JPH10300762A - カンチレバーの製造方法 - Google Patents
カンチレバーの製造方法Info
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- JPH10300762A JPH10300762A JP12651397A JP12651397A JPH10300762A JP H10300762 A JPH10300762 A JP H10300762A JP 12651397 A JP12651397 A JP 12651397A JP 12651397 A JP12651397 A JP 12651397A JP H10300762 A JPH10300762 A JP H10300762A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウェハを使用し半導体集積回路の製
造法を利用して探針付きカンチレバーを作る製造方法
で、カンチレバーのレバー部分の大きさに影響を与える
ことなく、細長い探針を作る。 【解決手段】 探針付きカンチレバーを製造する方法で
あり、絶縁膜12とクロム金膜13が積層されたシリコンウ
ェハ11を用意し、シリコンウェハに対して、最初に目の
大きなマスクパターン14を用いて絶縁膜とクロム金膜を
エッチングし、次に目の小さいチップパターン18を用い
て一番上の金属膜のみをエッチングし、次に絶縁膜を用
いてシリコンウェハをエッチングして凸部11a を作り、
最後に金属膜と絶縁膜を用いて凸部とシリコンウェハに
対して等方性エッチングを行い、探針17を作る。
造法を利用して探針付きカンチレバーを作る製造方法
で、カンチレバーのレバー部分の大きさに影響を与える
ことなく、細長い探針を作る。 【解決手段】 探針付きカンチレバーを製造する方法で
あり、絶縁膜12とクロム金膜13が積層されたシリコンウ
ェハ11を用意し、シリコンウェハに対して、最初に目の
大きなマスクパターン14を用いて絶縁膜とクロム金膜を
エッチングし、次に目の小さいチップパターン18を用い
て一番上の金属膜のみをエッチングし、次に絶縁膜を用
いてシリコンウェハをエッチングして凸部11a を作り、
最後に金属膜と絶縁膜を用いて凸部とシリコンウェハに
対して等方性エッチングを行い、探針17を作る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はカンチレバーの製造
方法に関し、特に、原子間力顕微鏡等において探針を先
端に備えたカンチレバーの製造方法に関する。
方法に関し、特に、原子間力顕微鏡等において探針を先
端に備えたカンチレバーの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】原子間力顕微鏡等で利用される探針付き
カンチレバーの従来の製造方法は、例えば特開平３−２
１８９９８号公報に開示される。探針は、片持ち梁とし
ての機能を有するカンチレバーの先端に形成されるもの
である。カンチレバー先部の探針は、測定時に測定対象
である試料表面に接近して配置され、探針と試料の間で
生じる原子間力によって変位し、カンチレバーにおいて
たわみ変形を生じさせる働きを有する。カンチレバーの
たわみ変形は例えば光てこ式検出光学系で検出され、こ
れによって探針に生じた変位量が計測される。
カンチレバーの従来の製造方法は、例えば特開平３−２
１８９９８号公報に開示される。探針は、片持ち梁とし
ての機能を有するカンチレバーの先端に形成されるもの
である。カンチレバー先部の探針は、測定時に測定対象
である試料表面に接近して配置され、探針と試料の間で
生じる原子間力によって変位し、カンチレバーにおいて
たわみ変形を生じさせる働きを有する。カンチレバーの
たわみ変形は例えば光てこ式検出光学系で検出され、こ
れによって探針に生じた変位量が計測される。
【０００３】上記の文献に記載された探針付きカンチレ
バーの製造方法では、原材料としてのシリコンウェハ
（またはシリコン基板）を使用し、半導体集積回路の製
造方法を利用して探針付きカンチレバーを製造してい
る。この文献では、探針はシリコンチップと呼ばれてお
り、特に、探針としての当該シリコンチップを尖鋭化す
るための方法が提案されている。
バーの製造方法では、原材料としてのシリコンウェハ
（またはシリコン基板）を使用し、半導体集積回路の製
造方法を利用して探針付きカンチレバーを製造してい
る。この文献では、探針はシリコンチップと呼ばれてお
り、特に、探針としての当該シリコンチップを尖鋭化す
るための方法が提案されている。
【０００４】上記文献に示されるカンチレバーの製造方
法では、探針を先端に設けたカンチレバーを製造する際
に、１回のエッチング処理で探針（チップ）を形成する
ようにしている。
法では、探針を先端に設けたカンチレバーを製造する際
に、１回のエッチング処理で探針（チップ）を形成する
ようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記文献に示されたカ
ンチレバーの製造方法によれば、１回のエッチング処理
で探針を形成するため、長い探針を作るときにはエッチ
ングマスクのパターンが必然的に大きくなる。その結
果、カンチレバーのレバー部分（アーム部分）も大きく
なり、カンチレバーの剛性が高くなって検出感度が低下
するという問題が起きる。特に前述の従来技術では、細
長い探針を作るという観点については、十分に配慮され
ていなかった。従って、従来技術で細長い探針を作る場
合には、探針の根元部分が太くなり、カンチレバーのレ
バー部分の幅も必然的に広くなるという不具合があっ
た。
ンチレバーの製造方法によれば、１回のエッチング処理
で探針を形成するため、長い探針を作るときにはエッチ
ングマスクのパターンが必然的に大きくなる。その結
果、カンチレバーのレバー部分（アーム部分）も大きく
なり、カンチレバーの剛性が高くなって検出感度が低下
するという問題が起きる。特に前述の従来技術では、細
長い探針を作るという観点については、十分に配慮され
ていなかった。従って、従来技術で細長い探針を作る場
合には、探針の根元部分が太くなり、カンチレバーのレ
バー部分の幅も必然的に広くなるという不具合があっ
た。
【０００６】本発明の目的は、上記の問題を解決するこ
とにあり、シリコンウェハを使用し半導体集積回路の製
造方法を利用して探針付きカンチレバーを作る製造方法
において、カンチレバーのレバー部分の大きさに影響を
与えることなく、細長い探針を作ることができるカンチ
レバーの製造方法を提供することにある。
とにあり、シリコンウェハを使用し半導体集積回路の製
造方法を利用して探針付きカンチレバーを作る製造方法
において、カンチレバーのレバー部分の大きさに影響を
与えることなく、細長い探針を作ることができるカンチ
レバーの製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】第１の本発明
（請求項１に対応）に係るカンチレバーの製造方法は、
上記目的を達成するため、片持ち梁構造で使用され先端
に探針を有するカンチレバーを、複数の膜が積層された
シリコンウェハに対してエッチング処理を施して製造す
る方法であり、絶縁膜と金属膜が積層された上記のシリ
コンウェハを用意し、このシリコンウェハに対して、最
初に相対的に目の大きな第１網目のエッチングマスク
（マスクパターン１４）を用いて第１エッチングを行っ
て絶縁膜と金属膜をエッチングし、次に相対的に目の小
さい第２網目のエッチングマスク（チップパターン１
８）を用いて第２エッチングを行って一番上の金属膜の
みをエッチングし、次に第１網目に対応した上記絶縁膜
を用いて第３エッチングを行ってシリコンウェハをエッ
チングし、最後に第２網目に対応する金属膜と絶縁膜を
用いて等方性エッチングを行い、上記の探針を作る方法
である。
（請求項１に対応）に係るカンチレバーの製造方法は、
上記目的を達成するため、片持ち梁構造で使用され先端
に探針を有するカンチレバーを、複数の膜が積層された
シリコンウェハに対してエッチング処理を施して製造す
る方法であり、絶縁膜と金属膜が積層された上記のシリ
コンウェハを用意し、このシリコンウェハに対して、最
初に相対的に目の大きな第１網目のエッチングマスク
（マスクパターン１４）を用いて第１エッチングを行っ
て絶縁膜と金属膜をエッチングし、次に相対的に目の小
さい第２網目のエッチングマスク（チップパターン１
８）を用いて第２エッチングを行って一番上の金属膜の
みをエッチングし、次に第１網目に対応した上記絶縁膜
を用いて第３エッチングを行ってシリコンウェハをエッ
チングし、最後に第２網目に対応する金属膜と絶縁膜を
用いて等方性エッチングを行い、上記の探針を作る方法
である。
【０００８】第１の発明では、シリコンウェハに対して
第２網目のエッチングマスク（チップパターン）を利用
し等方性エッチングを施して探針付きカンチレバーの当
該探針を作るにあたって、上記の第１エッチングと第２
エッチングに基づきシリコンウェハの表面において予め
探針が形成される部分を好ましい形状に整形するように
し、これによってカンチレバーのレバー部分の大きさに
影響を与えることなく、所望の長さを有する細長い探針
を有するカンチレバーを製造することが可能となる。上
記のエッチング処理には、ドライエッチングやウェット
エッチングが使用される。
第２網目のエッチングマスク（チップパターン）を利用
し等方性エッチングを施して探針付きカンチレバーの当
該探針を作るにあたって、上記の第１エッチングと第２
エッチングに基づきシリコンウェハの表面において予め
探針が形成される部分を好ましい形状に整形するように
し、これによってカンチレバーのレバー部分の大きさに
影響を与えることなく、所望の長さを有する細長い探針
を有するカンチレバーを製造することが可能となる。上
記のエッチング処理には、ドライエッチングやウェット
エッチングが使用される。
【０００９】第２の本発明（請求項２に対応）に係るカ
ンチレバーの製造方法は、第１の発明において、上記第
３エッチングによってシリコンウェハ上に凸部を形成
し、この凸部とシリコンウェハの表面を等方性エッチン
グで削って細長い前記探針を作るようにした。等方性エ
ッチングの処理の前の段階で、シリコンウェハ上にかか
る凸部を形成することによって望ましい細長い形状の探
針部を作ることが可能となる。
ンチレバーの製造方法は、第１の発明において、上記第
３エッチングによってシリコンウェハ上に凸部を形成
し、この凸部とシリコンウェハの表面を等方性エッチン
グで削って細長い前記探針を作るようにした。等方性エ
ッチングの処理の前の段階で、シリコンウェハ上にかか
る凸部を形成することによって望ましい細長い形状の探
針部を作ることが可能となる。
【００１０】第３の本発明（請求項３に対応）に係るカ
ンチレバーの製造方法は、第２の発明において、凸部の
径は第１網目のエッチングマスクで制御され、凸部の高
さは第３エッチングによるエッチング量で制御される。
ンチレバーの製造方法は、第２の発明において、凸部の
径は第１網目のエッチングマスクで制御され、凸部の高
さは第３エッチングによるエッチング量で制御される。
【００１１】第４の本発明（請求項４に対応）に係るカ
ンチレバーの製造方法は、第１の発明において、第１エ
ッチングと第２エッチングに基づいて絶縁膜と金属膜の
間に段差を作り、この段差の程度に応じて探針の尖鋭度
を決めるようにした。
ンチレバーの製造方法は、第１の発明において、第１エ
ッチングと第２エッチングに基づいて絶縁膜と金属膜の
間に段差を作り、この段差の程度に応じて探針の尖鋭度
を決めるようにした。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施形態
を添付図面に基づいて説明する。
を添付図面に基づいて説明する。
【００１３】図１は、本発明に係るカンチレバーの製造
方法の工程を示している。この工程図では、シリコンウ
ェハの一部から１つの探針付きカンチレバーを製造する
工程を示し、特に、カンチレバーの先部に位置する探針
（チップ）の部分のみを示して細長い探針部の製造工程
を示している。このカンチレバーの製造方法は、工程
（Ａ）〜（Ｆ）の５段階の工程から構成されている。当
該カンチレバーの製造方法では、ホトリソグラフィやエ
ッチング等の半導体集積回路を製造する技術が利用され
る。
方法の工程を示している。この工程図では、シリコンウ
ェハの一部から１つの探針付きカンチレバーを製造する
工程を示し、特に、カンチレバーの先部に位置する探針
（チップ）の部分のみを示して細長い探針部の製造工程
を示している。このカンチレバーの製造方法は、工程
（Ａ）〜（Ｆ）の５段階の工程から構成されている。当
該カンチレバーの製造方法では、ホトリソグラフィやエ
ッチング等の半導体集積回路を製造する技術が利用され
る。
【００１４】図１に示されるごとく、シリコン単結晶か
らなるシリコンウェハ１１の上には２種類の膜が形成さ
れている。下側の膜は絶縁膜（ＳｉＯ2 ）１２であり、
上側の膜は例えばクロム金膜（Ａｕ／Ｃｒ膜）１３であ
る。クロム金膜１３は蒸着によって成膜される。クロム
金膜１３の代りに同様な他の金属膜を用いることもでき
る。なお図１では、前述のとおり、絶縁膜１２とクロム
金膜１３が堆積されたシリコンウェハ１１において製造
される１つの探針に対応する部分のみが示されている。
最終的に製造された細長い探針１７は工程（Ｆ）に示さ
れる。
らなるシリコンウェハ１１の上には２種類の膜が形成さ
れている。下側の膜は絶縁膜（ＳｉＯ2 ）１２であり、
上側の膜は例えばクロム金膜（Ａｕ／Ｃｒ膜）１３であ
る。クロム金膜１３は蒸着によって成膜される。クロム
金膜１３の代りに同様な他の金属膜を用いることもでき
る。なお図１では、前述のとおり、絶縁膜１２とクロム
金膜１３が堆積されたシリコンウェハ１１において製造
される１つの探針に対応する部分のみが示されている。
最終的に製造された細長い探針１７は工程（Ｆ）に示さ
れる。
【００１５】最初の工程（Ａ）では、後述する工程
（Ｃ）に示されるチップパターン（エッチング処理で探
針１７を製造するために用いられるパターン）１８より
も少し大きめに絶縁膜１２とクロム金膜１３をエッチン
グする。そのため、工程（Ａ）に示されたクロム金膜１
３の上に、チップパターン１８よりも大きい最初のマス
クパターン１４を形成する。マスクパターン１４は、レ
ジストを塗布し、パターンを形成し、不要部分を除去す
ることにより作られる。そして工程（Ｂ）では、マスク
パターン１４を利用して、最初にクロム金膜１３のエッ
チングを行い、次にエッチング液を異ならせて絶縁膜１
２のエッチングを行う。エッチングで作られたクロム金
膜１３ａと絶縁膜１２ａの平面形状は好ましくは円形で
ある。
（Ｃ）に示されるチップパターン（エッチング処理で探
針１７を製造するために用いられるパターン）１８より
も少し大きめに絶縁膜１２とクロム金膜１３をエッチン
グする。そのため、工程（Ａ）に示されたクロム金膜１
３の上に、チップパターン１８よりも大きい最初のマス
クパターン１４を形成する。マスクパターン１４は、レ
ジストを塗布し、パターンを形成し、不要部分を除去す
ることにより作られる。そして工程（Ｂ）では、マスク
パターン１４を利用して、最初にクロム金膜１３のエッ
チングを行い、次にエッチング液を異ならせて絶縁膜１
２のエッチングを行う。エッチングで作られたクロム金
膜１３ａと絶縁膜１２ａの平面形状は好ましくは円形で
ある。
【００１６】次に工程（Ｃ）では、チップパターン１８
が形成され、クロム金膜１３ａがエッチングされる。チ
ップパターン１８は、再度、レジストを塗布し、パター
ンを形成し、不要部分を除去して作られる。チップパタ
ーン１８は、探針先部の尖鋭度を決めるものであり、平
面形状は好ましくは円形であって、前述のマスクパター
ン１４よりも小さめの径にて形成される。その結果、エ
ッチングで形成されたクロム金膜１３ｂと下側の絶縁膜
１２ａとの間に段差１５が形成される。この段差１５の
径方向の大きさの程度を調整することによって、後述の
ごとく作られる探針１７の尖鋭度を決めることができ
る。
が形成され、クロム金膜１３ａがエッチングされる。チ
ップパターン１８は、再度、レジストを塗布し、パター
ンを形成し、不要部分を除去して作られる。チップパタ
ーン１８は、探針先部の尖鋭度を決めるものであり、平
面形状は好ましくは円形であって、前述のマスクパター
ン１４よりも小さめの径にて形成される。その結果、エ
ッチングで形成されたクロム金膜１３ｂと下側の絶縁膜
１２ａとの間に段差１５が形成される。この段差１５の
径方向の大きさの程度を調整することによって、後述の
ごとく作られる探針１７の尖鋭度を決めることができ
る。
【００１７】工程（Ｄ）では、絶縁膜１２ａをマスクと
して用いて、シリコンウェハ１１の表面をドライエッチ
ングまたは異方性エッチングによって厚み方向に必要な
深さだけエッチングする。シリコンウェハ１１における
エッチングの深さｄは、作製しようとする探針１７の長
さに応じて決められる。シリコンウェハ１１において残
留した円柱状の凸部１１ａを利用して探針１７が作製さ
れる。なお工程（Ｄ）では、前述のチップパターン１８
は除去されている。
して用いて、シリコンウェハ１１の表面をドライエッチ
ングまたは異方性エッチングによって厚み方向に必要な
深さだけエッチングする。シリコンウェハ１１における
エッチングの深さｄは、作製しようとする探針１７の長
さに応じて決められる。シリコンウェハ１１において残
留した円柱状の凸部１１ａを利用して探針１７が作製さ
れる。なお工程（Ｄ）では、前述のチップパターン１８
は除去されている。
【００１８】次に、工程（Ｅ）で探針１７を作製するた
めのエッチングが実行される。このエッチングは、シリ
コンウェハ１１に対して行われる等方性エッチングであ
る。当該等方性エッチングを行う前に、まずクロム金膜
１３ｂをマスクとして絶縁膜１２ａをエッチングし、ク
ロム金膜１３ｂと同形の絶縁膜１２ｂを形成する。次
に、矢印１６に示すように等方性エッチングを実行し、
シリコンウェハ１１の表面と凸部１１ａを削りながら細
長い探針１７を形成する。その結果、工程（Ｆ）に示す
ように細長い先が尖った探針１７が形成される。探針１
７の長さおよび尖鋭度は、探針１７が工程（Ｅ）に示す
等方性エッチングで作られることから、工程（Ｄ）で作
られる凸部１１ａの径や高さを調整することによって決
定することができる。最終的に、残存したクロム金膜１
３ｂと絶縁膜１２ｂの部分を除去することにより、細長
い探針１７を備えたカンチレバーが製造される。なお図
１の工程ではカンチレバーのレバー部分の図示は省略さ
れている。シリコンウェハ１１における残った部分がカ
ンチレバーのレバー部として機能する。
めのエッチングが実行される。このエッチングは、シリ
コンウェハ１１に対して行われる等方性エッチングであ
る。当該等方性エッチングを行う前に、まずクロム金膜
１３ｂをマスクとして絶縁膜１２ａをエッチングし、ク
ロム金膜１３ｂと同形の絶縁膜１２ｂを形成する。次
に、矢印１６に示すように等方性エッチングを実行し、
シリコンウェハ１１の表面と凸部１１ａを削りながら細
長い探針１７を形成する。その結果、工程（Ｆ）に示す
ように細長い先が尖った探針１７が形成される。探針１
７の長さおよび尖鋭度は、探針１７が工程（Ｅ）に示す
等方性エッチングで作られることから、工程（Ｄ）で作
られる凸部１１ａの径や高さを調整することによって決
定することができる。最終的に、残存したクロム金膜１
３ｂと絶縁膜１２ｂの部分を除去することにより、細長
い探針１７を備えたカンチレバーが製造される。なお図
１の工程ではカンチレバーのレバー部分の図示は省略さ
れている。シリコンウェハ１１における残った部分がカ
ンチレバーのレバー部として機能する。
【００１９】シリコンウェハ１１上に形成された凸部１
１ａを等方性エッチングの処理で削って細長い探針１７
を作るようにしたが、上記凸部１１ａの径はマスクパタ
ーン１４を調整すること制御することができ、また凸部
１１ａの高さはエッチングの量を調整することで制御す
ることができる。
１ａを等方性エッチングの処理で削って細長い探針１７
を作るようにしたが、上記凸部１１ａの径はマスクパタ
ーン１４を調整すること制御することができ、また凸部
１１ａの高さはエッチングの量を調整することで制御す
ることができる。
【００２０】以上の説明では、シリコンウェハの一部か
ら１つの探針付きカンチレバーを作製する工程を説明し
た。探針付きカンチレバーの上記製造方法をシリコンウ
ェハ全体の観点で説明すると、絶縁膜１２とクロム金膜
１３が積層状態で堆積されたシリコンウェハ１１を用意
し、このシリコンウェハ１１に対して、最初に目の大き
な第１網目（網目の形は好ましくは円形）のエッチング
マスク（マスクパターン１４）を用いてエッチングを行
い（工程（Ｂ））、それによって絶縁膜１２ａとクロム
金膜１３ａを作り、次に目の小さい第２網目（網目の形
は好ましくは円形）のエッチングマスク（チップパター
ン１８）を用いてエッチングを行い（工程（Ｃ））、そ
れによってクロム金膜１３ｂを作り、次に第１網目に対
応した絶縁膜１２ａを利用してエッチングを行い（工程
（Ｄ））、それによってシリコンウェハ１１上に凸部１
１ａを作り、最後に第２網目に対応するクロム金膜１３
ｂと絶縁膜１２ｂを利用して等方性エッチングを行い、
凸部１１ａとシリコンウェハ１１を削って探針１７を作
製するものである。
ら１つの探針付きカンチレバーを作製する工程を説明し
た。探針付きカンチレバーの上記製造方法をシリコンウ
ェハ全体の観点で説明すると、絶縁膜１２とクロム金膜
１３が積層状態で堆積されたシリコンウェハ１１を用意
し、このシリコンウェハ１１に対して、最初に目の大き
な第１網目（網目の形は好ましくは円形）のエッチング
マスク（マスクパターン１４）を用いてエッチングを行
い（工程（Ｂ））、それによって絶縁膜１２ａとクロム
金膜１３ａを作り、次に目の小さい第２網目（網目の形
は好ましくは円形）のエッチングマスク（チップパター
ン１８）を用いてエッチングを行い（工程（Ｃ））、そ
れによってクロム金膜１３ｂを作り、次に第１網目に対
応した絶縁膜１２ａを利用してエッチングを行い（工程
（Ｄ））、それによってシリコンウェハ１１上に凸部１
１ａを作り、最後に第２網目に対応するクロム金膜１３
ｂと絶縁膜１２ｂを利用して等方性エッチングを行い、
凸部１１ａとシリコンウェハ１１を削って探針１７を作
製するものである。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなよう本発明によれ
ば、シリコンウェハに対してチップパターンを利用し等
方性エッチングを施して探針付きカンチレバーの当該探
針部分を作るにあたって、マスクパターンを用いた第１
エッチングとチップパターンを用いた第２エッチングに
基づき、シリコンウェハにおいて探針となるべきシリコ
ン部分を予め望ましい形状に整形し、その後、上記等方
性エッチングを行うようにしたため、カンチレバーのレ
バー部分の大きさに影響を与えることなく、所望の長さ
を有する細長い探針部を有したカンチレバーを製造でき
る。
ば、シリコンウェハに対してチップパターンを利用し等
方性エッチングを施して探針付きカンチレバーの当該探
針部分を作るにあたって、マスクパターンを用いた第１
エッチングとチップパターンを用いた第２エッチングに
基づき、シリコンウェハにおいて探針となるべきシリコ
ン部分を予め望ましい形状に整形し、その後、上記等方
性エッチングを行うようにしたため、カンチレバーのレ
バー部分の大きさに影響を与えることなく、所望の長さ
を有する細長い探針部を有したカンチレバーを製造でき
る。
【図１】本発明に係るカンチレバーの製造方法の工程を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
１１ シリコンウェハ １２ 絶縁膜 １３ クロム金膜 １４ マスクパターン １５ 段差 １７ 探針 １８ チップパターン
Claims (4)
- 【請求項１】 シリコンウェハに対してエッチング処理
を施して探針付きカンチレバーを製造する方法におい
て、 絶縁膜と金属膜が積層された前記シリコンウェハを用意
し、このシリコンウェハに対して、最初に大きな第１網
目のエッチングマスクを用いて第１エッチングを行い、
次に目の小さい第２網目のエッチングマスクを用いて第
２エッチングを行い、次に第１網目に対応した前記絶縁
膜を用いて第３エッチングを行い、最後に第２網目に対
応する前記金属膜と前記絶縁膜を用いて等方性エッチン
グを行い、前記探針を作ることを特徴とするカンチレバ
ーの製造方法。 - 【請求項２】 前記第３エッチングによって前記シリコ
ンウェハ上に凸部を形成し、この凸部と前記シリコンウ
ェハを前記等方性エッチングで削って細長い前記探針を
作ることを特徴とする請求項１記載のカンチレバーの製
造方法。 - 【請求項３】 前記凸部の径は第１網目の前記エッチン
グマスクで制御され、前記凸部の高さは前記第３エッチ
ングによるエッチング量で制御されることを特徴とする
請求項２記載のカンチレバーの製造方法。 - 【請求項４】 前記第１エッチングと前記第２エッチン
グに基づいて前記絶縁膜と前記金属膜の間に段差を作
り、この段差の程度に応じて前記探針の尖鋭度を決める
ことを特徴とする請求項１記載のカンチレバーの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12651397A JPH10300762A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | カンチレバーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12651397A JPH10300762A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | カンチレバーの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10300762A true JPH10300762A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14937075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12651397A Pending JPH10300762A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | カンチレバーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10300762A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001005701A1 (en) * | 1999-07-16 | 2001-01-25 | Japan Science And Technology Corporation | Nanometer-order mechanical vibrator, production method thereof and measuring device using it |
| KR100608633B1 (ko) | 2004-05-13 | 2006-08-08 | 엘지전자 주식회사 | 주사형 현미경(ｓｐｍ)용 캔틸레버 및 그 제조방법 |
| KR100723410B1 (ko) | 2005-08-17 | 2007-05-30 | 삼성전자주식회사 | 자기정렬된 메탈쉴드를 구비한 저항성 탐침의 제조방법 |
| KR101580269B1 (ko) * | 2015-05-19 | 2015-12-24 | 한국과학기술원 | 3차원 탐침 및 그 제조 방법 |
| KR20160063063A (ko) * | 2014-11-26 | 2016-06-03 | 한국산업기술대학교산학협력단 | 프로브 팁 및 상기 프로브 팁 제조 방법 |
-
1997
- 1997-04-30 JP JP12651397A patent/JPH10300762A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001005701A1 (en) * | 1999-07-16 | 2001-01-25 | Japan Science And Technology Corporation | Nanometer-order mechanical vibrator, production method thereof and measuring device using it |
| US6611178B1 (en) | 1999-07-16 | 2003-08-26 | Japan Science And Technology Corporation | Nanometer-order mechanical vibrator, production method thereof and measuring device using it |
| KR100608633B1 (ko) | 2004-05-13 | 2006-08-08 | 엘지전자 주식회사 | 주사형 현미경(ｓｐｍ)용 캔틸레버 및 그 제조방법 |
| KR100723410B1 (ko) | 2005-08-17 | 2007-05-30 | 삼성전자주식회사 | 자기정렬된 메탈쉴드를 구비한 저항성 탐침의 제조방법 |
| KR20160063063A (ko) * | 2014-11-26 | 2016-06-03 | 한국산업기술대학교산학협력단 | 프로브 팁 및 상기 프로브 팁 제조 방법 |
| KR101580269B1 (ko) * | 2015-05-19 | 2015-12-24 | 한국과학기술원 | 3차원 탐침 및 그 제조 방법 |
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