JPH04252420A - 磁気ディスク基板 - Google Patents
磁気ディスク基板Info
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- JPH04252420A JPH04252420A JP921391A JP921391A JPH04252420A JP H04252420 A JPH04252420 A JP H04252420A JP 921391 A JP921391 A JP 921391A JP 921391 A JP921391 A JP 921391A JP H04252420 A JPH04252420 A JP H04252420A
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- aluminum alloy
- magnetic disk
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- silicon nitride
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Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical group CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006293 Si—N—O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Chemical group 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003814 SiH2NH Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置に使
用される磁気ディスク基板に関し、特に高硬度で平滑性
に優れた磁気ディスク基板に関する。
用される磁気ディスク基板に関し、特に高硬度で平滑性
に優れた磁気ディスク基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク基板としては、アルミニウ
ム合金の表面を研磨したアルミニウム合金基板、アルミ
ニウム合金基板上により高硬度のＮｉ・Ｐ合金をメッキ
し再研磨したＮｉＰ基板が使用されている。また、セラ
ミック基板も試験的に使用されている。
ム合金の表面を研磨したアルミニウム合金基板、アルミ
ニウム合金基板上により高硬度のＮｉ・Ｐ合金をメッキ
し再研磨したＮｉＰ基板が使用されている。また、セラ
ミック基板も試験的に使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、アルミニウム
合金基板は表面硬度が不足し、表面の平坦度にも問題が
ある。ＮｉＰ基板はこれを解決することを目的としたも
のだが、メッキ・再研磨工程によるコストアップの欠点
がある。セラミック基板は多孔質であるため表面性が悪
く、磁性膜の均一性に欠ける欠点がある。そこで、本発
明は、メッキ・再研磨工程を必要としない、高硬度で平
滑性に優れた磁気ディスク基板を提供することを目的と
する。
合金基板は表面硬度が不足し、表面の平坦度にも問題が
ある。ＮｉＰ基板はこれを解決することを目的としたも
のだが、メッキ・再研磨工程によるコストアップの欠点
がある。セラミック基板は多孔質であるため表面性が悪
く、磁性膜の均一性に欠ける欠点がある。そこで、本発
明は、メッキ・再研磨工程を必要としない、高硬度で平
滑性に優れた磁気ディスク基板を提供することを目的と
する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、アルミニウムからなる基板とその表面に
形成された窒化珪素質連続薄膜とを有することを特徴と
する磁気ディスク基板を提供する。
成するために、アルミニウムからなる基板とその表面に
形成された窒化珪素質連続薄膜とを有することを特徴と
する磁気ディスク基板を提供する。
【０００５】より具体的には、アルミニウム基板上にポ
リシラザンをコーティングし、これをＮ２， ＮＨ３
， Ａｉｒ雰囲気中で２００ 〜４００ ℃の温度範
囲で熱処理し、セラミック化して、窒化珪素質連続薄膜
とする。ポリシラザンは、焼成により緻密な窒化珪素質
にセラミック化するもので、一般式 ─（ＳｉＨ２Ｎ
Ｈ）─で表される繰り返し単位を有する鎖状、環状、又
はそれらの複合構造の無機ポリシラザン （特願昭５８
−２４７２４０ 号参照） 、あるいは一般式 ─（
ＳｉＨ２ＮＨ）─と─（ＳｉＨ２Ｏ） ─で表される繰
り返し単位を有する鎖状、環状、又はそれらの複合構造
の無機ポリシロキサザン（特願昭６１−２６８８１号参
照）である。数平均分子量は１００ 〜５０，０００の
範囲が一般的である。
リシラザンをコーティングし、これをＮ２， ＮＨ３
， Ａｉｒ雰囲気中で２００ 〜４００ ℃の温度範
囲で熱処理し、セラミック化して、窒化珪素質連続薄膜
とする。ポリシラザンは、焼成により緻密な窒化珪素質
にセラミック化するもので、一般式 ─（ＳｉＨ２Ｎ
Ｈ）─で表される繰り返し単位を有する鎖状、環状、又
はそれらの複合構造の無機ポリシラザン （特願昭５８
−２４７２４０ 号参照） 、あるいは一般式 ─（
ＳｉＨ２ＮＨ）─と─（ＳｉＨ２Ｏ） ─で表される繰
り返し単位を有する鎖状、環状、又はそれらの複合構造
の無機ポリシロキサザン（特願昭６１−２６８８１号参
照）である。数平均分子量は１００ 〜５０，０００の
範囲が一般的である。
【０００６】このような無機ポリシラザンは、例えばハ
ロシラン、例えばジクロロシランをピリジンの如き塩基
と反応させて得られるアダクトを更にアンモニアと反応
させることにより得ることができる。さらに、このポリ
シラザンを、加熱重合して高分子量化（数平均分子量２
００ 〜５００，０００）したもの（特願昭６２−２０
２７６５ 号参照）、あるいはアンモニア又はヒドラジ
ンによる脱水素縮合反応により改質したもの（特願昭６
２−２０２７６７ 号参照）も用いることができる。
ロシラン、例えばジクロロシランをピリジンの如き塩基
と反応させて得られるアダクトを更にアンモニアと反応
させることにより得ることができる。さらに、このポリ
シラザンを、加熱重合して高分子量化（数平均分子量２
００ 〜５００，０００）したもの（特願昭６２−２０
２７６５ 号参照）、あるいはアンモニア又はヒドラジ
ンによる脱水素縮合反応により改質したもの（特願昭６
２−２０２７６７ 号参照）も用いることができる。
【０００７】このようなポリシラザンは、Ｎ２， Ｎ
Ｈ３， Ａｉｒ等の雰囲気中で焼成すると窒化珪素質
にセラミック化する。焼成温度は特に限定するわけでは
ないが、アルミ基板の耐熱性及びセラミック化後の表面
硬度、安定性および耐食性から２００ 〜４００ ℃が
好ましい。例えば、アルミニウム合金基板と、これに無
機ポリシラザンをコーティングし焼成して得られる厚さ
約１μｍ の窒化珪素質膜の硬度（マイクロビッカース
硬度、ｋｇ／ｍｍ２ ）および平滑性（Å）は、焼成温
度に応じて下記の如くである。
Ｈ３， Ａｉｒ等の雰囲気中で焼成すると窒化珪素質
にセラミック化する。焼成温度は特に限定するわけでは
ないが、アルミ基板の耐熱性及びセラミック化後の表面
硬度、安定性および耐食性から２００ 〜４００ ℃が
好ましい。例えば、アルミニウム合金基板と、これに無
機ポリシラザンをコーティングし焼成して得られる厚さ
約１μｍ の窒化珪素質膜の硬度（マイクロビッカース
硬度、ｋｇ／ｍｍ２ ）および平滑性（Å）は、焼成温
度に応じて下記の如くである。
【０００８】得られる窒化珪素質膜は均質で緻密な、Ｓ
ｉ−Ｏ−， Ｓｉ−Ｎ−Ｏ−， Ｓｉ−Ｎ− 系の非晶
質の膜で、無色透明である。
ｉ−Ｏ−， Ｓｉ−Ｎ−Ｏ−， Ｓｉ−Ｎ− 系の非晶
質の膜で、無色透明である。
【０００９】基板はアルミニウムからなり、アルミニウ
ム合金等の慣用のものでよい。
ム合金等の慣用のものでよい。
【００１０】
【作用】ポリシラザンを焼成した窒化珪素質連続薄膜は
、従来のアルミニウム合金基板、ＮｉＰメッキ基板と比
べて、より高硬度かつより平滑である。また、研磨は必
要でない。
、従来のアルミニウム合金基板、ＮｉＰメッキ基板と比
べて、より高硬度かつより平滑である。また、研磨は必
要でない。
【００１１】
【実施例】実施例１
特願昭６２−２０２７６７ 号明細書の記載に従って製
造した改質ポリシラザン（数平均分子量２３５２、重量
平均分子量１０７３５ 、Ｓｉ／Ｎ比 １．０５）の３
０ｗｔ％ Ｏ−キシレン溶液を用い、スピンコーターに
より表面粗度０．０３μｍ のアルミニウム合金基板に
改質ポリシラザンを塗布した。乾燥後、２００ ℃で１
時間大気中で熱処理し、無色透明なＳｉ−Ｎ−Ｏ系のコ
ーティング膜を得た。膜厚は約１μｍ であり、ピンホ
ール、ワレ等のない緻密な膜であった。コーティング後
の基板の硬度はマイクロビッカース硬度で、アルミニウ
ム合金基板の７０に対して １６５であり、表面粗度は
アルミニウム合金基板の ３００Åに対して４０Åであ
った。
造した改質ポリシラザン（数平均分子量２３５２、重量
平均分子量１０７３５ 、Ｓｉ／Ｎ比 １．０５）の３
０ｗｔ％ Ｏ−キシレン溶液を用い、スピンコーターに
より表面粗度０．０３μｍ のアルミニウム合金基板に
改質ポリシラザンを塗布した。乾燥後、２００ ℃で１
時間大気中で熱処理し、無色透明なＳｉ−Ｎ−Ｏ系のコ
ーティング膜を得た。膜厚は約１μｍ であり、ピンホ
ール、ワレ等のない緻密な膜であった。コーティング後
の基板の硬度はマイクロビッカース硬度で、アルミニウ
ム合金基板の７０に対して １６５であり、表面粗度は
アルミニウム合金基板の ３００Åに対して４０Åであ
った。
【００１２】実施例２
特願昭６２−２０２７６５ 号明細書の記載に従って製
造した無機ポリシラザン高重合体（数平均分子量２２０
０、Ｓｉ／Ｎ比 １．２９）の２０ｗｔ％ Ｏ−キシレ
ン溶液を用い、デップコーティング法により表面粗度０
．０３μｍ のアルミニウム合金基板に無機ポリシラザ
ン高重合体を塗布した。乾燥後、３００ ℃で１時間大
気中で熱処理し、無色透明なＳｉ−Ｎ−Ｏ系のコーティ
ング膜を得た。膜厚は約１μｍ であり、ピンホール、
ワレ等のない緻密な膜であった。コーティング後の基板
の硬度はマイクロビッカース硬度で、アルミニウム合金
基板の７０に対して １７９であり、表面粗度はアルミ
ニウム合金基板の３００ Åに対して５０Åであった。
造した無機ポリシラザン高重合体（数平均分子量２２０
０、Ｓｉ／Ｎ比 １．２９）の２０ｗｔ％ Ｏ−キシレ
ン溶液を用い、デップコーティング法により表面粗度０
．０３μｍ のアルミニウム合金基板に無機ポリシラザ
ン高重合体を塗布した。乾燥後、３００ ℃で１時間大
気中で熱処理し、無色透明なＳｉ−Ｎ−Ｏ系のコーティ
ング膜を得た。膜厚は約１μｍ であり、ピンホール、
ワレ等のない緻密な膜であった。コーティング後の基板
の硬度はマイクロビッカース硬度で、アルミニウム合金
基板の７０に対して １７９であり、表面粗度はアルミ
ニウム合金基板の３００ Åに対して５０Åであった。
【００１３】実施例３
特願昭６２−２０２７６５ 号明細書の記載に従って製
造した無機ポリシラザン高重合体（数平均分子量１３８
８、重量平均分子量３９６８、Ｓｉ／Ｎ比 １．３３）
の４０ｗｔ％ Ｏ−キシレン溶液を用い、デップコーテ
ィング法により表面粗度０．０３μｍ のアルミニウム
合金基板に無機ポリシラザン高重合体を塗布した。乾燥
後、４００ ℃で１時間大気中で熱処理し、無色透明な
Ｓｉ−Ｎ−Ｏ系のコーティング膜を得た。膜厚は約２μ
ｍ であり、ピンホール、ワレ等のない緻密な膜であっ
た。コーティング後の基板の硬度はマイクロビッカース
硬度で、アルミニウム合金基板の７０に対して ２１８
であり、表面粗度はアルミニウム合金基板の３００ Å
に対して４０Åであった。
造した無機ポリシラザン高重合体（数平均分子量１３８
８、重量平均分子量３９６８、Ｓｉ／Ｎ比 １．３３）
の４０ｗｔ％ Ｏ−キシレン溶液を用い、デップコーテ
ィング法により表面粗度０．０３μｍ のアルミニウム
合金基板に無機ポリシラザン高重合体を塗布した。乾燥
後、４００ ℃で１時間大気中で熱処理し、無色透明な
Ｓｉ−Ｎ−Ｏ系のコーティング膜を得た。膜厚は約２μ
ｍ であり、ピンホール、ワレ等のない緻密な膜であっ
た。コーティング後の基板の硬度はマイクロビッカース
硬度で、アルミニウム合金基板の７０に対して ２１８
であり、表面粗度はアルミニウム合金基板の３００ Å
に対して４０Åであった。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、メッキ・再研磨工程を
必要としない、高硬度で平滑性に優れた磁気ディスク基
板が得られる。
必要としない、高硬度で平滑性に優れた磁気ディスク基
板が得られる。
Claims (1)
- 【請求項１】 アルミニウムからなる基板と、その表
面に形成された窒化珪素質連続薄膜とを有することを特
徴とする磁気ディスク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP921391A JPH04252420A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 磁気ディスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP921391A JPH04252420A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 磁気ディスク基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04252420A true JPH04252420A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=11714184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP921391A Pending JPH04252420A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 磁気ディスク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04252420A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013020670A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-31 | Kobe Steel Ltd | 磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法 |
| WO2013118642A1 (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-15 | アーゼット・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 無機ポリシラザン樹脂 |
-
1991
- 1991-01-29 JP JP921391A patent/JPH04252420A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013020670A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-31 | Kobe Steel Ltd | 磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法 |
| WO2013118642A1 (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-15 | アーゼット・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 無機ポリシラザン樹脂 |
| JP2013162072A (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-19 | Az Electronic Materials Mfg Co Ltd | 無機ポリシラザン樹脂 |
| CN104114483A (zh) * | 2012-02-08 | 2014-10-22 | Az电子材料（卢森堡）有限公司 | 无机聚硅氮烷树脂 |
| EP2813467A4 (en) * | 2012-02-08 | 2015-10-14 | Az Electronic Materials Luxembourg S R L | INORGANIC POLYSILAZAN RESIN |
| TWI558658B (zh) * | 2012-02-08 | 2016-11-21 | Ａｚ電子材料盧森堡有限公司 | 無機聚矽氮烷樹脂、其製造方法及其應用 |
| US10494261B2 (en) | 2012-02-08 | 2019-12-03 | Ridgefield Acquisition | Inorganic polysilazane resin |
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