JPH04255357A - インク飛翔記録装置 - Google Patents
インク飛翔記録装置Info
- Publication number
- JPH04255357A JPH04255357A JP3800091A JP3800091A JPH04255357A JP H04255357 A JPH04255357 A JP H04255357A JP 3800091 A JP3800091 A JP 3800091A JP 3800091 A JP3800091 A JP 3800091A JP H04255357 A JPH04255357 A JP H04255357A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ink
- protective layer
- recording
- flow path
- jet recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- -1 thickness Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003862 HfB2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRTTZMZPZHBOPO-UHFFFAOYSA-N [B].[B].[Hf] Chemical compound [B].[B].[Hf] LRTTZMZPZHBOPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- VDZMENNHPJNJPP-UHFFFAOYSA-N boranylidyneniobium Chemical compound [Nb]#B VDZMENNHPJNJPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N boranylidynetantalum Chemical compound [Ta]#B XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUVPWTYQZMLSKY-UHFFFAOYSA-N boron;vanadium Chemical compound [V]#B AUVPWTYQZMLSKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001141 propulsive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14088—Structure of heating means
- B41J2/14112—Resistive element
- B41J2/14129—Layer structure
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、エネルギー作用部から
の発熱を利用してインクを飛翔させることにより記録を
行うインク飛翔記録装置に関する。
の発熱を利用してインクを飛翔させることにより記録を
行うインク飛翔記録装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ノンインパクト記録法は、記録時におけ
る騒音の発生が無視し得る程度に極めて小さいという点
において、最近関心を高めている。その中で、高速記録
が可能であり、しかも、所謂普通紙に特別の定着処理を
必要とせずに記録の行える所謂インクジェット記録法は
極めて有力な記録法であって、これまでにも様々な方式
が提案され、改良が加えられて商品化されたものもあれ
ば、現在もなお実用化への努力が続けられているものも
ある。
る騒音の発生が無視し得る程度に極めて小さいという点
において、最近関心を高めている。その中で、高速記録
が可能であり、しかも、所謂普通紙に特別の定着処理を
必要とせずに記録の行える所謂インクジェット記録法は
極めて有力な記録法であって、これまでにも様々な方式
が提案され、改良が加えられて商品化されたものもあれ
ば、現在もなお実用化への努力が続けられているものも
ある。
【0003】このようなインクジェット記録法は、所謂
インクと称される記録液体の小滴を飛翔させ、被記録体
に付着させて記録を行うものであって、この記録液体の
小滴の発生法及び発生された小滴の飛翔方向を制御する
ための制御方法によって幾つかの方式に大別される。
インクと称される記録液体の小滴を飛翔させ、被記録体
に付着させて記録を行うものであって、この記録液体の
小滴の発生法及び発生された小滴の飛翔方向を制御する
ための制御方法によって幾つかの方式に大別される。
【0004】第1の方式は、例えば米国特許第3060
429号明細書に開示されているものである。これは、
Tele type方式と称され、記録液体の小滴の発
生を静電吸引的に行い、発生した小滴を記録信号に応じ
て電界制御し、被記録体上にこの小滴を選択的に付着さ
せて記録を行うものである。
429号明細書に開示されているものである。これは、
Tele type方式と称され、記録液体の小滴の発
生を静電吸引的に行い、発生した小滴を記録信号に応じ
て電界制御し、被記録体上にこの小滴を選択的に付着さ
せて記録を行うものである。
【0005】これについて更に詳述すれば、ノズルと加
速電極間に電界をかけて、一様に帯電した記録液体の小
滴をノズルより吐出させ、吐出した小滴を記録信号に応
じて電気制御可能なように構成されたxy偏向電極間を
飛翔させ、電界の強度変化によって選択的に小滴を被記
録体上に付着させて記録を行うものである。
速電極間に電界をかけて、一様に帯電した記録液体の小
滴をノズルより吐出させ、吐出した小滴を記録信号に応
じて電気制御可能なように構成されたxy偏向電極間を
飛翔させ、電界の強度変化によって選択的に小滴を被記
録体上に付着させて記録を行うものである。
【0006】第2の方式は、例えば米国特許第3596
275号明細書、米国特許第3298030号明細書等
に開示されているものである。これは、Sweet方式
と称され、連続振動発生法により帯電量の制御された記
録液体の小滴を発生させ、この帯電量の制御された小滴
を、一様の電界がかけられている偏向電極間を飛翔させ
て、被記録体上に記録を行うものである。
275号明細書、米国特許第3298030号明細書等
に開示されているものである。これは、Sweet方式
と称され、連続振動発生法により帯電量の制御された記
録液体の小滴を発生させ、この帯電量の制御された小滴
を、一様の電界がかけられている偏向電極間を飛翔させ
て、被記録体上に記録を行うものである。
【0007】具体的には、ピエゾ振動素子の付設されて
いる記録ヘッドを構成する一部であるノズルのオリフィ
ス(吐出口)の前に記録信号が印加されるようにした帯
電電極を所定距離離間させて配置し、前記ピエゾ振動素
子に一定周波数の電気信号を印加することでピエゾ振動
素子を機械的に振動させ、オリフィスより記録液体の小
滴を吐出させる。この時、吐出する小滴には帯電電極に
より電荷が静電誘導され、小滴は記録信号に応じた電荷
量で帯電される。帯電量の制御された小滴は、一定電界
が一様にかけられている偏向電極間を飛翔する時に、付
加された帯電量に応じて偏向を受け、記録信号を担う小
滴のみが被記録体上に付着することになる。
いる記録ヘッドを構成する一部であるノズルのオリフィ
ス(吐出口)の前に記録信号が印加されるようにした帯
電電極を所定距離離間させて配置し、前記ピエゾ振動素
子に一定周波数の電気信号を印加することでピエゾ振動
素子を機械的に振動させ、オリフィスより記録液体の小
滴を吐出させる。この時、吐出する小滴には帯電電極に
より電荷が静電誘導され、小滴は記録信号に応じた電荷
量で帯電される。帯電量の制御された小滴は、一定電界
が一様にかけられている偏向電極間を飛翔する時に、付
加された帯電量に応じて偏向を受け、記録信号を担う小
滴のみが被記録体上に付着することになる。
【0008】第3の方式は、例えば米国特許第3416
153号明細書に開示されているものである。これは、
Hertz方式と称され、ノズルとリング状の帯電電極
間に電界をかけ、連続振動発生法によって、記録液体の
小滴を発生霧化させて記録させる方式である。即ち、こ
の方式ではノズルと帯電電極間にかける電界強度を記録
信号に応じて変調することにより小滴の霧化状態を制御
し、記録画像の階調性を出して記録するものである。
153号明細書に開示されているものである。これは、
Hertz方式と称され、ノズルとリング状の帯電電極
間に電界をかけ、連続振動発生法によって、記録液体の
小滴を発生霧化させて記録させる方式である。即ち、こ
の方式ではノズルと帯電電極間にかける電界強度を記録
信号に応じて変調することにより小滴の霧化状態を制御
し、記録画像の階調性を出して記録するものである。
【0009】第4の方式は、例えば米国特許第3747
120号明細書に開示されているものである。これは、
Stemme 方式と称され、第1〜3の方式とは根本
的に原理が異なるものである。即ち、第1〜3の方式が
、何れもノズルより吐出された記録液体の小滴を、飛翔
している途中で電気的に制御し、記録信号を担った小滴
を選択的に被記録体上に付着させて記録を行わせるのに
対し、このStemme 方式では、記録信号に応じて
吐出口より記録液体の小滴を吐出飛翔させて記録するも
のである。
120号明細書に開示されているものである。これは、
Stemme 方式と称され、第1〜3の方式とは根本
的に原理が異なるものである。即ち、第1〜3の方式が
、何れもノズルより吐出された記録液体の小滴を、飛翔
している途中で電気的に制御し、記録信号を担った小滴
を選択的に被記録体上に付着させて記録を行わせるのに
対し、このStemme 方式では、記録信号に応じて
吐出口より記録液体の小滴を吐出飛翔させて記録するも
のである。
【0010】つまり、Stemme 方式は、記録液体
を吐出する吐出口を有する記録ヘッドに付設されている
ピエゾ振動素子に、電気的な記録信号を印加してピエゾ
振動素子の機械的振動に変え、この機械的振動に従い吐
出口より記録液体の小滴を吐出飛翔させて被記録体に付
着させるものである。
を吐出する吐出口を有する記録ヘッドに付設されている
ピエゾ振動素子に、電気的な記録信号を印加してピエゾ
振動素子の機械的振動に変え、この機械的振動に従い吐
出口より記録液体の小滴を吐出飛翔させて被記録体に付
着させるものである。
【0011】これらの4方式は、各々に特長を有するも
のであるが、同時に、解決すべき課題点もある。
のであるが、同時に、解決すべき課題点もある。
【0012】まず、第1〜第3の方式は、記録液体の小
滴を発生させるための直接的エネルギーが電気的エネル
ギーであり、かつ、小滴の偏向制御も電界制御による。 よって、第1の方式は、構成上はシンプルであるが、小
滴の発生に高電圧を要し、かつ、記録ヘッドのマルチノ
ズル化が困難で高速記録には不向きである。
滴を発生させるための直接的エネルギーが電気的エネル
ギーであり、かつ、小滴の偏向制御も電界制御による。 よって、第1の方式は、構成上はシンプルであるが、小
滴の発生に高電圧を要し、かつ、記録ヘッドのマルチノ
ズル化が困難で高速記録には不向きである。
【0013】第2の方式は、記録ヘッドのマルチノズル
化が可能で高速記録に向くが、構成上複雑であり、かつ
、記録液体の小滴の電気的制御が高度で困難であり、被
記録体上にサテライトドットが生じやすい。
化が可能で高速記録に向くが、構成上複雑であり、かつ
、記録液体の小滴の電気的制御が高度で困難であり、被
記録体上にサテライトドットが生じやすい。
【0014】第3の方式は、記録液体の小滴を霧化する
ことにより階調性に優れた記録が可能ではあるが、他方
、霧化状態の制御が困難である。また、記録画像にカブ
リが生ずるとか、記録ヘッドのマルチノズル化が困難で
高速記録には不向きであるといった欠点がある。
ことにより階調性に優れた記録が可能ではあるが、他方
、霧化状態の制御が困難である。また、記録画像にカブ
リが生ずるとか、記録ヘッドのマルチノズル化が困難で
高速記録には不向きであるといった欠点がある。
【0015】一方、第4の方式は、第1〜第3の方式に
比べて比較的多くの利点を持つ。まず、構成がシンプル
である。また、オンデマンド(on−demand)で
記録液体をノズルの吐出口より吐出させて記録を行うた
めに、第1〜第3の方式のように吐出飛翔する小滴の内
、画像記録に要しなかった小滴を回収する必要がない。 また、第1,2の方式のように、導電性の記録液体を使
用する必要がなく、記録液体の物質上の自由度が大きい
といった利点を持つ。しかし、反面、記録ヘッドの加工
上に問題があり、所望の共振周波数を有するピエゾ振動
素子の小型化が極めて困難である等の理由から、記録ヘ
ッドのマルチノズル化が難しい。また、ピエゾ振動素子
の機械的振動という機械的エネルギーによって記録液体
の小滴の吐出飛翔を行わせるので高速記録には不向きな
ものとなっている。
比べて比較的多くの利点を持つ。まず、構成がシンプル
である。また、オンデマンド(on−demand)で
記録液体をノズルの吐出口より吐出させて記録を行うた
めに、第1〜第3の方式のように吐出飛翔する小滴の内
、画像記録に要しなかった小滴を回収する必要がない。 また、第1,2の方式のように、導電性の記録液体を使
用する必要がなく、記録液体の物質上の自由度が大きい
といった利点を持つ。しかし、反面、記録ヘッドの加工
上に問題があり、所望の共振周波数を有するピエゾ振動
素子の小型化が極めて困難である等の理由から、記録ヘ
ッドのマルチノズル化が難しい。また、ピエゾ振動素子
の機械的振動という機械的エネルギーによって記録液体
の小滴の吐出飛翔を行わせるので高速記録には不向きな
ものとなっている。
【0016】このように、従来法には、構成上、高速記
録化上、記録ヘッドのマルチノズル化上、サテライトド
ットの発生及び記録画像のカブリ発生等の点において、
一長一短があり、その長所が発揮される用途にしか適用
し得ないという制約を受けるものである。
録化上、記録ヘッドのマルチノズル化上、サテライトド
ットの発生及び記録画像のカブリ発生等の点において、
一長一短があり、その長所が発揮される用途にしか適用
し得ないという制約を受けるものである。
【0017】しかし、このような不都合も本出願人によ
り提案された特公昭56−9429号公報に開示のイン
クジェット記録方式によればほぼ解消し得る。これは、
液室内のインクを加熱して気泡を発生させることにより
インクに圧力上昇を生じさせ、微細な毛細管ノズルから
インクを飛び出させて記録するものである。その後、こ
の原理を利用して多くの発明がなされた。
り提案された特公昭56−9429号公報に開示のイン
クジェット記録方式によればほぼ解消し得る。これは、
液室内のインクを加熱して気泡を発生させることにより
インクに圧力上昇を生じさせ、微細な毛細管ノズルから
インクを飛び出させて記録するものである。その後、こ
の原理を利用して多くの発明がなされた。
【0018】ところで、特公昭56−9429号公報に
開示された原理と同じ原理を利用したインクジェット記
録方法としては、特公昭59−31942号公報に開示
されたものが知られている。
開示された原理と同じ原理を利用したインクジェット記
録方法としては、特公昭59−31942号公報に開示
されたものが知られている。
【0019】これは、吐出オリフィスに連通している室
内に導入される記録液体をオリフィスから小滴として吐
出させ、この小滴の被記録体への付着をもって記録を行
う液滴噴射記録装置であって、充填率が0.9以上の薄
層を少なくとも1層含んで成る保護層によりその外表が
被覆された電気熱変換体を前記室の少なくとも一部に内
設したことを特徴とする液滴噴射記録装置であるが、よ
り具体的には、発熱体上に各種の保護層を1〜3層設け
、その耐久性向上を図ったものである。
内に導入される記録液体をオリフィスから小滴として吐
出させ、この小滴の被記録体への付着をもって記録を行
う液滴噴射記録装置であって、充填率が0.9以上の薄
層を少なくとも1層含んで成る保護層によりその外表が
被覆された電気熱変換体を前記室の少なくとも一部に内
設したことを特徴とする液滴噴射記録装置であるが、よ
り具体的には、発熱体上に各種の保護層を1〜3層設け
、その耐久性向上を図ったものである。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】しかし、本発明者によ
る実験結果によれば、特公昭59−31942号公報に
開示されたものにおいては、十分な耐久性が得られてい
ない。
る実験結果によれば、特公昭59−31942号公報に
開示されたものにおいては、十分な耐久性が得られてい
ない。
【0021】
【課題を解決するための手段】インク供給手段と、この
インク供給手段により供給されたインクを保持するイン
ク液面保持手段と、インク液面内に配設されてインク中
に瞬間的に成長する気泡を生じさせるエネルギー作用部
と、このエネルギー作用部に画像情報に応じた駆動信号
を与える信号入力手段とを有するインク飛翔記録装置に
おいて、前記エネルギー作用部の前記インクに対向する
面を覆うとともに二種類以上の異なる物質を薄膜状態で
交互に複数層積層した保護層を設けた。
インク供給手段により供給されたインクを保持するイン
ク液面保持手段と、インク液面内に配設されてインク中
に瞬間的に成長する気泡を生じさせるエネルギー作用部
と、このエネルギー作用部に画像情報に応じた駆動信号
を与える信号入力手段とを有するインク飛翔記録装置に
おいて、前記エネルギー作用部の前記インクに対向する
面を覆うとともに二種類以上の異なる物質を薄膜状態で
交互に複数層積層した保護層を設けた。
【0022】また、導入されるインクを収容するととも
にこのインクに熱によって気泡を発生させ、この気泡の
体積増加に伴う作用力を発生させるエネルギー作用部を
付設した流路と、この流路に連通するとともに前記イン
クを前記作用力によって液滴として吐出飛翔させるため
のオリフィスと、前記流路に連通してこの流路に前記イ
ンクを導入する手段とを有するインク飛翔記録装置にお
いて、前記エネルギー作用部の前記インクに対向する面
を覆うとともに二種類以上の異なる物質を薄膜状態で交
互に複数層積層した保護層を設けた。
にこのインクに熱によって気泡を発生させ、この気泡の
体積増加に伴う作用力を発生させるエネルギー作用部を
付設した流路と、この流路に連通するとともに前記イン
クを前記作用力によって液滴として吐出飛翔させるため
のオリフィスと、前記流路に連通してこの流路に前記イ
ンクを導入する手段とを有するインク飛翔記録装置にお
いて、前記エネルギー作用部の前記インクに対向する面
を覆うとともに二種類以上の異なる物質を薄膜状態で交
互に複数層積層した保護層を設けた。
【0023】
【作用】エネルギー作用部の上面が保護層により覆われ
ているため、インクとの接触が防止される。さらに、保
護層を二種類以上の異なる物質を薄膜状態で交互に複数
層積層した多層構造とすることにより、各層の応力が緩
和されるとともにピンホールが発生しにくくなるために
エネルギー作用部の耐久性が向上する。
ているため、インクとの接触が防止される。さらに、保
護層を二種類以上の異なる物質を薄膜状態で交互に複数
層積層した多層構造とすることにより、各層の応力が緩
和されるとともにピンホールが発生しにくくなるために
エネルギー作用部の耐久性が向上する。
【0024】
【実施例】請求項1記載の発明の一実施例を図1乃至図
7に基づいて説明する。まず、本実施例のインク飛翔記
録装置の構成要素を図3乃至図6により説明する。この
インク飛翔記録装置は、インク供給管(インク供給手段
)1に接続された中空のインク供給室2を有して台形状
に形成されたマニホールド3をベース材として構成され
ている。前記マニホールド3の頂部には前記インク供給
室2に連通するスリット4が形成された基板5が固定さ
れている。この基板5上には前記スリット4の両側に位
置させて互い違いに櫛歯状の障壁6が形成され、これら
の障壁6間には流路7(インク液面保持手段)が形成さ
れている。これらの流路7は前記障壁6とは逆に互い違
いに櫛歯状となって前記スリット4に連通されている。 また、前記基板5上には各流路7ごとに最奥部側に位置
させて各々ヒータ部(エネルギー作用部)8が形成され
ている。よって、ヒータ部8の平面的な配列を見ると、
図4のように前記スリット4の両側で千鳥状配列となる
。また、各流路7の途中に位置させて基板5上には障壁
6と同等の高さの流体抵抗部9が形成されている。 さらに、前記基板5の周囲を覆うとともに枠状の保持部
材10により押え固定される薄膜状導電性リード(信号
入力手段)11が前記マニホールド3上に設けられてい
る。
7に基づいて説明する。まず、本実施例のインク飛翔記
録装置の構成要素を図3乃至図6により説明する。この
インク飛翔記録装置は、インク供給管(インク供給手段
)1に接続された中空のインク供給室2を有して台形状
に形成されたマニホールド3をベース材として構成され
ている。前記マニホールド3の頂部には前記インク供給
室2に連通するスリット4が形成された基板5が固定さ
れている。この基板5上には前記スリット4の両側に位
置させて互い違いに櫛歯状の障壁6が形成され、これら
の障壁6間には流路7(インク液面保持手段)が形成さ
れている。これらの流路7は前記障壁6とは逆に互い違
いに櫛歯状となって前記スリット4に連通されている。 また、前記基板5上には各流路7ごとに最奥部側に位置
させて各々ヒータ部(エネルギー作用部)8が形成され
ている。よって、ヒータ部8の平面的な配列を見ると、
図4のように前記スリット4の両側で千鳥状配列となる
。また、各流路7の途中に位置させて基板5上には障壁
6と同等の高さの流体抵抗部9が形成されている。 さらに、前記基板5の周囲を覆うとともに枠状の保持部
材10により押え固定される薄膜状導電性リード(信号
入力手段)11が前記マニホールド3上に設けられてい
る。
【0025】前記ヒータ部8付近の構造を拡大して図6
に示す。前記基板5上には蓄熱層12と発熱抵抗体層1
3とが積層状態で形成され、さらに、発熱抵抗体層13
の上には制御電極14とアース電極15とが対向状態で
形成され、これらの電極14,15の間の部分が前記ヒ
ータ部8とされている。また、前記発熱抵抗体層13及
び前記電極14,15における後述するインクに対向す
る面を覆う保護層16が設けられている。なお、前記各
発熱抵抗体層13は、前記制御電極14やアース電極1
5を介してワイヤボンディング(図示せず)により前記
薄膜状導電性リード11に電気的に接続され、この薄膜
状導電性リード12は画像情報信号入力手段(図示せず
)に接続されている。
に示す。前記基板5上には蓄熱層12と発熱抵抗体層1
3とが積層状態で形成され、さらに、発熱抵抗体層13
の上には制御電極14とアース電極15とが対向状態で
形成され、これらの電極14,15の間の部分が前記ヒ
ータ部8とされている。また、前記発熱抵抗体層13及
び前記電極14,15における後述するインクに対向す
る面を覆う保護層16が設けられている。なお、前記各
発熱抵抗体層13は、前記制御電極14やアース電極1
5を介してワイヤボンディング(図示せず)により前記
薄膜状導電性リード11に電気的に接続され、この薄膜
状導電性リード12は画像情報信号入力手段(図示せず
)に接続されている。
【0026】つぎに、前記保護層16の構造を拡大して
図1に示す。この保護層16は、薄膜状のSiO2の保
護膜17と薄膜状のSi3N5の保護膜18とを交互に
5層ずつ積層し、さらに、最上部には耐キャビテーショ
ンのためにTaの保護膜19を積層したものである。な
お、各保護膜17,18はそれぞれ1000Åの厚さに
設定されるとともにCVD法により形成され、前記保護
膜19は3000Åの厚さに設定されている。
図1に示す。この保護層16は、薄膜状のSiO2の保
護膜17と薄膜状のSi3N5の保護膜18とを交互に
5層ずつ積層し、さらに、最上部には耐キャビテーショ
ンのためにTaの保護膜19を積層したものである。な
お、各保護膜17,18はそれぞれ1000Åの厚さに
設定されるとともにCVD法により形成され、前記保護
膜19は3000Åの厚さに設定されている。
【0027】ここで、インクの飛翔原理の概要について
説明する。まず、インク供給管1からインク供給室2に
供給されたインク20(図7参照)は、毛管現象により
微細なスリット4を通って障壁6により囲まれた櫛歯状
の流路7全域に満たされることになる。なお、スリット
4や流路7の寸法によっては、毛管現象だけではインク
20を十分に流路7全域に供給・保持させることができ
ないが、このような場合には、インク供給管1の元にあ
るインクタンク(図示せず)とインク飛翔記録装置のヘ
ッド部との高さを調整することにより、水頭差を利用す
ればよい。このように流路7全域にインク20が満たさ
れ、各ヒータ部8もインク20に覆われた状態となるよ
うにインク液面の高さを調整した定常状態において、画
像情報に応じて各発熱抵抗体層13に対して個別に通電
を行うと、ヒータ部8が発熱するとともにこのヒータ部
8の上方においてインク20中に気泡21(図7参照)
が発生する。そして、この気泡21の推進力によりイン
ク20がヒータ部8の面に対して略垂直な方向へ飛翔す
ることになる。
説明する。まず、インク供給管1からインク供給室2に
供給されたインク20(図7参照)は、毛管現象により
微細なスリット4を通って障壁6により囲まれた櫛歯状
の流路7全域に満たされることになる。なお、スリット
4や流路7の寸法によっては、毛管現象だけではインク
20を十分に流路7全域に供給・保持させることができ
ないが、このような場合には、インク供給管1の元にあ
るインクタンク(図示せず)とインク飛翔記録装置のヘ
ッド部との高さを調整することにより、水頭差を利用す
ればよい。このように流路7全域にインク20が満たさ
れ、各ヒータ部8もインク20に覆われた状態となるよ
うにインク液面の高さを調整した定常状態において、画
像情報に応じて各発熱抵抗体層13に対して個別に通電
を行うと、ヒータ部8が発熱するとともにこのヒータ部
8の上方においてインク20中に気泡21(図7参照)
が発生する。そして、この気泡21の推進力によりイン
ク20がヒータ部8の面に対して略垂直な方向へ飛翔す
ることになる。
【0028】つぎに、インクの飛翔原理の詳細について
図7に基づいて説明する。なお、図7では、ヒータ部8
及びその周辺部を拡大して示すが、簡単のため、電極等
は省略してある。図7(a)は定常状態を示し、流路7
全域にインク20が満たされ、ヒータ部8上もインク2
0により覆われている。ヒータ部8を加熱させると、ヒ
ータ部8の表面温度が急上昇し、隣接インク層に沸騰現
象が起きるまで熱せられ、同図(b)に示すように微小
な気泡21が点在した状態となり、さらに、ヒータ部8
の全面で急激に加熱された隣接インク層が瞬時に気化し
て同図(c)に示すように沸騰膜を作る。このように気
泡が成長した状態において、表面温度は300〜350
℃になり、いわゆる膜沸騰状態にある。また、ヒータ部
8の上部にあるインク20層は、気泡成長の推進力によ
り、図示の如く、インク液面が盛り上がった状態となる
。同図(d)は気泡21が最大に成長した状態を示し、
インク液面からインク柱22が成長した状態となる。こ
のような最大気泡となるまでに要する時間は、ヘッド(
基板5)構造、印加パルス条件等にもよるが、通常、パ
ルス印加後5〜30μsec程度要する。最大気泡とな
った時点では、ヒータ部8は既に通電されていない状態
にあり、ヒータ部8の表面温度は降下しつつある。 気泡21が最大となる時のタイミングは、電気パルス印
加のタイミングから若干遅れたものとなる。同図(e)
は気泡21がインク20等により冷却され収縮を開始し
た状態を示す。インク柱22の先端部では押出された速
度を保ちつつ前進し、後端部では気泡21の収縮に伴っ
てインク液面にインク20が逆流することにより、図示
の如く、インク柱22にくびれが生ずる。気泡21がさ
らに収縮すると、同図(f)に示すように、ヒータ部8
面にインク20が接し、ヒータ部8面がさらに急激に冷
却される状態となる。そして、インク柱22はインク液
面から切断され、被記録体(図示せず)の方向へ2〜1
0m/sの速度で飛翔する。なお、この時の飛翔速度は
、ヘッド(基体5)構造、インク物性、印加パルス条件
等に依存するが、飛翔速度が比較的遅い場合(2〜3m
/s)にはインク20は滴状となって飛翔し、比較的速
い場合(7〜10m/s)にはインク20は細長い柱状
となって飛翔する。この後、同図(g)に示すように同
図(a)と同様な定常状態に戻り、流路7全域にインク
20が満たされ、気泡21も完全に消滅した状態となる
。
図7に基づいて説明する。なお、図7では、ヒータ部8
及びその周辺部を拡大して示すが、簡単のため、電極等
は省略してある。図7(a)は定常状態を示し、流路7
全域にインク20が満たされ、ヒータ部8上もインク2
0により覆われている。ヒータ部8を加熱させると、ヒ
ータ部8の表面温度が急上昇し、隣接インク層に沸騰現
象が起きるまで熱せられ、同図(b)に示すように微小
な気泡21が点在した状態となり、さらに、ヒータ部8
の全面で急激に加熱された隣接インク層が瞬時に気化し
て同図(c)に示すように沸騰膜を作る。このように気
泡が成長した状態において、表面温度は300〜350
℃になり、いわゆる膜沸騰状態にある。また、ヒータ部
8の上部にあるインク20層は、気泡成長の推進力によ
り、図示の如く、インク液面が盛り上がった状態となる
。同図(d)は気泡21が最大に成長した状態を示し、
インク液面からインク柱22が成長した状態となる。こ
のような最大気泡となるまでに要する時間は、ヘッド(
基板5)構造、印加パルス条件等にもよるが、通常、パ
ルス印加後5〜30μsec程度要する。最大気泡とな
った時点では、ヒータ部8は既に通電されていない状態
にあり、ヒータ部8の表面温度は降下しつつある。 気泡21が最大となる時のタイミングは、電気パルス印
加のタイミングから若干遅れたものとなる。同図(e)
は気泡21がインク20等により冷却され収縮を開始し
た状態を示す。インク柱22の先端部では押出された速
度を保ちつつ前進し、後端部では気泡21の収縮に伴っ
てインク液面にインク20が逆流することにより、図示
の如く、インク柱22にくびれが生ずる。気泡21がさ
らに収縮すると、同図(f)に示すように、ヒータ部8
面にインク20が接し、ヒータ部8面がさらに急激に冷
却される状態となる。そして、インク柱22はインク液
面から切断され、被記録体(図示せず)の方向へ2〜1
0m/sの速度で飛翔する。なお、この時の飛翔速度は
、ヘッド(基体5)構造、インク物性、印加パルス条件
等に依存するが、飛翔速度が比較的遅い場合(2〜3m
/s)にはインク20は滴状となって飛翔し、比較的速
い場合(7〜10m/s)にはインク20は細長い柱状
となって飛翔する。この後、同図(g)に示すように同
図(a)と同様な定常状態に戻り、流路7全域にインク
20が満たされ、気泡21も完全に消滅した状態となる
。
【0029】つぎに、図1に示した構造の保護層16を
設けたヒータ部8と、図2に示した従来構造の保護層1
6aを設けたヒータ部8aとの耐久性の比較結果につい
て説明する。保護層16は、上述のように厚さ寸法がそ
れぞれ1000Åである薄膜状のSiO2の保護膜17
とSi3N5の保護膜18とを交互に5層ずつ積層し、
最上部にTaの保護膜19を積層したものである。一方
、保護層16aは、厚さ寸法がそれぞれ5000ÅのS
iO2の保護膜17aとSi3N5の保護膜18aとを
各1層積層するとともに最上部にTaの保護膜19を積
層したものである。なお、蓄熱層12や発熱抵抗体層1
3及び電極14,15は共通であり、発熱抵抗体層13
は、サイズが28μm×168、厚さが0.2μm、材
料がHfB2のものを用いた。また、保護膜17,18
,17a,18aはともにCVD法により形成した。さ
らに、耐久性比較試験時における駆動条件としては、駆
動電圧20V、駆動パルス幅6μsec、駆動周波数4
kHzを与えた。以上の条件での比較結果によれば、電
気パルスの繰返し印加に対して、ヒータ部8は、2.6
×109回以上の耐久性があり、ヒータ部18aは1.
2×108回であった。
設けたヒータ部8と、図2に示した従来構造の保護層1
6aを設けたヒータ部8aとの耐久性の比較結果につい
て説明する。保護層16は、上述のように厚さ寸法がそ
れぞれ1000Åである薄膜状のSiO2の保護膜17
とSi3N5の保護膜18とを交互に5層ずつ積層し、
最上部にTaの保護膜19を積層したものである。一方
、保護層16aは、厚さ寸法がそれぞれ5000ÅのS
iO2の保護膜17aとSi3N5の保護膜18aとを
各1層積層するとともに最上部にTaの保護膜19を積
層したものである。なお、蓄熱層12や発熱抵抗体層1
3及び電極14,15は共通であり、発熱抵抗体層13
は、サイズが28μm×168、厚さが0.2μm、材
料がHfB2のものを用いた。また、保護膜17,18
,17a,18aはともにCVD法により形成した。さ
らに、耐久性比較試験時における駆動条件としては、駆
動電圧20V、駆動パルス幅6μsec、駆動周波数4
kHzを与えた。以上の条件での比較結果によれば、電
気パルスの繰返し印加に対して、ヒータ部8は、2.6
×109回以上の耐久性があり、ヒータ部18aは1.
2×108回であった。
【0030】つぎに、図示しないが、積層する保護膜の
層数、厚さ、材質を変えた本発明に係る保護層を設けた
ヒータ部と、従来構造の保護層を設けたヒータ部との耐
久性を比較した第二の比較結果について説明する。ここ
で、本発明に係る保護層は、厚さ寸法がそれぞれ800
ÅのSiO2の保護膜とAl2O3の保護膜とを交互に
7層ずつ積層したものであり、比較する従来構造の保護
層は、厚さ寸法がそれぞれ5600ÅのSiO2の保護
膜とAl2O3の保護膜とを各1層積層したものである
。なお、本発明に係る保護層の保護膜及び従来構造の保
護層の保護膜もともにCVD法により形成した。また、
発熱抵抗体層のサイズや駆動条件等は上述した比較試験
の場合と同様である。この場合において、電気パルスの
繰返し印加に対して、本発明に係る保護層を設けたヒー
タ部は3.3×109回以上の耐久性があり、従来構造
の保護層を設けたヒータ部18は1.4×108回であ
った。
層数、厚さ、材質を変えた本発明に係る保護層を設けた
ヒータ部と、従来構造の保護層を設けたヒータ部との耐
久性を比較した第二の比較結果について説明する。ここ
で、本発明に係る保護層は、厚さ寸法がそれぞれ800
ÅのSiO2の保護膜とAl2O3の保護膜とを交互に
7層ずつ積層したものであり、比較する従来構造の保護
層は、厚さ寸法がそれぞれ5600ÅのSiO2の保護
膜とAl2O3の保護膜とを各1層積層したものである
。なお、本発明に係る保護層の保護膜及び従来構造の保
護層の保護膜もともにCVD法により形成した。また、
発熱抵抗体層のサイズや駆動条件等は上述した比較試験
の場合と同様である。この場合において、電気パルスの
繰返し印加に対して、本発明に係る保護層を設けたヒー
タ部は3.3×109回以上の耐久性があり、従来構造
の保護層を設けたヒータ部18は1.4×108回であ
った。
【0031】同様に、積層する保護膜の層数、厚さ、材
質を変えた本発明に係る保護層を設けたヒータ部と、従
来構造の保護層を設けたヒータ部との耐久性を比較した
第三の比較結果について説明する。ここで、本発明に係
る保護層は、厚さ寸法がそれぞれ600ÅのSiO2の
保護膜とSi3N4の保護膜とを交互に10層ずつ積層
したものであり、比較する従来構造の保護層は、厚さ寸
法がそれぞれ6000ÅのSiO2の保護膜とSi3N
4の保護膜とを各1層積層したものである。なお、本発
明に係る保護層の保護膜及び従来構造の保護層の保護膜
もともにRFスパッタリング法により形成した。また、
発熱抵抗体層のサイズや駆動条件等は上述した比較試験
の場合と同様である。この場合において、電気パルスの
繰返し印加に対して、本発明に係る保護層を設けたヒー
タ部は3.2×109回以上の耐久性があり、従来構造
の保護層を設けたヒータ部18は1.1×108回であ
った。
質を変えた本発明に係る保護層を設けたヒータ部と、従
来構造の保護層を設けたヒータ部との耐久性を比較した
第三の比較結果について説明する。ここで、本発明に係
る保護層は、厚さ寸法がそれぞれ600ÅのSiO2の
保護膜とSi3N4の保護膜とを交互に10層ずつ積層
したものであり、比較する従来構造の保護層は、厚さ寸
法がそれぞれ6000ÅのSiO2の保護膜とSi3N
4の保護膜とを各1層積層したものである。なお、本発
明に係る保護層の保護膜及び従来構造の保護層の保護膜
もともにRFスパッタリング法により形成した。また、
発熱抵抗体層のサイズや駆動条件等は上述した比較試験
の場合と同様である。この場合において、電気パルスの
繰返し印加に対して、本発明に係る保護層を設けたヒー
タ部は3.2×109回以上の耐久性があり、従来構造
の保護層を設けたヒータ部18は1.1×108回であ
った。
【0032】以上の三つの試験結果から、保護層の全体
の厚さが等しい場合には、薄い保護膜を多層に積層した
場合のほうがヒータ部の耐久性が向上することがわかっ
た。これは、各保護膜のもつ応力が緩和され、さらに、
ピンホールができにくいためであると考えられる。
の厚さが等しい場合には、薄い保護膜を多層に積層した
場合のほうがヒータ部の耐久性が向上することがわかっ
た。これは、各保護膜のもつ応力が緩和され、さらに、
ピンホールができにくいためであると考えられる。
【0033】ついで、請求項2記載の発明の一実施例を
図8乃至図12に基づいて説明する。まず、図8は本発
明が適用されるインク飛翔記録装置の一例としてのバブ
ルジェットヘッドの動作説明図、図9はバブルジェット
ヘッドの一例を示す斜視図、図10は図9に示したヘッ
ドを構成する蓋基板(図10(a))と基板(図10(
b))とに分解した時の斜視図、図11は図10(a)
に示した蓋基板を裏側から見た斜視図である。これらの
図面中、23は蓋基板、24は基板、25はインク流入
口、26はオリフィス、27は流路、28は液室を形成
するための領域、29は制御電極、30はアース電極、
31はエネルギー作用部であるヒータ部、32はインク
、33は気泡、34は飛翔インク滴である。
図8乃至図12に基づいて説明する。まず、図8は本発
明が適用されるインク飛翔記録装置の一例としてのバブ
ルジェットヘッドの動作説明図、図9はバブルジェット
ヘッドの一例を示す斜視図、図10は図9に示したヘッ
ドを構成する蓋基板(図10(a))と基板(図10(
b))とに分解した時の斜視図、図11は図10(a)
に示した蓋基板を裏側から見た斜視図である。これらの
図面中、23は蓋基板、24は基板、25はインク流入
口、26はオリフィス、27は流路、28は液室を形成
するための領域、29は制御電極、30はアース電極、
31はエネルギー作用部であるヒータ部、32はインク
、33は気泡、34は飛翔インク滴である。
【0034】最初に、図8を参照しながらバブルジェッ
トによるインク噴射について説明すると、同図(a)は
定常状態であり、オリフィス面でインク32の表面張力
と外圧とが平衡状態にある。同図(b)はヒータ部31
が加熱されて、ヒータ部31の表面温度が急上昇し隣接
インク層に沸騰現象が起きるまで加熱され、微小気泡3
3が点在している状態である。同図(c)はヒータ部3
1の全面で急激に加熱された隣接インク層が瞬時に気化
し、沸騰膜を作り、この気泡33が成長した状態である
。この時、流路27内の圧力は、気泡33の成長した分
だけ上昇し、オリフィス面での外圧とのバランスがくず
れ、オリフィス26からインク柱が成長し始める。同図
(d)は気泡33が最大に成長した状態であり、オリフ
ィス面より気泡33の体積に相当する分のインク32が
押し出される。この時、ヒータ部31には電流が流れて
いない状態にあり、ヒータ部31の表面温度は降下しつ
つある。なお、気泡33の体積が最大値となるタイミン
グは電気パルスの印加タイミングからやや遅れたものと
なる。同図(e)は気泡33がインク32等により冷却
されて収縮を開始し始めた状態を示す。インク柱の先端
部では押し出された速度を保ちつつ前進し、後端部では
気泡33の収縮に伴って流路27内圧の減少によりオリ
フィス面から流路27内へインク32が逆流してインク
柱にくびれが生ずる。同図(f)はさらに気泡33が収
縮し、ヒータ部31上面にインク32が接してヒータ部
31上面がさらに急激に冷却される状態にある。オリフ
ィス面では、外圧が流路27内圧より高い状態になるた
めメニスカスが大きく流路27内に入り込んできている
。インク柱の先端部は液滴になり、被記録体(図示せず
)の方向へ5〜10m/sの速度で飛翔している。同図
(g)は流路27内にインク32が毛管現象により再び
供給されて同図(a)の状態に戻る過程で、気泡33は
完全に消滅している。
トによるインク噴射について説明すると、同図(a)は
定常状態であり、オリフィス面でインク32の表面張力
と外圧とが平衡状態にある。同図(b)はヒータ部31
が加熱されて、ヒータ部31の表面温度が急上昇し隣接
インク層に沸騰現象が起きるまで加熱され、微小気泡3
3が点在している状態である。同図(c)はヒータ部3
1の全面で急激に加熱された隣接インク層が瞬時に気化
し、沸騰膜を作り、この気泡33が成長した状態である
。この時、流路27内の圧力は、気泡33の成長した分
だけ上昇し、オリフィス面での外圧とのバランスがくず
れ、オリフィス26からインク柱が成長し始める。同図
(d)は気泡33が最大に成長した状態であり、オリフ
ィス面より気泡33の体積に相当する分のインク32が
押し出される。この時、ヒータ部31には電流が流れて
いない状態にあり、ヒータ部31の表面温度は降下しつ
つある。なお、気泡33の体積が最大値となるタイミン
グは電気パルスの印加タイミングからやや遅れたものと
なる。同図(e)は気泡33がインク32等により冷却
されて収縮を開始し始めた状態を示す。インク柱の先端
部では押し出された速度を保ちつつ前進し、後端部では
気泡33の収縮に伴って流路27内圧の減少によりオリ
フィス面から流路27内へインク32が逆流してインク
柱にくびれが生ずる。同図(f)はさらに気泡33が収
縮し、ヒータ部31上面にインク32が接してヒータ部
31上面がさらに急激に冷却される状態にある。オリフ
ィス面では、外圧が流路27内圧より高い状態になるた
めメニスカスが大きく流路27内に入り込んできている
。インク柱の先端部は液滴になり、被記録体(図示せず
)の方向へ5〜10m/sの速度で飛翔している。同図
(g)は流路27内にインク32が毛管現象により再び
供給されて同図(a)の状態に戻る過程で、気泡33は
完全に消滅している。
【0035】つぎに、図12は前記ヒータ部31付近の
構造を拡大して示したもので、同図(a)はバブルジェ
ットヘッドをオリフィス26側から見た正面図、同図(
b)は同図(a)におけるX−X線断面図である。基板
24上には蓄熱層35と発熱抵抗体層36とが積層状態
で形成され、さらに、発熱抵抗体層36の上には制御電
極29とアース電極30とが対向状態で形成され、これ
らの電極29,30の間の部分が前記ヒータ部31とさ
れている。また、前記発熱抵抗体層36及び電極29,
30の上方を覆う保護層37が設けられている。この保
護層37は、発熱抵抗体層36や電極29,30を流路
27内のインク32から化学的,物理的に保護するため
にインク32と隔絶せさるとともに、インク32を通じ
て電極29,30間が短絡することを防止し、さらに、
インク32を通じて隣接する電極間でリークすることを
防止するためのものである。
構造を拡大して示したもので、同図(a)はバブルジェ
ットヘッドをオリフィス26側から見た正面図、同図(
b)は同図(a)におけるX−X線断面図である。基板
24上には蓄熱層35と発熱抵抗体層36とが積層状態
で形成され、さらに、発熱抵抗体層36の上には制御電
極29とアース電極30とが対向状態で形成され、これ
らの電極29,30の間の部分が前記ヒータ部31とさ
れている。また、前記発熱抵抗体層36及び電極29,
30の上方を覆う保護層37が設けられている。この保
護層37は、発熱抵抗体層36や電極29,30を流路
27内のインク32から化学的,物理的に保護するため
にインク32と隔絶せさるとともに、インク32を通じ
て電極29,30間が短絡することを防止し、さらに、
インク32を通じて隣接する電極間でリークすることを
防止するためのものである。
【0036】ここで、前記保護層37は、図1において
説明したものと同様に、二種類以上の異なる物質を薄膜
状態で交互に複数層積層することにより構成されている
。そして、このように保護層37を複数層の積層構造と
することにより、電気パルスの繰返し印加に対するヒー
タ部31の耐久性が大幅に向上する。
説明したものと同様に、二種類以上の異なる物質を薄膜
状態で交互に複数層積層することにより構成されている
。そして、このように保護層37を複数層の積層構造と
することにより、電気パルスの繰返し印加に対するヒー
タ部31の耐久性が大幅に向上する。
【0037】つぎに、図13は発熱抵抗体層を用いる気
泡発生手段の構造を説明するための詳細図である。なお
、図面中、38は発熱抵抗体層、39は対向する一対の
電極、40は保護層、41は電源装置を示し、発熱抵抗
体層38を構成する材料として有用なものには、例えば
、タンタル−SiO2の混合物、窒化タンタル、ニクロ
ム、銀−パラジウム合金、シリコン半導体、あるいは、
ハフニウム、ランタン、ジルコニウム、チタン、タンタ
ル、タングステン、モリブデン、ニオブ、クロム、バナ
ジウム等の金属の硼化物があげられる。これらの発熱抵
抗体層38を構成する材料の中、殊に金属硼化物が優れ
たものとしてあげることができ、その中でも最も特性の
優れているのが、硼化ハフニウムであり、次いで、硼化
ジルコニウム、硼化ランタン、硼化タンタル、硼化バナ
ジウム、硼化ニオブの順となっている。
泡発生手段の構造を説明するための詳細図である。なお
、図面中、38は発熱抵抗体層、39は対向する一対の
電極、40は保護層、41は電源装置を示し、発熱抵抗
体層38を構成する材料として有用なものには、例えば
、タンタル−SiO2の混合物、窒化タンタル、ニクロ
ム、銀−パラジウム合金、シリコン半導体、あるいは、
ハフニウム、ランタン、ジルコニウム、チタン、タンタ
ル、タングステン、モリブデン、ニオブ、クロム、バナ
ジウム等の金属の硼化物があげられる。これらの発熱抵
抗体層38を構成する材料の中、殊に金属硼化物が優れ
たものとしてあげることができ、その中でも最も特性の
優れているのが、硼化ハフニウムであり、次いで、硼化
ジルコニウム、硼化ランタン、硼化タンタル、硼化バナ
ジウム、硼化ニオブの順となっている。
【0038】発熱抵抗体層38は、上記の材料を用いて
、電子ビーム蒸着やスパッタリング等の手法を用いて形
成することができる。発熱抵抗体層38の膜厚は、単位
時間当たりの発熱量が所望通りとなるように、その面積
、材質及びヒータ部の形状及び大きさ、更には実際面で
の消費電力等に従って決定されるものであるが、通常の
場合、0.001〜5μm、好ましくは0.01〜1μ
mとれさる。
、電子ビーム蒸着やスパッタリング等の手法を用いて形
成することができる。発熱抵抗体層38の膜厚は、単位
時間当たりの発熱量が所望通りとなるように、その面積
、材質及びヒータ部の形状及び大きさ、更には実際面で
の消費電力等に従って決定されるものであるが、通常の
場合、0.001〜5μm、好ましくは0.01〜1μ
mとれさる。
【0039】電極39を構成する材料としては、通常使
用されている電極材料の多くのものが有効に使用され、
具体的には、例えばAl,Ag,Au,Pt,Cu等が
あげられ、これらを使用して蒸着等の手法で所定位置に
、所定の大きさ、形状、厚さで設けられている。
用されている電極材料の多くのものが有効に使用され、
具体的には、例えばAl,Ag,Au,Pt,Cu等が
あげられ、これらを使用して蒸着等の手法で所定位置に
、所定の大きさ、形状、厚さで設けられている。
【0040】保護層40に要求される特性は、ヒータ部
で発生された熱をインクに効果的に伝達することを妨げ
ず、インクから発熱抵抗体層38や電極39を保護する
ということである。保護層40を構成する材料として有
用なものには、例えば、酸化シリコン(SiO2)、窒
化シリコン(Si3N4)、酸化マグネシウム、酸化ア
ルミニウム(Al2O3)、酸化タンタル、酸化ジルコ
ニウム等があげられ、これらは、電子ビーム蒸着やスパ
ッタリング等の手法を用いて形成することができる。保
護層40の膜厚は、通常は0.01〜10μm、好まし
くは0.1〜3μmとされる。
で発生された熱をインクに効果的に伝達することを妨げ
ず、インクから発熱抵抗体層38や電極39を保護する
ということである。保護層40を構成する材料として有
用なものには、例えば、酸化シリコン(SiO2)、窒
化シリコン(Si3N4)、酸化マグネシウム、酸化ア
ルミニウム(Al2O3)、酸化タンタル、酸化ジルコ
ニウム等があげられ、これらは、電子ビーム蒸着やスパ
ッタリング等の手法を用いて形成することができる。保
護層40の膜厚は、通常は0.01〜10μm、好まし
くは0.1〜3μmとされる。
【0041】
【発明の効果】本発明は、上述のようにエネルギー作用
部を覆う保護層を、二種類以上の異なる物質を薄膜状態
で交互に複数層積層して構成したことにより、電気パル
スの繰返し印加に対するエネルギー作用部の耐久性を大
幅に向上させることができ、さらに、多層構造とした場
合であっても保護層全体の厚さが従来構造の保護層と等
しい場合には熱エネルギー作用部からインクに対して伝
達される熱の伝達効率を従来例と同様に維持することが
でき、信頼性の高いインク飛翔記録装置を得ることがで
きる等の効果を有する。
部を覆う保護層を、二種類以上の異なる物質を薄膜状態
で交互に複数層積層して構成したことにより、電気パル
スの繰返し印加に対するエネルギー作用部の耐久性を大
幅に向上させることができ、さらに、多層構造とした場
合であっても保護層全体の厚さが従来構造の保護層と等
しい場合には熱エネルギー作用部からインクに対して伝
達される熱の伝達効率を従来例と同様に維持することが
でき、信頼性の高いインク飛翔記録装置を得ることがで
きる等の効果を有する。
【図1】請求項1及び請求項2記載の発明における保護
層を拡大して示した縦断正面図である。
層を拡大して示した縦断正面図である。
【図2】従来構造の保護層を拡大して示した縦断正面図
である。
である。
【図3】請求項1記載の発明の一実施例を示す分解斜視
図である。
図である。
【図4】その一部を拡大して示す平面図である。
【図5】図4におけるA−A線断面図である。
【図6】ヒータ部付近を拡大して示す縦断正面図である
。
。
【図7】インクの飛翔原理を順に示す概略断面図である
。
。
【図8】請求項2記載の発明の一実施例におけるインク
の飛翔原理を順に示す概略断面図である。
の飛翔原理を順に示す概略断面図である。
【図9】請求項2記載の発明の一実施例を示す斜視図で
ある。
ある。
【図10】その分解斜視図である。
【図11】その一部を裏面側から見た斜視図である。
【図12】ヒータ部付近を拡大して示す縦断正面図であ
る。
る。
【図13】発熱抵抗体層を用いる気泡発生手段の一般的
構造を説明するための詳細図である。
構造を説明するための詳細図である。
1 インク供給手段
7 インク液面保持手段
8 エネルギー作用部
11 信号入力手段
16 保護層
20 インク
21 気泡
26 オリフィス
27 流路
31 エネルギー作用部
32 インク
33 気泡
37 保護層
Claims (2)
- 【請求項1】 インク供給手段と、このインク供給手
段により供給されたインクを保持するインク液面保持手
段と、インク液面内に配設されてインク中に瞬間的に成
長する気泡を生じさせるエネルギー作用部と、このエネ
ルギー作用部に画像情報に応じた駆動信号を与える信号
入力手段とを有するインク飛翔記録装置において、前記
エネルギー作用部の前記インクに対向する面を覆うとと
もに二種類以上の異なる物質を薄膜状態で交互に複数層
積層した保護層を設けたことを特徴とするインク飛翔記
録装置。 - 【請求項2】 導入されるインクを収容するとともに
このインクに熱によって気泡を発生させ、この気泡の体
積増加に伴う作用力を発生させるエネルギー作用部を付
設した流路と、この流路に連通するとともに前記インク
を前記作用力によって液滴として吐出飛翔させるための
オリフィスと、前記流路に連通してこの流路に前記イン
クを導入する手段とを有するインク飛翔記録装置におい
て、前記エネルギー作用部の前記インクに対向する面を
覆うとともに二種類以上の異なる物質を薄膜状態で交互
に複数層積層した保護層を設けたことを特徴とするイン
ク飛翔記録装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3800091A JP2902136B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | インク飛翔記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3800091A JP2902136B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | インク飛翔記録装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04255357A true JPH04255357A (ja) | 1992-09-10 |
JP2902136B2 JP2902136B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=12513310
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3800091A Expired - Fee Related JP2902136B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | インク飛翔記録装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2902136B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1177899A1 (en) * | 2000-07-31 | 2002-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet head with anti-cavitation film preventing kogation and erosion |
US6607264B1 (en) | 2002-06-18 | 2003-08-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid controlling apparatus |
US6688730B2 (en) * | 2000-09-04 | 2004-02-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording system and method of preserving recording head |
US6834941B1 (en) | 2002-05-14 | 2004-12-28 | Lexmark International, Inc. | Heater chip configuration for an inkjet printhead and printer |
US6890062B2 (en) | 2002-05-14 | 2005-05-10 | Lexmark International, Inc. | Heater chip configuration for an inkjet printhead and printer |
JP2011156682A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Brother Industries Ltd | 液滴噴射ヘッド及び液滴噴射ヘッドの製造方法 |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP3800091A patent/JP2902136B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1177899A1 (en) * | 2000-07-31 | 2002-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet head with anti-cavitation film preventing kogation and erosion |
US6530650B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet head substrate, ink jet head, method for manufacturing ink jet head substrate, method for manufacturing ink jet head, method for using ink jet head and ink jet recording apparatus |
SG113390A1 (en) * | 2000-07-31 | 2005-08-29 | Canon Kk | Ink jet head substrate, ink jet head, method for manufacturing ink jet head substrate, method for manufacturing ink jet head, method for using ink jet head and ink jet recording apparatus |
US6688730B2 (en) * | 2000-09-04 | 2004-02-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording system and method of preserving recording head |
US6834941B1 (en) | 2002-05-14 | 2004-12-28 | Lexmark International, Inc. | Heater chip configuration for an inkjet printhead and printer |
US6890062B2 (en) | 2002-05-14 | 2005-05-10 | Lexmark International, Inc. | Heater chip configuration for an inkjet printhead and printer |
US7410246B2 (en) | 2002-05-14 | 2008-08-12 | Lexmark International, Inc. | Heater chip configuration for an inkjet printhead and printer |
US6607264B1 (en) | 2002-06-18 | 2003-08-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid controlling apparatus |
US6814430B2 (en) | 2002-06-18 | 2004-11-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid controlling apparatus |
JP2011156682A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Brother Industries Ltd | 液滴噴射ヘッド及び液滴噴射ヘッドの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2902136B2 (ja) | 1999-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2836749B2 (ja) | 液体噴射記録ヘッド | |
JP3071869B2 (ja) | 液体噴射記録装置及び記録方法 | |
JP2902136B2 (ja) | インク飛翔記録装置 | |
JP2698418B2 (ja) | 液体噴射記録ヘッド | |
JP2790844B2 (ja) | 液体噴射記録ヘッド | |
JPH04152142A (ja) | 液体噴射記録方法及び装置 | |
JP3061188B2 (ja) | 液体噴射記録装置 | |
JPH01210352A (ja) | 液体噴射記録ヘッド | |
JP2914576B2 (ja) | 液体噴射記録装置及び記録方法 | |
JP2902137B2 (ja) | インク飛翔記録装置 | |
JPH01196352A (ja) | 液体噴射記録ヘッド | |
JP3054174B2 (ja) | 液体噴射記録装置及び方法 | |
JP2957676B2 (ja) | 液体噴射記録装置及び方法 | |
JPH02137932A (ja) | 液体噴射記録装置 | |
JPH01238949A (ja) | 液体噴射記録ヘッド | |
JPH02283453A (ja) | 液体噴射記録装置 | |
JP2763539B2 (ja) | 液体噴射記録ヘッド | |
JPH04113851A (ja) | 液体噴射記録装置 | |
JPH05169678A (ja) | 液体噴射記録装置及び記録方法 | |
JPH0465246A (ja) | 液体噴射記録装置 | |
JPH01258955A (ja) | 液体噴射記録ヘッド | |
JPH04182137A (ja) | インク飛翔記録方法及びその装置 | |
JPH03224742A (ja) | 液体噴射記録装置及び方法 | |
JPH058395A (ja) | 液体噴射記録ヘツド及びその製造方法及び液体噴射記録方法 | |
JPH07266563A (ja) | 液体噴射記録ヘッド |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |