JPH04265939A - 液晶表示素子用透明電極の保護被膜形成法、透明電極保護被膜および液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子用透明電極の保護被膜形成法、透明電極保護被膜および液晶表示素子Info
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- JPH04265939A JPH04265939A JP2715191A JP2715191A JPH04265939A JP H04265939 A JPH04265939 A JP H04265939A JP 2715191 A JP2715191 A JP 2715191A JP 2715191 A JP2715191 A JP 2715191A JP H04265939 A JPH04265939 A JP H04265939A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子透明電極の
保護被膜形成法、さらに詳しくは低温での乾燥硬化が可
能で、ぬれ性に優れた、液晶表示素子用透明電極の保護
被膜形成法、透明電極保護被膜および液晶表示素子に関
する。
保護被膜形成法、さらに詳しくは低温での乾燥硬化が可
能で、ぬれ性に優れた、液晶表示素子用透明電極の保護
被膜形成法、透明電極保護被膜および液晶表示素子に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来、液晶表示素子の製造に際しては、
パターニングされた透明電極を有する基板に、ポリイミ
ド等の有機高分子からなる配向膜を塗布形成し、配向処
理を行った後、素子を組み立てる方法が採用されている
。しかし、近年、液晶表示素子の大型化に伴い、配向膜
のピンホールや素子のギャップ中に混入した異物および
一定のギャップを保つために基板の間に入れられるスペ
ーサが、配向膜をキズつけたり、突き破ることによって
起こる上下基板間の導通による表示不良が問題となって
いる。
パターニングされた透明電極を有する基板に、ポリイミ
ド等の有機高分子からなる配向膜を塗布形成し、配向処
理を行った後、素子を組み立てる方法が採用されている
。しかし、近年、液晶表示素子の大型化に伴い、配向膜
のピンホールや素子のギャップ中に混入した異物および
一定のギャップを保つために基板の間に入れられるスペ
ーサが、配向膜をキズつけたり、突き破ることによって
起こる上下基板間の導通による表示不良が問題となって
いる。
【0003】最近、上記問題を解決する手段として、透
明電極と配向膜の間に絶縁性の層を形成する方法が検討
され、例えば(1)スパッタリングによる低温で酸化膜
を形成する方法、(2)アルコキシシラン、アルコキシ
チタンおよび増粘剤としての有機高分子を含む溶液を印
刷法等で塗布した後、熱処理して酸化膜とする方法等が
採用されている。しかしながら、(1)の方法では、真
空系の高価な装置が必要であり、またバッチ処理のため
生産性が悪い欠点があり、(2)の方法では、酸化膜形
成のための高温処理によって透明電極のシート抵抗値が
上昇する等の欠点がある。
明電極と配向膜の間に絶縁性の層を形成する方法が検討
され、例えば(1)スパッタリングによる低温で酸化膜
を形成する方法、(2)アルコキシシラン、アルコキシ
チタンおよび増粘剤としての有機高分子を含む溶液を印
刷法等で塗布した後、熱処理して酸化膜とする方法等が
採用されている。しかしながら、(1)の方法では、真
空系の高価な装置が必要であり、またバッチ処理のため
生産性が悪い欠点があり、(2)の方法では、酸化膜形
成のための高温処理によって透明電極のシート抵抗値が
上昇する等の欠点がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記問
題を解決する方法として、末端ヒドロキシラダーポリシ
ロキサンおよび有機金属化合物を溶剤に溶解させた組成
物を用いる方法を検討したが、この組成物から形成され
る被膜は、ぬれ性が悪く、この被膜上に液晶配向膜形成
用組成物を塗布すると、ハジキが発生するという問題の
あることを見出した。
題を解決する方法として、末端ヒドロキシラダーポリシ
ロキサンおよび有機金属化合物を溶剤に溶解させた組成
物を用いる方法を検討したが、この組成物から形成され
る被膜は、ぬれ性が悪く、この被膜上に液晶配向膜形成
用組成物を塗布すると、ハジキが発生するという問題の
あることを見出した。
【0005】本発明の目的は、上記技術の問題をなくし
、低温での硬化が可能で、しかも、ぬれ性に優れ、液晶
配向膜形成用組成物の塗布時にハジキを発生させない保
護被膜を生成する液晶表示素子用透明電極の保護被膜形
成法、透明電極保護被膜および液晶表示素子を提供する
ことにある。
、低温での硬化が可能で、しかも、ぬれ性に優れ、液晶
配向膜形成用組成物の塗布時にハジキを発生させない保
護被膜を生成する液晶表示素子用透明電極の保護被膜形
成法、透明電極保護被膜および液晶表示素子を提供する
ことにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
に鑑み鋭意検討した結果、特定の末端ヒドロキシラダー
ポリシロキサンおよび特定の有機金属化合物を溶剤に溶
解させた組成物を低温硬化させた後、該硬化膜表面を特
定のシランカップリング剤で処理することにより、該表
面に対して液晶配向膜形成用組成物のぬれ性を改善でき
、ハジキのない優れた透明電極保護被膜を形成できるこ
とを見出し、本発明に到達した。
に鑑み鋭意検討した結果、特定の末端ヒドロキシラダー
ポリシロキサンおよび特定の有機金属化合物を溶剤に溶
解させた組成物を低温硬化させた後、該硬化膜表面を特
定のシランカップリング剤で処理することにより、該表
面に対して液晶配向膜形成用組成物のぬれ性を改善でき
、ハジキのない優れた透明電極保護被膜を形成できるこ
とを見出し、本発明に到達した。
【0007】すなわち、本発明は、液晶表示素子用透明
電極上に一般式(I)
電極上に一般式(I)
【化3】
(式中、R1 およびR2 は、同一または異なる、水
素または一価炭化水素基、nは正の整数を意味する)で
表され、数平均分子量が2,000〜500,000で
ある末端ヒドロキシラダーポリシロキサンおよび一般式
(II)
素または一価炭化水素基、nは正の整数を意味する)で
表され、数平均分子量が2,000〜500,000で
ある末端ヒドロキシラダーポリシロキサンおよび一般式
(II)
【化4】
(式中、Mは金属元素、R′は水素または一価炭化水素
基、mは正の整数を意味する)で表される有機金属化合
物を含む保護被膜形成用組成物を用いて形成した被膜表
面を、末端にアミノ基を有するシランカップリング剤で
処理することを特徴とする液晶表示素子用透明電極の保
護被膜形成法、この方法で形成された透明電極保護被膜
およびこの透明電極保護被膜を有する液晶表示素子に関
する。
基、mは正の整数を意味する)で表される有機金属化合
物を含む保護被膜形成用組成物を用いて形成した被膜表
面を、末端にアミノ基を有するシランカップリング剤で
処理することを特徴とする液晶表示素子用透明電極の保
護被膜形成法、この方法で形成された透明電極保護被膜
およびこの透明電極保護被膜を有する液晶表示素子に関
する。
【0008】本発明に用いられる前記一般式(I)で表
される末端ヒドロキシラダーポリシロキサンは、例えば
特公昭58−50657号公報に示されるように、フェ
ニルトリクロロシランを、多量の水を用いて加水分解し
た後、加水分解物をトルエン中でカルボジイミド類を触
媒として脱水縮重合させて得られる。この場合は前記一
般式(I)中のR1 およびR2 がフェニル基の場合
であるが、本発明においては上記したようにR1 およ
び/またはR2 を、フェニル基のほかにメチル基、エ
チル基等のアルキル基、クロルフェニル基等のアリール
基、水素原子などとすることができ、これらは分子中に
1種または2種以上含むことができる。
される末端ヒドロキシラダーポリシロキサンは、例えば
特公昭58−50657号公報に示されるように、フェ
ニルトリクロロシランを、多量の水を用いて加水分解し
た後、加水分解物をトルエン中でカルボジイミド類を触
媒として脱水縮重合させて得られる。この場合は前記一
般式(I)中のR1 およびR2 がフェニル基の場合
であるが、本発明においては上記したようにR1 およ
び/またはR2 を、フェニル基のほかにメチル基、エ
チル基等のアルキル基、クロルフェニル基等のアリール
基、水素原子などとすることができ、これらは分子中に
1種または2種以上含むことができる。
【0009】末端ヒドロキシラダーポリシロキサンの数
平均分子量は、塗布性および硬化性の点から、2,00
0〜500,000、好ましくは10,000〜50,
000の範囲である。また一般式(I)のnは、通常1
〜1000の整数、好ましくは5〜500の整数である
。
平均分子量は、塗布性および硬化性の点から、2,00
0〜500,000、好ましくは10,000〜50,
000の範囲である。また一般式(I)のnは、通常1
〜1000の整数、好ましくは5〜500の整数である
。
【0010】本発明に用いられる前記一般式(II)で
表される有機金属化合物としては、Ti(OR′)4
、Zr(OR′)4 、Ta(OR′)5 、In(O
R′)3 、Si(OR′)4 等の化合物が挙げられ
、R′としては、CH3 −、C2H5 −、i−C3
H7 −、n−C3 H7 −、i−C4 H9 −
、n−C4 H9 −、C5 H11−などが好ましい
。一般式(II)のmは、通常2〜6の整数、好ましく
は3〜5の整数である。
表される有機金属化合物としては、Ti(OR′)4
、Zr(OR′)4 、Ta(OR′)5 、In(O
R′)3 、Si(OR′)4 等の化合物が挙げられ
、R′としては、CH3 −、C2H5 −、i−C3
H7 −、n−C3 H7 −、i−C4 H9 −
、n−C4 H9 −、C5 H11−などが好ましい
。一般式(II)のmは、通常2〜6の整数、好ましく
は3〜5の整数である。
【0011】上記有機金属化合物は、前記末端ヒドロキ
シラダーポリシロキサンの末端水酸基と反応してSi−
O−Mなる結合を形成し、低温で架橋剤としての作用を
有する。またその添加によって、形成される保護被膜の
屈折率を制御し、透明電極パターンが点灯していない状
態で透けて見えるいわゆるネサ黒等の現象を防ぐことが
できる。
シラダーポリシロキサンの末端水酸基と反応してSi−
O−Mなる結合を形成し、低温で架橋剤としての作用を
有する。またその添加によって、形成される保護被膜の
屈折率を制御し、透明電極パターンが点灯していない状
態で透けて見えるいわゆるネサ黒等の現象を防ぐことが
できる。
【0012】この化合物の具体例としては、テトライソ
プロポキシチタン、テトラブトキシジルコニウム、テト
ラエトキシジルコニウム、ペンタエトキシタンタル、ト
リブトキシインジウム、テトラエトキシシラン等が挙げ
られる。これらの有機金属化合物の添加量は、主に架橋
剤として用いる場合には、末端ヒドロキシラダーポリシ
ロキサンのヒドロキシル基濃度に対し、10〜100モ
ル%が好ましく、また屈折率の制御を主目的とする場合
には、チタン、ジルコニウム等の有機金属化合物を用い
、Si原子に対して金属原子として10〜100モル%
とするのが好ましい。
プロポキシチタン、テトラブトキシジルコニウム、テト
ラエトキシジルコニウム、ペンタエトキシタンタル、ト
リブトキシインジウム、テトラエトキシシラン等が挙げ
られる。これらの有機金属化合物の添加量は、主に架橋
剤として用いる場合には、末端ヒドロキシラダーポリシ
ロキサンのヒドロキシル基濃度に対し、10〜100モ
ル%が好ましく、また屈折率の制御を主目的とする場合
には、チタン、ジルコニウム等の有機金属化合物を用い
、Si原子に対して金属原子として10〜100モル%
とするのが好ましい。
【0013】本発明に用いられる保護被膜形成用組成物
は、前記の末端ヒドロキシラダーポリシロキサンを室温
またはそれ以上の温度で溶媒に溶解した後、前記有機金
属化合物を添加し、攪拌溶解することによって得られる
。溶剤としては、N,N−ジメチルアセトアミド、N−
メチル−2−ピロリドンブチルセロソルブ、ヘキシレン
グリコール、ブチルセロソルブ、N−メチル−2−ピロ
リドン、ジエチレングリコール等が用いられる。
は、前記の末端ヒドロキシラダーポリシロキサンを室温
またはそれ以上の温度で溶媒に溶解した後、前記有機金
属化合物を添加し、攪拌溶解することによって得られる
。溶剤としては、N,N−ジメチルアセトアミド、N−
メチル−2−ピロリドンブチルセロソルブ、ヘキシレン
グリコール、ブチルセロソルブ、N−メチル−2−ピロ
リドン、ジエチレングリコール等が用いられる。
【0014】本発明の液晶表示素子用透明電極の保護被
膜は、例えば透明電極のパターンが形成された基板上に
、保護被膜形成用組成物をロールコータ等の印刷機、ス
ピナー塗布機などによって塗布し、100〜300℃、
好ましくは150〜250℃のオーブン、ホットプレー
ト等で熱処理して被膜とした後、この被膜表面を末端に
アミノ基を有するシランカップリング剤で処理すること
により得られる。上記熱処理の時間は、オーブンの場合
は30〜90分、ホットプレートの場合は10〜30分
程度が好ましい。また被膜の膜厚は絶縁耐圧の点から5
00〜2000Åが好ましい。
膜は、例えば透明電極のパターンが形成された基板上に
、保護被膜形成用組成物をロールコータ等の印刷機、ス
ピナー塗布機などによって塗布し、100〜300℃、
好ましくは150〜250℃のオーブン、ホットプレー
ト等で熱処理して被膜とした後、この被膜表面を末端に
アミノ基を有するシランカップリング剤で処理すること
により得られる。上記熱処理の時間は、オーブンの場合
は30〜90分、ホットプレートの場合は10〜30分
程度が好ましい。また被膜の膜厚は絶縁耐圧の点から5
00〜2000Åが好ましい。
【0015】末端にアミノ基を有するシランカップリン
グ剤としては、例えばN−β(アミノエチル)−γ−ア
ミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−β(アミノ
エチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、δ
−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、δ−アミノ
プロピルトリエトキシシランなどの化合物が挙げられる
。これらカップリング剤はアルコール、グリコール、グ
リコールエーテル、水等の溶媒に溶解し、通常0.01
〜5重量%、好ましくは0.1〜1重量%の濃度で用い
られる。
グ剤としては、例えばN−β(アミノエチル)−γ−ア
ミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−β(アミノ
エチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、δ
−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、δ−アミノ
プロピルトリエトキシシランなどの化合物が挙げられる
。これらカップリング剤はアルコール、グリコール、グ
リコールエーテル、水等の溶媒に溶解し、通常0.01
〜5重量%、好ましくは0.1〜1重量%の濃度で用い
られる。
【0016】カップリング剤溶液による処理は、例えば
スピンコーティング、デッピング等の方法によりこの溶
液を上記被膜表面に塗布し、乾燥して行う。乾燥は用い
た溶媒の沸点付近の温度で5分以上行うのが好ましい。 この表面処理により、液晶配向膜形成用組成物に対する
ぬれ性が改善され、ハジキの発生が防止される。
スピンコーティング、デッピング等の方法によりこの溶
液を上記被膜表面に塗布し、乾燥して行う。乾燥は用い
た溶媒の沸点付近の温度で5分以上行うのが好ましい。 この表面処理により、液晶配向膜形成用組成物に対する
ぬれ性が改善され、ハジキの発生が防止される。
【0017】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳しく説明する
。
。
【0018】実施例1
(A)末端ヒドロキシラダーポリシロキサンの合成メチ
ルトリクロロシラン(CH3 SiCl3 )74.7
3gをジエチルエーテル200mlに溶解した。一方、
2リットルの四つ口フラスコにイオン交換水1リットル
を入れ、攪拌機、冷却器および温度計を取付け、氷浴で
20℃以下に冷却し、このフラスコ中にメチルトリクロ
ロシランのエーテル溶液を滴下ロートで滴下し、加水分
解を行った。反応温度は20℃以下とし、4時間で滴下
を終了した。攪拌を止め、2層に分離した反応液を分液
ロートに入れてエーテル層を取出した。エーテル層をイ
オン交換水で中性になるまで洗浄した後、無水硫酸ナト
リウムで一昼夜乾燥した。その後、エーテルを除去し、
減圧乾燥器に入れ、60℃で2時間乾燥した。得られた
白色の粉末はIRスペクトルにおいて3500cm−1
に−OHの吸収、1130cm−1および1135cm
−1にSi−O−Siの吸収を示した。また白色粉末の
数平均分子量は約1,000であった。
ルトリクロロシラン(CH3 SiCl3 )74.7
3gをジエチルエーテル200mlに溶解した。一方、
2リットルの四つ口フラスコにイオン交換水1リットル
を入れ、攪拌機、冷却器および温度計を取付け、氷浴で
20℃以下に冷却し、このフラスコ中にメチルトリクロ
ロシランのエーテル溶液を滴下ロートで滴下し、加水分
解を行った。反応温度は20℃以下とし、4時間で滴下
を終了した。攪拌を止め、2層に分離した反応液を分液
ロートに入れてエーテル層を取出した。エーテル層をイ
オン交換水で中性になるまで洗浄した後、無水硫酸ナト
リウムで一昼夜乾燥した。その後、エーテルを除去し、
減圧乾燥器に入れ、60℃で2時間乾燥した。得られた
白色の粉末はIRスペクトルにおいて3500cm−1
に−OHの吸収、1130cm−1および1135cm
−1にSi−O−Siの吸収を示した。また白色粉末の
数平均分子量は約1,000であった。
【0019】次に白色粉末の加水分解物を還流冷却管、
攪拌機および温度計を付けた三つ口フラスコに10g秤
量し、溶媒としてトルエン30mlを入れて溶解して均
一層とした。これに縮合触媒としてジシクロヘキシルカ
ルボジイミド4.1gを入れて溶解し、110℃で攪拌
還流下で2時間反応させた。反応後の反応容器中には炭
素誘導体の析出が認められた。反応混合物を放冷し、尿
素誘導体を吸引濾過し、10体積倍のメタノール中に注
いでポリマーを析出させた後、濾別し、減圧乾燥した。 得られたポリマーの数平均分子量は50,000であり
、そのIRスペクトルにおいて3500cm−1に−O
Hによる吸収が見られ、末端ヒドロキシラダーポリシロ
キサンであることを確認した。
攪拌機および温度計を付けた三つ口フラスコに10g秤
量し、溶媒としてトルエン30mlを入れて溶解して均
一層とした。これに縮合触媒としてジシクロヘキシルカ
ルボジイミド4.1gを入れて溶解し、110℃で攪拌
還流下で2時間反応させた。反応後の反応容器中には炭
素誘導体の析出が認められた。反応混合物を放冷し、尿
素誘導体を吸引濾過し、10体積倍のメタノール中に注
いでポリマーを析出させた後、濾別し、減圧乾燥した。 得られたポリマーの数平均分子量は50,000であり
、そのIRスペクトルにおいて3500cm−1に−O
Hによる吸収が見られ、末端ヒドロキシラダーポリシロ
キサンであることを確認した。
【0020】(B)透明電極保護被膜の形成および評価
上記で得られた末端ヒドロキシポリメチルラダーポリシ
ロキサン5gを、還流冷却管、攪拌機、温度計および滴
下ロートを付けた四つ口フラスコに秤量し、溶媒として
N,N−ジメチルアセトアミド60gとヘキシレングリ
コール30gを加え、攪拌溶解した。次にテトライソプ
ロポキシチタンの10重量%イソプロピルアルコール溶
液5gを滴下ロートから攪拌下に滴下したのち、室温で
約2時間攪拌混合し、保護被膜形成用組成物を得た。こ
の組成物の固形分濃度は4.9重量%(200℃/2h
r乾燥)であり、25℃における粘度は40センチポイ
ズであった。
上記で得られた末端ヒドロキシポリメチルラダーポリシ
ロキサン5gを、還流冷却管、攪拌機、温度計および滴
下ロートを付けた四つ口フラスコに秤量し、溶媒として
N,N−ジメチルアセトアミド60gとヘキシレングリ
コール30gを加え、攪拌溶解した。次にテトライソプ
ロポキシチタンの10重量%イソプロピルアルコール溶
液5gを滴下ロートから攪拌下に滴下したのち、室温で
約2時間攪拌混合し、保護被膜形成用組成物を得た。こ
の組成物の固形分濃度は4.9重量%(200℃/2h
r乾燥)であり、25℃における粘度は40センチポイ
ズであった。
【0021】得られた組成物をスピンナを用いてガラス
板上に塗布し、150℃で1時間の熱処理をし、さらに
300℃で1時間の熱処理を行って厚さ2000Åの被
膜を形成した。
板上に塗布し、150℃で1時間の熱処理をし、さらに
300℃で1時間の熱処理を行って厚さ2000Åの被
膜を形成した。
【0022】次にδ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ンをイソプロピルアルコールに溶解し、0.1重量%溶
液を作製した。これを上記ガラス基板上の保護被膜表面
にスピン塗布し、オーブンで150℃、30分間乾燥し
た。乾燥後、液晶配向膜組成物(日立化成工業社製商品
名 LQ−1800)を保護被膜上に塗布したが、ハ
ジキは生じなかった。
ンをイソプロピルアルコールに溶解し、0.1重量%溶
液を作製した。これを上記ガラス基板上の保護被膜表面
にスピン塗布し、オーブンで150℃、30分間乾燥し
た。乾燥後、液晶配向膜組成物(日立化成工業社製商品
名 LQ−1800)を保護被膜上に塗布したが、ハ
ジキは生じなかった。
【0023】また前記保護被膜形成用組成物をスピンナ
を用いてシリコンウエーハ上に塗布し、150℃で1時
間の熱処理をし、さらに300℃で1時間の熱処理を行
って厚さ2000Åの被膜を形成し、さらに上記シラン
カップリング剤による表面処理を行った。該被膜に2m
mのAl電極を蒸着し、絶縁破壊電圧を測定したところ
、約100Vの耐圧を示した。
を用いてシリコンウエーハ上に塗布し、150℃で1時
間の熱処理をし、さらに300℃で1時間の熱処理を行
って厚さ2000Åの被膜を形成し、さらに上記シラン
カップリング剤による表面処理を行った。該被膜に2m
mのAl電極を蒸着し、絶縁破壊電圧を測定したところ
、約100Vの耐圧を示した。
【0024】次に640×200ドットの透明電極パタ
ーンを形成した300×150mmのガラス基板上に上
記組成物を印刷法で塗布した後、上記と同様の熱処理を
行い、厚さ1000Åの被膜を形成し、さらに上記シラ
ンカップリング剤による表面処理を行った。該被膜上に
厚さ800Åのポリイミド系配向膜を形成し、セルを組
み立て、電圧印加時の配向状態を観察した。その結果上
下基板の導通による配向不良およびネサ黒は見られなか
った。
ーンを形成した300×150mmのガラス基板上に上
記組成物を印刷法で塗布した後、上記と同様の熱処理を
行い、厚さ1000Åの被膜を形成し、さらに上記シラ
ンカップリング剤による表面処理を行った。該被膜上に
厚さ800Åのポリイミド系配向膜を形成し、セルを組
み立て、電圧印加時の配向状態を観察した。その結果上
下基板の導通による配向不良およびネサ黒は見られなか
った。
【0025】比較例1
実施例1において、シランカップリング剤による表面処
理を施さなかった以外は実施例1と同様にして保護被膜
を形成し、この保護被膜上に液晶配向膜組成物(日立化
成工業社製商品名 LQ−1800)を塗布したが、
ハジキが発生した。
理を施さなかった以外は実施例1と同様にして保護被膜
を形成し、この保護被膜上に液晶配向膜組成物(日立化
成工業社製商品名 LQ−1800)を塗布したが、
ハジキが発生した。
【0026】比較例2
実施例1において、シランカップリング剤として、末端
にエポキシ基を有するδ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシランの0.1重量%イソプロピルアルコール溶
液を用いた以外は実施例1と同様にして保護被膜を形成
し、この保護被膜上に液晶配向膜組成物(日立化成工業
社製商品名 LQ−1800)を塗布したが、ハ
ジキが発生した。
にエポキシ基を有するδ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシランの0.1重量%イソプロピルアルコール溶
液を用いた以外は実施例1と同様にして保護被膜を形成
し、この保護被膜上に液晶配向膜組成物(日立化成工業
社製商品名 LQ−1800)を塗布したが、ハ
ジキが発生した。
【0027】
【発明の効果】本発明の液晶表示素子用透明電極の保護
被膜形成法によれば、簡便な塗布法で、低温の熱処理に
より硬化させて透明電極保護被膜を形成することができ
るため、透明電極のシート抵抗値が上昇することがなく
、また上下基板の導通による配向不良やネサ黒等を防止
することができるとともに、液晶配向膜組成物を塗布し
てもハジキの発生がないため、高信頼性で寿命の長い液
晶表示素子を得ることができる。
被膜形成法によれば、簡便な塗布法で、低温の熱処理に
より硬化させて透明電極保護被膜を形成することができ
るため、透明電極のシート抵抗値が上昇することがなく
、また上下基板の導通による配向不良やネサ黒等を防止
することができるとともに、液晶配向膜組成物を塗布し
てもハジキの発生がないため、高信頼性で寿命の長い液
晶表示素子を得ることができる。
Claims (3)
- 【請求項1】 液晶表示素子用透明電極上に一般式(
I) 【化1】 (式中、R1 およびR2 は、同一または異なる、水
素または一価炭化水素基、nは正の整数を意味する)で
表され、数平均分子量が2,000〜500,000で
ある末端ヒドロキシラダーポリシロキサンおよび一般式
(II) 【化2】 (式中、Mは金属元素、R′は水素または一価炭化水素
基、mは正の整数を意味する)で表される有機金属化合
物を含む保護被膜形成用組成物を用いて形成した被膜表
面を、末端にアミノ基を有するシランカップリング剤で
処理することを特徴とする液晶表示素子用透明電極の保
護被膜形成法。 - 【請求項2】 請求項1記載の方法で形成された透明
電極保護被膜。 - 【請求項3】 請求項2記載の透明電極保護被膜を有
する液晶表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2715191A JPH04265939A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 液晶表示素子用透明電極の保護被膜形成法、透明電極保護被膜および液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2715191A JPH04265939A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 液晶表示素子用透明電極の保護被膜形成法、透明電極保護被膜および液晶表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04265939A true JPH04265939A (ja) | 1992-09-22 |
Family
ID=12213050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2715191A Pending JPH04265939A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 液晶表示素子用透明電極の保護被膜形成法、透明電極保護被膜および液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04265939A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100321205B1 (ko) * | 1997-04-25 | 2002-07-03 | 나가시마 카쭈시게, 노미야마 아키히코 | 구리또는구리합금의변색방지액및변색방지방법 |
-
1991
- 1991-02-21 JP JP2715191A patent/JPH04265939A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100321205B1 (ko) * | 1997-04-25 | 2002-07-03 | 나가시마 카쭈시게, 노미야마 아키히코 | 구리또는구리합금의변색방지액및변색방지방법 |
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