とする。（３）上記（２）の構成を有する磁気リニアスケールに
おいて、温度補償回路のパターンの線幅を６μ以下とし
たことを特徴とする。

【００１１】（４）上記（１）及至（３）の構成を有す
る磁気リニアスケールにおいて、磁気抵抗素子が同一線
幅を有し、永久磁石が移動する方向に密度を順次変化さ
せたことを特徴とする。（５）上記（１）及至（３）の構成を有する磁気リニア
スケールにおいて、磁気抵抗素子が、永久磁石が移動す
る方向に線幅を順次変化させたことを特徴とする。
（６）上記（１）及至（３）の構成を有する磁気リニア
スケールにおいて、磁気抵抗素子が、永久磁石が移動す
る方向に広い線幅を有するパターンの密度を順次変化さ
せたことを特徴とする。（７）上記（１）及至（３）の構成を有する磁気リニア
スケールにおいて、磁気抵抗素子が、永久磁石が移動す
る方向に線幅および密度を順次変化させたことを特徴と
する。

【００１２】

【作用】上記の構成よりなる本発明の磁気リニアスケー
ルは、永久磁石が該磁気リニアスケールと一定間隔を保
ちながら平行に移動するときに、永久磁石が発生する磁
界の強さに応じて電気的な抵抗値が減少する。このと
き、磁気リニアスケールが永久磁石の移動方向において
密度がリニアに変化しているので、永久磁石の位置と電
気的な抵抗値の減少値とが１対１で対応する。従って、
この抵抗値の変化を測定することにより永久磁石の位置
を計測することができる。ここで、周囲温度が変化した
場合、磁気抵抗素子の内部抵抗値も周囲温度に応じて変
化する。一方、温度補償回路は、磁気抵抗素子を構成す
るパターンの線幅よりも小さい線幅のパターンで構成さ
れているので、温度補償回路は、磁気抵抗素子と比べて
磁界の強さの変化の影響を受けることが少ないため、正
確に磁気抵抗素子の温度補償を行うことができる。さら
に、温度補償回路のパターンの線幅を６μ以下で形成す
れば、温度補償回路の内部抵抗値が磁界の強さの影響を
ほとんど受けなくなり、周囲温度のみによって変化する
ことになるので、この温度補償回路を使用して容易に磁
気抵抗素子の温度補償を行うことができる。

【００１３】

【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例である磁
気リニアスケールについて図面を参照して説明する。本
発明を実施した磁気リニアスケールの概略構成を４種類
示す。図１は、磁気抵抗素子Ｒ１の線幅Ｗ１が一定で密
度を順次変化させた第一実施例を示している。図２は、
磁気抵抗素子Ｒ１の密度は一定で線幅を順次変化させた
第二実施例を示している。図３は、磁気抵抗素子Ｒ１の
密度は一定で広い線幅を有するパターンの密度を順次変
化させた第三の実施例を示している。図４は、第一実施
例と第二実施例とを組み合わせた第四実施例を示してい
る。いずれの実施例も、磁気抵抗素子Ｒ１は、永久磁石
５７が移動する方向Ｂと直交する方向に一定幅ＷＢで形
成され、永久磁石５７が移動する方向Ｂにおいて密度が
リニアに変化している。

【００１４】図５に磁気抵抗素子Ｒ１を利用した磁気リ
ニアスケール１１の第一の実施例の構成を示す。磁気リ
ニアスケール１１上には、磁気抵抗素子Ｒ１と温度補償
回路Ｒ２との２つのつづら折れ状のパターンが、各々直
角の位相差をもつように形成されている。ここで、磁気
抵抗素子Ｒ１は、図６の（ａ）に部分拡大図で示すよう
に、線幅Ｗ１＝２０μと一定でつづら折れパターンとし
て形成されている。磁気抵抗素子Ｒ１のつづら折れの間
隔ＷＡは、左端部におけるＷＡ１＝１．０８５ｍｍか
ら、右端部におけるＷＡ７７＝０．３２５ｍｍまで、つ
づら折れの間隔ＷＡを０．０１ｍｍづつ減少させながら
３９往復させている。これにより、磁気抵抗素子Ｒ１の
密度は３倍以上に変化している。本実施例の磁気リニア
スケール１１は、幅３ｍｍ、長さ約６０ｍｍである。本
実施例の磁気リニアスケール１１によれば、磁気抵抗素
子Ｒ１のつづら折れパターンの幅を一定にしたままで、
密度を変化させているので、磁気リニアスケール１１の
幅を３ｍｍと小さくすることができている。

【００１５】また、温度補償回路Ｒ２は、図６の（ｂ）
に部分拡大図で示すように、線幅Ｗ２＝４μで４往復の
つづら折れパターンとして形成されている。本実施例で
は、磁気抵抗素子Ｒ１および温度補償回路Ｒ２の素材で
ある強磁性体金属として、共にパーマロイ（Ｎｉ−Ｆ
ｅ，８３：１７）を使用している。磁気抵抗素子Ｒ１
は、パターンの線の長手方向に対して直角に磁界を受け
た場合に、抵抗値が減少する性質を有しており、パター
ンの線の長手方向に磁界を受けた場合には、抵抗値が変
化しない。磁気抵抗素子Ｒ１の両端に端子部１２，１３
が配設され、温度補償回路Ｒ２の両端に端子部１３，１
４が配設されている。

【００１６】次に磁気センサ１の検出回路について説明
する。図９に磁気リニアスケール１１の検出回路を示
す。端子１２，１４の間に直流電圧Ｖｃｃがかけられて
いる。ここで、端子部１３，１５の間の直流電圧がオペ
アンプ２１を介して出力Ｓとして出力され検出される。

【００１７】次に、周囲温度が変化する場合について説
明する。温度補償回路Ｒ２について説明する。本発明者
が実験したデータを図１０に示す。横軸は、パターンを
構成する線幅をミクロン単位で示し、縦軸は、そのパタ
ーンを磁気抵抗素子Ｒ１として使用した場合の磁気抵抗
変化率を示している。磁界の強さを１００ガウスで実験
したデータを点線３８で示し、磁界の強さを５０ガウス
で実験したデータを一点鎖線３９で示し、磁界の強さを
２５ガウスで実験したデータを実線４０で示す。

【００１８】このデータによれば、パターン幅が減少す
ると、磁気抵抗素子の磁気抵抗変化率が減少しているこ
とがわかる。従って、温度補償回路Ｒ２として、磁気抵
抗素子Ｒ１のパターン幅よりも小さい線幅のパターンを
使用すれば、温度補償回路Ｒ２の磁界の強さによる影響
が少ないので、従来の同一幅のパターンを使用していた
温度補償回路５２よりも正確に温度補償を行うことが可
能である。すなわち、線幅の大きいパターンを使用する
温度補償回路の場合と比較して、線幅の小さいパターン
を使用する温度補償回路の方が磁界の強さの影響を受け
る量が少ない分だけ、線幅の製作精度に誤差があった場
合でも、正確な温度補償を行うことができる。

【００１９】さらに、このデータより、磁気抵抗素子の
パターンを構成する線の線幅を４μ以下とすると磁気抵
抗変化率はほぼゼロとなることがわかる。すなわち、温
度補償回路のパターンの線幅を４μｍ以下とすれば、磁
界の強度が２５ガウスでは、磁気抵抗変化率はほぼゼロ
となり、また、５０ガウスでは、磁気抵抗変化率が０．
１５％と実用上ほぼゼロとなる。一方、１００ガウスで
は、磁気抵抗変化率は約１％である。一般に、近接スイ
ッチや位置検出器として使用される磁気センサでは、磁
界の強度は５０ガウス以下の場合がほとんどである。実
用的には、本実施の形態にベストモードとして開示した
ように、温度補償回路の線幅を４μｍ以下とすれば、磁
気抵抗変化率がほぼゼロとなり、問題でなくなる。従っ
て、パターン幅を４μ以下とすれば、磁気抵抗素子と同
じ素材である強磁性体金属薄膜を使用しても磁界の強さ
によって薄膜の内部抵抗値が変化しないことがわかる。
一方、周囲の温度変化による内部抵抗値の変化は、パタ
ーン幅によって影響を受けないため、強磁性体金属薄膜
をパターン幅４μｍ以下で形成すれば、温度補償回路と
して優れた性質を持つことがわかる。すなわち、温度補
償回路Ｒ２が磁気抵抗素子Ｒ１と同じ材質の強磁性体金
属薄膜で構成され、かつパターン幅が４μｍ以下で形成
されているので、製造工程におけるエッチング工程等の
ばらつきによって温度補償回路Ｒ２がほとんど影響を受
けないため、常に正確な温度補償を行うことができる。
また、温度補償回路Ｒ２の形状を磁気抵抗素子Ｒ１の形
状と無関係に決定することが可能となり、温度補償回路
Ｒ２を図５に示すように小型化することができる。

【００２０】図１１に第一実施例の磁気リニアスケール
１１の実験データを示す。横軸に永久磁石５７の位置を
移動距離として示し、縦軸に出力Ｓを示す。永久磁石５
７は、シリンダピストンに付設される円筒状で厚さが３
ｍｍである。永久磁石５７と磁気リニアスケール１１と
の間隔を２ｍｍとった状態で永久磁石を磁気リニアスケ
ール１１の長手方向に平行移動させる実験のデータであ
る。永久磁石５７が磁気リニアスケール１１の左端部か
ら右端部に移動するに伴って、磁気リニアスケール１１
の密度が高くなるため、磁気抵抗素子Ｒ１の内部抵抗が
減少するため、出力Ｓは磁気抵抗素子Ｒ１の内部抵抗の
減少に比例して減少している。従って、図１１より永久
磁石５７の移動距離が４０ｍｍ以内であれば、出力Ｓに
より永久磁石５７の位置を検出できることがわかる。本
実施例の磁気リニアスケール１１によれば、４０ｍｍに
渡って永久磁石５７の位置を正確に検出することができ
る。

【００２１】次に、本発明の第二の実施例について説明
する。図７に磁気抵抗素子Ｒ１を利用した磁気リニアス
ケール１１の第二実施例の構成を示す。磁気リニアスケ
ール１１上には、磁気抵抗素子Ｒ１と温度補償回路Ｒ２
との２つのつづら折れ状のパターンが、各々直角の位相
差をもつように形成されている。ここで、磁気抵抗素子
Ｒ１は、図８の（ａ）および（ｃ）に部分拡大図で示す
ように、線幅Ｗ１は左端部で４μから、右端部で４２．
５μまで０．５μづつ線幅を拡大しながら、３９往復し
てつづら折れパターンを形成している。ここで、つづら
折れの間隔ＷＡは０．７０５ｍｍで一定である。これに
より、磁気抵抗素子Ｒ１の密度は左端部と右端部とで約
１０倍に変化している。

【００２２】また、温度補償回路Ｒ２は、図８の（ｂ）
に部分拡大図で示すように、線幅Ｗ２＝４μで４往復の
つづら折れパターンとして形成されている。本実施例で
は、磁気抵抗素子Ｒ１および温度補償回路Ｒ２の素材で
ある強磁性体金属として、共にパーマロイ（Ｎｉ−Ｆ
ｅ，８３：１７）を使用している。磁気抵抗素子Ｒ１
は、パターンの線の長手方向に対して直角に磁界を受け
た場合に、抵抗値が減少する性質を有しており、パター
ンの線の長手方向に磁界を受けた場合には、抵抗値が変
化しない。磁気抵抗素子Ｒ１の両端に端子部１２，１３
が配設され、温度補償回路Ｒ２の両端に端子部１３，１
４が配設されている。第二の実施例の場合でも、検出回
路および温度補償回路は第一実施例と同じであるので、
説明を省略する。第二実施例によれば、磁気抵抗素子Ｒ
１の密度を第一実施例の３倍以上にできるため、永久磁
石の検出感度を高めることができる。

【００２３】次に、第三の実施例は図３に示すように、
左端部では４本のつづら折れのうちの１本が広い線幅を
有し、次の４本のつづら折れでは２本が広い幅を有し、
次の４本のつづら折れでは３本が広い幅を有し、次の４
本のつづら折れでは４本が広い幅を有している。このよ
うに、広い幅を有する線の密度を順次変化させることに
より、一定幅ＷＢを有しながら密度をリニアに変化させ
ている。次に、第四実施例によれば、第一実施例と第二
実施例とを組み合わせているので、磁気リニアスケール
１１の左端部と右端部とで磁気抵抗素子Ｒ１の密度を３
０倍変化させることができるため、永久磁石５７の検出
感度をさらに高くすることができる。

【００２４】以上詳細に説明したように、本発明の磁気
リニアスケールによれば、磁気抵抗素子１１が永久磁石
が移動する方向と直交する方向において一定幅で形成さ
れ、永久磁石が移動する方向において密度がリニアに変
化しているので、永久磁石の位置を長い範囲に渡ってリ
ニアかつ正確に検出できる。また、磁気リニアスケール
１１の幅が３ｍｍと狭く製作できるため、スペースをと
らずコンパクトである。また、幅方向において磁気リニ
アスケール１１は均一性を有しているので、磁気リニア
スケール１１が永久磁石に対して横ずれしても出力の変
化が少なく、磁気リニアスケール１１の取付が容易にな
る。

【００２５】本発明は上記実施例に限定されることな
く、色々な応用が可能である。例えば、本実施例では、
強磁性体金属材料としてパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ，８
３：１７）を使用しているが、合金の成分比率が変わっ
たばあいでも同様である。また、材料としてＮｉやＮｉ
−Ｃｏを使用した場合でも同様である。また、本実施例
ではバイアス用磁石を使用していないが、磁気抵抗素子
にバイアス用磁石を使用したばあいでも同様の効果が発
揮される。また、本実施例では、密度や線幅等をリニア
に変化させているが、二次関数的に変化させて、出力を
演算処理することにより永久磁石の位置を算出すること
もできる。また、本実施例では、温度補償回路Ｒ２を磁
気抵抗素子Ｒ１の一部に平行に配置したが、温度補償回
路Ｒ２を磁気抵抗素子Ｒ１の直列的に配置しても良い。

【００２６】

【発明の効果】以上説明したことから明かなように、本
発明の磁気リニアスケールによれば、磁気抵抗素子が、
永久磁石が移動する方向と直交する方向において一定幅
で形成され、永久磁石が移動する方向において密度がリ
ニアに変化しているので、永久磁石の位置を長い範囲に
渡ってリニアかつ正確に検出できる。また、磁気リニア
スケールの幅を狭く製作できるため、スペースをとらず
コンパクトな磁気リニアスケールを実現できる。また、
幅方向において磁気リニアスケールは均一性を有してい
るので、磁気リニアスケールが永久磁石に対して横ずれ
しても出力の変化が少ないため、磁気リニアスケールの
取付が容易になる。

【００２７】また、本発明の磁気リニアスケールによれ
ば、磁気抵抗素子のパターンを構成する線よりも狭い幅
のパターンより構成される温度補償回路を有しているの
で、温度補償を正確に行うことができるため、永久磁石
の位置を長い範囲に渡ってリニアかつ正確に検出でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一実施例の磁気リニアスケールの構
成を示す概念図である。

【図２】本発明の第二実施例の磁気リニアスケールの構
成を示す概念図である。

【図３】本発明の第三実施例の磁気リニアスケールの構
成を示す概念図である。

【図４】本発明の第四実施例の磁気リニアスケールの構
成を示す概念図である。

【図５】第一実施例の磁気リニアスケールの構成を示す
平面図である。

【図６】第一実施例の磁気リニアスケールの構成の詳細
を示す部分拡大図である。

【図７】第二実施例の磁気リニアスケールの構成を示す
平面図である。

【図８】第二実施例の磁気リニアスケールの構成の詳細
を示す部分拡大図である。

【図９】磁気リニアスケールの検出回路図である。

【図１０】磁気抵抗素子の磁気抵抗変化率を示すデータ
図である。

【図１１】第一実施例の磁気リニアスケールの実験デー
タを示す図である。

【図１２】従来の磁気リニアスケールの構成を示す平面
図である。

【図１３】従来の別の磁気リニアスケールの構成を示す
平面図である。

【符号の説明】

１１磁気リニアスケール５７永久磁石Ｒ１磁気抵抗素子Ｒ２温度補償回路Ｂ永久磁石の移動方向

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に強磁性体金属の蒸着薄膜により
形成され、磁気抵抗効果を奏する磁気抵抗素子と、基板
に対して一定間隔を保ちながら平行移動する永久磁石を
有する磁気リニアスケールにおいて、前記磁気抵抗素子が、前記永久磁石が移動する方向と直
交する方向において一定幅で形成され、前記永久磁石が
移動する方向において密度がリニアに変化すると共に、前記永久磁石から前記磁気抵抗素子が検出する検出磁界
強度が２５ガウス以上５０ガウス以下であって、前記磁気抵抗素子を構成する線よりも狭い４μｍ以下の
線幅としたパターンより構成される温度補償回路を有す
ることを特徴とする磁気リニアスケール。
【請求項２】基板上に強磁性体金属の蒸着薄膜により
形成され、磁気抵抗効果を奏する磁気抵抗素子と、基板
に対して一定間隔を保ちながら平行移動する永久磁石を
有する磁気リニアスケールにおいて、前記磁気抵抗素子が、前記永久磁石が移動する方向と直
交する方向において一定幅で形成され、前記永久磁石が
移動する方向に線幅を順次変化させたことを特徴とする
磁気リニアスケール。
【請求項３】基板上に強磁性体金属の蒸着薄膜により
形成され、磁気抵抗効果を奏する磁気抵抗素子と、基板
に対して一定間隔を保ちながら平行移動する永久磁石を
有する磁気リニアスケールにおいて、前記磁気抵抗素子が、前記永久磁石が移動する方向にお
いて、広い線幅と狭い線幅とで構成され、前記広い線幅
の割合を順次変化させたことを特徴とする磁気リニアス
ケール。