JPH0426688A - 2‐アルケニルカルバペネム誘導体 - Google Patents

2‐アルケニルカルバペネム誘導体

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JPH0426688A
JPH0426688A JP2128446A JP12844690A JPH0426688A JP H0426688 A JPH0426688 A JP H0426688A JP 2128446 A JP2128446 A JP 2128446A JP 12844690 A JP12844690 A JP 12844690A JP H0426688 A JPH0426688 A JP H0426688A
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JP
Japan
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group
formula
hydroxyethyl
carboxylic acid
compound
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Pending
Application number
JP2128446A
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English (en)
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Susumu Nakagawa
晋 中川
Yoshiaki Kato
加藤 喜章
Hiroshi Fukatsu
深津 弘
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MSD KK
Original Assignee
Banyu Phamaceutical Co Ltd
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Publication date
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Priority to CA 2030342 priority patent/CA2030342A1/en
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 l友上曵村里圀! 本発明は医薬の分野において、細菌感染症の治療剤とし
て有用な新規なカルバペネム誘導体に関するものである
従来例技歪 抗菌剤として有用な活性を示すチェナマイシンが発見さ
れて以来、数多くのカルバペネム誘導体が合成され、報
告されている。その誘導体研究の多(は、2位側鎖にお
ける化学修飾で、しかもチェナマイシンと同じ2−(置
換チオ)カルバペネム誘導体の研究である。また多くの
誘導体が報告されてはいるものの、経口吸収性が優れた
誘導体についての報告はきわめて少ない。
が ・しよ−と る カルバペネム誘導体は、ヒトおよび動物の病原性細菌に
より生ずる疾病の治療に有用であるが、その抗菌活性は
十分に満足できるものではなく、さらに優れた化合物で
、特に経口剤として有用なカルバペネム化合物が求めら
れている。
題を ゛ るための 本発明者らは、各種病原性細菌に対して優れた抗菌活性
を示すカルバペネム誘導体を創製するべく鋭意研究した
結果、後記の一般式[I]で表される新規なカルバペネ
ム誘導体が優れた抗菌活性を有するのみならず、本発明
化合物ならびにそのエステル誘導体に優れた経口吸収性
があることを見出し、本発明を完成した。
本発明は、−形式 [式中、R1は水素原子またはメチル基、R2、R3お
よびR4は水素原子、低級アルキル基、アミノカルボニ
ル基、低級アルコキシ基、シアノ基、低級アルコキシカ
ルボニル基およびニトロ基からなる群から選ばれる置換
基を示す(但し、R1、R3およびR4がともに水素原
子または低級アルキル基の場合を除く)]で表される化
合物またはその医薬として許容される塩またはエステル
、その製法および該化合物を有効成分とする抗菌剤に関
する。
次に本明細書において言及される各種用語およびその好
適な例について説明する。
「低級」からなる語は、この語が付された基の炭素数が
1〜6個であることを意味する。
低級アルキル基とは、例えばメチル基、エチル基、n−
プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチ
ル基、5ec−ブチル基、tert−ブチル基、ルーペ
ンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロプ
ロピル基、シクロブチル基等のアルキル基を意味し、メ
チル基、エチル基、n−ブチル基等の炭素数1〜4個の
アルキル基が好適であり、中でもメチル基が好ましい。
低級アルコキシ基とは、前記の低級アルキル基が置換し
たヒドロキシル基を示し、例えばメトキシ基、エトキシ
基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基等が好適であ
る。
低級アルコキシカルボニル基とは、前記の低級アルキル
基が置換したオキシカルボニル基を示し、例えばメトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基、n〜プロポキ
シカルボニル基、1ert−ブトキシカルボニル基等を
意味する。中でもメトキシカルボニル基、エトキシカル
ボニル基、tert−ブトキシカルボニル基等の炭素数
2ないし5個のアルコキシカルボニル基が好適である。
アミノカルボニル基とは、カルバモイル基以外に低級ア
ルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基
、並びに前記のジ低級アルキルカルバモイル基の低級ア
ルキル基が、隣接する窒素原子および要すれば酸素原子
、窒素原子、硫黄原子等のへテロ原子と共にアルキレン
基を形成することにより得られる複素環基を示す。該複
素環基としては、例えば1−アジリジニル基、1−アゼ
チジニル基、1−ピロリジニル基、1−ピペリジニル基
、モルホリノ基が挙げられる。該アミノカルボニル基の
好適な例としては、例えば、カルバモイル基、メチルカ
ルバモイル基、エチルカルバモイル基、イソプロピルカ
ルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、ジエチルカル
バモイル基、エチルメチルカルバモイル基、■−ピロリ
ジニルカルボニル基、モルホリノカルボニル基等が挙げ
られる。
−形成〔I〕において、カルバペネム骨格の2位側鎖の
好適な例としては、例えば次のようなものが挙げられる
■ /、l、/CON′+(。
。°”冥°°゛′ 。”’W°°゛′ ■ 5□No。
。°“’W”” 。°洲 上記のカルバペネム骨格の2位側鎖を有する化合物中、
特に好適な化合物としては以下の化合物が挙げられる。
(1)  (5R,6S)−2−(trans−2−カ
ルバモイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシ
エチル]−1−カルバペン−2−エム−3−カルボン酸
[■の側鎖の化合物](2)  (1S、5R,6S)
−2−(trans−2−カルバモイルビニル)−6−
[(1R)−1−ヒドロキシエチルゴー1−メチルカル
バベン−2−エム−3−カルボン酸[■の側鎖の化合物
](3)  (5R,BS)−2−(trans−2−
ジメ・−チルカルバモイルビニル)−6−[(1R)−
1−ヒドロキシエチル]−1−カルバペン−2−エム−
3−カルボン酸[■の側鎖の化合物](4)  (1S
、5R、6S)−2−(trans−2−ジメチルカル
バモイルビニル)−6−[(I R)−1−ヒドロキシ
エチル]−1=メチルカルバペン−2−エム−3−カル
ボン酸[■の側鎖の化合物] (5)  (5R,6S)−2−(cLs−2−カルバ
モイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチ
ル]−1−カルバベン−2−エム−3−カルボン酸[■
の側鎖の化合物](6)  (1S、5R、6S)−2
−(cis−2−カルバモイルビニル)−6−[(I 
R)−1−ヒドロキシエチル]−1−メチルカルバペン
−2−エム−3−カルボン酸[■の側鎖の化合物](7
) (5R,6S)−2−(cLs−2−ジメチルカル
バモイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエ
チル]−1−カルバペン−2−エム−3−カルボン酸[
■の側鎖の化合物](8)  (1S、5R,6S)−
2−(cis−2−ジメチルカルバモイルビニル)−6
−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−1−メチルカ
ルバペン−2−エム−3−カルボン酸[■の側鎖の化合
物] (9)  (5R,6S)−2−(1−エトキシビニル
)−6−[(I R)−1−ヒドロキシエチル]−1−
カルバペン−2−エム−3−カルボン酸[■の側鎖の化
合物] (10)  (1S、5R、6S)−2−(1−エトキ
シビニル)−6−[(1R)−1化ドロキシエチル]−
1−メチルカルバベン2−エム−3−カルボン酸[■の
側鎖の化合物](11)  (5R,65)−2−(1
−カルバモイルビニル)−6−[(I R)−1−ヒド
ロキシエチル]−1−カルバベン−2−エム−3−カル
ボン酸[■の側鎖の化合物] (12)  (1S、5R、6S)−2−(1−カルバ
モイルビニル)6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル
]−I−メチルカルバペノー2−エム−3−カルボン酸
[■の側鎖の化合物](13)  <5R,6S)−2
−(trans−2−エトキシビニル片6−[(1,R
)−1−ヒドロキシエチル]−1−カルバペン−2−エ
ム−3−カルボン酸[■の側鎖の化合物](14)  
C1S、5R,6S)−2−(trans−2−xトキ
シビニル)−6−((1R)−1−ヒドロキシエチル]
−1〜メチルカルバペン−2−エム−3−カルボン酸[
■の側鎖の化合物](15)  (5R,6S)−2−
(2,2−ジシアノ−1−メチルビニル)−6−[(J
 R)−1−ヒドロキシエチル]−1〜カルバペン−2
−エム−3−カルボン酸[■の側鎖の化合物](16)
  (1S、5R、6S)−2−(2,2−シソアノ−
1−メチルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシ
エチルゴー1−メチルカルバペン−2−エム−3−カル
ボン酸[■の側鎖の化合物] (17)  (5R,6S)−6−[(1R)−1−ヒ
ドロキシエチル]−2−(trans −2−ニトロビ
ニル)−1−カルバペン−2−エム−3カルボン酸[■
の側鎖の化合物] (18)  (1S、5R、6S)−6−[(1R)−
1−ヒドロキシエチル]−2−(trans−2−二ト
ロビニル)−1−メチルカルバペン−2−エム−3−カ
ルボン酸[■の側鎖の化合物](19)  (5R96
S)−2−(1−シアノビニル)−6−[(1R)−1
−ヒドロキシエチル]−1−カルバペン−2−エム−3
−カルボン酸[■の側鎖の化合物] (20)  (1S、5R、6S)−2−(1−シアノ
ビニル)−6[(1R)−1−ヒドロキシエチルゴー1
−メチルカルバペン2−エム−3−カルボン酸[■の側
鎖の化合物]これらの化合物中、特にtranS構造を
有する(1)、(2)、(3)および(4)の化合物が
好適である。
本発明の一般式[L]の化合物には、カルバペネム骨格
の1位、5位、6位および8位の不斉炭素原子に基づ(
光学異性体および立体異性体が存在する。本発明はいず
れの異性体も包含するが、これらの異性体の中で好適な
ものは、チェナマイシンのような立体配位を有する(5
R,6S)配位(56−トランス)で、かつ8位の炭素
原子がR配位の化合物、すなわち(5R,6S、8R)
配位の化合物、または1位にメチル基が置換する場合は
、(Is、5R。
6S、8R)配位の化合物である。
従って、好適な化合物群は、−形式 [式中、R1、R2、R3およびR4は前記の意味を有
する]で表される化合物である。
R2、R3およびR″は、水素原子、低級アルキル基、
アミノカルボニル基、低級アルコキシ基、シアノ基、低
級アルコキシカルボニル基およびニトロ基からなる群か
ら選ばれる置換基を示すが、同一でも異なっていてもよ
い。(但し、R2、R3およびR4がともに水素原子ま
たは低級アルキル基である場合を除く。)また、R3お
よびR4が前記の互いに異なる置換基のときは、−形式
[I]の化合物には二種の幾何異性体が存在するが、ト
ランス体およびシス体のいずれをも本発明は包含する。
−形式[I]の化合物は、常法により医薬として許容さ
れる無毒性塩またはそのエステルとすることができる。
一般式[I]の化合物の無毒性塩としては、医薬上許容
される慣用的なものを意味し、カルバペネム骨格の3位
のカルボキシル基における塩を意味する。例えばナトリ
ウム、カリウム、リチウム等のアルカリ金属との塩1例
えばカルシウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属と
の塩;例えばNK−ジベンジルエチレンジアミン、エタ
ノールアミン、トリエチルアミン等の有機アミンとの塩
または例えばアスパラギン酸、グルタミン酸、リジン等
のアミノ酸との塩等が挙げられる。
−形式[I]の無毒性エステルとしては、カルバペネム
骨格の3位のカルボキシル基における医薬上許容される
慣用的なものを意味する。例えばアセトキシメチル基、
ピバロイルオキシメチル基等とのアルカノイルオキシメ
チル基とのエステル、l(エトキシカルボニルオキシ)
エチル基等のアルコキシカルボニルオキシアルキル基と
のエステル、フタリジル基とのエステル、5−メチル−
2−オキソ−13ジオキン−ルー4−イルメチル基等の
5−置換−2−オキソ−13−ジオキソ−ルー4−イル
メチル基とのエステル等が挙げられる。
次に本発明の一般式[I]の化合物の製法について説明
する。
形式[I]の化合物は、製造法Aまたは製造法Bのいず
れの方法によっても製造することかできる。
製1bLΔ 一般式[I]の化合物は、−形式 [式中、R1は水素原子またはメチル基、R6はカルボ
キシル基の保護基、R6は水素原子または水酸基の保護
基、Tfはトリフルオロメタンスルホニル基を示す]で
表される化合物と一般式 [式中、R2、R3およびR4は水素原子、低級アルキ
ル基、アミノカルボニル基、低級アルコキシ基、シアノ
基、低級アルコキシカルボニル基およびニトロ基からな
る群から選ばれる置換基、R7、R8およびR9は低級
アルキル基を示す(但し、R2、R3およびR4がとも
に水素原子または低級アルキル基の場合を除く)]で表
される化合物とを、パラジウム化合物および塩の存在下
に反応させ、次いで要すれば保護基を除去することによ
り、製造することができる。
製11却1 一般式[1]の化合物は、−形式 [式中、R1は水素原子またはメチル基、R5はカルボ
キシル基の保護基、R6は水素原子または水酸基の保護
基を示す]で表される化合物および無水トリフルオロメ
タンスルホン酸から誘導される一般式[式中、R1は水
素原子またはメチル基、R6はカルボキシル基の保護基
、R6は水素原子または水酸基の保護基、Tfはトリフ
ルオロメタンスルホニル基を示す]で表される化合物と
一般式 [式中、R2、R3およびR4は水素原子、低級アルキ
ル基、アミノカルボニル基、低級アルコキシ基、シアノ
基、低級アルコキシカルボニル基およびニトロ基からな
る群から選ばれる置換基、R7、R8およびR9は低級
アルキル基を示す(但し、R2、R3およびR4がとも
に水素原子または低級アルキル基の場合を除<)]で表
される化合物とを、パラジウム化合物および塩の存在下
に反応させ、次いで要すれば保護基を除去することによ
り、製造することができる。
R5のカルボキシル基の保護基としては一般に用いられ
ている保護基を適用することができる。例えばメチル基
、エチル基、terl−ブチル基等の低級アルキル基1
例えば2−ヨウ化エチル基、2,2.2− トリクロロ
エチル基等のハロゲノ低級アルキル基;例えばメトキシ
メチル基、エトキンメチル基等の低級アルコキシメチル
基:例えばメトキシカルポールオキシメチル基、エトキ
シカルボニルオキシメチル基、rert−ブトキシカル
ボニルオキシメチル基、1−エトキシカルボニルオキシ
エチル基等の低級アルコキシカルボニルオキシ低級アル
キル基1例えばアセトキシメチル基、プロピオニルオキ
シメチル基、ピバロイルオキシメチル基、■−アセトキ
シエチル基等の低級アルカノイル低級アルキル基;(5
メチル−2−オキソ−1,3−ジオキソ−ルー4−イル
)メチル基;フタリジル基;例えばビニル基、アリル基
等の低級アルケニル基;例えばベンジル基、4−メトキ
シベンジル基、4−ニトロベンジル基、2−ニトロベン
ジル基、ジフェニルメチル基、トリチル基等の適当な置
換基を有していてもよいアリール低級アルキル基1例え
ばフェニル基、4−ニトロフェニル基等の適当な置換基
を有していてもよいアリール基:例えばトリメチルシリ
ル基、tert−ブチルジメチルシリル基等の低級アル
キルシリル基等が挙げられる。
本発明の反応において、6位のヒドロキシエチル基の水
酸基は特に保護する必要はないが、必要に応じ、保護さ
れていてもよい。R6の水酸基の保護基としては一般に
用いられている保護基を適用することができる。例えば
トリメチルシリル基、tertブチルジメチルシリル基
等の低級アルギルシリル基:例えばメトキシメチル基、
2−メトキシエトキシメチル基等の低級アルコキシメチ
ル基;例えばテトラヒドロピラニル基;例えばベンジル
基、4メトキシベンジル基、2,4−ジメトキシベンジ
ル基、2−ニトロベンジル基、4−ニトロベンジル基、
トリチル基等のアラルキル基1例えばホルミル基、アセ
チル基等のアシル基;例えばtert−ブトキシカルボ
ニル基、2−ヨードエチルオキシカルボニル基、2゜2
.2− トリクロロエチルオキシカルボニル基等の低級
アルコキシカルボニル基:例えば2−プロペニルオキシ
カルボニル基、2−クロロ−2−プロペニルオキシカル
ボニル基、3−メトキシカルボニル−2−プロペニルオ
キシカルボニル基、2−メチル−2−プロペニルオキシ
カルボニル基、2−ブテニルオキシカルボニル基、シン
ナミルオキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボ
ニル基;例えばベンジルオキシカルボニル基、4−メト
キシベンジルオキシカルボニル基、2−ニトロベンジル
オキシカルボニル基、4ニトロベンジルオキシカルボニ
ル基等のアラルキルオキシカルボニル基等が挙げられる
−形式[IV’]の化合物に於いて、R7、R8および
R9は前記の低級アルキル基を示し、同一でも異なって
いてもよい。−形式[IV]の化合物中、好適なものは
、R7、R8およびR9のいずれもが同一で、メチル基
またはn−ブチル基の化合物である。
次に本発明化合物[1]の製造方法について説明する。
一般式[n]の化合物は、−形式[II[]の化合物お
よび1〜2当量の無水トリフルオロメタンスルホン酸を
1〜2当量の塩基の存在下、反応させることにより得ら
れる。この反応は、例えばテトラヒドロフラン(以下T
HFと略す)、ジオキサン、アセトン、アセトニトリル
、クロロホルム、ジクロロメタン、酢酸エチル、N、N
−ジメチルホルムアミド(以下DMFと略す)、N、N
−ジメチルアセトアミド等の反応に悪影響を及ぼさない
慣用の不活性溶媒またはそれらの混合溶媒中で行われる
が、好適にはTHF、ジクロロメタン、アセトニトリル
等が挙げられる。塩基としては、例えば炭酸水素ナトリ
ウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム等の無機塩基:
例えばトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン
、N−メチルモルホリン等の有機塩基等が挙げられ、好
適にはジイソプロピルエチルアミンが挙げられる。反応
温度および時間は特に限定されないが、通常は一78〜
+5℃で、5分〜3時間である。反応液を常法に従って
処理することにより、−形式[■]の化合物を得ること
ができるが、特に精製することなく次の反応に用いるこ
ともできる。
本発明化合物[IIは、前記の一般式[II]の化合物
および一般式[IV]の化合物をパラジウム化合物およ
び塩の存在下、反応させることにより得られる。パラジ
ウム化合物としては、テトラキス(トリフェニルホスフ
ィン)パラジウム(0)、ビス(ジベンジリデンアセト
ン)パラジウム(O)、トリス(ジベンジリデンアセト
ン)2パラジウム(0)、ジクロロビス(トリフェニル
ホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビス(ベン
ゾニトリル)パラジウム(■)、カルボニルトリス(ト
リフェニルホスフィン)パラジウム(0) 、tran
s−ジメチルビス(トリフェニルホスフィン)パラジウ
ム(n)、trans−(4−tert−ブチルシクロ
ヘキセン−1−イル)クロロビス(トリフェニルホスフ
ィン)パラジウム(n)等が挙げられ、好適にはテトラ
キス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)、ビ
ス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)が挙げ
られる。塩としては、例えばフッ化リチウム、塩化リチ
ウム、臭化リチウム、ヨウ化リチウム等のハロゲン化リ
チウムもしくは酢酸リチウム、例えばフッ化ナトリウム
、塩化ナトリウム等のハロゲン化ナトリウム:例えば塩
化カリウム、ヨウ化カリウム等のハロゲン化カリウム:
例えばフッ化セシウム、塩化セシウム等のハロゲン化セ
シウム;例えば塩化亜鉛、ヨウ化亜鉛等のハロゲン化亜
鉛;例えばフッ化テトラn−ブチルアンモニウム、ヨウ
化テトラn−ブチルアンモニウム等のハロゲン化第4級
アンモニウム塩等が挙げられ、好適には塩化リチウム、
塩化亜鉛等が挙げられる。これらの塩は2種以上の混合
物で用いることもできる。
本反応において、パラジウムの配位子をさらに添加する
と反応を促進する場合もあり、その配位子としてトリフ
ェニルホスフィン、トリ(2−フリル)ホスフィン、ト
リ(2−チエニル)ホスフィン等が挙げられ、好適には
トリ(2−フリル)ホスフィンが挙げられる。
本反応は、例えばTHF、ジオキサン、アセトニトリル
、1,2−ジメトキシエタン、ジグリム、DMF。
ジメチルスルホキシド(以下DMS○と略す)、スルホ
ラン、N−メチルピロリジノン、ヘキサメチルホスホラ
ミド(以下HMPAと略す)、1.3−ジメチル3 、
4. 、5 、6−チトラヒドロー2(IH)−ピリミ
ジノン(以下DMPUと略す)等の反応に悪影響を及ぼ
さない慣用の不活性溶媒またはそれらの混合溶媒中で行
われるが、好適にはDMF、DMSO,N−メチルピロ
リジノン、HMPA、DMPU等が挙げられる。
股式[11]の化合物に対する各反応試剤の使用量は特
に限定されないが、−形式[TI]の化合物1モルに対
して、−形式[IV]の化合物は1〜2モル、パラジウ
ム化合物0.001〜0.05モル、塩は1〜5モル、
パラジウムの配位子を添加する場合は0.001〜0.
05モルの割合で使用することができる。
反応温度および時間は特に限定されないが、通常は一2
0〜+70℃で、1〜100時間である。反応液を常法
に従って処理することにより、本発明化合物[I]を得
ることができる。
本発明化合物[I]は、必要に応じ、保護基を除去する
ことにより、医薬として有用なカルバペネム誘導体とす
ることができる。カルボキシル基の保護基のR5が、例
えばアセトキシメチル基、ピバロイルオキシメチル基、
(5−メチル−2−オキソ−1゜3−ジオキソ−ルー4
−イル)メチル基、フタリジル基等のように、生体内で
容易に加水分解される保護基の場合は、脱保護すること
なく、経口剤として医薬に使用することもできる。
脱保護反応は、その種類により、それ自体既知の加溶媒
分解、金属による還元または接触還元等の通常の方法に
よって行うことができる。
例えば、4−ニトロベンジル基または2,2.2−1−
リクロロエチル基等は、鉄または亜鉛による温和な還元
によって除去することができる。4−メトキシベンジル
基、tert−ブチル基またはジフェニルメチル基等は
、塩化アルミニウムーアニソールによって除去すること
ができる。アリル基はパラジウム化合物とトリフェニル
ホスフィンとの混合物からなる触媒を使用して除去する
ことができる。4−ニトロベンジル基、ベンジル基また
はジフェニルメチル基等は、パラジウム−炭素の触媒の
存在下、接触還元を行うことによって除去することがで
きる。
2−トリメチルシリルエチル基は、テトラブチルアンモ
ニウム フルオリドによって除去することができる。2
−ニトロベンジル基は光分解によって除去することがで
きる。
形式[I]の化合物は、常法により医薬として許容され
る塩またはエステルとすることができる。
一般式[I[I]で表される出発原料は、カルバペネム
誘導体合成の重要な鍵中間体であるため、現在では優れ
た数多くの製法が発表されており、容易に入手できる。
例えば、D、G、メリロら(D、G、Melill。
et al、)、ジャーナル・オブ・オーガニック・ケ
ミストリー(J、Org、Chem、) 、第51巻、
1498頁(1986年)、 LM、フエンテスら(L
、M、Fuentes  etal、)、ジャーナル・
オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティ(J、Am
、Chem、SoC,)、第108巻、4675頁(1
986年)、R,デジールら(R,D6ziel et
 al、)テトラヘドロン・レターズ(Tetrahe
dron  Lett、)第30巻、1345頁(19
89年)およびそれらの中に引用されている文献参照。
もう一方の原料である一般式[IV]で表されるスズ化
合物は、市販されているか、または例えばJ、にステイ
ル(J、に、5tille)、アンゲバンテ・ヘミ−・
インターナショナル・エデイジョン・イン・イングリッ
シュ(Angew、Chem、Int、Ed、Engl
、)、第25巻、508頁(1986年)もしくはM、
ベレイアら(M、Pereyere et al、)、
ティン・イン・オーガニック・シンセシス(Tin i
n Organic 5ynthesis)。
バターワース(Butterworths)、 198
7年の成書等に引用されている文献に従って合成するこ
とができる。
本発明の一般式[]の化合物またはその塩またはそのエ
ステルは、優れた抗菌活性を示し、医薬品として有用な
新規化合物であり細菌感染症、例えば呼吸器感染症、尿
路感染症、化膿性疾患または外科感染症の治療および予
防に用いることができる。
本発明化合物の有用性を具体的に示すために、代表的化
合物について生物学的試験の結果を示すが、この結果か
ら明らかなように、本発明化合物は抗生物質として、特
に経口投与用のものとして有用である。
l  −竺   −・− 試験方法: 下記の寒天平板希釈法により、測定した。
ミューラー・ヒントン・ブロス中で一夜培養した各試験
菌株の一白金耳(接種菌fft : 10’CFU/m
f’)をミューラー・ヒントン・アガーに接種した。こ
の培地には供試薬剤が所定の濃度含まれており、37°
Cで16時間培養したのち、最小発育阻止濃度(MIC
)をμg/m/単位で測定した。
試験結果: 本発明化合物を治療の目的で投与するにあたっては、本
発明化合物を主成分として含み、その投与方法に適した
、医薬上許容される有機もしくは無機または固体もしく
は液体の担体を加えた慣用製剤の形で投与できる。投与
方法および製剤としては、錠剤、散剤、カプセル剤もし
くはシロップ剤等による経口投与または静脈内注射、筋
肉内注射もしくは半割等による非経口投与が適用される
なお、これらの剤形を製造するに際しては、この分野に
おける常法によることができ、例えば補助剤、安定剤、
乳化剤、湿潤剤、結合剤または賦形剤等の通常使用され
る添加剤が含まれていてもよい。その投与量は、年齢、
性別、体重、感受性差、投与方法、投与の時間および間
隔、病状の程度、体調、医薬製剤の性質、調剤の種類ま
たは有効成分の種類等を考慮して決定されるが、通常は
1日当り]〜100 mgfkgの範囲であり、1日当
り5〜30 mgfkgで2〜4回に分けて投与するこ
とが好ましい。
および参 以下に実施例および参考例を挙げて本発明を更に具体的
に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
例中に用いたカラム用シリカゲルはWakogel■C
−300(和光純薬)を、逆相カラム用シリカゲルとし
てはLC−3ORBeSP−B−ODS (Chemc
o)を用いた。
反応式に用いた略号の意味は次の通りである。
Me:メチル基 Et:エチル基 Bu n−ブチル基 Tf ニ トリフルオロメタンスルホニル基 PNB : 4−二トロベンジル基 実施例1 4−ニトロベンジル (3R,5R,6S)−2−オキ
ソ−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−1−カ
ルバペナム−3−カルボキシラード128mg(0,3
67mmoI)のアセトニトリル(3mO溶液に窒素気
流下、−45℃でジイソプロピルエチルアミン0.06
5m/(0,37mmoA’)、次いで無水トリフルオ
ロメタンスルホン酸0.062mA’(0,37mmo
l)を滴下し、−40〜−30°Cで30分撹拌した。
反応液に酢酸エチル(3ml)を加え、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液、次いで飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。残渣のトリフ
ラートを精製することなく、次の反応に用いた。この粗
生成物に塩化亜鉛113mg(0,83mmol)、ビ
ス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)5.3
mg(0,0091mmof)およびトリ(2−フリル
)ホスフィン4.4mg(0,0185mmoりを加え
、ついで、窒素気流下、trans −2−カルバモイ
ルビニル(トリn−ブチル)スズ157 mg(0、4
36mmo! )のN−メチルピロリジノン(6ml)
溶液を加え、室温で2時間撹拌した。反応液に酢酸エチ
ルを加え、水、次いで飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー(メタノール−クロロホル
ム系で溶出)で精製し、標記化合物50 、5 mg(
収率:34.3%)を得た。
1R(KBr)cm−I: 1780.1720.16
50. l600゜1520.1340.127O NMR(CDα、−CD、OD)δ: 1.35(3H
,d、J = 6Hz)。
3.16(2H,dd、J = 4.6Hz)、 3.
30(IH,dd。
J=3.7Hz)、 4.10〜4.38(2H,m)
、 5.38および5.56(2H,ABq、J = 
13Hz)、 6.21(LH,d、J = 1.5H
z)、 7.74(2H,d、J = 8Hz)。
8.21(IH,d、J= 15Hz)。
8.27(2H,d、J 8)(z) 実施例2 実施例1で得られた化合物50.5mg(0,126m
mol)のTHF(5,5mJ)溶液に、IM塩化アン
モニウム水溶液l、5mlを加え、水冷下、鉄粉191
 mgを加え、20分間撹拌し、さらに室温で20分間
撹拌した。次いで鉄粉191 mgを加え、室温で20
分間撹拌するという操作を3回繰返した。不溶物を濾去
したのち、0.1M リン酸緩衝液(pH7,0)9m
lとクロロホルムを加え、水層を分取した。この水層を
さらにクロロホルムで洗ったのち、逆相シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(水で溶出)で精製し、目的画分
を集め、凍結乾燥することにより、標記化合物21.5
mg(収率+59.2%)を得た。
UV λ、、、、(0,1M 3−モルホリノプロパン
スルホナート緩衝液、pH7,0) : 322nm(
ε= 6,900)1R(KBr)cm” : 176
0,1670,1610,140ONMR(DzO)δ
: 1.24(3H,d、J = 6Hz)、 3.0
8(2H。
d、J = 9Hz)、 3.48(LH,dd、J 
= 3.6Hz)。
4.12−4.39(2H,m)、 6.06(IH,
d、J = 16Hz)7.94(IH,d、J = 
16Hz)実施例3 4−ニトロベンジル (1R,3R,5R,6S)−2
−オキソ−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−
1−メチルカルバペナム−3−カルボキシラード133
mgを用いて、反応時間を6時間に変えた外は、実施例
1と実質的に同様にして、標記化合物90.2mg(収
率:592%)を得た。
1R(KBr)cm−1: 1770,1720,16
70,16001520.1340.129O NMR(CDC7,+CD30D)δ: 1.24(3
H,d、J = 8Hz)1.34(3H,d、J=6
Hz)、3.27−3.50(2H,m)。
4.10〜4.34.(2H,m)、 5.34および
5.52(2H。
ABq、J= 14Hz)、6.22(LH,d、J=
 16Hz)。
7.70(2H,dJ=9Hz)、8.10(IH,d
、J= 16Hz)。
8.26(2H,d、J = 9Hz)実施例4 実施例3の化合物88.5mgおよび鉄粉1.288g
(322mgx4)を用いて、実施例2と実質的に同様
にして、標記化合物26 、2 mg(収率: 40.
7%)を得た。
UV2M、、(0,1M 3−モルホリノプロパンスル
ホナート緩衝液、pH7,0): 327nm(ε= 
15,400)1R(KBr)cm−’ : 1750
.1660,1600,1380゜26O N M R(D20 )δ: 1.12(3H,d、J
 = 7Hz)、1.24(3H。
d、J=6Hz)、3.26〜3.52(2H,m)、
4.10−4.30(2H,m)、6.19(LH,d
、J= 16Hz)。
7.82(LH,dj= 16Hz) 実施例5 trans −2−ジメチルカルバモイルビニル(トリ
n−ブチル)スズ143mgを用いて、反応時間を一夜
に変えた外は、実施例1と実質的に同様にして、標記化
合物69゜1 mg(収率: 43.9%)を得た。
1R(KBr)cm” : 1780.1720. 1
640.16001520、 1350. 129O NMR(CDCI、)δ: 1.34(3H,d、J=
6Hz)、3.03(3H,s)、3.09(3H,s
)、3.13(2H,m)。
3.27(LH,dd、J=3.7Hz)、4.14〜
4.38(2H,m)、 5.29および5.50(2
H,ABq、J= 14Hz)、 6.41(IH,d
、J = 15Hz)、 7.67(2H,d、、J=
9Hz)、8.16(LH,d、J= 15Hz)8.
23(2H,d、J=9Hz) 実施例6 実施例5の化合物68.1mgおよび鉄粉964mg(
241mgx4)を用いて、実施例2と実質的に同様に
して、標記化合物19.1mg(収率: 38.0%)
を得た。
UV λ+m。(0,1M 3−モルホリノプロパンス
ルホナート緩衝液、pH7,0)+ 324nm(ε=
 15,200)1R(KBr)cm−’ + 176
0.1640,1600,1390゜25O NMR(D20)δ: 1.28(3H,d、J = 
6Hz)、 3.00(3Hs)、3.10(2H,d
j=9Hz)、3.15(3H,s)。
3.47(IH,ddj=3.6Hz)、4.15〜4
.35(2H,、m)、6.44(IH,d、J = 
16Hz)、  7.90(IH,d、J = 16H
z) 実施例7 4−ニトロベンジル (1R,3R,5R,6S)−2
−オキソ6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−1
−メチルカルバペナム−3−カルボキシラード133m
gおよびtrans −2−ジメチルアミノカルボニル
ビニル(トリn−ブチル)−スズ165mgを用いて、
反応時間を一夜に変えた外は、実施例1と実質的に同様
にして、標記化合物93.8mg(収率: 57.7%
)を得た。
1R(KBr)cm” : 1780,1720,16
40,16001520.1340.129O NMR(CDC1’、)δ: 1.26(3H1d、J
 = 7Hz)、  1.36(3H,d、J=6Hz
)、 3.06(3H,s)、 3.13(3H。
s)、 3.34(IH,dd、J = 3.7Hz)
、 3.48(IH。
m)、 4.16〜4.38(2H,m)、 5.28
および5.51(2H,ABq、J = 14Hz)、
  6.62(H(、d。
J= 16Hz)、7.69(2H,dj=9Hz)、
8.15(LH,d、J = 16Hz)、 8.23
(2H,d、J = 9Hz)実施例8 実施例7の化合物93mgおよび鉄粉1.288g(3
22mgx4)を用いて、実施例2と実質的に同様にし
て、標記化合物25 、9 mg(収率:37.4%)
を得た。
UV λ、、、(0,1M 3−モルホリノプロパンス
ルホナート緩衝液、pH7,0): 328nm(e 
= 15,300)1R(KBr)cm−’ : 17
50,1630,1600,139026O NMR(D、O)δ: 1.16(3H,d、J = 
8Hz)、 1.27(3H。
d、J=6Hz)、 3.00(3H,s)、 3.1
6(3H,s)。
3.34−3.58(2M1m)、  4.14〜4.
30(2Mm)、 6.62(IH,d、J= 16H
z)、 7.84(IHd、J = 16Hz) 実施例9 4−ニトロベンジル (l R,3R,5R,6S)−
2−オキソ6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−
1−メチルカルバペナム−3−カルボキシラード133
mgおよびcis−2−カルバモイルビニル(トリn−
ブチル)スズ157mgを用いて、反応条件を室温で一
夜、のち50°Cで1時間に変えた外は、実施例1と実
質的に同様にして、標記化合物21 、1 mg(収率
:139%)を得た。
1R(KBr)cm−’ : 1770.1720.1
670.16201520、135O NMR(CDC1,)δ・1.10(3H,d、J =
 8Hz)、 1.33(3H,d、J = 6Hz)
、 3.30(1,H,dd、J = 3.7Hz)3
.90(IH,m)、 4.26(IH,m)、 4.
33(IH。
dd、J = 3.9Hz)、 5.24および5.4
6(2HABq、J = 13Hz)、 5.88(I
H,brs)、 5.96(IH,brs)、 6.0
5(IH,d、J = 13Hz)、 7.12(LH
,d、J = 13Hz)、 7.66(2H,d、J
 = 9Hz)。
8.24.(2H2d、J = 9Hz)実施例10 実施例9の化合物20mgおよび鉄粉292mg(73
mg×4)を用いて、実施例2と実質的に同様にして、
標記化合物6.82mg(収率: 46.9%)を得た
UV λ、、(0,1M 3−モルホリノプロパンスル
ホナト緩衝液、pH7,0): 315nm(ε= 3
,500)1R(KBr)cm−I: 1750.16
40.162ONMR(D20)δ: 1.03(3H
,d、J = 6Hz)、1.27(3H。
d、J=6Hz)、 3.36−3.70(2H,m)
、 4.10−4.42(2H,m)、6.04(IH
,d、J=13Hz)。
6.96(LH,d、J= 13Hz)実施例11 cis −2−ジメチルカルバモイルビニル(トリn−
ブチル)スズ169mgを用いて、反応時間を24時間
に変えた外は、実施例1と実質的に同様にして、標記化
合物30 mg(収率:16%)を得た。
1R(KBr)cm−’ : 1780.1720.1
620.1520゜1340、129O N M R(CD CJ!! )δ: 1.34(3’
H,d、J = 6Hz)、 3.01(3H,s)、
 3.04.(3H,s)、 3.10(2H,d、J
loHz)、 3.24(IH,dd、J=3.7Hz
)、 4.12〜4.34(2H,m)、 5.26お
よび5.50(2H,ABq。
J = 14Hz)、 6.21(IH,d、J = 
12Hz)、 7.36(IH,d、J = 12Hz
)、 7.68(2H,d、J = 9Hz)。
8.25(2H,d、J = 9Hz)実施例12 実施例11の化合物28.9mgおよび鉄粉408mg
(102mg x 4)を用いて、実施例2と実質的に
同様にして、標記化合物10.3mg(収率: 48.
4%)を得UV  λ11111(0,1M 3−モル
ホリノプロパンスルホナート緩衝液、pH7,0): 
306%m(ε= 5,800)1R(KBr)cm−
’ : 1760.1610.140ONMR(D20
)δ: 1.26(3H,d、J = 6Hz)、 2
.89(2Hd、J = l0Hz)、  2.97(
3H,s)、  3.07(3H。
s)、  3.42(IH,dd、J = 3.6Hz
)、  4.09−4.29(2H,m)、6.10(
IH,d、J= 13Hz)7.09(IH,d、J=
 13Hz)実施例13 4−ニトロベンジル (]、R,3R,5R,6S)−
2−オキソ6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−
1−メチルカルバペナム−3−カルボキシラード133
mgおよびcis −2−ジメチルカルバモイルビニル
(トリn−ブチル)スズ169mgを用いて、反応条件
を室温で一夜、のち50°Cで3時間に変えた外は、実
施例1と実質的に同様にして、標記化合物14.7mg
(収率:9%)を得た。
1R(KBr)cm” : 1780.1720 16
40.162026O NMR(CDCI!、)δ: 1.05(3H,dj 
= 8Hz)、 1.35(3H,d、J=6Hz)、
 3.02(3H1s)、 3.05(3H。
s)、3.27(]、H,ddj = 3.6Hz)、
 3.70(IHm)、 4.16〜4.34(2H,
m)、 5.27および5.50(2H,ABq、J 
= 14.Hz)、 6.23(IH,d。
J ;′13Hz)、 7.28(IH,d、J = 
13Hz)、 7.68(2H,dj = 9Hz)、
 8.24(2H,d、J = 9Hz)実施例14 実施例13の化合物14 、7 mgおよび鉄粉200
 mg(50mgx4)を用いて、実施例2と実質的に
同様にして、標記化合物13.6mgを得た。
UV λ、、、(0,1M 3−モルホリノプロパンス
ルホナート緩衝液、pH7,0): 308%m(ε=
 3,000)1R(KBr)cm” : 1750,
1620,1450.140ONMR(D20)δ: 
0.98(3H,d、J = 8Hz)、 1.26(
3H。
d、J=6Hz)、 2.97(3H,s)、 3.0
8(3H,s)。
3.06−3.46(2H,m)、  4.10〜4.
30(2Hm)、 6.14(IH,d、J= 13H
z)、 7.03(IH7d、J = 13Hz) 実施例15 1−エトキシビニル(トリn−ブチル)スズ157mg
を用いて、反応時間を一夜に変えた外は、実施例1と実
質的に同様にして、標記化合物92.3mg(収率 6
26%)を得た。
NMR(CDC13)δ: 1.21(3H1t、J 
= 6Hz)、 1.33(3H,dj = 6Hz)
、 3.06(2H,d、J = 9Hz)3.30(
LH,dd、J = 3.6Hz)、 3.75(2H
,qJ=6Hz)、 4.13−4.40(4T(、m
)、 5.32および5.43(2H,ABq、J =
 14Hz)、 7.63(2H2d、J = 9Hz
)、 8.24(2H,d、J = 9Hz)実施例1
6 実施例15の化合物92.3mgおよび鉄粉1,392
g(348mg x 4)を用いて、実施例2と実質的
に同様にして、標記化合物8.62mg(収率:130
%)を得た。
UV λ、、、、f(0,1M S−モルホリノプ口バ
ンスルホナート緩衝液、pH7,0) : 322nm
1R(KBr)cm−’ : 1770,1610.1
400介lド51里 本発明の化合物は、文献未記載の新規化合物であり、感
受性・耐性のダラム陽性菌およびダラム陰性菌に対する
強い抗菌力、β−ラクタマーゼおよびDHP−Iに対す
る優れた安定性を有するので、抗菌剤として有用である
特に、本発明の化合物は経口吸収性に優れるので、経口
抗菌剤としての使用が期待される。
特許出願人   萬有製薬株式会社

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[ I ] [式中、R^1は水素原子またはメチル基、R^2、R
    ^3およびR^4は水素原子、低級アルキル基、アミノ
    カルボニル基、低級アルコキシ基、シアノ基、低級アル
    コキシカルボニル基およびニトロ基からなる群から選ば
    れる置換基を示す(但し、R^2、R^3およびR^4
    がともに水素原子または低級アルキル基の場合を除く)
    ]で表される化合物またはその医薬として許容される塩
    またはエステル。
  2. (2)R^2、R^3およびR^4が水素原子、アミノ
    カルボニル基または低級アルコキシ基(但し、R^2、
    R^3およびR^4がともに水素原子の場合を除く)で
    ある第1請求項記載の化合物。
  3. (3)カルバペネム骨格の立体配位が(5R、6S、8
    R)または(1S、5R、6S、8R)である第1請求
    項記載の化合物。
  4. (4)(5R、6S)−2−(trans−2−カルバ
    モイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチ
    ル]−1−カルバペン−2−エム−3−カルボン酸、 (1S、5R、6S)−2−(trans−2−カルバ
    モイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチ
    ル]−1−メチルカルバペン−2−エム−3−カルボン
    酸、 (5R、6S)−2−(trans−2−ジメチルカル
    バモイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエ
    チル]−1−カルバペン−2−エム−3−カルボン酸、 (1S、5R、6S)−2−(trans−2−ジメチ
    ルカルバモイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロ
    キシエチル]−1−メチルカルバペン−2−エム−3−
    カルボン酸、 (5R、6S)−2−(cis−2−カルバモイルビニ
    ル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−1−
    メチルカルバペン−2−エム−3−カルボン酸、 (1S、5R、6S)−2−(cis−2−カルバモイ
    ルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]
    −1−カルバペン−2−エム−3−カルボン酸、 (5R、6S)−2−(cis−2−ジメチルカルバモ
    イルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル
    ]−1−カルバペン−2−エム−3−カルボン酸、 (1S、5R、6S)−2−(cis−2−ジメチルカ
    ルバモイルビニル)−6−[(1R)−1−ヒドロキシ
    エチル]−1−メチルカルバペン−2−エム−3−カル
    ボン酸、 (5R、6S)−2−(1−エトキシビニル)−6−[
    (1R)−1−ヒドロキシエチル]−1−カルバペン−
    2−エム−3−カルボン酸および (1S、5R、6S)−2−(1−エトキシビニル)−
    6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−1−メチル
    カルバペン−2−エム−3−カルボン酸である第1請求
    項記載の化合物。
  5. (5)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[II] [式中、R^1は水素原子またはメチル基、R^5はカ
    ルボキシル基の保護基、R^6は水素原子または水酸基
    の保護基、Tfはトリフルオロメタンスルホニル基を示
    す]で表される化合物と一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[IV] [式中、R^2、R^3およびR^4は水素原子、低級
    アルキル基、アミノカルボニル基、低級アルコキシ基、
    シアノ基、低級アルコキシカルボニル基およびニトロ基
    からなる群から選ばれる置換基、R^7、R^8および
    R^9は低級アルキル基を示す(但し、R^2、R^3
    およびR^4がともに水素原子または低級アルキル基の
    場合を除く)]で表される化合物とを、パラジウム化合
    物および塩の存在下に反応させ、次いで要すれば保護基
    を除去することを特徴とする、一般式▲数式、化学式、
    表等があります▼[ I ] [式中、R^1、R^2、R^3およびR^4は前記の
    意味を有する]で表される化合物またはその医薬として
    許容される塩またはエステルの製造法。
  6. (6)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[III] [式中、R^1は水素原子またはメチル基、R^5はカ
    ルボキシル基の保護基、R^6は水素原子または水酸基
    の保護基を示す]で表される化合物および無水トリフル
    オロメタンスルホン酸から誘導される一般式▲数式、化
    学式、表等があります▼[II] [式中、R^1は水素原子またはメチル基、R^5はカ
    ルボキシル基の保護基、R^6は水素原子または水酸基
    の保護基、Tfはトリフルオロメタンスルホニル基を示
    す]で表される化合物と一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[IV] ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^2、R^3およびR^4は水素原子、低級
    アルキル基、アミノカルボニル基、低級アルコキシ基、
    シアノ基、低級アルコキシカルボニル基およびニトロ基
    からなる群から選ばれる置換基、R^7、R^8および
    R^9は低級アルキル基を示す(但し、R^2、R^3
    およびR^4がともに水素原子または低級アルキル基の
    場合を除く)]で表される化合物とを、パラジウム化合
    物および塩の存在下に反応させ、次いで要すれば保護基
    を除去することを特徴とする、一般式▲数式、化学式、
    表等があります▼[ I ] [式中、R^1、R^2、R^3およびR^4は前記の
    意味を有する]で表される化合物またはその医薬として
    許容される塩またはエステルの製造法。
  7. (7)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[ I ] [式中、R^1は水素原子またはメチル基、R^2、R
    ^3およびR^4は水素原子、低級アルキル基、アミノ
    カルボニル基、低級アルコキシ基、シアノ基、低級アル
    コキシカルボニル基およびニトロ基からなる群から選ば
    れる置換基を示す(但し、R^2、R^3およびR^4
    がともに水素原子またはアルキル基の場合を除く)]で
    表される化合物またはその医薬として許容される塩また
    はエステルを有効成分とする抗菌剤。
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