CN114609560B - 一种二维amr磁敏传感器及其制备工艺 - Google Patents

一种二维amr磁敏传感器及其制备工艺 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种二维AMR磁敏传感器及其制备工艺，该二维AMR磁敏传感器包括从下至上依次连接的衬底、氧化层、磁阻层、barber电极层和钝化层；所述磁阻层内设置有第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥；所述第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥呈菱形排布。通过上述方案，本发明具有结构简单、占用面积小、集成度高、采集可靠等优点，在电子元器件技术领域具有很高的实用价值和推广价值。

Description

一种二维AMR磁敏传感器及其制备工艺
技术领域
本发明涉及电子元器件技术领域，尤其是一种二维AMR磁敏传感器及其制备工艺。
背景技术
目前，市面上磁敏传感技术主要应用在有大量市场的霍尔和磁阻传感器方面。其中，基于各向异性磁阻（AMR）原理制备的磁敏传感器具有体积小，灵敏度高，温度稳定性好的优势，广泛应用在电子罗盘、磁场环境检测和电流传感等方面。但是，市面上已有大量一维AMR开关传感器和线性传感器，二维AMR磁敏传感器仅仅停留在实验室阶段，由于二维AMR磁敏传感器结构设计单一和工艺性差一直是研究的瓶颈。可以说，在现有单一磁敏传感器上实现二维弱磁的有效检测，必须扩展磁敏传感器的线性工作区间，提高灵敏度，这对磁敏传感器结构设计和工艺提出了更高的要求。
因此，急需要提出一种结构简单、测量准确的二维AMR磁敏传感器，以满足同时检测二维方向的弱磁场，并在二维方向上实现弱磁检测功能。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的在于提供一种二维AMR磁敏传感器及其制备工艺，本发明采用的技术方案如下：
一种二维AMR磁敏传感器，其包括从下至上依次连接的衬底、氧化层、磁阻层、barber电极层和钝化层；所述磁阻层内设置有第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥；所述第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥呈菱形排布；所述第一惠斯通电桥的输出电压
Figure 668956DEST_PATH_IMAGE001
满足以下公式：
Figure 170344DEST_PATH_IMAGE002
其中，R表示第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥内的磁阻单元的电阻值；
Figure 181026DEST_PATH_IMAGE003
表示第一惠斯通电桥内任一磁阻单元在磁场的作用下电阻变化值；
Figure 617823DEST_PATH_IMAGE004
表示第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥施加电压；
所述第二惠斯通电桥的输出电压
Figure 713955DEST_PATH_IMAGE005
满足以下公式：
Figure 753455DEST_PATH_IMAGE006
其中，
Figure 618643DEST_PATH_IMAGE005
表示第二惠斯通电桥的输出电压，
Figure 757501DEST_PATH_IMAGE007
表示第二惠斯通电桥内任一磁阻单元在磁场的作用下电阻变化值。
进一步地，所述第一惠斯通电桥包括第一磁阻单元R1、第二磁阻单元R2、第三磁阻单元R3和第四磁阻单元R4；所述第一磁阻单元R1的一端与第四磁阻单元R4的一端连接，并外接电桥施加电压；所述第一磁阻单元R1的另一端与第二磁阻单元R2的一端连接，并外接输出电压Vout1+；所述第四磁阻单元R4的另一端与第三磁阻单元R3的一端连接，并外接输出电压Vout1-；所述第二磁阻单元R2的另一端与第三磁阻单元R3的另一端连接，并接地。
更进一步地，所述第二惠斯通电桥包括第五磁阻单元R5、第六磁阻单元R6、第七磁阻单元R7和第八磁阻单元R8；所述第五磁阻单元R5的一端与第八磁阻单元R8的一端连接，并外接电桥施加电压；所述第五磁阻单元R5的另一端与第六磁阻单元R6的一端连接，并外接输出电压Vout2+；所述第八磁阻单元R8的另一端与第七磁阻单元R7的一端连接，并外接输出电压Vout2-；所述第六磁阻单元R6的另一端与第七磁阻单元R7的另一端连接，并接地。
优选地，所述第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥内的磁阻单元的组成和结构相同。
进一步地，所述第一磁阻单元R1与第二磁阻单元R2、第二磁阻单元R2与第三磁阻单元R3、第三磁阻单元R3与第四磁阻单元R4之间的相位差均为90度；所述第一磁阻单元R1与第三磁阻单元R3平行布设；所述第二磁阻单元R2与第四磁阻单元R4平行布设。
更进一步地，所述第五磁阻单元R5与第六磁阻单元R6、第六磁阻单元R6与第七磁阻单元R7、第七磁阻单元R7与第八磁阻单元R8之间的的相位差均为90度；所述第五磁阻单元R5与第七磁阻单元R7平行布设；所述第六磁阻单元R6与第八磁阻单元R8平行布设。
更进一步地，所述第五磁阻单元R5位于第一磁阻单元R1与第二磁阻单元R2之间，且与第一磁阻单元R1和第二磁阻单元R2之间的相位均为135度；所述第六磁阻单元R6位于第二磁阻单元R2与第三磁阻单元R3之间，且与第二磁阻单元R2和第三磁阻单元R3之间的相位均为135度；所述第七磁阻单元R7位于第三磁阻单元R3与第四磁阻单元R4之间，且与第三磁阻单元R3和第四磁阻单元R4之间的相位均为135度；所述第八磁阻单元R8位于第一磁阻单元R1与第四磁阻单元R4之间，且与第一磁阻单元R1和第四磁阻单元R4之间的相位均为135度。
优选地，所述barber电极层应用在磁阻薄膜上，且barber电极层上的barber电极与磁阻单元的磁阻条长轴方向成45度夹角。
进一步地，所述磁阻层包括从下至上依次设置的第一缓冲层、NiFe薄膜层和保护层；所述barber电极层包括从下至上依次设置的第二缓冲层和铝电极。
一种二维AMR磁敏传感器的制备工艺，其包括以下步骤：
清洗单晶硅衬底，烘干后；
在衬底表面热氧化处理形成一层氧化层；
按照掩模版图形进行光刻，磁控溅射铁镍薄膜；
真空磁场退火处理后形成磁阻层，利用电子束蒸发金属铝；
在图形光刻形成barber电极层上形成一层Si3N4钝化层。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
（1）本发明巧妙地应用barber电极的二维磁敏传感器，可以同时检测两个方向的弱磁场，二维磁敏传感器包含两个惠斯通电桥，两个惠斯通电桥由一个电桥电压驱动工作，在外磁场作用下，分别以电压形式输出。在敏感薄膜单元上应用barber电极后，能有效改变电流与磁畴的夹角，扩大线性工作区间，提高灵敏度，传感器在弱磁场环境下测量更加准确；
（2）本发明巧妙地设置两个结构相同的惠斯通电桥结构，通过外磁场作用导致第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥的电阻发生改变，并以电压形式输出。采用高集成技术将多层薄膜结构形成一个有机整体。这种集成化的传感器结构紧凑，制备工艺简单，具有较高的可靠性和灵敏度，该结构应用barber电极的新型敏感单元结构，既扩大了磁敏传感器的线性工作区间，又提高了其灵敏度，可以实现二维方向弱磁场的探测；
（3）本发明通过设置内外布设的惠斯通电桥，即第二惠斯通电桥设置在第一惠斯通电桥内侧，并且第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥均为菱形形状，既提升了芯片的集成度，又能够有效降低芯片的使用面积，降低生产成本；
（4）本发明应用barber电极的新型敏感单元结构，既扩大了磁敏传感器的线性工作区间，又提高了磁敏传感器灵敏度，可以实现二维方向弱磁场的探测；
综上所述，本发明具有结构简单、占用面积小、集成度高、采集可靠等优点，在电子元器件技术领域具有很高的实用价值和推广价值。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需使用的附图作简单介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对保护范围的限定，对于本领域技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明的惠斯通电桥布设结构示意图。
图3为本发明的惠斯通电桥的等效原理图。
图4为本发明的AMR磁敏传感器输出曲线、拟合直线图。
图5为本发明的芯片灵敏度测试曲线图。
上述附图中，附图标记对应的部件名称如下：
1、衬底；2、氧化层；3、磁阻层；4、barber电极层；5、钝化层。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更为清楚，下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明，本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
实施例
如图1至图5所示，本实施例提供了一种二维AMR磁敏传感器及其制备工艺，具体来说：
该二维AMR磁敏传感器从下到上主要包括衬底、氧化层、磁阻层、barber电极层和钝化层；其中磁阻层包括两个惠斯通电桥结构，第一惠斯通电桥包括第一磁阻单元R1，第二磁阻单元R2，第三磁阻单元R3和第四磁阻单元R4，第二惠斯通电桥包括第五磁阻单元R5、第六磁阻单元R6、第七磁阻单元R7和第八磁阻单元R8，八个磁阻单元材料组成和结构完全相同；第一惠斯通电桥的四个磁阻单元按照串并联方式连接，平面形状为菱形，且第一磁阻单元R1和第二磁阻单元R2相位相差90°，第二磁阻单元R2与第三磁阻单元R3相位相差90°，第三磁阻单元R3与第四磁阻单元R4相位相差90°，第四磁阻单元R4与第一磁阻单元R1相位相差90°，第一磁阻单元R1与第三磁阻单元R3平行，第二磁阻单元R2与第四磁阻单元R4平行；第二惠斯通电桥同样按照串并联方式连接，平面形状也为菱形，第五磁阻单元R5与第六磁阻单元R6相位相差90°，第六磁阻单元R6与第七磁阻单元R7相位相差90°，第七磁阻单元R7与第八磁阻单元R8相位相差90°，第八磁阻单元R8与第五磁阻单元R5相位相差90°第五磁阻单元R5与第七磁阻单元R7平行，第六磁阻单元R6与第八磁阻单元R8平行。
在本实施例中，为了提高集成度，保证检测可靠，该第五磁阻单元R5位于第一磁阻单元R1和第二磁阻单元R2之间，与第一磁阻单元R1和第二磁阻单元R2相位相差135°，第六磁阻单元R6位于第二磁阻单元R2和第三磁阻单元R3之间，与第二磁阻单元R2和第三磁阻单元R3相位相差135°，第七磁阻单元R7位于第三磁阻单元R3和第四磁阻单元R4之间，与第三磁阻单元R3和第四磁阻单元R4相位相差135°，第八磁阻单元R8位于第四磁阻单元R4和第一磁阻单元R1之间，与第一磁阻单元R1和第八磁阻单元R8相位相差135°。
在本实施例中，惠斯通电桥中的八个磁阻单元的平面形状为四角星形状；barber电极应用在磁阻薄膜上，且barber电极与磁阻条长轴方向成45°角，测试电极也应用金属铝引出。AMR磁敏传感器结构示意图如图1所示，衬底1为单晶硅；氧化层2为SiO2 ,具有良好的绝缘性和拉伸性，化学性质稳定，用于作为衬底和敏感单元的隔离介质层；磁阻层3采用的材料是具有各向异性的铁镍合金，其中镍的含量约为80%，磁阻层中的磁阻单元由多条长条形磁阻条平行排列组成，磁阻条两端呈尖角形状，尖角的角度为30°，磁阻单元通过磁控溅射铁镍合金薄膜，按照掩模版的图形进行光刻，然后采用lift-off工艺形成如图2所示的磁阻单元图形。本实施例的barber电极层4选用金属铝为原材料，因为金属铝具有良好的导电性且成本低，barber电极与磁阻条长度方向的夹角为45°，barber电极通过电子束蒸发金属铝，按照一定的图形进行光刻，然后采用剥离工艺得到。在本实施例中，钝化层5为Si3N4，用于保护下层敏感薄膜单元，防止敏感薄膜单元被氧化。最后将这种多层薄膜结构采用高度集成技术形成一个有机整体，既提升了芯片的集成度，又能够有效降低芯片的使用面积，降低生产成本，AMR磁敏传感器等效电路如图3所示。
AMR磁敏传感器的输出模式：假设八个磁阻单元的磁电阻完全相同，电阻值均为R，两个惠斯通电桥共同施加电压Vb，当无外加磁场时，八个磁阻单元的电阻没有发生改变，两个惠斯通电桥均处于平衡状态无电压输出，当外加与敏感薄膜平面平行的弱磁场H时，H可分解为作用于第一惠斯通电桥的磁场Hfirst和作用于第二惠斯通电桥的磁场Hsecond两个分量，第一惠斯通电桥的每个磁阻单元在Hfirst的作用下电阻变化为ΔRfirst；第二惠斯通电桥的每个磁阻单元在Hsecond的作用下电阻变化为ΔRsecond，因此第一惠斯通电桥输出电压可表示为：
Figure 668825DEST_PATH_IMAGE002
其中，R表示惠斯通电桥内的磁阻单元的电阻值；
Figure 918540DEST_PATH_IMAGE003
表示第一惠斯通电桥内任一磁阻单元在磁场的作用下电阻变化值；
Figure 372656DEST_PATH_IMAGE004
表示电桥施加电压；
所述第二惠斯通电桥的输出电压满足以下公式：
Figure 682414DEST_PATH_IMAGE006
其中，
Figure 582499DEST_PATH_IMAGE007
表示第二惠斯通电桥内任一磁阻单元在磁场的作用下电阻变化值。
在本实施例中，根据弱磁场H大小和方向的不同，电桥输出电压在一定范围内（-6gauss～+6gauss）基本上呈线性输出，即磁敏传感器在二维方向有输出特性，输出示意图如图4所示。
在本实施例还说明了该AMR磁敏传感器制备工艺：
首先，清洗单晶硅衬底，烘干后在衬底表面热氧化处理形成一层氧化层；
再按照掩模版图形进行光刻工艺，磁控溅射铁镍薄膜，经过特殊真空磁场退火处理后形成磁阻层；
然后，电子束蒸发金属铝，按照一定的图形光刻形成barber电极层；
最后，生长一层Si3N4钝化层。制备工艺完成后封装处理后，用于测试性能。
在本实施例中，该磁阻层有三层结构，第一是缓冲层，第二层是NiFe薄膜层，第三层是保护层，缓冲层选择Ta, 膜厚在2nm-5nm之间，主要作用是减小NiFe溅射时衬底的应力作用，NiFe薄膜膜厚在28nm-35nm之间，作为磁敏传感器的核心，保护层也是Ta，膜厚在15nm-25nm之间，用于保护NiFe薄膜直接与空气接触被氧化。另外，barber电极层有两层结构，第一层是缓冲层，第二层是铝电极，缓冲层是Ti或TiN，膜厚在10nm-15nm之间，用于增强磁阻层与barber电极层的附着力，铝电极膜厚在400nm-500nm之间，用于改变电流方向与易磁化轴的夹角。
如图4至图5所示，通过芯片输出曲线、线性拟合直线测试可知，外加磁场范围：-40Oe～40 Oe；磁场传感器芯片的最大输出电压为：34.1 mV，其对应外加磁场为：8.6Oe；该磁场传感器芯片的最小输出电压为：-34.1 mV,对应外加磁场为：-8.4Oe；在本实施例中，通过最小二乘法拟合,得到直线方程：y = 4.8516x- 0.6947。经过反复试验，本实施例的磁场传感器芯片的相对变化绝对值小于20%的范围为±8.2Oe即为芯片的有效磁场工作范围。另外，本实施例通过芯片灵敏度测试可知，其灵敏度在1.19 mV/V/Oe范围内，符合检测要求。
上述实施例仅为本发明的优选实施例，并非对本发明保护范围的限制，但凡采用本发明的设计原理，以及在此基础上进行非创造性劳动而作出的变化，均应属于本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种二维AMR磁敏传感器，其特征在于，包括从下至上依次连接的衬底（1）、氧化层（2）、磁阻层（3）、barber电极层（4）和钝化层（5）；所述磁阻层（3）内设置有内外布设的第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥；所述第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥呈菱形排布；所述第一惠斯通电桥的输出电压
Figure DEST_PATH_IMAGE001
满足以下公式：
Figure DEST_PATH_IMAGE002
其中，R表示第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥内的磁阻单元的电阻值；
Figure DEST_PATH_IMAGE003
表示第一惠斯通电桥内任一磁阻单元在磁场的作用下电阻变化值；
Figure DEST_PATH_IMAGE004
表示第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥施加电压；
所述第二惠斯通电桥的输出电压
Figure DEST_PATH_IMAGE005
满足以下公式：
Figure DEST_PATH_IMAGE006
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE007
表示第二惠斯通电桥内任一磁阻单元在磁场的作用下电阻变化值；
所述第一惠斯通电桥包括第一磁阻单元R1、第二磁阻单元R2、第三磁阻单元R3和第四磁阻单元R4；所述第一磁阻单元R1的一端与第四磁阻单元R4的一端连接，并外接电桥施加电压；所述第一磁阻单元R1的另一端与第二磁阻单元R2的一端连接，并外接输出电压Vout1+；所述第四磁阻单元R4的另一端与第三磁阻单元R3的一端连接，并外接输出电压Vout1-；所述第二磁阻单元R2的另一端与第三磁阻单元R3的另一端连接，并接地；
所述第二惠斯通电桥包括第五磁阻单元R5、第六磁阻单元R6、第七磁阻单元R7和第八磁阻单元R8；所述第五磁阻单元R5的一端与第八磁阻单元R8的一端连接，并外接电桥施加电压；所述第五磁阻单元R5的另一端与第六磁阻单元R6的一端连接，并外接输出电压Vout2+；所述第八磁阻单元R8的另一端与第七磁阻单元R7的一端连接，并外接输出电压Vout2-；所述第六磁阻单元R6的另一端与第七磁阻单元R7的另一端连接，并接地；
所述第一磁阻单元R1与第二磁阻单元R2、第二磁阻单元R2与第三磁阻单元R3、第三磁阻单元R3与第四磁阻单元R4之间的相位差均为90度；所述第一磁阻单元R1与第三磁阻单元R3平行布设；所述第二磁阻单元R2与第四磁阻单元R4平行布设；
所述第五磁阻单元R5与第六磁阻单元R6、第六磁阻单元R6与第七磁阻单元R7、第七磁阻单元R7与第八磁阻单元R8之间的相位差均为90度；所述第五磁阻单元R5与第七磁阻单元R7平行布设；所述第六磁阻单元R6与第八磁阻单元R8平行布设；
所述第五磁阻单元R5位于第一磁阻单元R1与第二磁阻单元R2之间，且与第一磁阻单元R1和第二磁阻单元R2之间的相位均为135度；所述第六磁阻单元R6位于第二磁阻单元R2与第三磁阻单元R3之间，且与第二磁阻单元R2和第三磁阻单元R3之间的相位均为135度；所述第七磁阻单元R7位于第三磁阻单元R3与第四磁阻单元R4之间，且与第三磁阻单元R3和第四磁阻单元R4之间的相位均为135度；所述第八磁阻单元R8位于第一磁阻单元R1与第四磁阻单元R4之间，且与第一磁阻单元R1和第四磁阻单元R4之间的相位均为135度；
所述barber电极层（4）应用在磁阻薄膜上，且barber电极层（4）上的barber电极与磁阻单元的磁阻条长轴方向成45度夹角。
2.根据权利要求1所述的一种二维AMR磁敏传感器，其特征在于，所述第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥内的磁阻单元的组成和结构相同。
3.根据权利要求1所述的一种二维AMR磁敏传感器，其特征在于，所述磁阻层（3）包括从下至上依次设置的第一缓冲层、NiFe薄膜层和保护层；所述barber电极层（4）包括从下至上依次设置的第二缓冲层和铝电极。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116699482A (zh) * 2023-08-08 2023-09-05 北京智芯微电子科技有限公司 磁传感器、防窃电的电能表

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101180519A (zh) * 2005-03-23 2008-05-14 霍尼韦尔国际公司 利用多个旋转构造的磁性传感器的角度位置检测
CN109716547A (zh) * 2016-08-10 2019-05-03 阿尔卑斯阿尔派株式会社 交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置
CN109814050A (zh) * 2019-01-10 2019-05-28 东南大学 一种应用Barber电极的桥式薄膜磁阻传感器
CN111065882A (zh) * 2017-07-17 2020-04-24 德克萨斯仪器股份有限公司 具有amr角度传感器的各向异性磁阻(amr)角度传感器管芯

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7005958B2 (en) * 2002-06-14 2006-02-28 Honeywell International Inc. Dual axis magnetic sensor
EP2153165B1 (en) * 2007-05-29 2012-06-20 Nxp B.V. External magnetic field angle determination
US8257596B2 (en) * 2009-04-30 2012-09-04 Everspin Technologies, Inc. Two-axis magnetic field sensor with substantially orthogonal pinning directions
US8947082B2 (en) * 2011-10-21 2015-02-03 University College Cork, National University Of Ireland Dual-axis anisotropic magnetoresistive sensors
CN102841324A (zh) * 2012-09-05 2012-12-26 复旦大学 一种各向异性磁阻器件的电路结构
CN103413643B (zh) * 2013-08-26 2015-12-09 四川永星电子有限公司 一种平行双面绕制电阻器
CN103954920B (zh) * 2014-04-17 2016-09-14 江苏多维科技有限公司 一种单芯片三轴线性磁传感器及其制备方法
WO2016080470A1 (ja) * 2014-11-18 2016-05-26 日立金属株式会社 磁気センサ及びその製造方法並びにそれを用いた電流量検出器
US9910106B2 (en) * 2015-04-29 2018-03-06 Everspin Technologies, Inc. Magnetic field sensor with increased linearity
CN104977549B (zh) * 2015-07-17 2017-09-01 中国人民解放军理工大学 三棱锥形三维脉冲磁场测量装置与方法
TWI695965B (zh) * 2017-12-21 2020-06-11 愛盛科技股份有限公司 磁場感測裝置
CN108717169B (zh) * 2018-06-22 2020-10-09 钱正洪 一种二维磁场传感器
CN109752677A (zh) * 2019-01-10 2019-05-14 东南大学 一种双电桥式薄膜磁阻传感器
CN114236436B (zh) * 2021-12-01 2023-05-30 上海麦歌恩微电子股份有限公司 一种amr磁阻结构
CN114220913A (zh) * 2021-12-01 2022-03-22 上海矽睿科技股份有限公司 一种三轴磁传感器及其制备工艺
CN114415087A (zh) * 2022-03-29 2022-04-29 北京芯可鉴科技有限公司 一种磁传感器、电路和电能表

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101180519A (zh) * 2005-03-23 2008-05-14 霍尼韦尔国际公司 利用多个旋转构造的磁性传感器的角度位置检测
CN109716547A (zh) * 2016-08-10 2019-05-03 阿尔卑斯阿尔派株式会社 交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置
CN111065882A (zh) * 2017-07-17 2020-04-24 德克萨斯仪器股份有限公司 具有amr角度传感器的各向异性磁阻(amr)角度传感器管芯
CN109814050A (zh) * 2019-01-10 2019-05-28 东南大学 一种应用Barber电极的桥式薄膜磁阻传感器

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