JPH0426688A - 2‐アルケニルカルバペネム誘導体 - Google Patents
2‐アルケニルカルバペネム誘導体Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
l友上曵村里圀!
本発明は医薬の分野において、細菌感染症の治療剤とし
て有用な新規なカルバペネム誘導体に関するものである
。
て有用な新規なカルバペネム誘導体に関するものである
。
従来例技歪
抗菌剤として有用な活性を示すチェナマイシンが発見さ
れて以来、数多くのカルバペネム誘導体が合成され、報
告されている。その誘導体研究の多(は、2位側鎖にお
ける化学修飾で、しかもチェナマイシンと同じ2−(置
換チオ)カルバペネム誘導体の研究である。また多くの
誘導体が報告されてはいるものの、経口吸収性が優れた
誘導体についての報告はきわめて少ない。
れて以来、数多くのカルバペネム誘導体が合成され、報
告されている。その誘導体研究の多(は、2位側鎖にお
ける化学修飾で、しかもチェナマイシンと同じ2−(置
換チオ)カルバペネム誘導体の研究である。また多くの
誘導体が報告されてはいるものの、経口吸収性が優れた
誘導体についての報告はきわめて少ない。
が ・しよ−と る
カルバペネム誘導体は、ヒトおよび動物の病原性細菌に
より生ずる疾病の治療に有用であるが、その抗菌活性は
十分に満足できるものではなく、さらに優れた化合物で
、特に経口剤として有用なカルバペネム化合物が求めら
れている。
より生ずる疾病の治療に有用であるが、その抗菌活性は
十分に満足できるものではなく、さらに優れた化合物で
、特に経口剤として有用なカルバペネム化合物が求めら
れている。
題を ゛ るための
本発明者らは、各種病原性細菌に対して優れた抗菌活性
を示すカルバペネム誘導体を創製するべく鋭意研究した
結果、後記の一般式[I]で表される新規なカルバペネ
ム誘導体が優れた抗菌活性を有するのみならず、本発明
化合物ならびにそのエステル誘導体に優れた経口吸収性
があることを見出し、本発明を完成した。
を示すカルバペネム誘導体を創製するべく鋭意研究した
結果、後記の一般式[I]で表される新規なカルバペネ
ム誘導体が優れた抗菌活性を有するのみならず、本発明
化合物ならびにそのエステル誘導体に優れた経口吸収性
があることを見出し、本発明を完成した。
本発明は、−形式
[式中、R1は水素原子またはメチル基、R2、R3お
よびR4は水素原子、低級アルキル基、アミノカルボニ
ル基、低級アルコキシ基、シアノ基、低級アルコキシカ
ルボニル基およびニトロ基からなる群から選ばれる置換
基を示す(但し、R1、R3およびR4がともに水素原
子または低級アルキル基の場合を除く)]で表される化
合物またはその医薬として許容される塩またはエステル
、その製法および該化合物を有効成分とする抗菌剤に関
する。
よびR4は水素原子、低級アルキル基、アミノカルボニ
ル基、低級アルコキシ基、シアノ基、低級アルコキシカ
ルボニル基およびニトロ基からなる群から選ばれる置換
基を示す(但し、R1、R3およびR4がともに水素原
子または低級アルキル基の場合を除く)]で表される化
合物またはその医薬として許容される塩またはエステル
、その製法および該化合物を有効成分とする抗菌剤に関
する。
次に本明細書において言及される各種用語およびその好
適な例について説明する。
適な例について説明する。
「低級」からなる語は、この語が付された基の炭素数が
1〜6個であることを意味する。
1〜6個であることを意味する。
低級アルキル基とは、例えばメチル基、エチル基、n−
プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチ
ル基、5ec−ブチル基、tert−ブチル基、ルーペ
ンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロプ
ロピル基、シクロブチル基等のアルキル基を意味し、メ
チル基、エチル基、n−ブチル基等の炭素数1〜4個の
アルキル基が好適であり、中でもメチル基が好ましい。
プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチ
ル基、5ec−ブチル基、tert−ブチル基、ルーペ
ンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロプ
ロピル基、シクロブチル基等のアルキル基を意味し、メ
チル基、エチル基、n−ブチル基等の炭素数1〜4個の
アルキル基が好適であり、中でもメチル基が好ましい。
低級アルコキシ基とは、前記の低級アルキル基が置換し
たヒドロキシル基を示し、例えばメトキシ基、エトキシ
基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基等が好適であ
る。
たヒドロキシル基を示し、例えばメトキシ基、エトキシ
基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基等が好適であ
る。
低級アルコキシカルボニル基とは、前記の低級アルキル
基が置換したオキシカルボニル基を示し、例えばメトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基、n〜プロポキ
シカルボニル基、1ert−ブトキシカルボニル基等を
意味する。中でもメトキシカルボニル基、エトキシカル
ボニル基、tert−ブトキシカルボニル基等の炭素数
2ないし5個のアルコキシカルボニル基が好適である。
基が置換したオキシカルボニル基を示し、例えばメトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基、n〜プロポキ
シカルボニル基、1ert−ブトキシカルボニル基等を
意味する。中でもメトキシカルボニル基、エトキシカル
ボニル基、tert−ブトキシカルボニル基等の炭素数
2ないし5個のアルコキシカルボニル基が好適である。
アミノカルボニル基とは、カルバモイル基以外に低級ア
ルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基
、並びに前記のジ低級アルキルカルバモイル基の低級ア
ルキル基が、隣接する窒素原子および要すれば酸素原子
、窒素原子、硫黄原子等のへテロ原子と共にアルキレン
基を形成することにより得られる複素環基を示す。該複
素環基としては、例えば1−アジリジニル基、1−アゼ
チジニル基、1−ピロリジニル基、1−ピペリジニル基
、モルホリノ基が挙げられる。該アミノカルボニル基の
好適な例としては、例えば、カルバモイル基、メチルカ
ルバモイル基、エチルカルバモイル基、イソプロピルカ
ルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、ジエチルカル
バモイル基、エチルメチルカルバモイル基、■−ピロリ
ジニルカルボニル基、モルホリノカルボニル基等が挙げ
られる。
ルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基
、並びに前記のジ低級アルキルカルバモイル基の低級ア
ルキル基が、隣接する窒素原子および要すれば酸素原子
、窒素原子、硫黄原子等のへテロ原子と共にアルキレン
基を形成することにより得られる複素環基を示す。該複
素環基としては、例えば1−アジリジニル基、1−アゼ
チジニル基、1−ピロリジニル基、1−ピペリジニル基
、モルホリノ基が挙げられる。該アミノカルボニル基の
好適な例としては、例えば、カルバモイル基、メチルカ
ルバモイル基、エチルカルバモイル基、イソプロピルカ
ルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、ジエチルカル
バモイル基、エチルメチルカルバモイル基、■−ピロリ
ジニルカルボニル基、モルホリノカルボニル基等が挙げ
られる。
−形成〔I〕において、カルバペネム骨格の2位側鎖の
好適な例としては、例えば次のようなものが挙げられる
。
好適な例としては、例えば次のようなものが挙げられる
。
■
/、l、/CON′+(。
。°”冥°°゛′
。”’W°°゛′
■
5□No。
。°“’W””
。°洲
上記のカルバペネム骨格の2位側鎖を有する化合物中、
特に好適な化合物としては以下の化合物が挙げられる。
特に好適な化合物としては以下の化合物が挙げられる。
(1) (5R,6S)−2−(trans−2−カ
ルバモイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシ
エチル]−1−カルバペン−2−エム−3−カルボン酸
[■の側鎖の化合物](2) (1S、5R,6S)
−2−(trans−2−カルバモイルビニル)−6−
[(1R)−1−ヒドロキシエチルゴー1−メチルカル
バベン−2−エム−3−カルボン酸[■の側鎖の化合物
](3) (5R,BS)−2−(trans−2−
ジメ・−チルカルバモイルビニル)−6−[(1R)−
1−ヒドロキシエチル]−1−カルバペン−2−エム−
3−カルボン酸[■の側鎖の化合物](4) (1S
、5R、6S)−2−(trans−2−ジメチルカル
バモイルビニル)−6−[(I R)−1−ヒドロキシ
エチル]−1=メチルカルバペン−2−エム−3−カル
ボン酸[■の側鎖の化合物] (5) (5R,6S)−2−(cLs−2−カルバ
モイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチ
ル]−1−カルバベン−2−エム−3−カルボン酸[■
の側鎖の化合物](6) (1S、5R、6S)−2
−(cis−2−カルバモイルビニル)−6−[(I
R)−1−ヒドロキシエチル]−1−メチルカルバペン
−2−エム−3−カルボン酸[■の側鎖の化合物](7
) (5R,6S)−2−(cLs−2−ジメチルカル
バモイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエ
チル]−1−カルバペン−2−エム−3−カルボン酸[
■の側鎖の化合物](8) (1S、5R,6S)−
2−(cis−2−ジメチルカルバモイルビニル)−6
−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−1−メチルカ
ルバペン−2−エム−3−カルボン酸[■の側鎖の化合
物] (9) (5R,6S)−2−(1−エトキシビニル
)−6−[(I R)−1−ヒドロキシエチル]−1−
カルバペン−2−エム−3−カルボン酸[■の側鎖の化
合物] (10) (1S、5R、6S)−2−(1−エトキ
シビニル)−6−[(1R)−1化ドロキシエチル]−
1−メチルカルバベン2−エム−3−カルボン酸[■の
側鎖の化合物](11) (5R,65)−2−(1
−カルバモイルビニル)−6−[(I R)−1−ヒド
ロキシエチル]−1−カルバベン−2−エム−3−カル
ボン酸[■の側鎖の化合物] (12) (1S、5R、6S)−2−(1−カルバ
モイルビニル)6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル
]−I−メチルカルバペノー2−エム−3−カルボン酸
[■の側鎖の化合物](13) <5R,6S)−2
−(trans−2−エトキシビニル片6−[(1,R
)−1−ヒドロキシエチル]−1−カルバペン−2−エ
ム−3−カルボン酸[■の側鎖の化合物](14)
C1S、5R,6S)−2−(trans−2−xトキ
シビニル)−6−((1R)−1−ヒドロキシエチル]
−1〜メチルカルバペン−2−エム−3−カルボン酸[
■の側鎖の化合物](15) (5R,6S)−2−
(2,2−ジシアノ−1−メチルビニル)−6−[(J
R)−1−ヒドロキシエチル]−1〜カルバペン−2
−エム−3−カルボン酸[■の側鎖の化合物](16)
(1S、5R、6S)−2−(2,2−シソアノ−
1−メチルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシ
エチルゴー1−メチルカルバペン−2−エム−3−カル
ボン酸[■の側鎖の化合物] (17) (5R,6S)−6−[(1R)−1−ヒ
ドロキシエチル]−2−(trans −2−ニトロビ
ニル)−1−カルバペン−2−エム−3カルボン酸[■
の側鎖の化合物] (18) (1S、5R、6S)−6−[(1R)−
1−ヒドロキシエチル]−2−(trans−2−二ト
ロビニル)−1−メチルカルバペン−2−エム−3−カ
ルボン酸[■の側鎖の化合物](19) (5R96
S)−2−(1−シアノビニル)−6−[(1R)−1
−ヒドロキシエチル]−1−カルバペン−2−エム−3
−カルボン酸[■の側鎖の化合物] (20) (1S、5R、6S)−2−(1−シアノ
ビニル)−6[(1R)−1−ヒドロキシエチルゴー1
−メチルカルバペン2−エム−3−カルボン酸[■の側
鎖の化合物]これらの化合物中、特にtranS構造を
有する(1)、(2)、(3)および(4)の化合物が
好適である。
ルバモイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシ
エチル]−1−カルバペン−2−エム−3−カルボン酸
[■の側鎖の化合物](2) (1S、5R,6S)
−2−(trans−2−カルバモイルビニル)−6−
[(1R)−1−ヒドロキシエチルゴー1−メチルカル
バベン−2−エム−3−カルボン酸[■の側鎖の化合物
](3) (5R,BS)−2−(trans−2−
ジメ・−チルカルバモイルビニル)−6−[(1R)−
1−ヒドロキシエチル]−1−カルバペン−2−エム−
3−カルボン酸[■の側鎖の化合物](4) (1S
、5R、6S)−2−(trans−2−ジメチルカル
バモイルビニル)−6−[(I R)−1−ヒドロキシ
エチル]−1=メチルカルバペン−2−エム−3−カル
ボン酸[■の側鎖の化合物] (5) (5R,6S)−2−(cLs−2−カルバ
モイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチ
ル]−1−カルバベン−2−エム−3−カルボン酸[■
の側鎖の化合物](6) (1S、5R、6S)−2
−(cis−2−カルバモイルビニル)−6−[(I
R)−1−ヒドロキシエチル]−1−メチルカルバペン
−2−エム−3−カルボン酸[■の側鎖の化合物](7
) (5R,6S)−2−(cLs−2−ジメチルカル
バモイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエ
チル]−1−カルバペン−2−エム−3−カルボン酸[
■の側鎖の化合物](8) (1S、5R,6S)−
2−(cis−2−ジメチルカルバモイルビニル)−6
−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−1−メチルカ
ルバペン−2−エム−3−カルボン酸[■の側鎖の化合
物] (9) (5R,6S)−2−(1−エトキシビニル
)−6−[(I R)−1−ヒドロキシエチル]−1−
カルバペン−2−エム−3−カルボン酸[■の側鎖の化
合物] (10) (1S、5R、6S)−2−(1−エトキ
シビニル)−6−[(1R)−1化ドロキシエチル]−
1−メチルカルバベン2−エム−3−カルボン酸[■の
側鎖の化合物](11) (5R,65)−2−(1
−カルバモイルビニル)−6−[(I R)−1−ヒド
ロキシエチル]−1−カルバベン−2−エム−3−カル
ボン酸[■の側鎖の化合物] (12) (1S、5R、6S)−2−(1−カルバ
モイルビニル)6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル
]−I−メチルカルバペノー2−エム−3−カルボン酸
[■の側鎖の化合物](13) <5R,6S)−2
−(trans−2−エトキシビニル片6−[(1,R
)−1−ヒドロキシエチル]−1−カルバペン−2−エ
ム−3−カルボン酸[■の側鎖の化合物](14)
C1S、5R,6S)−2−(trans−2−xトキ
シビニル)−6−((1R)−1−ヒドロキシエチル]
−1〜メチルカルバペン−2−エム−3−カルボン酸[
■の側鎖の化合物](15) (5R,6S)−2−
(2,2−ジシアノ−1−メチルビニル)−6−[(J
R)−1−ヒドロキシエチル]−1〜カルバペン−2
−エム−3−カルボン酸[■の側鎖の化合物](16)
(1S、5R、6S)−2−(2,2−シソアノ−
1−メチルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシ
エチルゴー1−メチルカルバペン−2−エム−3−カル
ボン酸[■の側鎖の化合物] (17) (5R,6S)−6−[(1R)−1−ヒ
ドロキシエチル]−2−(trans −2−ニトロビ
ニル)−1−カルバペン−2−エム−3カルボン酸[■
の側鎖の化合物] (18) (1S、5R、6S)−6−[(1R)−
1−ヒドロキシエチル]−2−(trans−2−二ト
ロビニル)−1−メチルカルバペン−2−エム−3−カ
ルボン酸[■の側鎖の化合物](19) (5R96
S)−2−(1−シアノビニル)−6−[(1R)−1
−ヒドロキシエチル]−1−カルバペン−2−エム−3
−カルボン酸[■の側鎖の化合物] (20) (1S、5R、6S)−2−(1−シアノ
ビニル)−6[(1R)−1−ヒドロキシエチルゴー1
−メチルカルバペン2−エム−3−カルボン酸[■の側
鎖の化合物]これらの化合物中、特にtranS構造を
有する(1)、(2)、(3)および(4)の化合物が
好適である。
本発明の一般式[L]の化合物には、カルバペネム骨格
の1位、5位、6位および8位の不斉炭素原子に基づ(
光学異性体および立体異性体が存在する。本発明はいず
れの異性体も包含するが、これらの異性体の中で好適な
ものは、チェナマイシンのような立体配位を有する(5
R,6S)配位(56−トランス)で、かつ8位の炭素
原子がR配位の化合物、すなわち(5R,6S、8R)
配位の化合物、または1位にメチル基が置換する場合は
、(Is、5R。
の1位、5位、6位および8位の不斉炭素原子に基づ(
光学異性体および立体異性体が存在する。本発明はいず
れの異性体も包含するが、これらの異性体の中で好適な
ものは、チェナマイシンのような立体配位を有する(5
R,6S)配位(56−トランス)で、かつ8位の炭素
原子がR配位の化合物、すなわち(5R,6S、8R)
配位の化合物、または1位にメチル基が置換する場合は
、(Is、5R。
6S、8R)配位の化合物である。
従って、好適な化合物群は、−形式
[式中、R1、R2、R3およびR4は前記の意味を有
する]で表される化合物である。
する]で表される化合物である。
R2、R3およびR″は、水素原子、低級アルキル基、
アミノカルボニル基、低級アルコキシ基、シアノ基、低
級アルコキシカルボニル基およびニトロ基からなる群か
ら選ばれる置換基を示すが、同一でも異なっていてもよ
い。(但し、R2、R3およびR4がともに水素原子ま
たは低級アルキル基である場合を除く。)また、R3お
よびR4が前記の互いに異なる置換基のときは、−形式
[I]の化合物には二種の幾何異性体が存在するが、ト
ランス体およびシス体のいずれをも本発明は包含する。
アミノカルボニル基、低級アルコキシ基、シアノ基、低
級アルコキシカルボニル基およびニトロ基からなる群か
ら選ばれる置換基を示すが、同一でも異なっていてもよ
い。(但し、R2、R3およびR4がともに水素原子ま
たは低級アルキル基である場合を除く。)また、R3お
よびR4が前記の互いに異なる置換基のときは、−形式
[I]の化合物には二種の幾何異性体が存在するが、ト
ランス体およびシス体のいずれをも本発明は包含する。
−形式[I]の化合物は、常法により医薬として許容さ
れる無毒性塩またはそのエステルとすることができる。
れる無毒性塩またはそのエステルとすることができる。
一般式[I]の化合物の無毒性塩としては、医薬上許容
される慣用的なものを意味し、カルバペネム骨格の3位
のカルボキシル基における塩を意味する。例えばナトリ
ウム、カリウム、リチウム等のアルカリ金属との塩1例
えばカルシウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属と
の塩;例えばNK−ジベンジルエチレンジアミン、エタ
ノールアミン、トリエチルアミン等の有機アミンとの塩
または例えばアスパラギン酸、グルタミン酸、リジン等
のアミノ酸との塩等が挙げられる。
される慣用的なものを意味し、カルバペネム骨格の3位
のカルボキシル基における塩を意味する。例えばナトリ
ウム、カリウム、リチウム等のアルカリ金属との塩1例
えばカルシウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属と
の塩;例えばNK−ジベンジルエチレンジアミン、エタ
ノールアミン、トリエチルアミン等の有機アミンとの塩
または例えばアスパラギン酸、グルタミン酸、リジン等
のアミノ酸との塩等が挙げられる。
−形式[I]の無毒性エステルとしては、カルバペネム
骨格の3位のカルボキシル基における医薬上許容される
慣用的なものを意味する。例えばアセトキシメチル基、
ピバロイルオキシメチル基等とのアルカノイルオキシメ
チル基とのエステル、l(エトキシカルボニルオキシ)
エチル基等のアルコキシカルボニルオキシアルキル基と
のエステル、フタリジル基とのエステル、5−メチル−
2−オキソ−13ジオキン−ルー4−イルメチル基等の
5−置換−2−オキソ−13−ジオキソ−ルー4−イル
メチル基とのエステル等が挙げられる。
骨格の3位のカルボキシル基における医薬上許容される
慣用的なものを意味する。例えばアセトキシメチル基、
ピバロイルオキシメチル基等とのアルカノイルオキシメ
チル基とのエステル、l(エトキシカルボニルオキシ)
エチル基等のアルコキシカルボニルオキシアルキル基と
のエステル、フタリジル基とのエステル、5−メチル−
2−オキソ−13ジオキン−ルー4−イルメチル基等の
5−置換−2−オキソ−13−ジオキソ−ルー4−イル
メチル基とのエステル等が挙げられる。
次に本発明の一般式[I]の化合物の製法について説明
する。
する。
形式[I]の化合物は、製造法Aまたは製造法Bのいず
れの方法によっても製造することかできる。
れの方法によっても製造することかできる。
製1bLΔ
一般式[I]の化合物は、−形式
[式中、R1は水素原子またはメチル基、R6はカルボ
キシル基の保護基、R6は水素原子または水酸基の保護
基、Tfはトリフルオロメタンスルホニル基を示す]で
表される化合物と一般式 [式中、R2、R3およびR4は水素原子、低級アルキ
ル基、アミノカルボニル基、低級アルコキシ基、シアノ
基、低級アルコキシカルボニル基およびニトロ基からな
る群から選ばれる置換基、R7、R8およびR9は低級
アルキル基を示す(但し、R2、R3およびR4がとも
に水素原子または低級アルキル基の場合を除く)]で表
される化合物とを、パラジウム化合物および塩の存在下
に反応させ、次いで要すれば保護基を除去することによ
り、製造することができる。
キシル基の保護基、R6は水素原子または水酸基の保護
基、Tfはトリフルオロメタンスルホニル基を示す]で
表される化合物と一般式 [式中、R2、R3およびR4は水素原子、低級アルキ
ル基、アミノカルボニル基、低級アルコキシ基、シアノ
基、低級アルコキシカルボニル基およびニトロ基からな
る群から選ばれる置換基、R7、R8およびR9は低級
アルキル基を示す(但し、R2、R3およびR4がとも
に水素原子または低級アルキル基の場合を除く)]で表
される化合物とを、パラジウム化合物および塩の存在下
に反応させ、次いで要すれば保護基を除去することによ
り、製造することができる。
製11却1
一般式[1]の化合物は、−形式
[式中、R1は水素原子またはメチル基、R5はカルボ
キシル基の保護基、R6は水素原子または水酸基の保護
基を示す]で表される化合物および無水トリフルオロメ
タンスルホン酸から誘導される一般式[式中、R1は水
素原子またはメチル基、R6はカルボキシル基の保護基
、R6は水素原子または水酸基の保護基、Tfはトリフ
ルオロメタンスルホニル基を示す]で表される化合物と
一般式 [式中、R2、R3およびR4は水素原子、低級アルキ
ル基、アミノカルボニル基、低級アルコキシ基、シアノ
基、低級アルコキシカルボニル基およびニトロ基からな
る群から選ばれる置換基、R7、R8およびR9は低級
アルキル基を示す(但し、R2、R3およびR4がとも
に水素原子または低級アルキル基の場合を除<)]で表
される化合物とを、パラジウム化合物および塩の存在下
に反応させ、次いで要すれば保護基を除去することによ
り、製造することができる。
キシル基の保護基、R6は水素原子または水酸基の保護
基を示す]で表される化合物および無水トリフルオロメ
タンスルホン酸から誘導される一般式[式中、R1は水
素原子またはメチル基、R6はカルボキシル基の保護基
、R6は水素原子または水酸基の保護基、Tfはトリフ
ルオロメタンスルホニル基を示す]で表される化合物と
一般式 [式中、R2、R3およびR4は水素原子、低級アルキ
ル基、アミノカルボニル基、低級アルコキシ基、シアノ
基、低級アルコキシカルボニル基およびニトロ基からな
る群から選ばれる置換基、R7、R8およびR9は低級
アルキル基を示す(但し、R2、R3およびR4がとも
に水素原子または低級アルキル基の場合を除<)]で表
される化合物とを、パラジウム化合物および塩の存在下
に反応させ、次いで要すれば保護基を除去することによ
り、製造することができる。
R5のカルボキシル基の保護基としては一般に用いられ
ている保護基を適用することができる。例えばメチル基
、エチル基、terl−ブチル基等の低級アルキル基1
例えば2−ヨウ化エチル基、2,2.2− トリクロロ
エチル基等のハロゲノ低級アルキル基;例えばメトキシ
メチル基、エトキンメチル基等の低級アルコキシメチル
基:例えばメトキシカルポールオキシメチル基、エトキ
シカルボニルオキシメチル基、rert−ブトキシカル
ボニルオキシメチル基、1−エトキシカルボニルオキシ
エチル基等の低級アルコキシカルボニルオキシ低級アル
キル基1例えばアセトキシメチル基、プロピオニルオキ
シメチル基、ピバロイルオキシメチル基、■−アセトキ
シエチル基等の低級アルカノイル低級アルキル基;(5
メチル−2−オキソ−1,3−ジオキソ−ルー4−イル
)メチル基;フタリジル基;例えばビニル基、アリル基
等の低級アルケニル基;例えばベンジル基、4−メトキ
シベンジル基、4−ニトロベンジル基、2−ニトロベン
ジル基、ジフェニルメチル基、トリチル基等の適当な置
換基を有していてもよいアリール低級アルキル基1例え
ばフェニル基、4−ニトロフェニル基等の適当な置換基
を有していてもよいアリール基:例えばトリメチルシリ
ル基、tert−ブチルジメチルシリル基等の低級アル
キルシリル基等が挙げられる。
ている保護基を適用することができる。例えばメチル基
、エチル基、terl−ブチル基等の低級アルキル基1
例えば2−ヨウ化エチル基、2,2.2− トリクロロ
エチル基等のハロゲノ低級アルキル基;例えばメトキシ
メチル基、エトキンメチル基等の低級アルコキシメチル
基:例えばメトキシカルポールオキシメチル基、エトキ
シカルボニルオキシメチル基、rert−ブトキシカル
ボニルオキシメチル基、1−エトキシカルボニルオキシ
エチル基等の低級アルコキシカルボニルオキシ低級アル
キル基1例えばアセトキシメチル基、プロピオニルオキ
シメチル基、ピバロイルオキシメチル基、■−アセトキ
シエチル基等の低級アルカノイル低級アルキル基;(5
メチル−2−オキソ−1,3−ジオキソ−ルー4−イル
)メチル基;フタリジル基;例えばビニル基、アリル基
等の低級アルケニル基;例えばベンジル基、4−メトキ
シベンジル基、4−ニトロベンジル基、2−ニトロベン
ジル基、ジフェニルメチル基、トリチル基等の適当な置
換基を有していてもよいアリール低級アルキル基1例え
ばフェニル基、4−ニトロフェニル基等の適当な置換基
を有していてもよいアリール基:例えばトリメチルシリ
ル基、tert−ブチルジメチルシリル基等の低級アル
キルシリル基等が挙げられる。
本発明の反応において、6位のヒドロキシエチル基の水
酸基は特に保護する必要はないが、必要に応じ、保護さ
れていてもよい。R6の水酸基の保護基としては一般に
用いられている保護基を適用することができる。例えば
トリメチルシリル基、tertブチルジメチルシリル基
等の低級アルギルシリル基:例えばメトキシメチル基、
2−メトキシエトキシメチル基等の低級アルコキシメチ
ル基;例えばテトラヒドロピラニル基;例えばベンジル
基、4メトキシベンジル基、2,4−ジメトキシベンジ
ル基、2−ニトロベンジル基、4−ニトロベンジル基、
トリチル基等のアラルキル基1例えばホルミル基、アセ
チル基等のアシル基;例えばtert−ブトキシカルボ
ニル基、2−ヨードエチルオキシカルボニル基、2゜2
.2− トリクロロエチルオキシカルボニル基等の低級
アルコキシカルボニル基:例えば2−プロペニルオキシ
カルボニル基、2−クロロ−2−プロペニルオキシカル
ボニル基、3−メトキシカルボニル−2−プロペニルオ
キシカルボニル基、2−メチル−2−プロペニルオキシ
カルボニル基、2−ブテニルオキシカルボニル基、シン
ナミルオキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボ
ニル基;例えばベンジルオキシカルボニル基、4−メト
キシベンジルオキシカルボニル基、2−ニトロベンジル
オキシカルボニル基、4ニトロベンジルオキシカルボニ
ル基等のアラルキルオキシカルボニル基等が挙げられる
。
酸基は特に保護する必要はないが、必要に応じ、保護さ
れていてもよい。R6の水酸基の保護基としては一般に
用いられている保護基を適用することができる。例えば
トリメチルシリル基、tertブチルジメチルシリル基
等の低級アルギルシリル基:例えばメトキシメチル基、
2−メトキシエトキシメチル基等の低級アルコキシメチ
ル基;例えばテトラヒドロピラニル基;例えばベンジル
基、4メトキシベンジル基、2,4−ジメトキシベンジ
ル基、2−ニトロベンジル基、4−ニトロベンジル基、
トリチル基等のアラルキル基1例えばホルミル基、アセ
チル基等のアシル基;例えばtert−ブトキシカルボ
ニル基、2−ヨードエチルオキシカルボニル基、2゜2
.2− トリクロロエチルオキシカルボニル基等の低級
アルコキシカルボニル基:例えば2−プロペニルオキシ
カルボニル基、2−クロロ−2−プロペニルオキシカル
ボニル基、3−メトキシカルボニル−2−プロペニルオ
キシカルボニル基、2−メチル−2−プロペニルオキシ
カルボニル基、2−ブテニルオキシカルボニル基、シン
ナミルオキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボ
ニル基;例えばベンジルオキシカルボニル基、4−メト
キシベンジルオキシカルボニル基、2−ニトロベンジル
オキシカルボニル基、4ニトロベンジルオキシカルボニ
ル基等のアラルキルオキシカルボニル基等が挙げられる
。
−形式[IV’]の化合物に於いて、R7、R8および
R9は前記の低級アルキル基を示し、同一でも異なって
いてもよい。−形式[IV]の化合物中、好適なものは
、R7、R8およびR9のいずれもが同一で、メチル基
またはn−ブチル基の化合物である。
R9は前記の低級アルキル基を示し、同一でも異なって
いてもよい。−形式[IV]の化合物中、好適なものは
、R7、R8およびR9のいずれもが同一で、メチル基
またはn−ブチル基の化合物である。
次に本発明化合物[1]の製造方法について説明する。
一般式[n]の化合物は、−形式[II[]の化合物お
よび1〜2当量の無水トリフルオロメタンスルホン酸を
1〜2当量の塩基の存在下、反応させることにより得ら
れる。この反応は、例えばテトラヒドロフラン(以下T
HFと略す)、ジオキサン、アセトン、アセトニトリル
、クロロホルム、ジクロロメタン、酢酸エチル、N、N
−ジメチルホルムアミド(以下DMFと略す)、N、N
−ジメチルアセトアミド等の反応に悪影響を及ぼさない
慣用の不活性溶媒またはそれらの混合溶媒中で行われる
が、好適にはTHF、ジクロロメタン、アセトニトリル
等が挙げられる。塩基としては、例えば炭酸水素ナトリ
ウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム等の無機塩基:
例えばトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン
、N−メチルモルホリン等の有機塩基等が挙げられ、好
適にはジイソプロピルエチルアミンが挙げられる。反応
温度および時間は特に限定されないが、通常は一78〜
+5℃で、5分〜3時間である。反応液を常法に従って
処理することにより、−形式[■]の化合物を得ること
ができるが、特に精製することなく次の反応に用いるこ
ともできる。
よび1〜2当量の無水トリフルオロメタンスルホン酸を
1〜2当量の塩基の存在下、反応させることにより得ら
れる。この反応は、例えばテトラヒドロフラン(以下T
HFと略す)、ジオキサン、アセトン、アセトニトリル
、クロロホルム、ジクロロメタン、酢酸エチル、N、N
−ジメチルホルムアミド(以下DMFと略す)、N、N
−ジメチルアセトアミド等の反応に悪影響を及ぼさない
慣用の不活性溶媒またはそれらの混合溶媒中で行われる
が、好適にはTHF、ジクロロメタン、アセトニトリル
等が挙げられる。塩基としては、例えば炭酸水素ナトリ
ウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム等の無機塩基:
例えばトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン
、N−メチルモルホリン等の有機塩基等が挙げられ、好
適にはジイソプロピルエチルアミンが挙げられる。反応
温度および時間は特に限定されないが、通常は一78〜
+5℃で、5分〜3時間である。反応液を常法に従って
処理することにより、−形式[■]の化合物を得ること
ができるが、特に精製することなく次の反応に用いるこ
ともできる。
本発明化合物[IIは、前記の一般式[II]の化合物
および一般式[IV]の化合物をパラジウム化合物およ
び塩の存在下、反応させることにより得られる。パラジ
ウム化合物としては、テトラキス(トリフェニルホスフ
ィン)パラジウム(0)、ビス(ジベンジリデンアセト
ン)パラジウム(O)、トリス(ジベンジリデンアセト
ン)2パラジウム(0)、ジクロロビス(トリフェニル
ホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビス(ベン
ゾニトリル)パラジウム(■)、カルボニルトリス(ト
リフェニルホスフィン)パラジウム(0) 、tran
s−ジメチルビス(トリフェニルホスフィン)パラジウ
ム(n)、trans−(4−tert−ブチルシクロ
ヘキセン−1−イル)クロロビス(トリフェニルホスフ
ィン)パラジウム(n)等が挙げられ、好適にはテトラ
キス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)、ビ
ス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)が挙げ
られる。塩としては、例えばフッ化リチウム、塩化リチ
ウム、臭化リチウム、ヨウ化リチウム等のハロゲン化リ
チウムもしくは酢酸リチウム、例えばフッ化ナトリウム
、塩化ナトリウム等のハロゲン化ナトリウム:例えば塩
化カリウム、ヨウ化カリウム等のハロゲン化カリウム:
例えばフッ化セシウム、塩化セシウム等のハロゲン化セ
シウム;例えば塩化亜鉛、ヨウ化亜鉛等のハロゲン化亜
鉛;例えばフッ化テトラn−ブチルアンモニウム、ヨウ
化テトラn−ブチルアンモニウム等のハロゲン化第4級
アンモニウム塩等が挙げられ、好適には塩化リチウム、
塩化亜鉛等が挙げられる。これらの塩は2種以上の混合
物で用いることもできる。
および一般式[IV]の化合物をパラジウム化合物およ
び塩の存在下、反応させることにより得られる。パラジ
ウム化合物としては、テトラキス(トリフェニルホスフ
ィン)パラジウム(0)、ビス(ジベンジリデンアセト
ン)パラジウム(O)、トリス(ジベンジリデンアセト
ン)2パラジウム(0)、ジクロロビス(トリフェニル
ホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビス(ベン
ゾニトリル)パラジウム(■)、カルボニルトリス(ト
リフェニルホスフィン)パラジウム(0) 、tran
s−ジメチルビス(トリフェニルホスフィン)パラジウ
ム(n)、trans−(4−tert−ブチルシクロ
ヘキセン−1−イル)クロロビス(トリフェニルホスフ
ィン)パラジウム(n)等が挙げられ、好適にはテトラ
キス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)、ビ
ス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)が挙げ
られる。塩としては、例えばフッ化リチウム、塩化リチ
ウム、臭化リチウム、ヨウ化リチウム等のハロゲン化リ
チウムもしくは酢酸リチウム、例えばフッ化ナトリウム
、塩化ナトリウム等のハロゲン化ナトリウム:例えば塩
化カリウム、ヨウ化カリウム等のハロゲン化カリウム:
例えばフッ化セシウム、塩化セシウム等のハロゲン化セ
シウム;例えば塩化亜鉛、ヨウ化亜鉛等のハロゲン化亜
鉛;例えばフッ化テトラn−ブチルアンモニウム、ヨウ
化テトラn−ブチルアンモニウム等のハロゲン化第4級
アンモニウム塩等が挙げられ、好適には塩化リチウム、
塩化亜鉛等が挙げられる。これらの塩は2種以上の混合
物で用いることもできる。
本反応において、パラジウムの配位子をさらに添加する
と反応を促進する場合もあり、その配位子としてトリフ
ェニルホスフィン、トリ(2−フリル)ホスフィン、ト
リ(2−チエニル)ホスフィン等が挙げられ、好適には
トリ(2−フリル)ホスフィンが挙げられる。
と反応を促進する場合もあり、その配位子としてトリフ
ェニルホスフィン、トリ(2−フリル)ホスフィン、ト
リ(2−チエニル)ホスフィン等が挙げられ、好適には
トリ(2−フリル)ホスフィンが挙げられる。
本反応は、例えばTHF、ジオキサン、アセトニトリル
、1,2−ジメトキシエタン、ジグリム、DMF。
、1,2−ジメトキシエタン、ジグリム、DMF。
ジメチルスルホキシド(以下DMS○と略す)、スルホ
ラン、N−メチルピロリジノン、ヘキサメチルホスホラ
ミド(以下HMPAと略す)、1.3−ジメチル3 、
4. 、5 、6−チトラヒドロー2(IH)−ピリミ
ジノン(以下DMPUと略す)等の反応に悪影響を及ぼ
さない慣用の不活性溶媒またはそれらの混合溶媒中で行
われるが、好適にはDMF、DMSO,N−メチルピロ
リジノン、HMPA、DMPU等が挙げられる。
ラン、N−メチルピロリジノン、ヘキサメチルホスホラ
ミド(以下HMPAと略す)、1.3−ジメチル3 、
4. 、5 、6−チトラヒドロー2(IH)−ピリミ
ジノン(以下DMPUと略す)等の反応に悪影響を及ぼ
さない慣用の不活性溶媒またはそれらの混合溶媒中で行
われるが、好適にはDMF、DMSO,N−メチルピロ
リジノン、HMPA、DMPU等が挙げられる。
股式[11]の化合物に対する各反応試剤の使用量は特
に限定されないが、−形式[TI]の化合物1モルに対
して、−形式[IV]の化合物は1〜2モル、パラジウ
ム化合物0.001〜0.05モル、塩は1〜5モル、
パラジウムの配位子を添加する場合は0.001〜0.
05モルの割合で使用することができる。
に限定されないが、−形式[TI]の化合物1モルに対
して、−形式[IV]の化合物は1〜2モル、パラジウ
ム化合物0.001〜0.05モル、塩は1〜5モル、
パラジウムの配位子を添加する場合は0.001〜0.
05モルの割合で使用することができる。
反応温度および時間は特に限定されないが、通常は一2
0〜+70℃で、1〜100時間である。反応液を常法
に従って処理することにより、本発明化合物[I]を得
ることができる。
0〜+70℃で、1〜100時間である。反応液を常法
に従って処理することにより、本発明化合物[I]を得
ることができる。
本発明化合物[I]は、必要に応じ、保護基を除去する
ことにより、医薬として有用なカルバペネム誘導体とす
ることができる。カルボキシル基の保護基のR5が、例
えばアセトキシメチル基、ピバロイルオキシメチル基、
(5−メチル−2−オキソ−1゜3−ジオキソ−ルー4
−イル)メチル基、フタリジル基等のように、生体内で
容易に加水分解される保護基の場合は、脱保護すること
なく、経口剤として医薬に使用することもできる。
ことにより、医薬として有用なカルバペネム誘導体とす
ることができる。カルボキシル基の保護基のR5が、例
えばアセトキシメチル基、ピバロイルオキシメチル基、
(5−メチル−2−オキソ−1゜3−ジオキソ−ルー4
−イル)メチル基、フタリジル基等のように、生体内で
容易に加水分解される保護基の場合は、脱保護すること
なく、経口剤として医薬に使用することもできる。
脱保護反応は、その種類により、それ自体既知の加溶媒
分解、金属による還元または接触還元等の通常の方法に
よって行うことができる。
分解、金属による還元または接触還元等の通常の方法に
よって行うことができる。
例えば、4−ニトロベンジル基または2,2.2−1−
リクロロエチル基等は、鉄または亜鉛による温和な還元
によって除去することができる。4−メトキシベンジル
基、tert−ブチル基またはジフェニルメチル基等は
、塩化アルミニウムーアニソールによって除去すること
ができる。アリル基はパラジウム化合物とトリフェニル
ホスフィンとの混合物からなる触媒を使用して除去する
ことができる。4−ニトロベンジル基、ベンジル基また
はジフェニルメチル基等は、パラジウム−炭素の触媒の
存在下、接触還元を行うことによって除去することがで
きる。
リクロロエチル基等は、鉄または亜鉛による温和な還元
によって除去することができる。4−メトキシベンジル
基、tert−ブチル基またはジフェニルメチル基等は
、塩化アルミニウムーアニソールによって除去すること
ができる。アリル基はパラジウム化合物とトリフェニル
ホスフィンとの混合物からなる触媒を使用して除去する
ことができる。4−ニトロベンジル基、ベンジル基また
はジフェニルメチル基等は、パラジウム−炭素の触媒の
存在下、接触還元を行うことによって除去することがで
きる。
2−トリメチルシリルエチル基は、テトラブチルアンモ
ニウム フルオリドによって除去することができる。2
−ニトロベンジル基は光分解によって除去することがで
きる。
ニウム フルオリドによって除去することができる。2
−ニトロベンジル基は光分解によって除去することがで
きる。
形式[I]の化合物は、常法により医薬として許容され
る塩またはエステルとすることができる。
る塩またはエステルとすることができる。
一般式[I[I]で表される出発原料は、カルバペネム
誘導体合成の重要な鍵中間体であるため、現在では優れ
た数多くの製法が発表されており、容易に入手できる。
誘導体合成の重要な鍵中間体であるため、現在では優れ
た数多くの製法が発表されており、容易に入手できる。
例えば、D、G、メリロら(D、G、Melill。
et al、)、ジャーナル・オブ・オーガニック・ケ
ミストリー(J、Org、Chem、) 、第51巻、
1498頁(1986年)、 LM、フエンテスら(L
、M、Fuentes etal、)、ジャーナル・
オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティ(J、Am
、Chem、SoC,)、第108巻、4675頁(1
986年)、R,デジールら(R,D6ziel et
al、)テトラヘドロン・レターズ(Tetrahe
dron Lett、)第30巻、1345頁(19
89年)およびそれらの中に引用されている文献参照。
ミストリー(J、Org、Chem、) 、第51巻、
1498頁(1986年)、 LM、フエンテスら(L
、M、Fuentes etal、)、ジャーナル・
オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティ(J、Am
、Chem、SoC,)、第108巻、4675頁(1
986年)、R,デジールら(R,D6ziel et
al、)テトラヘドロン・レターズ(Tetrahe
dron Lett、)第30巻、1345頁(19
89年)およびそれらの中に引用されている文献参照。
もう一方の原料である一般式[IV]で表されるスズ化
合物は、市販されているか、または例えばJ、にステイ
ル(J、に、5tille)、アンゲバンテ・ヘミ−・
インターナショナル・エデイジョン・イン・イングリッ
シュ(Angew、Chem、Int、Ed、Engl
、)、第25巻、508頁(1986年)もしくはM、
ベレイアら(M、Pereyere et al、)、
ティン・イン・オーガニック・シンセシス(Tin i
n Organic 5ynthesis)。
合物は、市販されているか、または例えばJ、にステイ
ル(J、に、5tille)、アンゲバンテ・ヘミ−・
インターナショナル・エデイジョン・イン・イングリッ
シュ(Angew、Chem、Int、Ed、Engl
、)、第25巻、508頁(1986年)もしくはM、
ベレイアら(M、Pereyere et al、)、
ティン・イン・オーガニック・シンセシス(Tin i
n Organic 5ynthesis)。
バターワース(Butterworths)、 198
7年の成書等に引用されている文献に従って合成するこ
とができる。
7年の成書等に引用されている文献に従って合成するこ
とができる。
本発明の一般式[]の化合物またはその塩またはそのエ
ステルは、優れた抗菌活性を示し、医薬品として有用な
新規化合物であり細菌感染症、例えば呼吸器感染症、尿
路感染症、化膿性疾患または外科感染症の治療および予
防に用いることができる。
ステルは、優れた抗菌活性を示し、医薬品として有用な
新規化合物であり細菌感染症、例えば呼吸器感染症、尿
路感染症、化膿性疾患または外科感染症の治療および予
防に用いることができる。
本発明化合物の有用性を具体的に示すために、代表的化
合物について生物学的試験の結果を示すが、この結果か
ら明らかなように、本発明化合物は抗生物質として、特
に経口投与用のものとして有用である。
合物について生物学的試験の結果を示すが、この結果か
ら明らかなように、本発明化合物は抗生物質として、特
に経口投与用のものとして有用である。
l −竺 −・−
試験方法:
下記の寒天平板希釈法により、測定した。
ミューラー・ヒントン・ブロス中で一夜培養した各試験
菌株の一白金耳(接種菌fft : 10’CFU/m
f’)をミューラー・ヒントン・アガーに接種した。こ
の培地には供試薬剤が所定の濃度含まれており、37°
Cで16時間培養したのち、最小発育阻止濃度(MIC
)をμg/m/単位で測定した。
菌株の一白金耳(接種菌fft : 10’CFU/m
f’)をミューラー・ヒントン・アガーに接種した。こ
の培地には供試薬剤が所定の濃度含まれており、37°
Cで16時間培養したのち、最小発育阻止濃度(MIC
)をμg/m/単位で測定した。
試験結果:
本発明化合物を治療の目的で投与するにあたっては、本
発明化合物を主成分として含み、その投与方法に適した
、医薬上許容される有機もしくは無機または固体もしく
は液体の担体を加えた慣用製剤の形で投与できる。投与
方法および製剤としては、錠剤、散剤、カプセル剤もし
くはシロップ剤等による経口投与または静脈内注射、筋
肉内注射もしくは半割等による非経口投与が適用される
。
発明化合物を主成分として含み、その投与方法に適した
、医薬上許容される有機もしくは無機または固体もしく
は液体の担体を加えた慣用製剤の形で投与できる。投与
方法および製剤としては、錠剤、散剤、カプセル剤もし
くはシロップ剤等による経口投与または静脈内注射、筋
肉内注射もしくは半割等による非経口投与が適用される
。
なお、これらの剤形を製造するに際しては、この分野に
おける常法によることができ、例えば補助剤、安定剤、
乳化剤、湿潤剤、結合剤または賦形剤等の通常使用され
る添加剤が含まれていてもよい。その投与量は、年齢、
性別、体重、感受性差、投与方法、投与の時間および間
隔、病状の程度、体調、医薬製剤の性質、調剤の種類ま
たは有効成分の種類等を考慮して決定されるが、通常は
1日当り]〜100 mgfkgの範囲であり、1日当
り5〜30 mgfkgで2〜4回に分けて投与するこ
とが好ましい。
おける常法によることができ、例えば補助剤、安定剤、
乳化剤、湿潤剤、結合剤または賦形剤等の通常使用され
る添加剤が含まれていてもよい。その投与量は、年齢、
性別、体重、感受性差、投与方法、投与の時間および間
隔、病状の程度、体調、医薬製剤の性質、調剤の種類ま
たは有効成分の種類等を考慮して決定されるが、通常は
1日当り]〜100 mgfkgの範囲であり、1日当
り5〜30 mgfkgで2〜4回に分けて投与するこ
とが好ましい。
および参
以下に実施例および参考例を挙げて本発明を更に具体的
に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
例中に用いたカラム用シリカゲルはWakogel■C
−300(和光純薬)を、逆相カラム用シリカゲルとし
てはLC−3ORBeSP−B−ODS (Chemc
o)を用いた。
−300(和光純薬)を、逆相カラム用シリカゲルとし
てはLC−3ORBeSP−B−ODS (Chemc
o)を用いた。
反応式に用いた略号の意味は次の通りである。
Me:メチル基
Et:エチル基
Bu n−ブチル基
Tf ニ
トリフルオロメタンスルホニル基
PNB : 4−二トロベンジル基
実施例1
4−ニトロベンジル (3R,5R,6S)−2−オキ
ソ−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−1−カ
ルバペナム−3−カルボキシラード128mg(0,3
67mmoI)のアセトニトリル(3mO溶液に窒素気
流下、−45℃でジイソプロピルエチルアミン0.06
5m/(0,37mmoA’)、次いで無水トリフルオ
ロメタンスルホン酸0.062mA’(0,37mmo
l)を滴下し、−40〜−30°Cで30分撹拌した。
ソ−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−1−カ
ルバペナム−3−カルボキシラード128mg(0,3
67mmoI)のアセトニトリル(3mO溶液に窒素気
流下、−45℃でジイソプロピルエチルアミン0.06
5m/(0,37mmoA’)、次いで無水トリフルオ
ロメタンスルホン酸0.062mA’(0,37mmo
l)を滴下し、−40〜−30°Cで30分撹拌した。
反応液に酢酸エチル(3ml)を加え、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液、次いで飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。残渣のトリフ
ラートを精製することなく、次の反応に用いた。この粗
生成物に塩化亜鉛113mg(0,83mmol)、ビ
ス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)5.3
mg(0,0091mmof)およびトリ(2−フリル
)ホスフィン4.4mg(0,0185mmoりを加え
、ついで、窒素気流下、trans −2−カルバモイ
ルビニル(トリn−ブチル)スズ157 mg(0、4
36mmo! )のN−メチルピロリジノン(6ml)
溶液を加え、室温で2時間撹拌した。反応液に酢酸エチ
ルを加え、水、次いで飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー(メタノール−クロロホル
ム系で溶出)で精製し、標記化合物50 、5 mg(
収率:34.3%)を得た。
トリウム水溶液、次いで飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。残渣のトリフ
ラートを精製することなく、次の反応に用いた。この粗
生成物に塩化亜鉛113mg(0,83mmol)、ビ
ス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)5.3
mg(0,0091mmof)およびトリ(2−フリル
)ホスフィン4.4mg(0,0185mmoりを加え
、ついで、窒素気流下、trans −2−カルバモイ
ルビニル(トリn−ブチル)スズ157 mg(0、4
36mmo! )のN−メチルピロリジノン(6ml)
溶液を加え、室温で2時間撹拌した。反応液に酢酸エチ
ルを加え、水、次いで飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー(メタノール−クロロホル
ム系で溶出)で精製し、標記化合物50 、5 mg(
収率:34.3%)を得た。
1R(KBr)cm−I: 1780.1720.16
50. l600゜1520.1340.127O NMR(CDα、−CD、OD)δ: 1.35(3H
,d、J = 6Hz)。
50. l600゜1520.1340.127O NMR(CDα、−CD、OD)δ: 1.35(3H
,d、J = 6Hz)。
3.16(2H,dd、J = 4.6Hz)、 3.
30(IH,dd。
30(IH,dd。
J=3.7Hz)、 4.10〜4.38(2H,m)
、 5.38および5.56(2H,ABq、J =
13Hz)、 6.21(LH,d、J = 1.5H
z)、 7.74(2H,d、J = 8Hz)。
、 5.38および5.56(2H,ABq、J =
13Hz)、 6.21(LH,d、J = 1.5H
z)、 7.74(2H,d、J = 8Hz)。
8.21(IH,d、J= 15Hz)。
8.27(2H,d、J
8)(z)
実施例2
実施例1で得られた化合物50.5mg(0,126m
mol)のTHF(5,5mJ)溶液に、IM塩化アン
モニウム水溶液l、5mlを加え、水冷下、鉄粉191
mgを加え、20分間撹拌し、さらに室温で20分間
撹拌した。次いで鉄粉191 mgを加え、室温で20
分間撹拌するという操作を3回繰返した。不溶物を濾去
したのち、0.1M リン酸緩衝液(pH7,0)9m
lとクロロホルムを加え、水層を分取した。この水層を
さらにクロロホルムで洗ったのち、逆相シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(水で溶出)で精製し、目的画分
を集め、凍結乾燥することにより、標記化合物21.5
mg(収率+59.2%)を得た。
mol)のTHF(5,5mJ)溶液に、IM塩化アン
モニウム水溶液l、5mlを加え、水冷下、鉄粉191
mgを加え、20分間撹拌し、さらに室温で20分間
撹拌した。次いで鉄粉191 mgを加え、室温で20
分間撹拌するという操作を3回繰返した。不溶物を濾去
したのち、0.1M リン酸緩衝液(pH7,0)9m
lとクロロホルムを加え、水層を分取した。この水層を
さらにクロロホルムで洗ったのち、逆相シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(水で溶出)で精製し、目的画分
を集め、凍結乾燥することにより、標記化合物21.5
mg(収率+59.2%)を得た。
UV λ、、、、(0,1M 3−モルホリノプロパン
スルホナート緩衝液、pH7,0) : 322nm(
ε= 6,900)1R(KBr)cm” : 176
0,1670,1610,140ONMR(DzO)δ
: 1.24(3H,d、J = 6Hz)、 3.0
8(2H。
スルホナート緩衝液、pH7,0) : 322nm(
ε= 6,900)1R(KBr)cm” : 176
0,1670,1610,140ONMR(DzO)δ
: 1.24(3H,d、J = 6Hz)、 3.0
8(2H。
d、J = 9Hz)、 3.48(LH,dd、J
= 3.6Hz)。
= 3.6Hz)。
4.12−4.39(2H,m)、 6.06(IH,
d、J = 16Hz)7.94(IH,d、J =
16Hz)実施例3 4−ニトロベンジル (1R,3R,5R,6S)−2
−オキソ−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−
1−メチルカルバペナム−3−カルボキシラード133
mgを用いて、反応時間を6時間に変えた外は、実施例
1と実質的に同様にして、標記化合物90.2mg(収
率:592%)を得た。
d、J = 16Hz)7.94(IH,d、J =
16Hz)実施例3 4−ニトロベンジル (1R,3R,5R,6S)−2
−オキソ−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−
1−メチルカルバペナム−3−カルボキシラード133
mgを用いて、反応時間を6時間に変えた外は、実施例
1と実質的に同様にして、標記化合物90.2mg(収
率:592%)を得た。
1R(KBr)cm−1: 1770,1720,16
70,16001520.1340.129O NMR(CDC7,+CD30D)δ: 1.24(3
H,d、J = 8Hz)1.34(3H,d、J=6
Hz)、3.27−3.50(2H,m)。
70,16001520.1340.129O NMR(CDC7,+CD30D)δ: 1.24(3
H,d、J = 8Hz)1.34(3H,d、J=6
Hz)、3.27−3.50(2H,m)。
4.10〜4.34.(2H,m)、 5.34および
5.52(2H。
5.52(2H。
ABq、J= 14Hz)、6.22(LH,d、J=
16Hz)。
16Hz)。
7.70(2H,dJ=9Hz)、8.10(IH,d
、J= 16Hz)。
、J= 16Hz)。
8.26(2H,d、J = 9Hz)実施例4
実施例3の化合物88.5mgおよび鉄粉1.288g
(322mgx4)を用いて、実施例2と実質的に同様
にして、標記化合物26 、2 mg(収率: 40.
7%)を得た。
(322mgx4)を用いて、実施例2と実質的に同様
にして、標記化合物26 、2 mg(収率: 40.
7%)を得た。
UV2M、、(0,1M 3−モルホリノプロパンスル
ホナート緩衝液、pH7,0): 327nm(ε=
15,400)1R(KBr)cm−’ : 1750
.1660,1600,1380゜26O N M R(D20 )δ: 1.12(3H,d、J
= 7Hz)、1.24(3H。
ホナート緩衝液、pH7,0): 327nm(ε=
15,400)1R(KBr)cm−’ : 1750
.1660,1600,1380゜26O N M R(D20 )δ: 1.12(3H,d、J
= 7Hz)、1.24(3H。
d、J=6Hz)、3.26〜3.52(2H,m)、
4.10−4.30(2H,m)、6.19(LH,d
、J= 16Hz)。
4.10−4.30(2H,m)、6.19(LH,d
、J= 16Hz)。
7.82(LH,dj= 16Hz)
実施例5
trans −2−ジメチルカルバモイルビニル(トリ
n−ブチル)スズ143mgを用いて、反応時間を一夜
に変えた外は、実施例1と実質的に同様にして、標記化
合物69゜1 mg(収率: 43.9%)を得た。
n−ブチル)スズ143mgを用いて、反応時間を一夜
に変えた外は、実施例1と実質的に同様にして、標記化
合物69゜1 mg(収率: 43.9%)を得た。
1R(KBr)cm” : 1780.1720. 1
640.16001520、 1350. 129O NMR(CDCI、)δ: 1.34(3H,d、J=
6Hz)、3.03(3H,s)、3.09(3H,s
)、3.13(2H,m)。
640.16001520、 1350. 129O NMR(CDCI、)δ: 1.34(3H,d、J=
6Hz)、3.03(3H,s)、3.09(3H,s
)、3.13(2H,m)。
3.27(LH,dd、J=3.7Hz)、4.14〜
4.38(2H,m)、 5.29および5.50(2
H,ABq、J= 14Hz)、 6.41(IH,d
、J = 15Hz)、 7.67(2H,d、、J=
9Hz)、8.16(LH,d、J= 15Hz)8.
23(2H,d、J=9Hz) 実施例6 実施例5の化合物68.1mgおよび鉄粉964mg(
241mgx4)を用いて、実施例2と実質的に同様に
して、標記化合物19.1mg(収率: 38.0%)
を得た。
4.38(2H,m)、 5.29および5.50(2
H,ABq、J= 14Hz)、 6.41(IH,d
、J = 15Hz)、 7.67(2H,d、、J=
9Hz)、8.16(LH,d、J= 15Hz)8.
23(2H,d、J=9Hz) 実施例6 実施例5の化合物68.1mgおよび鉄粉964mg(
241mgx4)を用いて、実施例2と実質的に同様に
して、標記化合物19.1mg(収率: 38.0%)
を得た。
UV λ+m。(0,1M 3−モルホリノプロパンス
ルホナート緩衝液、pH7,0)+ 324nm(ε=
15,200)1R(KBr)cm−’ + 176
0.1640,1600,1390゜25O NMR(D20)δ: 1.28(3H,d、J =
6Hz)、 3.00(3Hs)、3.10(2H,d
j=9Hz)、3.15(3H,s)。
ルホナート緩衝液、pH7,0)+ 324nm(ε=
15,200)1R(KBr)cm−’ + 176
0.1640,1600,1390゜25O NMR(D20)δ: 1.28(3H,d、J =
6Hz)、 3.00(3Hs)、3.10(2H,d
j=9Hz)、3.15(3H,s)。
3.47(IH,ddj=3.6Hz)、4.15〜4
.35(2H,、m)、6.44(IH,d、J =
16Hz)、 7.90(IH,d、J = 16H
z) 実施例7 4−ニトロベンジル (1R,3R,5R,6S)−2
−オキソ6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−1
−メチルカルバペナム−3−カルボキシラード133m
gおよびtrans −2−ジメチルアミノカルボニル
ビニル(トリn−ブチル)−スズ165mgを用いて、
反応時間を一夜に変えた外は、実施例1と実質的に同様
にして、標記化合物93.8mg(収率: 57.7%
)を得た。
.35(2H,、m)、6.44(IH,d、J =
16Hz)、 7.90(IH,d、J = 16H
z) 実施例7 4−ニトロベンジル (1R,3R,5R,6S)−2
−オキソ6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−1
−メチルカルバペナム−3−カルボキシラード133m
gおよびtrans −2−ジメチルアミノカルボニル
ビニル(トリn−ブチル)−スズ165mgを用いて、
反応時間を一夜に変えた外は、実施例1と実質的に同様
にして、標記化合物93.8mg(収率: 57.7%
)を得た。
1R(KBr)cm” : 1780,1720,16
40,16001520.1340.129O NMR(CDC1’、)δ: 1.26(3H1d、J
= 7Hz)、 1.36(3H,d、J=6Hz
)、 3.06(3H,s)、 3.13(3H。
40,16001520.1340.129O NMR(CDC1’、)δ: 1.26(3H1d、J
= 7Hz)、 1.36(3H,d、J=6Hz
)、 3.06(3H,s)、 3.13(3H。
s)、 3.34(IH,dd、J = 3.7Hz)
、 3.48(IH。
、 3.48(IH。
m)、 4.16〜4.38(2H,m)、 5.28
および5.51(2H,ABq、J = 14Hz)、
6.62(H(、d。
および5.51(2H,ABq、J = 14Hz)、
6.62(H(、d。
J= 16Hz)、7.69(2H,dj=9Hz)、
8.15(LH,d、J = 16Hz)、 8.23
(2H,d、J = 9Hz)実施例8 実施例7の化合物93mgおよび鉄粉1.288g(3
22mgx4)を用いて、実施例2と実質的に同様にし
て、標記化合物25 、9 mg(収率:37.4%)
を得た。
8.15(LH,d、J = 16Hz)、 8.23
(2H,d、J = 9Hz)実施例8 実施例7の化合物93mgおよび鉄粉1.288g(3
22mgx4)を用いて、実施例2と実質的に同様にし
て、標記化合物25 、9 mg(収率:37.4%)
を得た。
UV λ、、、(0,1M 3−モルホリノプロパンス
ルホナート緩衝液、pH7,0): 328nm(e
= 15,300)1R(KBr)cm−’ : 17
50,1630,1600,139026O NMR(D、O)δ: 1.16(3H,d、J =
8Hz)、 1.27(3H。
ルホナート緩衝液、pH7,0): 328nm(e
= 15,300)1R(KBr)cm−’ : 17
50,1630,1600,139026O NMR(D、O)δ: 1.16(3H,d、J =
8Hz)、 1.27(3H。
d、J=6Hz)、 3.00(3H,s)、 3.1
6(3H,s)。
6(3H,s)。
3.34−3.58(2M1m)、 4.14〜4.
30(2Mm)、 6.62(IH,d、J= 16H
z)、 7.84(IHd、J = 16Hz) 実施例9 4−ニトロベンジル (l R,3R,5R,6S)−
2−オキソ6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−
1−メチルカルバペナム−3−カルボキシラード133
mgおよびcis−2−カルバモイルビニル(トリn−
ブチル)スズ157mgを用いて、反応条件を室温で一
夜、のち50°Cで1時間に変えた外は、実施例1と実
質的に同様にして、標記化合物21 、1 mg(収率
:139%)を得た。
30(2Mm)、 6.62(IH,d、J= 16H
z)、 7.84(IHd、J = 16Hz) 実施例9 4−ニトロベンジル (l R,3R,5R,6S)−
2−オキソ6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−
1−メチルカルバペナム−3−カルボキシラード133
mgおよびcis−2−カルバモイルビニル(トリn−
ブチル)スズ157mgを用いて、反応条件を室温で一
夜、のち50°Cで1時間に変えた外は、実施例1と実
質的に同様にして、標記化合物21 、1 mg(収率
:139%)を得た。
1R(KBr)cm−’ : 1770.1720.1
670.16201520、135O NMR(CDC1,)δ・1.10(3H,d、J =
8Hz)、 1.33(3H,d、J = 6Hz)
、 3.30(1,H,dd、J = 3.7Hz)3
.90(IH,m)、 4.26(IH,m)、 4.
33(IH。
670.16201520、135O NMR(CDC1,)δ・1.10(3H,d、J =
8Hz)、 1.33(3H,d、J = 6Hz)
、 3.30(1,H,dd、J = 3.7Hz)3
.90(IH,m)、 4.26(IH,m)、 4.
33(IH。
dd、J = 3.9Hz)、 5.24および5.4
6(2HABq、J = 13Hz)、 5.88(I
H,brs)、 5.96(IH,brs)、 6.0
5(IH,d、J = 13Hz)、 7.12(LH
,d、J = 13Hz)、 7.66(2H,d、J
= 9Hz)。
6(2HABq、J = 13Hz)、 5.88(I
H,brs)、 5.96(IH,brs)、 6.0
5(IH,d、J = 13Hz)、 7.12(LH
,d、J = 13Hz)、 7.66(2H,d、J
= 9Hz)。
8.24.(2H2d、J = 9Hz)実施例10
実施例9の化合物20mgおよび鉄粉292mg(73
mg×4)を用いて、実施例2と実質的に同様にして、
標記化合物6.82mg(収率: 46.9%)を得た
。
mg×4)を用いて、実施例2と実質的に同様にして、
標記化合物6.82mg(収率: 46.9%)を得た
。
UV λ、、(0,1M 3−モルホリノプロパンスル
ホナト緩衝液、pH7,0): 315nm(ε= 3
,500)1R(KBr)cm−I: 1750.16
40.162ONMR(D20)δ: 1.03(3H
,d、J = 6Hz)、1.27(3H。
ホナト緩衝液、pH7,0): 315nm(ε= 3
,500)1R(KBr)cm−I: 1750.16
40.162ONMR(D20)δ: 1.03(3H
,d、J = 6Hz)、1.27(3H。
d、J=6Hz)、 3.36−3.70(2H,m)
、 4.10−4.42(2H,m)、6.04(IH
,d、J=13Hz)。
、 4.10−4.42(2H,m)、6.04(IH
,d、J=13Hz)。
6.96(LH,d、J= 13Hz)実施例11
cis −2−ジメチルカルバモイルビニル(トリn−
ブチル)スズ169mgを用いて、反応時間を24時間
に変えた外は、実施例1と実質的に同様にして、標記化
合物30 mg(収率:16%)を得た。
ブチル)スズ169mgを用いて、反応時間を24時間
に変えた外は、実施例1と実質的に同様にして、標記化
合物30 mg(収率:16%)を得た。
1R(KBr)cm−’ : 1780.1720.1
620.1520゜1340、129O N M R(CD CJ!! )δ: 1.34(3’
H,d、J = 6Hz)、 3.01(3H,s)、
3.04.(3H,s)、 3.10(2H,d、J
loHz)、 3.24(IH,dd、J=3.7Hz
)、 4.12〜4.34(2H,m)、 5.26お
よび5.50(2H,ABq。
620.1520゜1340、129O N M R(CD CJ!! )δ: 1.34(3’
H,d、J = 6Hz)、 3.01(3H,s)、
3.04.(3H,s)、 3.10(2H,d、J
loHz)、 3.24(IH,dd、J=3.7Hz
)、 4.12〜4.34(2H,m)、 5.26お
よび5.50(2H,ABq。
J = 14Hz)、 6.21(IH,d、J =
12Hz)、 7.36(IH,d、J = 12Hz
)、 7.68(2H,d、J = 9Hz)。
12Hz)、 7.36(IH,d、J = 12Hz
)、 7.68(2H,d、J = 9Hz)。
8.25(2H,d、J = 9Hz)実施例12
実施例11の化合物28.9mgおよび鉄粉408mg
(102mg x 4)を用いて、実施例2と実質的に
同様にして、標記化合物10.3mg(収率: 48.
4%)を得UV λ11111(0,1M 3−モル
ホリノプロパンスルホナート緩衝液、pH7,0):
306%m(ε= 5,800)1R(KBr)cm−
’ : 1760.1610.140ONMR(D20
)δ: 1.26(3H,d、J = 6Hz)、 2
.89(2Hd、J = l0Hz)、 2.97(
3H,s)、 3.07(3H。
(102mg x 4)を用いて、実施例2と実質的に
同様にして、標記化合物10.3mg(収率: 48.
4%)を得UV λ11111(0,1M 3−モル
ホリノプロパンスルホナート緩衝液、pH7,0):
306%m(ε= 5,800)1R(KBr)cm−
’ : 1760.1610.140ONMR(D20
)δ: 1.26(3H,d、J = 6Hz)、 2
.89(2Hd、J = l0Hz)、 2.97(
3H,s)、 3.07(3H。
s)、 3.42(IH,dd、J = 3.6Hz
)、 4.09−4.29(2H,m)、6.10(
IH,d、J= 13Hz)7.09(IH,d、J=
13Hz)実施例13 4−ニトロベンジル (]、R,3R,5R,6S)−
2−オキソ6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−
1−メチルカルバペナム−3−カルボキシラード133
mgおよびcis −2−ジメチルカルバモイルビニル
(トリn−ブチル)スズ169mgを用いて、反応条件
を室温で一夜、のち50°Cで3時間に変えた外は、実
施例1と実質的に同様にして、標記化合物14.7mg
(収率:9%)を得た。
)、 4.09−4.29(2H,m)、6.10(
IH,d、J= 13Hz)7.09(IH,d、J=
13Hz)実施例13 4−ニトロベンジル (]、R,3R,5R,6S)−
2−オキソ6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−
1−メチルカルバペナム−3−カルボキシラード133
mgおよびcis −2−ジメチルカルバモイルビニル
(トリn−ブチル)スズ169mgを用いて、反応条件
を室温で一夜、のち50°Cで3時間に変えた外は、実
施例1と実質的に同様にして、標記化合物14.7mg
(収率:9%)を得た。
1R(KBr)cm” : 1780.1720 16
40.162026O NMR(CDCI!、)δ: 1.05(3H,dj
= 8Hz)、 1.35(3H,d、J=6Hz)、
3.02(3H1s)、 3.05(3H。
40.162026O NMR(CDCI!、)δ: 1.05(3H,dj
= 8Hz)、 1.35(3H,d、J=6Hz)、
3.02(3H1s)、 3.05(3H。
s)、3.27(]、H,ddj = 3.6Hz)、
3.70(IHm)、 4.16〜4.34(2H,
m)、 5.27および5.50(2H,ABq、J
= 14.Hz)、 6.23(IH,d。
3.70(IHm)、 4.16〜4.34(2H,
m)、 5.27および5.50(2H,ABq、J
= 14.Hz)、 6.23(IH,d。
J ;′13Hz)、 7.28(IH,d、J =
13Hz)、 7.68(2H,dj = 9Hz)、
8.24(2H,d、J = 9Hz)実施例14 実施例13の化合物14 、7 mgおよび鉄粉200
mg(50mgx4)を用いて、実施例2と実質的に
同様にして、標記化合物13.6mgを得た。
13Hz)、 7.68(2H,dj = 9Hz)、
8.24(2H,d、J = 9Hz)実施例14 実施例13の化合物14 、7 mgおよび鉄粉200
mg(50mgx4)を用いて、実施例2と実質的に
同様にして、標記化合物13.6mgを得た。
UV λ、、、(0,1M 3−モルホリノプロパンス
ルホナート緩衝液、pH7,0): 308%m(ε=
3,000)1R(KBr)cm” : 1750,
1620,1450.140ONMR(D20)δ:
0.98(3H,d、J = 8Hz)、 1.26(
3H。
ルホナート緩衝液、pH7,0): 308%m(ε=
3,000)1R(KBr)cm” : 1750,
1620,1450.140ONMR(D20)δ:
0.98(3H,d、J = 8Hz)、 1.26(
3H。
d、J=6Hz)、 2.97(3H,s)、 3.0
8(3H,s)。
8(3H,s)。
3.06−3.46(2H,m)、 4.10〜4.
30(2Hm)、 6.14(IH,d、J= 13H
z)、 7.03(IH7d、J = 13Hz) 実施例15 1−エトキシビニル(トリn−ブチル)スズ157mg
を用いて、反応時間を一夜に変えた外は、実施例1と実
質的に同様にして、標記化合物92.3mg(収率 6
26%)を得た。
30(2Hm)、 6.14(IH,d、J= 13H
z)、 7.03(IH7d、J = 13Hz) 実施例15 1−エトキシビニル(トリn−ブチル)スズ157mg
を用いて、反応時間を一夜に変えた外は、実施例1と実
質的に同様にして、標記化合物92.3mg(収率 6
26%)を得た。
NMR(CDC13)δ: 1.21(3H1t、J
= 6Hz)、 1.33(3H,dj = 6Hz)
、 3.06(2H,d、J = 9Hz)3.30(
LH,dd、J = 3.6Hz)、 3.75(2H
,qJ=6Hz)、 4.13−4.40(4T(、m
)、 5.32および5.43(2H,ABq、J =
14Hz)、 7.63(2H2d、J = 9Hz
)、 8.24(2H,d、J = 9Hz)実施例1
6 実施例15の化合物92.3mgおよび鉄粉1,392
g(348mg x 4)を用いて、実施例2と実質的
に同様にして、標記化合物8.62mg(収率:130
%)を得た。
= 6Hz)、 1.33(3H,dj = 6Hz)
、 3.06(2H,d、J = 9Hz)3.30(
LH,dd、J = 3.6Hz)、 3.75(2H
,qJ=6Hz)、 4.13−4.40(4T(、m
)、 5.32および5.43(2H,ABq、J =
14Hz)、 7.63(2H2d、J = 9Hz
)、 8.24(2H,d、J = 9Hz)実施例1
6 実施例15の化合物92.3mgおよび鉄粉1,392
g(348mg x 4)を用いて、実施例2と実質的
に同様にして、標記化合物8.62mg(収率:130
%)を得た。
UV λ、、、、f(0,1M S−モルホリノプ口バ
ンスルホナート緩衝液、pH7,0) : 322nm
1R(KBr)cm−’ : 1770,1610.1
400介lド51里 本発明の化合物は、文献未記載の新規化合物であり、感
受性・耐性のダラム陽性菌およびダラム陰性菌に対する
強い抗菌力、β−ラクタマーゼおよびDHP−Iに対す
る優れた安定性を有するので、抗菌剤として有用である
。
ンスルホナート緩衝液、pH7,0) : 322nm
1R(KBr)cm−’ : 1770,1610.1
400介lド51里 本発明の化合物は、文献未記載の新規化合物であり、感
受性・耐性のダラム陽性菌およびダラム陰性菌に対する
強い抗菌力、β−ラクタマーゼおよびDHP−Iに対す
る優れた安定性を有するので、抗菌剤として有用である
。
特に、本発明の化合物は経口吸収性に優れるので、経口
抗菌剤としての使用が期待される。
抗菌剤としての使用が期待される。
特許出願人 萬有製薬株式会社
Claims (7)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[ I ] [式中、R^1は水素原子またはメチル基、R^2、R
^3およびR^4は水素原子、低級アルキル基、アミノ
カルボニル基、低級アルコキシ基、シアノ基、低級アル
コキシカルボニル基およびニトロ基からなる群から選ば
れる置換基を示す(但し、R^2、R^3およびR^4
がともに水素原子または低級アルキル基の場合を除く)
]で表される化合物またはその医薬として許容される塩
またはエステル。 - (2)R^2、R^3およびR^4が水素原子、アミノ
カルボニル基または低級アルコキシ基(但し、R^2、
R^3およびR^4がともに水素原子の場合を除く)で
ある第1請求項記載の化合物。 - (3)カルバペネム骨格の立体配位が(5R、6S、8
R)または(1S、5R、6S、8R)である第1請求
項記載の化合物。 - (4)(5R、6S)−2−(trans−2−カルバ
モイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチ
ル]−1−カルバペン−2−エム−3−カルボン酸、 (1S、5R、6S)−2−(trans−2−カルバ
モイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチ
ル]−1−メチルカルバペン−2−エム−3−カルボン
酸、 (5R、6S)−2−(trans−2−ジメチルカル
バモイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエ
チル]−1−カルバペン−2−エム−3−カルボン酸、 (1S、5R、6S)−2−(trans−2−ジメチ
ルカルバモイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロ
キシエチル]−1−メチルカルバペン−2−エム−3−
カルボン酸、 (5R、6S)−2−(cis−2−カルバモイルビニ
ル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−1−
メチルカルバペン−2−エム−3−カルボン酸、 (1S、5R、6S)−2−(cis−2−カルバモイ
ルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]
−1−カルバペン−2−エム−3−カルボン酸、 (5R、6S)−2−(cis−2−ジメチルカルバモ
イルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル
]−1−カルバペン−2−エム−3−カルボン酸、 (1S、5R、6S)−2−(cis−2−ジメチルカ
ルバモイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシ
エチル]−1−メチルカルバペン−2−エム−3−カル
ボン酸、 (5R、6S)−2−(1−エトキシビニル)−6−[
(1R)−1−ヒドロキシエチル]−1−カルバペン−
2−エム−3−カルボン酸および (1S、5R、6S)−2−(1−エトキシビニル)−
6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−1−メチル
カルバペン−2−エム−3−カルボン酸である第1請求
項記載の化合物。 - (5)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[II] [式中、R^1は水素原子またはメチル基、R^5はカ
ルボキシル基の保護基、R^6は水素原子または水酸基
の保護基、Tfはトリフルオロメタンスルホニル基を示
す]で表される化合物と一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[IV] [式中、R^2、R^3およびR^4は水素原子、低級
アルキル基、アミノカルボニル基、低級アルコキシ基、
シアノ基、低級アルコキシカルボニル基およびニトロ基
からなる群から選ばれる置換基、R^7、R^8および
R^9は低級アルキル基を示す(但し、R^2、R^3
およびR^4がともに水素原子または低級アルキル基の
場合を除く)]で表される化合物とを、パラジウム化合
物および塩の存在下に反応させ、次いで要すれば保護基
を除去することを特徴とする、一般式▲数式、化学式、
表等があります▼[ I ] [式中、R^1、R^2、R^3およびR^4は前記の
意味を有する]で表される化合物またはその医薬として
許容される塩またはエステルの製造法。 - (6)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[III] [式中、R^1は水素原子またはメチル基、R^5はカ
ルボキシル基の保護基、R^6は水素原子または水酸基
の保護基を示す]で表される化合物および無水トリフル
オロメタンスルホン酸から誘導される一般式▲数式、化
学式、表等があります▼[II] [式中、R^1は水素原子またはメチル基、R^5はカ
ルボキシル基の保護基、R^6は水素原子または水酸基
の保護基、Tfはトリフルオロメタンスルホニル基を示
す]で表される化合物と一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[IV] ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^2、R^3およびR^4は水素原子、低級
アルキル基、アミノカルボニル基、低級アルコキシ基、
シアノ基、低級アルコキシカルボニル基およびニトロ基
からなる群から選ばれる置換基、R^7、R^8および
R^9は低級アルキル基を示す(但し、R^2、R^3
およびR^4がともに水素原子または低級アルキル基の
場合を除く)]で表される化合物とを、パラジウム化合
物および塩の存在下に反応させ、次いで要すれば保護基
を除去することを特徴とする、一般式▲数式、化学式、
表等があります▼[ I ] [式中、R^1、R^2、R^3およびR^4は前記の
意味を有する]で表される化合物またはその医薬として
許容される塩またはエステルの製造法。 - (7)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[ I ] [式中、R^1は水素原子またはメチル基、R^2、R
^3およびR^4は水素原子、低級アルキル基、アミノ
カルボニル基、低級アルコキシ基、シアノ基、低級アル
コキシカルボニル基およびニトロ基からなる群から選ば
れる置換基を示す(但し、R^2、R^3およびR^4
がともに水素原子またはアルキル基の場合を除く)]で
表される化合物またはその医薬として許容される塩また
はエステルを有効成分とする抗菌剤。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2128446A JPH0426688A (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 2‐アルケニルカルバペネム誘導体 |
EP19900122183 EP0430037A3 (en) | 1989-11-21 | 1990-11-20 | Process for producing 2-carbon-substituted carbapenem derivatives |
CA 2030342 CA2030342A1 (en) | 1989-11-21 | 1990-11-20 | Process for producing 2-carbon-substituted carbapenem derivatives |
US07/989,150 US5258509A (en) | 1989-11-21 | 1992-12-11 | Process for producing 2-carbon-substituted carbapenem derivatives |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2128446A JPH0426688A (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 2‐アルケニルカルバペネム誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0426688A true JPH0426688A (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=14984921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2128446A Pending JPH0426688A (ja) | 1989-11-21 | 1990-05-18 | 2‐アルケニルカルバペネム誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0426688A (ja) |
-
1990
- 1990-05-18 JP JP2128446A patent/JPH0426688A/ja active Pending
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