JPH04263452A - 電子デバイスの過熱検出回路装置 - Google Patents
電子デバイスの過熱検出回路装置Info
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- JPH04263452A JPH04263452A JP29367091A JP29367091A JPH04263452A JP H04263452 A JPH04263452 A JP H04263452A JP 29367091 A JP29367091 A JP 29367091A JP 29367091 A JP29367091 A JP 29367091A JP H04263452 A JPH04263452 A JP H04263452A
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- JP
- Japan
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- bipolar transistor
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- current
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- Withdrawn
Links
- 238000013021 overheating Methods 0.000 title claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 101150079361 fet5 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K3/00—Thermometers giving results other than momentary value of temperature
- G01K3/005—Circuits arrangements for indicating a predetermined temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子デバイスに熱的に
接触しエミッタ側に電流源が直列接続されたバイポーラ
トランジスタと、電流源とバイポーラトランジスタのエ
ミッタとの間の接続点に接続された出力端子とを備え、
この出力端子では第１出力電圧が標準温度を信号化しか
つ第２出力電圧が過熱温度を信号化する電子デバイスの
過熱検出回路に関する。
接触しエミッタ側に電流源が直列接続されたバイポーラ
トランジスタと、電流源とバイポーラトランジスタのエ
ミッタとの間の接続点に接続された出力端子とを備え、
この出力端子では第１出力電圧が標準温度を信号化しか
つ第２出力電圧が過熱温度を信号化する電子デバイスの
過熱検出回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の回路装置はヨーロッパ特許出願
第０２４０８０７号に既に記載されている。この回路装
置はバイポーラトランジスタの逆電流の温度依存性を利
用している。バイポーラトランジスタと電流源とは、一
方では、バイポーラトランジスタの逆電流が監視すべき
電子デバイス、例えばパワー半導体デバイスの標準温度
の際には電流源の電流よりも小さくなるように設計され
ている。他方では、バイポーラトランジスタと電流源と
は、バイポーラトランジスタの逆電流が電子デバイスの
過熱温度の際には電流源の電流よりも大きくなるように
互いに合わせられている。標準温度から過熱温度への移
行はバイポーラトランジスタと電流源との接続点におい
て過熱温度信号として検出され得る電圧跳躍によって検
知可能である。
第０２４０８０７号に既に記載されている。この回路装
置はバイポーラトランジスタの逆電流の温度依存性を利
用している。バイポーラトランジスタと電流源とは、一
方では、バイポーラトランジスタの逆電流が監視すべき
電子デバイス、例えばパワー半導体デバイスの標準温度
の際には電流源の電流よりも小さくなるように設計され
ている。他方では、バイポーラトランジスタと電流源と
は、バイポーラトランジスタの逆電流が電子デバイスの
過熱温度の際には電流源の電流よりも大きくなるように
互いに合わせられている。標準温度から過熱温度への移
行はバイポーラトランジスタと電流源との接続点におい
て過熱温度信号として検出され得る電圧跳躍によって検
知可能である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】多くの使用目的にとっ
て上述の回路装置は、温度上昇時には予め定められた第
１温度の際に過熱温度を示す信号が発生され、温度降下
時にはこの信号は第１温度よりも低い予め定められた第
２温度の際に再び消滅するようなヒステリシス特性を持
つことが所望されている。
て上述の回路装置は、温度上昇時には予め定められた第
１温度の際に過熱温度を示す信号が発生され、温度降下
時にはこの信号は第１温度よりも低い予め定められた第
２温度の際に再び消滅するようなヒステリシス特性を持
つことが所望されている。
【０００４】そこで、本発明は、ヒステリシス特性を有
するように冒頭で述べた種類の回路装置を構成すること
を課題とする。
するように冒頭で述べた種類の回路装置を構成すること
を課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明は、バイポーラトランジスタのベースとエミ
ッタとの間に調整可能な抵抗を設け、この抵抗値が、第
１出力電圧の際には予め定められた第１の値を有しかつ
第２出力電圧の際には第１の値よりも高い第２の値を有
するように、出力電圧によって制御されることを特徴と
する。
に、本発明は、バイポーラトランジスタのベースとエミ
ッタとの間に調整可能な抵抗を設け、この抵抗値が、第
１出力電圧の際には予め定められた第１の値を有しかつ
第２出力電圧の際には第１の値よりも高い第２の値を有
するように、出力電圧によって制御されることを特徴と
する。
【０００６】本発明の実施態様は請求項２以下に記載さ
れている。
れている。
【０００７】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
【０００８】図１に示された回路装置はバイポーラトラ
ンジスタ１を有し、これには電流源２が直列接続されて
いる。直列接続回路には駆動電圧ＶＤＤが印加されてい
る。バイポーラトランジスタ１と電流源２との接続点９
は出力端子３に接続されている。電流源２の接続点９に
接続されていない方の端子は出力端子４に接続されてい
る。
ンジスタ１を有し、これには電流源２が直列接続されて
いる。直列接続回路には駆動電圧ＶＤＤが印加されてい
る。バイポーラトランジスタ１と電流源２との接続点９
は出力端子３に接続されている。電流源２の接続点９に
接続されていない方の端子は出力端子４に接続されてい
る。
【０００９】バイポーラトランジスタ１のベースとその
エミッタとの間には調整可能な抵抗が接続されている。 この抵抗は駆動電圧の図示された極性を持つ実施例にお
いてはｎチャネル・デプレション形ＦＥＴ５から構成さ
れている。そのドレイン端子Ｄはバイポーラトランジス
タ１のベース端子に接続され、そのソース端子Ｓはバイ
ポーラトランジスタ１のエミッタに接続されている。Ｆ
ＥＴ５のゲート端子Ｇは出力端子３、４間に位置する分
圧器６の接続点１４に接続されている。この実施例にお
いては分圧器６は２つの抵抗７、８から構成されている
。
エミッタとの間には調整可能な抵抗が接続されている。 この抵抗は駆動電圧の図示された極性を持つ実施例にお
いてはｎチャネル・デプレション形ＦＥＴ５から構成さ
れている。そのドレイン端子Ｄはバイポーラトランジス
タ１のベース端子に接続され、そのソース端子Ｓはバイ
ポーラトランジスタ１のエミッタに接続されている。Ｆ
ＥＴ５のゲート端子Ｇは出力端子３、４間に位置する分
圧器６の接続点１４に接続されている。この実施例にお
いては分圧器６は２つの抵抗７、８から構成されている
。
【００１０】標準温度の際バイポーラトランジスタ１の
逆電流が電流源２の電流以下にある場合には、この電流
源２は非常に僅かな抵抗しか有さず、接続点９の電位は
ほぼアース電位つまりゼロＶである。それによりＦＥＴ
５のゲート・ソース電圧も同様にほぼ０Ｖになり、ＦＥ
Ｔ５は導通する。このことは、バイポーラトランジスタ
１の逆電流の一部分が誘導され、バイポーラトランジス
タ１のエミッタ電流はそれに応じて減らされること、即
ち過熱温度を示す信号を出力端子３，４に生ぜしめる温
度はもっと高い温度値にあることを意味している。
逆電流が電流源２の電流以下にある場合には、この電流
源２は非常に僅かな抵抗しか有さず、接続点９の電位は
ほぼアース電位つまりゼロＶである。それによりＦＥＴ
５のゲート・ソース電圧も同様にほぼ０Ｖになり、ＦＥ
Ｔ５は導通する。このことは、バイポーラトランジスタ
１の逆電流の一部分が誘導され、バイポーラトランジス
タ１のエミッタ電流はそれに応じて減らされること、即
ち過熱温度を示す信号を出力端子３，４に生ぜしめる温
度はもっと高い温度値にあることを意味している。
【００１１】温度がさらに上昇し、バイポーラトランジ
スタ１の逆電流が電流源２の電流に到達すると、出力端
子３、４の電圧が急激に増大する。その大きさはツェナ
ーダイオード１０によって制限される。それにより分圧
器６およびＦＥＴ５のソース端子における電圧も同様に
高まる。ソース電位に比べてＦＥＴ５のゲートでは低電
位に調整され、このＦＥＴ５は高抵抗の領域になる。 今、温度が下がると、バイポーラトランジスタ１の逆電
流は、温度上昇する時にこの逆電流が電流源の電流を越
える際の温度よりも低い温度になった際に初めて電流源
２の電流を下回る。ヒステリシスの大きさは分圧器の設
計によって調整される。
スタ１の逆電流が電流源２の電流に到達すると、出力端
子３、４の電圧が急激に増大する。その大きさはツェナ
ーダイオード１０によって制限される。それにより分圧
器６およびＦＥＴ５のソース端子における電圧も同様に
高まる。ソース電位に比べてＦＥＴ５のゲートでは低電
位に調整され、このＦＥＴ５は高抵抗の領域になる。 今、温度が下がると、バイポーラトランジスタ１の逆電
流は、温度上昇する時にこの逆電流が電流源の電流を越
える際の温度よりも低い温度になった際に初めて電流源
２の電流を下回る。ヒステリシスの大きさは分圧器の設
計によって調整される。
【００１２】図２に示された回路装置は、ｎチャネル・
デプレション形ＦＥＴ５の抵抗が基板バイアス電圧の調
整によって決定される点で、図１の回路装置とは異なっ
ている。この場合、ゲートＧはソースＳに電気的に接続
されている。基板端子は分圧器６の接続点１４に接続さ
れている。動作態様は図１の実施例と同じである。しか
しながら、抵抗はこの実施例においては基板とチャネル
との間のｐｎ接合に印加された電圧によって制御され、
ゲートの絶縁層を介して制御されるのではない。それゆ
え、ゲート制御のような他の電圧領域における制御が可
能となる。
デプレション形ＦＥＴ５の抵抗が基板バイアス電圧の調
整によって決定される点で、図１の回路装置とは異なっ
ている。この場合、ゲートＧはソースＳに電気的に接続
されている。基板端子は分圧器６の接続点１４に接続さ
れている。動作態様は図１の実施例と同じである。しか
しながら、抵抗はこの実施例においては基板とチャネル
との間のｐｎ接合に印加された電圧によって制御され、
ゲートの絶縁層を介して制御されるのではない。それゆ
え、ゲート制御のような他の電圧領域における制御が可
能となる。
【００１３】分圧器６は、図２に示されているように、
ｎチャネル・デプレション形ＦＥＴ１２とダイオード１
３とから構成されている。この分圧器は勿論図１の実施
例における分圧器の構成を採用することができる。接続
点１４の電圧はデプレション形ＦＥＴとダイオードとを
使用した実施例においては端子３，４の出力電圧に追従
する。一方、図１の実施例においては接続点１４の電圧
は出力電圧に直接比例する。図２の実施例においても同
様にデプレション形ＦＥＴ１２は標準温度の際には高抵
抗を形成し、過熱温度の際には比較的低い抵抗を形成す
る。
ｎチャネル・デプレション形ＦＥＴ１２とダイオード１
３とから構成されている。この分圧器は勿論図１の実施
例における分圧器の構成を採用することができる。接続
点１４の電圧はデプレション形ＦＥＴとダイオードとを
使用した実施例においては端子３，４の出力電圧に追従
する。一方、図１の実施例においては接続点１４の電圧
は出力電圧に直接比例する。図２の実施例においても同
様にデプレション形ＦＥＴ１２は標準温度の際には高抵
抗を形成し、過熱温度の際には比較的低い抵抗を形成す
る。
【００１４】過電圧ピークを抑制するために、ＦＥＴ５
の基板端子とバイポーラトランジスタ１のベース端子と
の間およびバイポーラトランジスタ１のベース端子とア
ースとの間にコンデンサ１５、１７が挿入されている。 バイポーラトランジスタ１のベース端子とアースとの間
の過電圧はツェナーダイオード１６によって制限される
。
の基板端子とバイポーラトランジスタ１のベース端子と
の間およびバイポーラトランジスタ１のベース端子とア
ースとの間にコンデンサ１５、１７が挿入されている。 バイポーラトランジスタ１のベース端子とアースとの間
の過電圧はツェナーダイオード１６によって制限される
。
【００１５】電流源２、１２は公知の方法でデプレショ
ン形ＦＥＴによって形成され、その基板端子はソース端
子に電気的に接続される。
ン形ＦＥＴによって形成され、その基板端子はソース端
子に電気的に接続される。
【図１】本発明の一実施例を示す回路図。
【図２】本発明の他の実施例を示す回路図。
１ バイポーラトランジスタ
２ 電流源
３ 出力端子
４ 出力端子
５ デプレション形ＦＥＴ
６ 分圧器
１２ 電流源
１３ ダイオード
Claims (5)
- 【請求項１】 電子デバイスに熱的に接触しエミッタ
側に電流源（２）が直列接続されたバイポーラトランジ
スタ（１）と、前記電流源と前記バイポーラトランジス
タのエミッタとの間の接続点（９）に接続された出力端
子（３）とを備え、この出力端子では第１出力電圧が標
準温度を信号化しかつ第２出力電圧が過熱温度を信号化
する電子デバイスの過熱検出回路装置において、前記バ
イポーラトランジスタ（１）のベースとエミッタとの間
に調整可能な抵抗（５）を設け、この抵抗値は、第１出
力電圧の際には予め定められた第１の値を有しかつ第２
出力電圧の際には第１の値よりも高い第２の値を有する
ように、出力電圧によって制御されることを特徴とする
電子デバイスの過熱検出回路装置。 - 【請求項２】 調整可能な抵抗（５）はデプレション
形ＦＥＴであり、このＦＥＴは出力電圧に追従するゲー
ト・ソース電圧によって制御されることを特徴とする請
求項１記載の回路装置。 - 【請求項３】 調整可能な抵抗はデプレション形ＦＥ
Ｔ（５）であり、そのゲート端子はそのソース端子に接
続され、その基板には出力電圧に追従する電圧が印加さ
れることを特徴とする請求項１記載の回路装置。 - 【請求項４】 電圧を発生するために分圧器（６）が
設けられることを特徴とする請求項２または３記載の回
路装置。 - 【請求項５】 分圧器は電流源（１２）とダイオード
（１３）とから構成されることを特徴とする請求項４記
載の回路装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP90119746A EP0481105A1 (de) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | Schaltungsanordnung zum Erfassen der Übertemperatur eines elektronischen Bauelements |
| AT90119746.7 | 1990-10-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04263452A true JPH04263452A (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=8204618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29367091A Withdrawn JPH04263452A (ja) | 1990-10-15 | 1991-10-14 | 電子デバイスの過熱検出回路装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0481105A1 (ja) |
| JP (1) | JPH04263452A (ja) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1948517B2 (de) * | 1969-09-25 | 1972-02-17 | Dr. Siebert & Kühn, 3504 Oberkaufungen | Elektrische messchaltung zur messung physikalischer groessen mit zweipoligem aufbau unter verwendung von transistoren |
| JPS6018006B2 (ja) * | 1975-04-25 | 1985-05-08 | 富士通テン株式会社 | 温度検知回路 |
| JPS5828438U (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-24 | 株式会社ボッシュオートモーティブ システム | 感温スイッチ回路 |
| JPH0682777B2 (ja) * | 1985-11-13 | 1994-10-19 | 松下電器産業株式会社 | 熱保護回路 |
| JPS62171217A (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-28 | Seiko Instr & Electronics Ltd | シユミツトトリガ回路 |
| US4730228A (en) * | 1986-03-21 | 1988-03-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Overtemperature detection of power semiconductor components |
| FR2627027A1 (fr) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Sgs Thomson Microelectronics | Detecteur de surcharge thermique dans un circuit integre |
| JP2618950B2 (ja) * | 1988-02-05 | 1997-06-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路における熱遮断回路 |
-
1990
- 1990-10-15 EP EP90119746A patent/EP0481105A1/de not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-10-14 JP JP29367091A patent/JPH04263452A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0481105A1 (de) | 1992-04-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |