JPH04262582A - カンチレバーの製造方法 - Google Patents
カンチレバーの製造方法Info
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- JPH04262582A JPH04262582A JP3078680A JP7868091A JPH04262582A JP H04262582 A JPH04262582 A JP H04262582A JP 3078680 A JP3078680 A JP 3078680A JP 7868091 A JP7868091 A JP 7868091A JP H04262582 A JPH04262582 A JP H04262582A
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Landscapes
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- Pressure Sensors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハを用いて
形成するカンチレバーの製造方法に関するものである。
形成するカンチレバーの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体プロセス技術を背景にして半
導体を機械的構造体として用いた半導体圧力センサー、
半導体加速度センサー、マイクロアクチュエータ等の機
械的電気素子（マイクロメカニクスデバイス）が脚光を
浴びるようになってきた。
導体を機械的構造体として用いた半導体圧力センサー、
半導体加速度センサー、マイクロアクチュエータ等の機
械的電気素子（マイクロメカニクスデバイス）が脚光を
浴びるようになってきた。
【０００３】これら素子の特徴として、小型でかつ高精
度の機械機構部品を提供でき、かつ半導体ウエハを用い
る為に１ウエハ上に素子と電子回路を一体化できること
が挙げられる。また、半導体プロセスをベースとして作
製することで、半導体プロセスのバッチ処理による生産
性の向上を期待できる。
度の機械機構部品を提供でき、かつ半導体ウエハを用い
る為に１ウエハ上に素子と電子回路を一体化できること
が挙げられる。また、半導体プロセスをベースとして作
製することで、半導体プロセスのバッチ処理による生産
性の向上を期待できる。
【０００４】変位素子を有するカンチレバーでその特徴
を最もよく表す素子の１例として、スタンフォード大学
のクエート等により提案された微小計測用のＳＴＭプロ
ーブ（ＩＥＥＥ Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ，ｐｐ１８８
−１９９，Ｆｅｂ．１９９０）がある。これは、シリコ
ンウエハの裏面を一部除去してシリコンメンブレンを形
成し、表面にＡｌとＺｎＯの薄膜を順次積層しバイモル
フのカンチレバー形状の層を形成し、その後裏面より反
応性のドライエッチングによりシリコンメンブレンとウ
エハ表面のエッチングの保護層（シリコン窒化膜）を除
去し、ＳＴＭプローブの変位用のバイモルフカンチレバ
ーを作製するものである。カンチレバーの長さを調整す
る為には、表面のカンチレバー形状の層とシリコンメン
ブレンの配置によって行う。この為、シリコンメンブレ
ンは位置制御性の高いシリコンの結晶方位面のエッチン
グ速度を利用する異方性エッチングを用いている。
を最もよく表す素子の１例として、スタンフォード大学
のクエート等により提案された微小計測用のＳＴＭプロ
ーブ（ＩＥＥＥ Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ，ｐｐ１８８
−１９９，Ｆｅｂ．１９９０）がある。これは、シリコ
ンウエハの裏面を一部除去してシリコンメンブレンを形
成し、表面にＡｌとＺｎＯの薄膜を順次積層しバイモル
フのカンチレバー形状の層を形成し、その後裏面より反
応性のドライエッチングによりシリコンメンブレンとウ
エハ表面のエッチングの保護層（シリコン窒化膜）を除
去し、ＳＴＭプローブの変位用のバイモルフカンチレバ
ーを作製するものである。カンチレバーの長さを調整す
る為には、表面のカンチレバー形状の層とシリコンメン
ブレンの配置によって行う。この為、シリコンメンブレ
ンは位置制御性の高いシリコンの結晶方位面のエッチン
グ速度を利用する異方性エッチングを用いている。
【０００５】上述のシリコンメンブレンのような半導体
の３次元構造体を形成する場合、容易にかつ再現性良く
同一の構造体を形成できる方法として異方性エッチング
が用いられてきた。一般的に異方性エッチングを行う場
合、半導体に比して十分なエッチング液の選択性を有す
る薄膜保護層（マスク層）を、あらかじめウエハの両面
に形成しておき、前記薄膜の一部を除去し開口部を設け
、その開口部から半導体の異方性エッチングを行う。
の３次元構造体を形成する場合、容易にかつ再現性良く
同一の構造体を形成できる方法として異方性エッチング
が用いられてきた。一般的に異方性エッチングを行う場
合、半導体に比して十分なエッチング液の選択性を有す
る薄膜保護層（マスク層）を、あらかじめウエハの両面
に形成しておき、前記薄膜の一部を除去し開口部を設け
、その開口部から半導体の異方性エッチングを行う。
【０００６】上述したように、従来のカンチレバーの作
製では、半導体ウエハ表面のマスク層上に電極あるいは
圧電体膜等のカンチレバーを変位させる為の変位素子を
形成する、またはマスク層をカンチレバーの構成層とし
ている。
製では、半導体ウエハ表面のマスク層上に電極あるいは
圧電体膜等のカンチレバーを変位させる為の変位素子を
形成する、またはマスク層をカンチレバーの構成層とし
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述す
るようなマスク層の上に変位素子を形成した場合、半導
体ウエハ上のマスク層が、異方性エッチング液中に長時
間さらされることとなりウエハ上への異物の付着が増し
、さらにはマスク層もエッチングされマスク層の厚みが
変化し、マスク層をカンチレバーの一部として用いる場
合にはカンチレバーの全体厚み変化による素子特性のバ
ラツキ等が発生することとなり、素子の歩留および再現
性の低下等の問題が生じていた。
るようなマスク層の上に変位素子を形成した場合、半導
体ウエハ上のマスク層が、異方性エッチング液中に長時
間さらされることとなりウエハ上への異物の付着が増し
、さらにはマスク層もエッチングされマスク層の厚みが
変化し、マスク層をカンチレバーの一部として用いる場
合にはカンチレバーの全体厚み変化による素子特性のバ
ラツキ等が発生することとなり、素子の歩留および再現
性の低下等の問題が生じていた。
【０００８】そこで、本発明の目的とするところは、か
かる問題点を解消したカンチレバーの製造方法を提供す
ることにある。
かる問題点を解消したカンチレバーの製造方法を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段及び作用】上記課題は、以
下の構成からなるカンチレバーの製造方法、すなわち、
半導体ウエハ上にエッチング法により形成されるカンチ
レバーの製造方法において、前記ウエハの両面に前記エ
ッチングを防止する薄膜を形成する工程と、前記基板の
第１の主面の前記薄膜に開口部を設け半導体をエッチン
グし半導体メンブレンを形成する工程と、前記ウエハの
第２の主面の前記薄膜を除去しカンチレバー形状を構成
する層を形成する工程と、前記半導体メンブレンを除去
しカンチレバーを形成する工程にて、カンチレバーある
いは変位素子を有するカンチレバーを製造する方法、に
よって達成される。
下の構成からなるカンチレバーの製造方法、すなわち、
半導体ウエハ上にエッチング法により形成されるカンチ
レバーの製造方法において、前記ウエハの両面に前記エ
ッチングを防止する薄膜を形成する工程と、前記基板の
第１の主面の前記薄膜に開口部を設け半導体をエッチン
グし半導体メンブレンを形成する工程と、前記ウエハの
第２の主面の前記薄膜を除去しカンチレバー形状を構成
する層を形成する工程と、前記半導体メンブレンを除去
しカンチレバーを形成する工程にて、カンチレバーある
いは変位素子を有するカンチレバーを製造する方法、に
よって達成される。
【００１０】これによれば、エッチング時に用いたマス
ク層が変位素子を形成する工程の前に取り去られ、従来
問題となったウエハ上マスク層への異物の付着やマスク
層の厚み変化による素子特性のバラツキが解消でき、素
子の歩留および再現性を向上させることが可能となった
。
ク層が変位素子を形成する工程の前に取り去られ、従来
問題となったウエハ上マスク層への異物の付着やマスク
層の厚み変化による素子特性のバラツキが解消でき、素
子の歩留および再現性を向上させることが可能となった
。
【００１１】ここで、上記手段に用いられるエッチング
液としては、半導体の結晶方位面によりエッチング速度
に差異を生ずる水酸化カリウム水溶液、水酸化アンモニ
ウム、ヒドラジン、エチレンジアミンピロカテコール等
の結晶異方性を生じるエッチング液であれば適用可能で
ある。
液としては、半導体の結晶方位面によりエッチング速度
に差異を生ずる水酸化カリウム水溶液、水酸化アンモニ
ウム、ヒドラジン、エチレンジアミンピロカテコール等
の結晶異方性を生じるエッチング液であれば適用可能で
ある。
【００１２】また、マスク層としては、上記エッチング
液を用いた場合に半導体と比して十分なエッチング選択
性を有するものであれば良く、用いるエッチング液によ
り異なるが、代表的にはシリコン窒化膜が用いられる。 他のマスク層としては、シリコン酸化膜、金、クロム、
タンタル等も適用される。
液を用いた場合に半導体と比して十分なエッチング選択
性を有するものであれば良く、用いるエッチング液によ
り異なるが、代表的にはシリコン窒化膜が用いられる。 他のマスク層としては、シリコン酸化膜、金、クロム、
タンタル等も適用される。
【００１３】本発明の工程中のメンブレンを除去する方
法としては、上記変位素子を形成する層に対し、メンブ
レンのみがエッチングされる方法であれば、ドライ、ウ
エットのどちらのエッチング方法を用いても良い。
法としては、上記変位素子を形成する層に対し、メンブ
レンのみがエッチングされる方法であれば、ドライ、ウ
エットのどちらのエッチング方法を用いても良い。
【００１４】
【実施例】以下、実施例を用いて説明する。
【００１５】（実施例１）図１は、本発明の特徴を最も
良く表すカンチレバーの製造方法の工程概略図を示す。
良く表すカンチレバーの製造方法の工程概略図を示す。
【００１６】先ず、結晶方位（１００）面を主面とする
シリコンウエハ１の両面に、マスク層となるシリコン窒
化膜２をＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）法により５０００オ
ングストローム形成し（図１（ａ））、ウエハ１の一方
の面のシリコン窒化膜２をフォトリソグラフィと反応性
イオンエッチング法によりＣＦ４ガスを用いパターン形
成し、開口部３を設ける（図１（ｂ））。
シリコンウエハ１の両面に、マスク層となるシリコン窒
化膜２をＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）法により５０００オ
ングストローム形成し（図１（ａ））、ウエハ１の一方
の面のシリコン窒化膜２をフォトリソグラフィと反応性
イオンエッチング法によりＣＦ４ガスを用いパターン形
成し、開口部３を設ける（図１（ｂ））。
【００１７】次に、８０℃のＫＯＨ２７ｗｔ％水溶液に
よりシリコンの異方性エッチングを行い、３０μｍのシ
リコンメンブレン４を形成した（図１（ｃ））。その後
、ウエハの他方の面のシリコン窒化膜２を反応性イオン
エッチングにより上記と同様に除去し、交流マグネトロ
ンスパッタリング法により、ＳｉＯ２ターゲットをアル
ゴンの雰囲気中でスパッタして２００℃に加熱したウエ
ハ１上に１μｍ成膜し、フォトリソグラフィ及びＡｒイ
オン・ミーリング法により、カンチレバー形状のシリコ
ン酸化膜５をパターン形成した（図１（ｄ））。
よりシリコンの異方性エッチングを行い、３０μｍのシ
リコンメンブレン４を形成した（図１（ｃ））。その後
、ウエハの他方の面のシリコン窒化膜２を反応性イオン
エッチングにより上記と同様に除去し、交流マグネトロ
ンスパッタリング法により、ＳｉＯ２ターゲットをアル
ゴンの雰囲気中でスパッタして２００℃に加熱したウエ
ハ１上に１μｍ成膜し、フォトリソグラフィ及びＡｒイ
オン・ミーリング法により、カンチレバー形状のシリコ
ン酸化膜５をパターン形成した（図１（ｄ））。
【００１８】最後に、シリコン窒化膜を除去したと同様
の方法にて、シリコンメンブレン４をエッチング除去し
、シリコン酸化膜のカンチレバー６を得た（図１（ｅ）
）。
の方法にて、シリコンメンブレン４をエッチング除去し
、シリコン酸化膜のカンチレバー６を得た（図１（ｅ）
）。
【００１９】このような方法を用いることで、異方性エ
ッチング時に発生する異物の付着のないカンチレバーを
作製できた。
ッチング時に発生する異物の付着のないカンチレバーを
作製できた。
【００２０】（実施例２）本発明の他の実施例を示す。
図２は圧電体薄膜を用いたバイモルフカンチレバーの作
製工程概略図である。
製工程概略図である。
【００２１】先ず、実施例１と同様な方法によりシリコ
ンメンブレン４を形成し（図２（ａ）〜（ｄ））、シリ
コン表面にＡｕ電極膜２３とＺｎＯ圧電体膜２２を順次
パターン形成しながら積層して、バイモルフカンチレバ
ー形状のパターンを形成した（図２（ｅ））。
ンメンブレン４を形成し（図２（ａ）〜（ｄ））、シリ
コン表面にＡｕ電極膜２３とＺｎＯ圧電体膜２２を順次
パターン形成しながら積層して、バイモルフカンチレバ
ー形状のパターンを形成した（図２（ｅ））。
【００２２】ここで、Ａｕ電極膜２３は真空抵抗加熱蒸
着法により０．２μｍ成膜し、ＺｎＯ圧電体膜２２はマ
グネトロンスパッタ法よりＺｎＯターゲットを酸素とア
ルゴンの混合雰囲気中でスパッタし、２００℃に加熱し
た上記シリコンウエハ上に１μｍ成膜した。また、バイ
モルフのパターニングはフォトリソグラフィにより行っ
た。さらに、エッチング液としては、それぞれＡｕ電極
はヨウ化カリウム水溶液を、ＺｎＯ膜は酢酸水溶液を用
いた。ただし、Ａｕとシリコンの密着性を上げる為に、
第１層のＡｕを成膜する前にＣｒ２１を２０オングスト
ローム真空蒸着法により成膜した（図２（ｅ））。
着法により０．２μｍ成膜し、ＺｎＯ圧電体膜２２はマ
グネトロンスパッタ法よりＺｎＯターゲットを酸素とア
ルゴンの混合雰囲気中でスパッタし、２００℃に加熱し
た上記シリコンウエハ上に１μｍ成膜した。また、バイ
モルフのパターニングはフォトリソグラフィにより行っ
た。さらに、エッチング液としては、それぞれＡｕ電極
はヨウ化カリウム水溶液を、ＺｎＯ膜は酢酸水溶液を用
いた。ただし、Ａｕとシリコンの密着性を上げる為に、
第１層のＡｕを成膜する前にＣｒ２１を２０オングスト
ローム真空蒸着法により成膜した（図２（ｅ））。
【００２３】最後に、シリコン窒化膜を除去したと同様
の方法にて、シリコンメンブレン４をエッチング除去し
、ＺｎＯ薄膜のバイモルフカンチレバー２４を得た（図
２（ｆ））。
の方法にて、シリコンメンブレン４をエッチング除去し
、ＺｎＯ薄膜のバイモルフカンチレバー２４を得た（図
２（ｆ））。
【００２４】このような方法を用いることで、異方性エ
ッチング時に付着した残留物を取り去ることが可能とな
り、金属−絶縁体−金属からなる薄膜積層デバイスの問
題点であるピンホールを低減することができた。
ッチング時に付着した残留物を取り去ることが可能とな
り、金属−絶縁体−金属からなる薄膜積層デバイスの問
題点であるピンホールを低減することができた。
【００２５】本実施例にて作製したバイモルフカンチレ
バーの先端に、図３のようなプローブ電極３１を配置す
ると、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）用のプローブと
して用いることができ、また、シリコンウエハ上に図４
に示すような複数のＳＴＭプローブを作製しユニット４
０を形成する場合には、上記ピンホールの低減により歩
留が向上する。
バーの先端に、図３のようなプローブ電極３１を配置す
ると、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）用のプローブと
して用いることができ、また、シリコンウエハ上に図４
に示すような複数のＳＴＭプローブを作製しユニット４
０を形成する場合には、上記ピンホールの低減により歩
留が向上する。
【００２６】（実施例３）図５に、本発明の方法を用い
て作製した、熱膨張の差を利用するバイメタルカンチレ
バーの作製工程概略図を示す。
て作製した、熱膨張の差を利用するバイメタルカンチレ
バーの作製工程概略図を示す。
【００２７】先ず、結晶方位（１００）面を主面とする
シリコンウエハ１を、酸素と窒素の混合ガス雰囲気中で
１０００℃に加熱し、酸化膜５０を５０００オングスト
ローム形成し、次に、マスク層となるシリコン窒化膜２
を、ＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）法により５０００オング
ストローム両面に形成した（図５（ａ））。
シリコンウエハ１を、酸素と窒素の混合ガス雰囲気中で
１０００℃に加熱し、酸化膜５０を５０００オングスト
ローム形成し、次に、マスク層となるシリコン窒化膜２
を、ＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）法により５０００オング
ストローム両面に形成した（図５（ａ））。
【００２８】次に、ウエハの一方の面のシリコン窒化膜
２及び酸化膜５０をフォトリソグラフィ及び反応性イオ
ンエッチング法により、ＣＦ４ガスを用いてパターン形
成し、開口部３を設ける（図５（ｂ））。
２及び酸化膜５０をフォトリソグラフィ及び反応性イオ
ンエッチング法により、ＣＦ４ガスを用いてパターン形
成し、開口部３を設ける（図５（ｂ））。
【００２９】次に、１１５℃のエチレンジアミンピロカ
テコール水溶液により、シリコン１の異方性エッチング
を行い、３０μｍのシリコンメンブレン４を形成した（
図５（ｃ））。その後、ウエハの他の面のシリコン窒化
膜２を反応性イオンエッチングにより同様に除去し（図
５（ｄ））、シリコン酸化膜５０上部にアモルファスシ
リコン窒化膜５１をプラズマＣＶＤ法により０．５μｍ
成膜した。その後、フォトリソグラフィによりパターン
形成し、フッ酸・フッ化アンモニウム水溶液にてカンチ
レバー形状のシリコン酸化膜とアモルファスシリコン窒
化膜の積層膜を形成した（図５（ｅ））。次に、その上
部にタンタル５２を交流マグネトロンスパッタリング法
によりアルゴンの雰囲気中でスパッタして０．５μｍ成
膜し、Ａｒイオン・ミーリング法により、ヒーターのパ
ターンを形成した。
テコール水溶液により、シリコン１の異方性エッチング
を行い、３０μｍのシリコンメンブレン４を形成した（
図５（ｃ））。その後、ウエハの他の面のシリコン窒化
膜２を反応性イオンエッチングにより同様に除去し（図
５（ｄ））、シリコン酸化膜５０上部にアモルファスシ
リコン窒化膜５１をプラズマＣＶＤ法により０．５μｍ
成膜した。その後、フォトリソグラフィによりパターン
形成し、フッ酸・フッ化アンモニウム水溶液にてカンチ
レバー形状のシリコン酸化膜とアモルファスシリコン窒
化膜の積層膜を形成した（図５（ｅ））。次に、その上
部にタンタル５２を交流マグネトロンスパッタリング法
によりアルゴンの雰囲気中でスパッタして０．５μｍ成
膜し、Ａｒイオン・ミーリング法により、ヒーターのパ
ターンを形成した。
【００３０】最後に、エチレンジアミンピロカテコール
水溶液によりシリコンメンブレン４をエッチング除去し
、バイメタルカンチレバー５３を得た。
水溶液によりシリコンメンブレン４をエッチング除去し
、バイメタルカンチレバー５３を得た。
【００３１】本実施例においても、実施例１，２と同様
に異方性エッチング時に発生する異物の付着やマスク層
のエッチングダメージのないカンチレバーを歩留良く作
製できた。
に異方性エッチング時に発生する異物の付着やマスク層
のエッチングダメージのないカンチレバーを歩留良く作
製できた。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によれば、エッチング時に用いたマスク層が変位素子を
形成する工程の前にとりさられる為、従来問題となった
ウエハ上への異物の付着やマスク層の厚み変化による素
子特性のバラツキが解消でき、素子の歩留および再現性
の向上させることが可能となった。
によれば、エッチング時に用いたマスク層が変位素子を
形成する工程の前にとりさられる為、従来問題となった
ウエハ上への異物の付着やマスク層の厚み変化による素
子特性のバラツキが解消でき、素子の歩留および再現性
の向上させることが可能となった。
【００３３】また、本発明の方法を用いて作製した変位
素子を有するカンチレバーは、素子特性の再現性及び高
歩留を保証するものとなる。
素子を有するカンチレバーは、素子特性の再現性及び高
歩留を保証するものとなる。
【図１】本発明の製造方法を最も良く表す工程概略図を
示す。
示す。
【図２】バイモルフカンチレバーの作製工程概略図を示
す。
す。
【図３】バイモルフカンチレバーを用いたＳＴＭプロー
ブの概略図を示す。
ブの概略図を示す。
【図４】複数のＳＴＭプローブのユニットの概略図を示
す。
す。
【図５】バイメタルカンチレバーの作製工程概略図を示
す。
す。
１ シリコンウエハ
２ シリコン窒化膜
３ 開口部
４ シリコンメンブレン
５ シリコン酸化膜
６ カンチレバー
２１ Ｃｒ層
２２ ＺｎＯ圧電体膜
２３ Ａｕ電極膜
２４ バイモルフカンチレバー
３１ プローブ電極
４０ プローブユニット
５０ シリコン酸化膜
５１ アモルファスシリコン窒化膜
５２ タンタル
５３ バイメタルカンチレバー
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエハ上にエッチング法により
形成されるカンチレバーの製造方法において、前記ウエ
ハの両面に前記エッチングを防止する薄膜を形成する工
程と、前記ウエハの第１の主面の前記薄膜に開口部を設
け半導体をエッチングし半導体メンブレンを形成する工
程と、前記ウエハの第２の主面の前記薄膜を除去しカン
チレバー形状を構成する層を形成する工程と、前記半導
体メンブレンを除去しカンチレバーを形成する工程によ
りカンチレバーを形成することを特徴とするカンチレバ
ーの製造方法。 - 【請求項２】 前記カンチレバーが、変位素子を有す
ることを特徴とする請求項１記載のカンチレバーの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3078680A JP2866216B2 (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | カンチレバーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3078680A JP2866216B2 (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | カンチレバーの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04262582A true JPH04262582A (ja) | 1992-09-17 |
| JP2866216B2 JP2866216B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=13668588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3078680A Expired - Fee Related JP2866216B2 (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | カンチレバーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2866216B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011228548A (ja) * | 2010-04-21 | 2011-11-10 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 強誘電体デバイス |
-
1991
- 1991-02-15 JP JP3078680A patent/JP2866216B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011228548A (ja) * | 2010-04-21 | 2011-11-10 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 強誘電体デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2866216B2 (ja) | 1999-03-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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