JPH04251825A - 薄膜二端子素子 - Google Patents
薄膜二端子素子Info
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- JPH04251825A JPH04251825A JP3026926A JP2692691A JPH04251825A JP H04251825 A JPH04251825 A JP H04251825A JP 3026926 A JP3026926 A JP 3026926A JP 2692691 A JP2692691 A JP 2692691A JP H04251825 A JPH04251825 A JP H04251825A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、改良された薄膜二端子素子、す
なわちＭＩＭ素子に関する。
なわちＭＩＭ素子に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、導体−絶縁膜−導体（ＭＩＭ）素子
としてはガラス板のような絶縁基板上に下部電極として
Ｔａ，Ａｌ，Ｔｉ等の金属電極を設け、その上に前記金
属の酸化物、又はＳｉＯｘ，ＳｉＮｘ等からなる絶縁膜
を設け、更にその上に上部電極としてＡｌ，Ｃｒ等の金
属電極を設けたものが知られている。しかし絶縁膜に金
属酸化物を用いたＭＩＭ素子（特開昭５７−１９６５８
９号、同６１−２３２６８９号、同６２−６２３３３号
等）の場合、絶縁膜は下部金属電極の陽極酸化又は熱酸
化により形成するため、工程が複雑であり、しかも高温
熱処理を必要とし（陽極酸化法でも不純物の除去等を確
実にするため、高温熱処理が必要）、また膜制御性（膜
質及び膜厚の均一性及び再現性）に劣る上、基板が耐熱
材料に限られること等の欠点を有していた。一方絶縁膜
にＳｉＯｘ，ＳｉＮｘ，Ｔａ２Ｏ５を用いた素子では（
特開昭６１−２７５８１９号）、絶縁膜はプラズマＣＶ
Ｄ法、スパッタ法等の気相法で製膜するが基板温度は通
常３００℃程度必要であるため、低コスト基板は使用で
きず、また、大面積化の際に基板に温度分布があるため
、膜質、膜厚が不均一になりやすい欠点がある。さらに
これらの気相成膜の膜は基板全面に堆積されるため（必
要部のみに選択的に堆積させることは難しい）、フォト
リソプロセスによって不必要部を除去する工程が必要で
ある。
としてはガラス板のような絶縁基板上に下部電極として
Ｔａ，Ａｌ，Ｔｉ等の金属電極を設け、その上に前記金
属の酸化物、又はＳｉＯｘ，ＳｉＮｘ等からなる絶縁膜
を設け、更にその上に上部電極としてＡｌ，Ｃｒ等の金
属電極を設けたものが知られている。しかし絶縁膜に金
属酸化物を用いたＭＩＭ素子（特開昭５７−１９６５８
９号、同６１−２３２６８９号、同６２−６２３３３号
等）の場合、絶縁膜は下部金属電極の陽極酸化又は熱酸
化により形成するため、工程が複雑であり、しかも高温
熱処理を必要とし（陽極酸化法でも不純物の除去等を確
実にするため、高温熱処理が必要）、また膜制御性（膜
質及び膜厚の均一性及び再現性）に劣る上、基板が耐熱
材料に限られること等の欠点を有していた。一方絶縁膜
にＳｉＯｘ，ＳｉＮｘ，Ｔａ２Ｏ５を用いた素子では（
特開昭６１−２７５８１９号）、絶縁膜はプラズマＣＶ
Ｄ法、スパッタ法等の気相法で製膜するが基板温度は通
常３００℃程度必要であるため、低コスト基板は使用で
きず、また、大面積化の際に基板に温度分布があるため
、膜質、膜厚が不均一になりやすい欠点がある。さらに
これらの気相成膜の膜は基板全面に堆積されるため（必
要部のみに選択的に堆積させることは難しい）、フォト
リソプロセスによって不必要部を除去する工程が必要で
ある。
【０００３】
【目的】本発明の第１の目的は、絶縁膜を必要とする部
分のみに形成することにより、従来必要不可欠であった
フォトリソプロセスの工程を必要としない点にある。本
発明の第２の目的は、低温例えば室温〜２００℃、好ま
しくは４０℃〜１２０℃において素子の製造を可能とす
る点にある。本発明の第３の目的は、比較的耐熱性にと
ぼしいソーダガラス、高分子フィルム等の低コスト基板
が使用できるようにする点にある。本発明の第４の目的
は、素子の活性部を下部導体の側面に設けることにより
、活性部の面積を小さくし、特性のバラツキをおさえる
点にある。
分のみに形成することにより、従来必要不可欠であった
フォトリソプロセスの工程を必要としない点にある。本
発明の第２の目的は、低温例えば室温〜２００℃、好ま
しくは４０℃〜１２０℃において素子の製造を可能とす
る点にある。本発明の第３の目的は、比較的耐熱性にと
ぼしいソーダガラス、高分子フィルム等の低コスト基板
が使用できるようにする点にある。本発明の第４の目的
は、素子の活性部を下部導体の側面に設けることにより
、活性部の面積を小さくし、特性のバラツキをおさえる
点にある。
【０００４】
【構成】本発明は、上部導体および下部導体間に介在さ
せた絶縁膜が、前記下部導体の表面層をプラズマ改質す
ることにより得られた絶縁体であることを特徴とする薄
膜二端子素子に関する。本発明の素子は絶縁層の形成さ
れる部分が、あらかじめパターン化してある導体部に限
定されるため、絶縁層のエッチングプロセスが不要とな
り、また導体部は全て絶縁層により被覆されるため、腐
食等を受けない等の利点が生ずる。前記の素子は通常任
意の基板上に形成するが、本発明の絶縁体は低温で形成
できるので、ソーダガラスや高分子フィルム等の安価な
基板を使用することができる。だからといって本発明は
、石英ガラス等の使用を排除するものではない。高分子
フィルムの使用は、ガラス等の基板に比較して、軽くて
薄くすることができるので、液晶表示装置を薄型、軽量
にするのに有利である。高分子としてはとくに制限はな
いが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエ
ーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリアリレート、ポリイミ
ド、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエ
チレンナフタレート（ＰＥＮ）等を挙げることができる
。また、第１導体と第２導体が絶縁層を介して重なりあ
い素子として非線形抵抗性を発揮する主要部分、すなわ
ち活性部を下部導体の上面ではなく、側面に設けること
が好ましい。このような構成をとることにより、（ａ）
活性部の面積は下層導体の膜厚および断面のテーパー角
度により主に規定されるため特性バラツキが減少する。 （ｂ）活性部面積を小さくできるため液晶の駆動に有利
となる。等の利点が生ずる。 図１で本発明の基本構成を説明する。先ず基板１上にバ
スラインを兼る下部導体第１導体２を形成し、フォトリ
ソプロセスで所定の形状にエッチングする。次に第１導
体２の全表面を図２に示すプラズマ改質装置を使いその
表面層を絶縁層３に変化させこの上に画素、電極を兼る
透明な上部導体第２導体３を形成し、フォトリソプロセ
スにより所定の形状にエッチングし素子を完成する。第
１導体２としてはＡｌ，Ｔａ、Ｗ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｔｉ等
の比較的酸化されやすい金属が有利であるが、これらに
限定するものではない。膜厚は上層に形成される絶縁層
３の所望膜厚によっても異るが概ね１００〜８０００Å
であり、ＬＣＤ駆動用の素子として絶縁層３を厚く形成
する場合には４００〜８０００Å、好ましくは５００〜
５０００Å程度である。堆積法は蒸着法、ＥＢ蒸着法、
スパッタ法等気相法が一般的である。
せた絶縁膜が、前記下部導体の表面層をプラズマ改質す
ることにより得られた絶縁体であることを特徴とする薄
膜二端子素子に関する。本発明の素子は絶縁層の形成さ
れる部分が、あらかじめパターン化してある導体部に限
定されるため、絶縁層のエッチングプロセスが不要とな
り、また導体部は全て絶縁層により被覆されるため、腐
食等を受けない等の利点が生ずる。前記の素子は通常任
意の基板上に形成するが、本発明の絶縁体は低温で形成
できるので、ソーダガラスや高分子フィルム等の安価な
基板を使用することができる。だからといって本発明は
、石英ガラス等の使用を排除するものではない。高分子
フィルムの使用は、ガラス等の基板に比較して、軽くて
薄くすることができるので、液晶表示装置を薄型、軽量
にするのに有利である。高分子としてはとくに制限はな
いが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエ
ーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリアリレート、ポリイミ
ド、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエ
チレンナフタレート（ＰＥＮ）等を挙げることができる
。また、第１導体と第２導体が絶縁層を介して重なりあ
い素子として非線形抵抗性を発揮する主要部分、すなわ
ち活性部を下部導体の上面ではなく、側面に設けること
が好ましい。このような構成をとることにより、（ａ）
活性部の面積は下層導体の膜厚および断面のテーパー角
度により主に規定されるため特性バラツキが減少する。 （ｂ）活性部面積を小さくできるため液晶の駆動に有利
となる。等の利点が生ずる。 図１で本発明の基本構成を説明する。先ず基板１上にバ
スラインを兼る下部導体第１導体２を形成し、フォトリ
ソプロセスで所定の形状にエッチングする。次に第１導
体２の全表面を図２に示すプラズマ改質装置を使いその
表面層を絶縁層３に変化させこの上に画素、電極を兼る
透明な上部導体第２導体３を形成し、フォトリソプロセ
スにより所定の形状にエッチングし素子を完成する。第
１導体２としてはＡｌ，Ｔａ、Ｗ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｔｉ等
の比較的酸化されやすい金属が有利であるが、これらに
限定するものではない。膜厚は上層に形成される絶縁層
３の所望膜厚によっても異るが概ね１００〜８０００Å
であり、ＬＣＤ駆動用の素子として絶縁層３を厚く形成
する場合には４００〜８０００Å、好ましくは５００〜
５０００Å程度である。堆積法は蒸着法、ＥＢ蒸着法、
スパッタ法等気相法が一般的である。
【０００５】次に絶縁層３の形成法を説明する。金属表
面のプラズマ改質（プラズマ酸化、窒化、炭化が通常な
されているが、本発明でいうプラズマ改質はこれら単一
元素によるもののみでなく、複数元素の組合せによるも
のも含む。例えばプラズマ酸化窒化、プラズマ炭化窒化
等であるが組合せはこれらに限定されるものではない。 ）を行なうには、得ようとする化合物の組成を少なくも
含むガスからなるプラズマ中、例えば酸化物であれば酸
素を含むプラズマ、窒化物であれば窒素を含むプラズマ
中に試料を放置すればよい。プラズマの種類としてはＤ
Ｃ放電、ＲＦ放電、マイクロ波放電等が使用され、基板
温度は室温〜２００℃、多くの場合は４０〜１２０℃で
ある。化合物の成長速度はプラズマ密度、試料側に印加
される正バイアス（０〜５００Ｖ、好ましくは２０〜２
００Ｖ程度）によって高めることができる。プラズマ密
度を高めるにはマイクロ波放電を用いるが、図２のごと
く磁界を印加してプラズマを収束させることが特に有効
である。圧力は１／１０４〜数ｔｏｒｒで好ましくは１
／１０３〜０．５ｔｏｒｒであった。より具体的には、
第１導体２がＡｌの場合、処理条件を表１にまとめた。
面のプラズマ改質（プラズマ酸化、窒化、炭化が通常な
されているが、本発明でいうプラズマ改質はこれら単一
元素によるもののみでなく、複数元素の組合せによるも
のも含む。例えばプラズマ酸化窒化、プラズマ炭化窒化
等であるが組合せはこれらに限定されるものではない。 ）を行なうには、得ようとする化合物の組成を少なくも
含むガスからなるプラズマ中、例えば酸化物であれば酸
素を含むプラズマ、窒化物であれば窒素を含むプラズマ
中に試料を放置すればよい。プラズマの種類としてはＤ
Ｃ放電、ＲＦ放電、マイクロ波放電等が使用され、基板
温度は室温〜２００℃、多くの場合は４０〜１２０℃で
ある。化合物の成長速度はプラズマ密度、試料側に印加
される正バイアス（０〜５００Ｖ、好ましくは２０〜２
００Ｖ程度）によって高めることができる。プラズマ密
度を高めるにはマイクロ波放電を用いるが、図２のごと
く磁界を印加してプラズマを収束させることが特に有効
である。圧力は１／１０４〜数ｔｏｒｒで好ましくは１
／１０３〜０．５ｔｏｒｒであった。より具体的には、
第１導体２がＡｌの場合、処理条件を表１にまとめた。
【０００６】
【表１】
【０００７】下部導体の表面層に形成されるＡｌ２Ｏ３
等は第１導体２上に限られるためＡｌ２Ｏ３等の不要部
を除去する工程を必要としない。また、Ａｌ２Ｏ３の膜
厚は時間とともに一定値に飽和するがこの飽和値は正バ
イアスによって制御できるため膜厚のコントロールが比
較的容易に行うことができる。絶縁層３の膜厚は、トン
ネル効果を利用した素子として使用するときは比較的薄
く１０〜３００Å、好ましくは２０〜２００Åであリ、
またＬＣＤ駆動用素子として使用するときは３００〜６
０００Å好ましくは、４００〜４０００Åである。画素
電極を兼る第２導体４は透明導電体、具体的にはＳｎＯ
２，Ｉｎ２Ｏ３，ＩＴＯ，ＺｎＯ等であり、膜厚は３０
０〜５０００Å、好ましくは５００〜３０００Åである
が材料は特にこれらに限定されない。ＬＣＤ用でない場
合は画素電極を兼る必要はなく通常の金属材料（Ａｌ，
Ｎｉ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐ
ｔ．．．等）も使用できる。またＬＣＤ用の場合、素子
の対称性（＋バイアス時の電流値と−バイアス時の電流
値の比）を改善するために、該透明電体と絶縁層の間に
金属層を設けることもある。金属材料としては上記と同
様であり膜厚は１００〜２０００Å程度である。
等は第１導体２上に限られるためＡｌ２Ｏ３等の不要部
を除去する工程を必要としない。また、Ａｌ２Ｏ３の膜
厚は時間とともに一定値に飽和するがこの飽和値は正バ
イアスによって制御できるため膜厚のコントロールが比
較的容易に行うことができる。絶縁層３の膜厚は、トン
ネル効果を利用した素子として使用するときは比較的薄
く１０〜３００Å、好ましくは２０〜２００Åであリ、
またＬＣＤ駆動用素子として使用するときは３００〜６
０００Å好ましくは、４００〜４０００Åである。画素
電極を兼る第２導体４は透明導電体、具体的にはＳｎＯ
２，Ｉｎ２Ｏ３，ＩＴＯ，ＺｎＯ等であり、膜厚は３０
０〜５０００Å、好ましくは５００〜３０００Åである
が材料は特にこれらに限定されない。ＬＣＤ用でない場
合は画素電極を兼る必要はなく通常の金属材料（Ａｌ，
Ｎｉ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐ
ｔ．．．等）も使用できる。またＬＣＤ用の場合、素子
の対称性（＋バイアス時の電流値と−バイアス時の電流
値の比）を改善するために、該透明電体と絶縁層の間に
金属層を設けることもある。金属材料としては上記と同
様であり膜厚は１００〜２０００Å程度である。
【０００８】図３は本発明の第２の実施態様を示すもの
である。この実施態様では第１導体２が異種材料の積層
となっているものであり、具体的には第１層２ａはＡｌ
で、第２層２ｂはＴａである。プラズマ酸化の速度は材
料によって異なり、Ｔａ，ＡｌではＴａの方が速く、こ
の点を利用して以下の特徴をだすことができる（但し特
に２層構造に限定されない。）。■Ａｌ単層よりも処理
時間を短縮でき、膜厚を厚くする場合に適する。■Ｔａ
のみでは比抵抗が高く、配線抵抗が問題となるがＡｌと
積層にすることでこの問題が解決される。
である。この実施態様では第１導体２が異種材料の積層
となっているものであり、具体的には第１層２ａはＡｌ
で、第２層２ｂはＴａである。プラズマ酸化の速度は材
料によって異なり、Ｔａ，ＡｌではＴａの方が速く、こ
の点を利用して以下の特徴をだすことができる（但し特
に２層構造に限定されない。）。■Ａｌ単層よりも処理
時間を短縮でき、膜厚を厚くする場合に適する。■Ｔａ
のみでは比抵抗が高く、配線抵抗が問題となるがＡｌと
積層にすることでこの問題が解決される。
【０００９】図４、５は本発明の活性部を下層導体の側
面に設けた場合を説明するものである。ともに素子の活
性部（非線形抵抗性を発揮する主要部分）を第１導体２
の側面に限定したもので、この構成にすることで（ｉ）
活性部の面積は第２導体の膜厚により主に規定されるた
め、面積のバラツキが少なくなり、ひいては特性バラツ
キが図１、３の素子よりも少なくなり、ＬＣＤに応用し
た場合、画像品質が向上する。一方、図１、３では素子
面積は第１導体、第２導体のパターン精度によって左右
されることになる。 （ｉｉ）図１、３に比較して素子面積が小さくできるの
でＬＣＤ駆動に有利である。 一般に素子部の電気容量Ｃ（ＭＩＭ）と画素部の電気容
量Ｃ（ＬＣ）との比はＣ（ＭＩＭ）／Ｃ（ＬＣ）≦１／
１０が必要条件である。図１、３では素子面積は第１導
体２と第２導体４のクロス部分であるため、それぞれの
線幅に規制されるが、現状技術で大面積エリアでの最小
線幅はたかだか５μｍ程度であるため素子面積を５×５
μｍ以下とすることは難しい。
面に設けた場合を説明するものである。ともに素子の活
性部（非線形抵抗性を発揮する主要部分）を第１導体２
の側面に限定したもので、この構成にすることで（ｉ）
活性部の面積は第２導体の膜厚により主に規定されるた
め、面積のバラツキが少なくなり、ひいては特性バラツ
キが図１、３の素子よりも少なくなり、ＬＣＤに応用し
た場合、画像品質が向上する。一方、図１、３では素子
面積は第１導体、第２導体のパターン精度によって左右
されることになる。 （ｉｉ）図１、３に比較して素子面積が小さくできるの
でＬＣＤ駆動に有利である。 一般に素子部の電気容量Ｃ（ＭＩＭ）と画素部の電気容
量Ｃ（ＬＣ）との比はＣ（ＭＩＭ）／Ｃ（ＬＣ）≦１／
１０が必要条件である。図１、３では素子面積は第１導
体２と第２導体４のクロス部分であるため、それぞれの
線幅に規制されるが、現状技術で大面積エリアでの最小
線幅はたかだか５μｍ程度であるため素子面積を５×５
μｍ以下とすることは難しい。
【００１０】図５は基本的には図４と同様の構成である
が、第１導体を積層構造として構造材料の性質上の差に
よるプラズマ酸化速度の差異を積極的に利用したもので
ある。すなわち、酸化速度の遅い材料（Ａｌ）をした下
層２ａに酸化速度の速い材料（Ｔａ）を上層２ｂに配置
し、同一バッチでプラズマ酸化し、Ａｌ側面には比較的
薄い（４００〜１５００Å程度の）絶縁層３ａがＴａ上
には厚い（２０００〜８０００Å程度の）絶縁層３ｂが
形成される。この上に画素電極となる第２導体４を堆積
、パターン化すると素子活性部は薄い絶縁層のあるＡｌ
側面に自己整合的に限定されることとなる。
が、第１導体を積層構造として構造材料の性質上の差に
よるプラズマ酸化速度の差異を積極的に利用したもので
ある。すなわち、酸化速度の遅い材料（Ａｌ）をした下
層２ａに酸化速度の速い材料（Ｔａ）を上層２ｂに配置
し、同一バッチでプラズマ酸化し、Ａｌ側面には比較的
薄い（４００〜１５００Å程度の）絶縁層３ａがＴａ上
には厚い（２０００〜８０００Å程度の）絶縁層３ｂが
形成される。この上に画素電極となる第２導体４を堆積
、パターン化すると素子活性部は薄い絶縁層のあるＡｌ
側面に自己整合的に限定されることとなる。
【００１１】
【効果】（１）請求項１に対応する効果絶縁層の形成さ
れる部分は、あらかじめパターン化された導体部に限定
されているため■絶縁層のエッチングプロセスが不要と
なり、製造工程が短縮されコストが低減し、かつ歩留が
向上する。■導体部全てが絶縁層で被覆されるため腐食
等を受けにくく、信頼性が向上する。 （２）請求項２に対応する効果 低温で作製が可能なため■ソーダガラス、高分子フィル
ム等の基板を使用できコストが低減できる。■また、高
分子フィルムを使う場合はガラス基板と比べて、軽くて
薄いＬＣＤが実現できる。 （３）請求項３に対応する効果 素子活性部を側面に容易に制限できるため■素子面積の
バラツキ、すなわち特性バラツキを低減でき画質が向上
する。■素子容量を小さくできるのでＬＣＤ駆動に有利
となり、また、大画面のＬＣＤが作製しやすくなる。
れる部分は、あらかじめパターン化された導体部に限定
されているため■絶縁層のエッチングプロセスが不要と
なり、製造工程が短縮されコストが低減し、かつ歩留が
向上する。■導体部全てが絶縁層で被覆されるため腐食
等を受けにくく、信頼性が向上する。 （２）請求項２に対応する効果 低温で作製が可能なため■ソーダガラス、高分子フィル
ム等の基板を使用できコストが低減できる。■また、高
分子フィルムを使う場合はガラス基板と比べて、軽くて
薄いＬＣＤが実現できる。 （３）請求項３に対応する効果 素子活性部を側面に容易に制限できるため■素子面積の
バラツキ、すなわち特性バラツキを低減でき画質が向上
する。■素子容量を小さくできるのでＬＣＤ駆動に有利
となり、また、大画面のＬＣＤが作製しやすくなる。
【図１】本発明の薄膜二端子素子の基本構造を示す断面
図である。
図である。
【図２】（ａ）は本発明で使用することのできるプラズ
マ改質装置であり、（ｂ）は正バイアスにより絶縁膜の
膜厚が一定の膜厚になったとき飽和状態となることを示
すグラフである。
マ改質装置であり、（ｂ）は正バイアスにより絶縁膜の
膜厚が一定の膜厚になったとき飽和状態となることを示
すグラフである。
【図３】本発明の薄膜二端子素子の一実施態用例を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の薄膜二端子素子の他の実施態用例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】本発明の薄膜二端子素子のもう１つの実施態用
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
１ 基板
２ 下部導体（バスラインともなる）２ａ Ａｌ下
部導体 ２ｂ Ｔａ下部導体 ３ 絶縁膜 ３ａ Ａｌ２Ｏ３絶縁膜 ３ｂ Ｔａ２Ｏ５絶縁膜 ４ 上部導体（画素電極ともなる） ６ チャンバー ７ 電極 ８ 電磁石 ９ 試料 １０ サセプター １１ ＤＣ電源 １２ 排気口 １３ ガス導入口
部導体 ２ｂ Ｔａ下部導体 ３ 絶縁膜 ３ａ Ａｌ２Ｏ３絶縁膜 ３ｂ Ｔａ２Ｏ５絶縁膜 ４ 上部導体（画素電極ともなる） ６ チャンバー ７ 電極 ８ 電磁石 ９ 試料 １０ サセプター １１ ＤＣ電源 １２ 排気口 １３ ガス導入口
Claims (3)
- 【請求項１】 上部導体および下部導体間に介在させ
た絶縁膜が、前記下部導体の表面層をプラズマ改質する
ことにより得られた絶縁体であることを特徴とする薄膜
二端子素子。 - 【請求項２】 前記薄膜二端子素子を基板上に形成し
てなる基板付薄膜二端子素子において、前記基板が絶縁
性高分子フィルムであることを特徴とする基板付薄膜二
端子素子。 - 【請求項３】 薄膜二端子素子の活性部が前記下部導
体の側面に設けられたことを特徴とする請求項１記載の
薄膜二端子素子または請求項２記載の基板付薄膜二端子
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3026926A JPH04251825A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 薄膜二端子素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3026926A JPH04251825A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 薄膜二端子素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04251825A true JPH04251825A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=12206787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3026926A Pending JPH04251825A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 薄膜二端子素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04251825A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010177676A (ja) * | 2010-03-08 | 2010-08-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP3026926A patent/JPH04251825A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010177676A (ja) * | 2010-03-08 | 2010-08-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
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