JPH04265870A - 半導体デバイスの熱ストレス評価方法 - Google Patents
半導体デバイスの熱ストレス評価方法Info
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- JPH04265870A JPH04265870A JP3027349A JP2734991A JPH04265870A JP H04265870 A JPH04265870 A JP H04265870A JP 3027349 A JP3027349 A JP 3027349A JP 2734991 A JP2734991 A JP 2734991A JP H04265870 A JPH04265870 A JP H04265870A
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- semiconductor device
- stress evaluation
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
- G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
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-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイスが受
ける熱ストレスを評価する方法に関するものである。
ける熱ストレスを評価する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の半導体デバイスの熱スト
レス評価方法の一例として、ハンダディップ法を示して
いる。
レス評価方法の一例として、ハンダディップ法を示して
いる。
【０００３】図において、１１は熱ストレス評価を行う
べき試料としての半導体デバイス、１２は半導体デバイ
ス１１における外部リード、１３はハンダを溶融して高
温に保つための加熱槽、１４は加熱槽１３内の溶融ハン
ダである。
べき試料としての半導体デバイス、１２は半導体デバイ
ス１１における外部リード、１３はハンダを溶融して高
温に保つための加熱槽、１４は加熱槽１３内の溶融ハン
ダである。
【０００４】加熱槽１３においてハンダを溶融し、その
溶融ハンダ１４を所定の温度に保つ。予め半導体デバイ
ス１１を高温高湿の雰囲気下に保管することによって半
導体デバイス１１に吸湿させておく。吸湿を終えた半導
体デバイス１１をピンセット等でつかんで１つずつ溶融
ハンダ１４中に浸漬する。すると、半導体デバイス１１
が急激に高温に昇温され、吸湿した水分が気化する。こ
の気化した水蒸気が半導体デバイス１１に体積膨張を起
こさせることにより、半導体デバイス１１に大きな熱ス
トレスを与える。
溶融ハンダ１４を所定の温度に保つ。予め半導体デバイ
ス１１を高温高湿の雰囲気下に保管することによって半
導体デバイス１１に吸湿させておく。吸湿を終えた半導
体デバイス１１をピンセット等でつかんで１つずつ溶融
ハンダ１４中に浸漬する。すると、半導体デバイス１１
が急激に高温に昇温され、吸湿した水分が気化する。こ
の気化した水蒸気が半導体デバイス１１に体積膨張を起
こさせることにより、半導体デバイス１１に大きな熱ス
トレスを与える。
【０００５】半導体デバイス１１を溶融ハンダ１４から
引き上げ、長時間放置により脱湿する。そして、その結
果を最終的に評価する。
引き上げ、長時間放置により脱湿する。そして、その結
果を最終的に評価する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体デバイス
の熱ストレス評価方法は以上のような手順で行われてお
り、ピンセットで半導体デバイスを１つずつバッチ処理
するため、多数の半導体デバイスの処理に非常な長時間
を必要とし、スループットが低いという問題があった。
の熱ストレス評価方法は以上のような手順で行われてお
り、ピンセットで半導体デバイスを１つずつバッチ処理
するため、多数の半導体デバイスの処理に非常な長時間
を必要とし、スループットが低いという問題があった。
【０００７】また、１回のバッチ処理に長い時間を要す
るので、最初に処理した半導体デバイスと最後に処理し
た半導体デバイスとでは、その放置時間に大幅な差が生
じ、熱ストレスにも大きな差が生じるため、熱ストレス
評価の精度が低いものとならざるを得なかった。
るので、最初に処理した半導体デバイスと最後に処理し
た半導体デバイスとでは、その放置時間に大幅な差が生
じ、熱ストレスにも大きな差が生じるため、熱ストレス
評価の精度が低いものとならざるを得なかった。
【０００８】この発明は、上記のような問題点を解消す
るために創案されたものであって、高スループット化が
図れるとともに、熱ストレス評価の精度をアップするこ
とができる半導体デバイスの熱ストレス評価方法を得る
ことを目的とする。
るために創案されたものであって、高スループット化が
図れるとともに、熱ストレス評価の精度をアップするこ
とができる半導体デバイスの熱ストレス評価方法を得る
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体デ
バイスの熱ストレス評価方法は、電子レンジ内に多数の
半導体デバイスを収容し、電子レンジの駆動によって内
部のすべての半導体デバイスに対して高周波加熱を行う
ことを特徴とするものである。
バイスの熱ストレス評価方法は、電子レンジ内に多数の
半導体デバイスを収容し、電子レンジの駆動によって内
部のすべての半導体デバイスに対して高周波加熱を行う
ことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】この発明の上記構成によれば、電子レンジによ
り多数の半導体デバイスのすべてに対して同時に高周波
加熱を行うので、スループットを向上できるとともに、
各半導体デバイスに与える熱ストレスが一定化するため
熱ストレス評価の精度が高くなる。
り多数の半導体デバイスのすべてに対して同時に高周波
加熱を行うので、スループットを向上できるとともに、
各半導体デバイスに与える熱ストレスが一定化するため
熱ストレス評価の精度が高くなる。
【００１１】
【実施例】図１は、この発明に係る半導体デバイスの熱
ストレス評価方法の一実施例を示す概略図である。
ストレス評価方法の一実施例を示す概略図である。
【００１２】まず、複数の外部リード１を有する半導体
デバイス２の多数を高温高湿下に保管して吸湿させてお
く。そして、それらの半導体デバイス２を電子レンジ３
の内部に収容する。次に、電子レンジ３を駆動して、内
部のすべての半導体デバイス２に対して高周波加熱を行
う。
デバイス２の多数を高温高湿下に保管して吸湿させてお
く。そして、それらの半導体デバイス２を電子レンジ３
の内部に収容する。次に、電子レンジ３を駆動して、内
部のすべての半導体デバイス２に対して高周波加熱を行
う。
【００１３】この高周波加熱によってすべての半導体デ
バイス２が一瞬にして高温加熱され、気化した水蒸気に
よる体積膨張で各半導体デバイス２に充分な熱ストレス
を与える。
バイス２が一瞬にして高温加熱され、気化した水蒸気に
よる体積膨張で各半導体デバイス２に充分な熱ストレス
を与える。
【００１４】同時に多数の半導体デバイス２のすべてに
対して同一の条件で高周波加熱により所定の熱ストレス
をきわめて短時間のうちに与えるので、従来例の半導体
デバイスを１つずつ順次に溶融ハンダに浸漬するバッチ
処理に比べて、高精度な熱ストレス評価と高スループッ
ト化とを実現できる。
対して同一の条件で高周波加熱により所定の熱ストレス
をきわめて短時間のうちに与えるので、従来例の半導体
デバイスを１つずつ順次に溶融ハンダに浸漬するバッチ
処理に比べて、高精度な熱ストレス評価と高スループッ
ト化とを実現できる。
【００１５】なお、電子レンジ３によって高周波加熱す
るに際しては、外部リード１のまわりに配線する渦電流
によって外部リード１間に高い電界がかかり放電を起こ
す可能性もある。このような不測の事態が発生するおそ
れのある場合には、その防止対策として次の２つを挙げ
ることができる。
るに際しては、外部リード１のまわりに配線する渦電流
によって外部リード１間に高い電界がかかり放電を起こ
す可能性もある。このような不測の事態が発生するおそ
れのある場合には、その防止対策として次の２つを挙げ
ることができる。
【００１６】１つの対策は、図２に示すように、各半導
体デバイス２において、すべての外部リード１をアース
線４を介してグランド電位に短絡させることで、渦電流
を逃がすものである。
体デバイス２において、すべての外部リード１をアース
線４を介してグランド電位に短絡させることで、渦電流
を逃がすものである。
【００１７】もう１つの対策は、図３のように、複数ま
たは個々の半導体デバイス２を、容器５に収容した導電
性溶液６に浸漬し、アース線７によって導電性溶液６を
介してすべての外部リード１をグランド電位に短絡する
ものである。
たは個々の半導体デバイス２を、容器５に収容した導電
性溶液６に浸漬し、アース線７によって導電性溶液６を
介してすべての外部リード１をグランド電位に短絡する
ものである。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
、電子レンジにより多数の半導体デバイスに対して同時
に高周波加熱を行うようにしたので、高スループット化
と熱ストレス評価の精度アップとを図ることができると
いう効果を奏する。
、電子レンジにより多数の半導体デバイスに対して同時
に高周波加熱を行うようにしたので、高スループット化
と熱ストレス評価の精度アップとを図ることができると
いう効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体デバイスの熱ストレス評価
方法の一実施例を示す概略図である。
方法の一実施例を示す概略図である。
【図２】実施例において高電界の発生を防止する一対策
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図３】実施例において高電界の発生を防止する別の対
策を示す説明図である。
策を示す説明図である。
【図４】従来例の半導体デバイスの熱ストレス評価方法
（ハンダディップ法）を示す概略図である。
（ハンダディップ法）を示す概略図である。
１ 外部リード
２ 半導体デバイス
３ 電子レンジ
４ アース線
５ 容器
６ 導電性溶液
７ アース線
Claims (1)
- 【請求項１】 電子レンジ内に多数の半導体デバイス
を収容し、電子レンジの駆動によって内部のすべての半
導体デバイスに対して高周波加熱を行うことを特徴とす
る半導体デバイスの熱ストレス評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3027349A JPH04265870A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 半導体デバイスの熱ストレス評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3027349A JPH04265870A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 半導体デバイスの熱ストレス評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04265870A true JPH04265870A (ja) | 1992-09-22 |
Family
ID=12218564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3027349A Pending JPH04265870A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 半導体デバイスの熱ストレス評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04265870A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0599046A2 (en) * | 1992-10-27 | 1994-06-01 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for stressing, burning in and reducing leakage current of electronic devices using microwave radiation |
| US6078035A (en) * | 1995-12-22 | 2000-06-20 | Lucent Technologies Inc. | Integrated circuit processing utilizing microwave radiation |
| FR2910637A1 (fr) * | 2006-12-22 | 2008-06-27 | Peugeot Citroen Automobiles Sa | Chauffage par induction pour test de connecteur |
-
1991
- 1991-02-21 JP JP3027349A patent/JPH04265870A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0599046A2 (en) * | 1992-10-27 | 1994-06-01 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for stressing, burning in and reducing leakage current of electronic devices using microwave radiation |
| JPH06201771A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-07-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マイクロ波放射を用いた電子デバイス処理方法 |
| EP0599046A3 (en) * | 1992-10-27 | 1995-02-01 | Ibm | Method and apparatus for energizing, varnishing and reducing current leakage from electronic circuits by means of microwave radiation. |
| US5519193A (en) * | 1992-10-27 | 1996-05-21 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for stressing, burning in and reducing leakage current of electronic devices using microwave radiation |
| US6078035A (en) * | 1995-12-22 | 2000-06-20 | Lucent Technologies Inc. | Integrated circuit processing utilizing microwave radiation |
| FR2910637A1 (fr) * | 2006-12-22 | 2008-06-27 | Peugeot Citroen Automobiles Sa | Chauffage par induction pour test de connecteur |
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