JPH04265218A - 一酸化ケイ素とハロゲン化水素との反応によるシラン類の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、一酸化ケイ素とハロゲ
ン化水素との反応からシラン類を製造する方法に関する
。本発明の第１の態様では、一酸化ケイ素とハロゲン化
水素とを反応させてシラン類とハロシラン類とを製造す
る。本発明の第２の態様では、前記一酸化ケイ素を、前
記ハロゲン化水素と接触させる前に不活性雰囲気中で加
熱することにより活性化する。本発明の第３の態様では
、一酸化ケイ素のシラン類への変換と生成するシラン製
品の選択率の両方を高める触媒を用いる。触媒を用いる
方法は、活性化した又は活性化していない一酸化ケイ素
を用いて行うことができる。上記方法の副産物は二酸化
ケイ素である。 【０００２】 【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】シラン
類は、シリコンと有機ハロゲン化物又はハロゲン化水素
との直接反応により主に製造されている。これは１９４
０年代にロコーとその共同研究者により発表された方法
である。この方法のコストの主要部分は原料として用い
られるシリコン金属のコストである。シリコン金属は、
一般にはアーク炉中で二酸化ケイ素の炭素熱還元により
製造する。この方法は高温と高エネルギー消費を要し、
これがシリコン金属のコストに反映される。 【０００３】一酸化シリコンは、製造するのにシリコン
よりも低い温度ですみ、従って、シランの製造のために
はより安価な原料源として役立つであろう。本発明は、
固体一酸化ケイ素とハロゲン化水素とを反応させてシラ
ン類を製造する方法を述べる。 【０００４】シャシェルは、一連の特許に、一酸化ケイ
素と有機化合物とを反応させることにより有機ケイ素ポ
リマーを製造する方法を述べている。この記述された発
明の方法は、真空下、固体一酸化ケイ素を約１２００〜
１３００℃に加熱してその蒸気を作り；冷却した壁を持
つ室の中でガス状一酸化ケイ素と過剰の揮発性有機化合
物とを混合して混合物を作り；この混合物を凝縮させて
有機ケイ素ポリマーを得ることを含む。反応は前記室の
冷い表面の上で起こり、その表面上にポリマーを形成す
る、と報告されている。 【０００５】シャシェルの教える有機化合物は、Ｓｃｈ
ａｓｃｈｅｌ　、米国特許第３，６６０，４４８号（１
９７２年５月２日発行）、アルコールやアミンのような
活性水素原子を含む有機化合物；同、米国特許第３，６
６０，４４９号（１９７２年５月２日発行）、アセチレ
ンのような三重結合を持った有機化合物；同、米国特許
第３，６６０，４５１号（１９７２年５月２日発行）、
１−ブロモブタンのような有機モノハロゲン化物；及び
同、米国特許第３，６６１，９６１号（１９７２年５月
９日発行）、ｎ−オクタンのような脂肪族炭化水素であ
る。 【０００６】Ｔｉｍｍｓ　の米国特許第３，６６０，４
５０号（１９７２年５月２日発行）は、ガス状一酸化ケ
イ素を少なくとも１つのベンゼン核を含む芳香族化合物
と反応させる方法を教えている。この化合物は三重結合
を持たず、活性水素を持たない。ここに記載された方法
はＳｃｈａｓｃｈｅｌ　の一連の特許について上に述べ
たものと同様である。 【０００７】Ｇｏｍｂｅｒｇ　の米国特許第４，５８５
，６４６号（１９８６年４月２９日発行）は、ＳｉＯＣ
ｌ６　に放射線を照射して固体のＳｉＯを形成する方法
を教えている。固体のＳｉＯを単離して５００℃でＨＣ
ｌと反応させている。この方法は四塩化炭素、水及び水
素ガスを形成すると報告されている。ＳｉＨ製品は全く
生成していない。加えて、一酸化ケイ素の活性化も、触
媒の使用も何も教えていない。 【０００８】 【課題を解決するための手段及び発明の効果】本発明は
、固体一酸化ケイ素をハロゲン化水素と反応させてシラ
ン類とハロシラン類とを製造する方法に関する。本発明
の第１の態様においては、一酸化ケイ素をハロゲン化水
素と反応させてシラン類とハロシラン類とを製造する。 本発明の第２の態様においては、一酸化ケイ素を、ハロ
ゲン化水素と接触させる前に不活性雰囲気中で加熱によ
り活性化する。この活性化段階は、与えられたプロセス
温度について、一酸化ケイ素のシラン類生成物への高い
変換をもたらす。 【０００９】本発明の第３の態様においては、触媒とし
て効果のある金属又は金属塩の存在下に一酸化ケイ素を
ハロゲン化水素と反応させる。この触媒は、このプロセ
スを比較的低い温度で進ませ、一酸化ケイ素のシラン類
への変換を増大させると共に生成するシランの選択性に
影響を与える。この触媒作用を受けたプロセスは、活性
化された又は活性化されていない一酸化ケイ素について
進行させうる。 【００１０】ここに述べた方法の産物として形成される
二酸化ケイ素も特許請求するものである。 【００１１】本発明は、次式で示されるシラン類の製法
である： Ｈｎ　Ｓｉ　Ｘ４−ｎ　 （ここにｎは０〜４、Ｘはハロゲンである。）【００１
２】上記方法は、シランＳｉＨ４　と共にハロシラン類
の製造に適している。上記方法で製造されうるシラン類
は、例えば、ＳｉＨ４　並びにモノ−、ジ−、トリ−及
びテトラハロゲン化シランである。ハロゲン化シランの
例は、クロロシラン、ジクロロシラン、トリクロロシラ
ン及びテトラクロロシランである。 【００１３】本発明の第１の態様は、固体一酸化シラン
を式ＨＸ（ここにＸはハロゲンである。）で示されるハ
ロゲン化水素と反応温度５００〜１２００℃で接触させ
ることを含む方法である。 【００１４】ここに述べた方法にとって一酸化ケイ素の
出所は臨界的でない。しかしながら好ましい出所は二酸
化ケイ素の炭素熱還元によって製造された一酸化ケイ素
である。それは、二酸化ケイ素のシリコンへの完全な還
元を必要としないことにより、この出所はエネルギーの
節約をもたらすからである。 【００１５】前記固体一酸化ケイ素は、例えば、チップ
、フレーク、粉末又は顆粒の形をした粒子でありうる。 有用な粒度の範囲は約０．５μｍ〜１２０メッシュであ
る。好ましい粒度範囲は約２μｍ〜３２０メッシュであ
る。「約」という用語は、類似の一酸化ケイ素変換水準
と同様の製品選択率を与える類似の粒度を含むという意
味である。 【００１６】一般に、一酸化ケイ素の粒度が小さい程、
一酸化ケイ素のシランへの変換は高い。粒度の下限は、
一酸化ケイ素粒子を効率的に作りかつ取扱えることとい
う点で第１に定まる。一酸化ケイ素の粒度が上記のもの
より大きくても、上記プロセスにおいて反応はおこる。 しかし、一酸化ケイ素のシランへの変換率は低下するで
あろう。 【００１７】本発明の第２の態様においては、不活性雰
囲気中活性化温度５０〜１２００℃で加熱することによ
り、前記一酸化ケイ素は活性化される。固体一酸化ケイ
素は製造工程の間に、又は分離したステップで活性化で
きる。好ましい活性化温度範囲は約２００〜９００℃で
ある。より好ましい活性化温度範囲は約４００〜８００
℃である。ここに、「約」とは、同様のプロセス条件下
で類似の一酸化ケイ素の変換率と生成物の選択性を与え
る類似の温度という意味である。 【００１８】一般に、活性化温度が５０〜１２００℃で
あるときは、活性化時間は１〜２０時間が有用であるこ
とが見出された。活性化温度が４００〜８００℃のとき
は、活性化時間は１０〜１８時間が好ましい。 【００１９】一酸化ケイ素は、酸素をパージした環境の
下で活性化する。一般には、一酸化ケイ素は、それがハ
ロゲン化水素と接触さるべき反応器中で活性化されよう
。反応器からの酸素ガスのパージは、例えば、真空をか
けたり、不活性ガスでパージすることにより行いうる。 不活性パージ用ガスは、一酸化ケイ素又はその中の夾雑
物に不活性なガスなら何でもよい。パージ用ガスの例は
、アルゴン、ヘリウム及び窒素である。ヘリウムと窒素
が好ましいパージ用ガスである。パージ用ガスは、酸素
を除去するに充分な時間反応器に通す。 【００２０】活性化された一酸化ケイ素はハロゲン化水
素と接触させる。このハロゲン化水素は、塩化水素、弗
化水素、臭化水素、ヨウ化水素又はこれらの混合物であ
りうる。好ましいハロゲン化水素は塩化水素である。前
記接触は、ガスと固体粒子との接触を行なうための標準
の反応器なら何でもよく、その中で実施しうる。このプ
ロセスは、例えば固定床反応器、攪拌床反応器、振動床
反応器又は流動床反応器中で実施しうる。 【００２１】活性化した一酸化ケイ素をハロゲン化水素
と約２００〜１２００℃で接触させると一酸化ケイ素の
シラン類への変換が達せられる。一酸化ケイ素の活性化
はシランの生成を増す。好ましい反応温度範囲は４００
〜９００℃である。 【００２２】好ましい条件は、ハロゲン化水素ガスを、
固体一酸化ケイ素のベッドに、一酸化ケイ素１ｇあたり
０．５〜６０ｃｍ３　／分で通すことである。より好ま
しいのは、ハロゲン化水素ガスを、前記一酸化ケイ素に
、一酸化ケイ素１ｇあたり１〜５ｃｍ３　／分通すこと
である。 【００２３】ハロゲン化水素を一酸化ケイ素と反応させ
る時間は、該一酸化ケイ素の活性化条件、反応温度、ハ
ロゲン化水素の濃度及び一酸化ケイ素の望みの変換率に
従うであろう。一般に反応時間は約４〜４８時間が有用
であることが見出された。もっと短い反応時間を用いて
もよいが、その場合には一酸化ケイ素の変換率が低下す
る。一酸化ケイ素が反応器中に継続して存在する限り、
もっと長い反応時間もまた、有利に用いうる。 【００２４】本発明の第３の態様においては、固体一酸
化ケイ素とハロゲン化水素との反応を促進するに有効な
触媒が用いられる。ここに「有効な」とは、ハロゲン化
水素の存在下に一酸化ケイ素のシラン類への変換率を増
し、変換速度を増し、又は生成シラン類の分布を変える
化学元素又はその化合物についていっている。前記効果
のいずれか又は全ては、触媒の有効性のしるしである。 【００２５】前記プロセスにおいて有効な触媒である物
質は、例えば、銅及び銅化合物、錫及び錫化合物、亜鉛
及び亜鉛化合物、アンチモン及びアンチモン化合物、水
銀及び水銀化合物、鉄及び無機鉄化合物、マンガン及び
マンガン化合物、ニッケル及びニッケル化合物、リン、
金属リン化物、金属亜リン酸合金、アルミニウム塩並び
にこれらの混合物である。 【００２６】好ましい触媒は、ＣｕＣｌ，ＺｎＣｌ２　
，ＳｎＣｌ２　、銅及びリン合金並びにこれらの混合物
から選ばれる。より好ましい触媒は、銅、銅化合物、錫
、錫化合物から選ばれる。最も好ましい触媒は塩化第一
銅、ＣｕＣｌである。 【００２７】触媒は、どんな都合のよい粒子形態、例え
ば、粉末、顆粒、フレーク又はチップ、であってもよい
。触媒を一酸化ケイ素粒子の全体にわたって分布させる
手段によって、触媒を一酸化ケイ素と混合する。最良の
結果を得るためには、触媒を一酸化ケイ素粒子全体にわ
たって均一に分布させるのが好ましい。有用な触媒の量
的範囲は、触媒と一酸化ケイ素の合計重量に対して触媒
が１〜６重量％のときである。好ましくは、触媒が、触
媒と一酸化ケイ素の合計量に対して３〜６重量％のとき
である。 【００２８】一酸化ケイ素とハロゲン化水素とを反応さ
せる工程で触媒を用いるときは、この一酸化ケイ素は活
性化されていてもよく、いなくてもよい。一酸化ケイ素
は、その活性化工程と共に、触媒を用いない場合につい
て先に述べたところと同様である。この工程において活
性化された一酸化ケイ素を用いるときは、触媒は一酸化
ケイ素に、活性化前でもその後でも加えてよい。好まし
い手順は、活性化処理前に触媒を一酸化ケイ素に加える
ことである。 【００２９】一酸化ケイ素は、触媒の存在下にハロゲン
化水素と接触させる。これら物質は、触媒なしのプロセ
スについて先に述べたのと同様な形の反応器中で接触さ
せる。ハロゲン化水素は、塩化水素、臭化水素、弗化水
素、ヨウ化水素又はこれらの混合物である。 【００３０】触媒を用いるプロセスの反応温度は、２０
０〜１２００℃である。好ましい反応温度は約３００〜
９００℃である。より好ましい反応温度は約３００℃以
上５００℃未満である。ここに、「約」というのは、類
似の工程条件下において類似の結果を与える類似の温度
という意味である。 【００３１】好ましい条件は、始めに反応器に装填した
ときの一酸化ケイ素１ｇあたり０．５〜６０ｃｍ３　／
分の速度でハロゲン化水素ガスを固体一酸化ケイ素粒子
床を通すことである。より好ましい条件は、始めに反応
器に装填したときの一酸化ケイ素１ｇあたり１〜５ｃｍ
３　／分の速度でハロゲン化水素ガスを一酸化ケイ素に
通すことである。 【００３２】触媒存在下でのハロゲン化水素と一酸化ケ
イ素との反応時間は、次のような要因に従うであろう：
触媒の種類、活性化条件、反応温度、ハロゲン化水素の
濃度と種類、及び一酸化ケイ素の望みの変換率。一般に
反応時間は、４〜４８時間が有用であることが見出され
た。好ましい反応時間は約２４時間である。ここに、「
約」とは、類似の結果を与える２４時間に近い反応時間
である。より短い時間を用いてもよいが、そのときは一
酸化ケイ素の変換率が低下する。反応器中に一酸化ケイ
素が継続して存在する限り、有利に、より長い時間を用
いることもできる。 【００３３】触媒を用いたプロセスで製造しうるシラン
類は、触媒なしのプロセスで製造したものと同じである
。しかしながら、ここに実施例で証明されるように、触
媒によって可能となった比較的低い有効温度は生成する
シラン類の分布を変えうる。 【００３４】上記プロセスにおいて、固体一酸化ケイ素
は、まるで反応性シリコンと不活性二酸化ケイ素との等
モル混合物であるかのように、ハロゲン化水素と反応す
る。従って、一酸化ケイ素の反応部分は、固体の約３１
．８５重量％に相当する。二酸化ケイ素のような未反応
シリコンは回収し、例えば金属シリコン又は一酸化ケイ
素を製造するプロセスへの供給材料として再利用しうる
。未反応二酸化ケイ素は充填材又は充填補強剤としても
利用しうる。未反応二酸化ケイ素は、例えば、シリコー
ンエマルジョン中の充填材として、又はシリコーンエラ
ストマー中の充填補強剤として用いうる。 【００３５】 【実施例】当業者がここに記載した方法をよりよく理解
しうるようにするため、次に実施例を示して本発明を説
明する。これら実施例は、ここに述べた方法を限定しよ
うとするものではない。 【００３６】実施例１ 塩化水素（ＨＣｌ）と固体一酸化ケイ素とを固定床反応
器で反応させ、シラン類を形成する可能性を証明した。 この固定床反応器は、石英ウール栓で支えられた一酸化
ケイ素の固定床を含む鉛直の直径半インチの石英チュー
ブから成っていた。この固体一酸化ケイ素はＡｌｆａ　
Ｐｒｏｄｕｃｔｓ　社（Ｄａｎｖｅｒｓ，ＭＡ）から購
入したもので、公称９９．９５％より高い純度を持って
いた。この　　一酸化ケイ素の粒度は１２０メッシュよ
り小さかった。 【００３７】この反応器を管状炉で加熱した。実験Ｎｏ
．２１及び２２においては、反応の期間にわたって、第
１表に示した範囲で段階的に温度を上昇させた。供給ガ
スは反応器の頂上から入り、下降した。生成シラン類は
、反応器の出口にあるドライアイスで冷却した冷たいト
ラップに集めた。冷たいトラップに集めた混合物はガス
クロマトグラフィーで分析した。これら実験の結果を第
１表に示す。 【００３８】本発明方法により、固体ＳｉＯは、まるで
それが反応性シリコンと不活性二酸化ケイ素との等モル
混合物であるかのように反応させうる。従って、ＳｉＯ
の反応部分は、固体の３１．８５重量％に相当する。こ
のため、固体一酸化ケイ素の転化率は、クロロシラン生
成物に転化しうる有効シリコンに対する百分率として表
わした。パーセントＳｉＯ変換率は次のようにして計算
した： ％変換率＝１００×（製品中Ｓｉ（ｇ）／０．３１８５
×反応器へ仕込んだＳｉＯ（ｇ）） 【００３９】生成物の分布は、クロマトグラフィー分析
によって測定した各シラン生成量から、全生成物に対す
る百分率として直接計算した： 選択率（ｗｔ％）＝１００×（生成した特定の製品（ｇ
）／全シラン製品（ｇ）） 【００４０】見出し「活性化」は、時間（ｈ）及び摂氏
温度（℃）の活性化条件を指す。見出し「反応」は、反
応工程がその下で行われた条件を指す。 【００４１】 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　第　　１　　表　　　　　　　　　　　　　
　非活性化、無触媒の一酸化ケイ素とＨＣｌの反応実　
　験　　　　活　　性　　化　　　　　　反　　　　　
　応　　　　　　　　％変　　　　　　　　選　　択　
　率　　　　Ｎｏ．　　　（ｈ）　　（℃）　　（ｈ）
　　（℃）　　　　　　換率　　　　　　ＨＳｉＣｌ３
　　　ＳｉＣｌ４　　　　２１　　　　　　−　　　　
　　−　　　　　　２２　　　３００〜１１４０　　　
　５４．９　　　　　　　１．８　　　　９８．２　　
２２　　　　　　−　　　　　　−　　　　　　２４　
　　７００〜１１４０　　　　６４．４　　　　　　　
２．０　　約９８　　　　２６　　　　　　−　　　　
　　−　　　　　　　４　　　　　　４００　　　　　
　　　０．０　　　　　　　０．０　　　　　０．０　
　２９　　　　　　−　　　　　　−　　　　　　　４
　　　　　　６００　　　　　　　　５．０　　　　　
　３２．９　　　　６７．１　　２７　　　　　　−　
　　　　　−　　　　　　　４　　　　　　９００　　
　　　　　３２．８　　　　　　　３．６　　　　９６
．４【００４２】第１表に示されたデータは、非活性化
、無触媒プロセスにおいて、高温度でＨＣｌが固体一酸
化ケイ素と反応する能力を持つことを証明している。 【００４３】実施例２ 反応温度の効果を評価した。反応器は実施例１と同様で
あった。前述のＡｌｆａ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ　社から入
手した粉末状一酸化ケイ素を、前記反応器に入れ、所定
の時間、ヘリウムガス雰囲気下に所定の温度で加熱して
活性化した。活性化期間の間、パージ用ガスの流れを標
準状態で約２０〜３０ｃｍ３　／分の速度に維持した。 塩化水素の代表的な流速は５〜３０ｃｍ３　／分であっ
た。反応器への仕込み量は１．６〜２．７ｇの間で変化
した。一酸化ケイ素の平均粒度は２μｍであった。 【００４４】 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　第　　２　　表　　　　活性化一酸化ケイ素の変
換率及び選択率に対する反応温度の影響実　　験　　　
　活　　性　　化　　　　　　反　　　　応　　　　　
　％変　　　　　　選択率（ｗｔ％）　　Ｎｏ．　　　
（ｈ）　　（℃）　　（ｈ）（℃）　　　　換率　　　
　　　ＨＳｉＣｌ３　　　ＳｉＣｌ４　　　　３１　　
　　　　１２　　　　　２００　　　　　　　４　　　
６００　　　　　　１３．５　　　　　　　３９．６　
　　　６０．４　　　２４　　　　　　１４　　　　　
２００　　　　　　２２　　　９００　　　　　　６８
．４　　　　　　　　３．５　　　　９６．５　【００
４５】第２表のデータを分析すればシリコン変換率及び
ＳｉＣｌ４　の選択率が、温度の上昇と共に増加してい
ることが明らかである。 【００４６】実施例３ ＣｕＣｌのような触媒が低温反応性を増進する能力を調
査するために一連の実験を行なった。活性化温度の効果
も評価した。用いた装置は、先に実施例２で述べたもの
と同様であった。 【００４７】触媒化反応器仕込み材料は、粉末状一酸化
ケイ素と粉末状ＣｕＣｌを３０〜６０分間振ることによ
り調製した。Ｃｅｒａｃ，Ｉｎｃ．（Ｍｉｌｗａｎｋｅ
ｅ，ＷＩ）から購入した一酸化ケイ素は、３２５メッシ
ュよりも小さな粒度と公称純　　度９９．９９％を持っ
ていた。前記ＣｕＣｌ（塩化第一銅、タイプＩＩ）は、
Ｃａｌａｂｒｉａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ（Ｈｏｕｓｔｏ
ｎ，ＴＸ）から購入した。このＣｕＣｌは、ＣｕＣｌと
一酸化ケイ素の合計重量に対して２．９４〜３．２３重
量％の水準で一酸化ケイ素に加えた。 【００４８】触媒化した仕込み材料を反応器に入れた後
、反応器をヘリウムで少なくとも３０秒間パージし、次
いで第３表に示した温度と時間の下でヘリウムを流しな
がら（８ｃｍ３　／分）活性化した。第３表に示した時
間及び温度の条件の下で、５〜１０ｃｍ３　／分の速度
で塩化水素ガスをして活性化仕込材料を通過させること
により、反応を行なった。第３表の見出しは先に述べた
のと同じである。 【００４９】 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　第　　３　　表　　　　塩化第一銅触媒を用いた活性
化一酸化ケイ素と塩化水素の反応実　　験　　　　活　
　性　　化　　　　　　反　　　　応　　　　　　％変
　　　　　　選択率（ｗｔ％）　　Ｎｏ．　　　（ｈ）
　　（℃）　　（ｈ）（℃）　　　　換率　　　　　　
ＨＳｉＣｌ３　　　ＳｉＣｌ４　　　　７６Ａ　　　　
　１２　　　　　１２５　　　　　　２４　　　３００
　　　　　　　６．６　　　　　　　８３．９　　　　
１６．１　　　８１Ａ　　　　　１６　　　　　２００
　　　　　　２４　　　３００　　　　　　　９．５　
　　　　　　８３．０　　　　１７．０　　　８２Ａ　
　　　　１６　　　　　４００　　　　　　２４　　　
３００　　　　　　３８．３　　　　　　　８１．１　
　　　１８．９　　　７８Ａ　　　　　１５　　　　　
８００　　　　　　２４　　　３００　　　　　　５０
．３　　　　　　　８４．８　　　　１５．２　【００
５０】第３表に示したデータは、ＣｕＣｌが３００℃で
の一酸化ケイ素と塩化水素との反応性を大いに促進する
ことを証明している。塩化水素との反応前に反応器仕込
み材料を高温で活性化することにより、この反応は更に
高められる。シリコンの変換率は活性化温度を高める程
高くなった。上記条件下ではＨＳｉＣｌ３　への選択性
があり、この選択性は活性化温度とは独立であった。 【００５１】実施例４ シリコン変換率及びＨＳｉＣｌ３　へのプロセスの選択
性に対する触媒濃度及び活性化時間の効果を評価した。 実験の手順と供給材料は実施例３に述べたのと同様であ
る。この一連の実験の結果を第４表に示す。第４表の見
出しは先に述べたのと同じ意味である。追加の見出し「
ＣｕＣｌ（ｗｔ％）」は、ＣｕＣｌと一酸化ケイ素の合
計量に占めるＣｕＣｌの重量％を指す。 【００５２】第４表に示された結果は、触媒ＣｕＣｌの
濃度を３重量％より上げても変換率とプロセスの選択性
とに対して殆ど効果がないことを証明している。このデ
ータは又、活性化時間が長いと、ＨＳｉＣｌ３　の選択
率に殆ど影響を与えず実質的に高いシリコン変換率をも
たらすことを証明している。反応温度が高くなるとＳｉ
Ｃｌ４　の形成も増える。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　固体一酸化ケイ素と次式で示されるハ
   ロゲン化水素とを ＨＸ （ここにＸはハロゲンである。）反応温度５００〜１２
   ００℃で接触させることを含む、次式で示されるシラン
   類 Ｈｎ　Ｓｉ　Ｘ４−ｎ　 （ここにｎは１〜４であり、Ｘはハロゲンである。）の
   製造方法。
2. 【請求項２】　　前記ハロゲン化水素が塩化水素である
   、請求項１に記載の方法。
3. 【請求項３】　　（Ａ）不活性雰囲気中、活性化時間１
   〜２０時間、活性化温度５０〜１２００℃に加熱して、
   固体一酸化ケイ素を活性化させ、そして （Ｂ）活性化した一酸化ケイ素を次式 ＨＸ （ここにＸはハロゲンである。）で示されるハロゲン化
   水素と、反応温度２００〜１２００℃で接触させる、こ
   とを含む、次式 Ｈｎ　Ｓｉ　Ｘ４−ｎ　 （ここにｎは０〜４であり、Ｘはハロゲンである。）で
   示されるシラン類の製造方法。
4. 【請求項４】　　前記不活性雰囲気が窒素とヘリウムか
   ら選ばれるガスであり、前記ハロゲン化水素が塩化水素
   である、請求項３に記載の方法。
5. 【請求項５】　　固体一酸化ケイ素と次式ＨＸ （ここにＸはハロゲンである。）で示されるハロゲン化
   水素とを、該固体一酸化ケイ素とハロゲン化水素との反
   応を促進するに有効な触媒の存在下に、反応温度約２０
   ０〜１２００℃で反応させることを含む、次式Ｈｎ　Ｓ
   ｉ　Ｘ４−ｎ　 （ここにｎは０〜４であり、Ｘはハロゲンである。）で
   示されるシラン類の製造方法。
6. 【請求項６】　　前記触媒が、銅及び銅化合物、錫及び
   錫化合物、亜鉛及び亜鉛化合物、アンチモン及びアンチ
   モン化合物、マンガン及びマンガン化合物、水銀及び水
   銀化合物、鉄及び無機鉄化合物、ニッケル及びニッケル
   化合物、リン、リン化物、リン合金、アルミニウム塩、
   並びにこれらの混合物から選ばれる請求項５に記載の方
   法。