JPH04247641A - スクライビング方法 - Google Patents
スクライビング方法Info
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- JPH04247641A JPH04247641A JP3013085A JP1308591A JPH04247641A JP H04247641 A JPH04247641 A JP H04247641A JP 3013085 A JP3013085 A JP 3013085A JP 1308591 A JP1308591 A JP 1308591A JP H04247641 A JPH04247641 A JP H04247641A
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
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- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 23
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハをスクライブ
してチップに分割する際に生じるスクライビング方法に
係わり、固定テープに貼着されているチップをピックア
ップ針で個々に分離する前に、このシリコン破片を取り
去ってしまう方法に関する。
してチップに分割する際に生じるスクライビング方法に
係わり、固定テープに貼着されているチップをピックア
ップ針で個々に分離する前に、このシリコン破片を取り
去ってしまう方法に関する。
【0002】近年、半導体集積回路の集積度の増大は目
覚ましく、しかもこの集積回路を組み込んだ半導体装置
は、たった1つの半導体装置が1つのシステムとしての
機能を有するまでに発展している。そのため、半導体装
置の信頼性がますます重要になっている。
覚ましく、しかもこの集積回路を組み込んだ半導体装置
は、たった1つの半導体装置が1つのシステムとしての
機能を有するまでに発展している。そのため、半導体装
置の信頼性がますます重要になっている。
【0003】一般に、半導体装置はまず、ウェーハプロ
セスと呼ばれる前工程でシリコンウェーハの上に多数の
素子が形成され、次いで後工程で、このウェーハをチッ
プに分割して組立が行われ、検査工程を経て完成する。
セスと呼ばれる前工程でシリコンウェーハの上に多数の
素子が形成され、次いで後工程で、このウェーハをチッ
プに分割して組立が行われ、検査工程を経て完成する。
【0004】ところで、ウェーハをチップに分割するス
クライビングは、回転刃からなるブレードによって機械
的に切断する方法が多用されているが、切断の際、切断
面に欠けが起こってシリコンが生じるのをさけることが
できない。そして、このシリコンの破片を如何に取り除
くかは、半導体装置の信頼性を維持する上で重要な課題
となっている。
クライビングは、回転刃からなるブレードによって機械
的に切断する方法が多用されているが、切断の際、切断
面に欠けが起こってシリコンが生じるのをさけることが
できない。そして、このシリコンの破片を如何に取り除
くかは、半導体装置の信頼性を維持する上で重要な課題
となっている。
【0005】
【従来の技術】図3は従来のスクライビング方法の一例
の工程図である。図において、1は固定テープ、2はウ
ェーハ、3はブレード、4はチップ、6はシリコン破片
、9はピックアップ針である。
の工程図である。図において、1は固定テープ、2はウ
ェーハ、3はブレード、4はチップ、6はシリコン破片
、9はピックアップ針である。
【0006】図3(A)において、表面に素子が形成さ
れたウェーハ2は、固定テープ1に貼着された状態で、
回転駆動するブレード3によってスクライブされ、個々
のチップ4に分割される。
れたウェーハ2は、固定テープ1に貼着された状態で、
回転駆動するブレード3によってスクライブされ、個々
のチップ4に分割される。
【0007】固定テープ1はプラスチックのテープ基材
1aに接着材1bが被着された構成になっている。そし
て、スクライビングに際しては、ウェーハ2が完全に切
断されるいわゆるフルカットが行われるように、ブレー
ド3の刃先が接着材1bの層に20〜50μm切り込む
ようになっている。スクライブされた個々のチップ4は
、次の工程で図3(B)に示したようにテープ基材1a
の側からピックアップ針9を突き刺して固定テープ1か
ら剥離され、図示してないが、例えば真空チャックなど
に保持されてトレーに運ばれて次の組立工程に移る。こ
うして、スクライビングの工程が終わる。
1aに接着材1bが被着された構成になっている。そし
て、スクライビングに際しては、ウェーハ2が完全に切
断されるいわゆるフルカットが行われるように、ブレー
ド3の刃先が接着材1bの層に20〜50μm切り込む
ようになっている。スクライブされた個々のチップ4は
、次の工程で図3(B)に示したようにテープ基材1a
の側からピックアップ針9を突き刺して固定テープ1か
ら剥離され、図示してないが、例えば真空チャックなど
に保持されてトレーに運ばれて次の組立工程に移る。こ
うして、スクライビングの工程が終わる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ウェーハ2
をブレード3でスクライブしていくと、図3(A)に示
したように、ウェーハ2の背面の切断面の周縁部に欠け
が起こってシリコン破片6を生じる。そして、ピックア
ップ針9によってチップ4を固定テープ1から剥離する
際、図3(Bに示したようにこのシリコン破片6が飛び
散り、隣接するチップ4の上に乗って表面を傷つけてし
まうことが間々起こる。
をブレード3でスクライブしていくと、図3(A)に示
したように、ウェーハ2の背面の切断面の周縁部に欠け
が起こってシリコン破片6を生じる。そして、ピックア
ップ針9によってチップ4を固定テープ1から剥離する
際、図3(Bに示したようにこのシリコン破片6が飛び
散り、隣接するチップ4の上に乗って表面を傷つけてし
まうことが間々起こる。
【0009】また、チップ4の背面に金属膜などが被着
されている場合には、シリコン破片6がその膜によって
保持されており、組立を行う次の工程などで脱落して短
絡の原因となるといった問題があった。
されている場合には、シリコン破片6がその膜によって
保持されており、組立を行う次の工程などで脱落して短
絡の原因となるといった問題があった。
【0010】そこで本発明は、固定テープに貼着されて
いるチップをピックアップ針で個々に分離する前に、ス
クライビングによって生じたシリコン破片を除去する新
規なスクライビング方法を提供することを目的としてい
る。
いるチップをピックアップ針で個々に分離する前に、ス
クライビングによって生じたシリコン破片を除去する新
規なスクライビング方法を提供することを目的としてい
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】上で述べた課題は、背面
側を固定テープで貼着したを、表面側からブレードによ
って複数個のチップにスクライブし、次いで、前記チッ
プの表面に第一支持テープを貼着したあと、前記固定テ
ープを剥離してチップの背面を露出させ、次いで、前記
チップのそれぞれの背面の周縁部に生じたシリコン破片
を、除去手段によって除去し、次いで、前記チップの背
面に第二支持テープを貼着したあと、第一支持テープを
剥離してチップの表面を露出させるように構成されたス
クライビング方法によって解決される。
側を固定テープで貼着したを、表面側からブレードによ
って複数個のチップにスクライブし、次いで、前記チッ
プの表面に第一支持テープを貼着したあと、前記固定テ
ープを剥離してチップの背面を露出させ、次いで、前記
チップのそれぞれの背面の周縁部に生じたシリコン破片
を、除去手段によって除去し、次いで、前記チップの背
面に第二支持テープを貼着したあと、第一支持テープを
剥離してチップの表面を露出させるように構成されたス
クライビング方法によって解決される。
【0012】
【作用】背面に固定テープを貼着したウェーハを表面側
からフルカットし、ピックアップ針で個々のチップに分
離する際、スクライビングによって生じたシリコン破片
が飛び散って障害の原因となるのに対して、本発明にお
いては、このシリコン破片が飛び散らないようにしてい
る。
からフルカットし、ピックアップ針で個々のチップに分
離する際、スクライビングによって生じたシリコン破片
が飛び散って障害の原因となるのに対して、本発明にお
いては、このシリコン破片が飛び散らないようにしてい
る。
【0013】すなわち、スクライビングしたあと、チッ
プの表面に第一支持テープを貼着してから、固定テープ
を剥離してチップの背面を露出させるようにしている。 次いで、この露出したチップの背面の周縁部に生じたシ
リコン破片を除去手段によって除去するようにしている
。次いで、チップの背面に第二支持テープを貼着してか
ら、第一支持テープを剥離するようにしている。
プの表面に第一支持テープを貼着してから、固定テープ
を剥離してチップの背面を露出させるようにしている。 次いで、この露出したチップの背面の周縁部に生じたシ
リコン破片を除去手段によって除去するようにしている
。次いで、チップの背面に第二支持テープを貼着してか
ら、第一支持テープを剥離するようにしている。
【0014】こうすると、シリコン破片を完全に除去す
ることができるので、そのあとピックアップ針などによ
って個々のチップに分離すれば、シリコン破片に起因し
た障害を皆無にすることが可能となる。
ることができるので、そのあとピックアップ針などによ
って個々のチップに分離すれば、シリコン破片に起因し
た障害を皆無にすることが可能となる。
【0015】
【実施例】図1は本発明の一実施例の工程図、図2は本
発明の他の実施例の要部の説明図である。図において、
1は固定テープ、2はウェーハ、3はブレード、4はチ
ップ、5は第一支持テープ、6はシリコン破片、7は除
去手段、7aは高圧水ジェット、7bはブラッシ、8は
第二支持テープである。
発明の他の実施例の要部の説明図である。図において、
1は固定テープ、2はウェーハ、3はブレード、4はチ
ップ、5は第一支持テープ、6はシリコン破片、7は除
去手段、7aは高圧水ジェット、7bはブラッシ、8は
第二支持テープである。
【0016】実施例:1
まず、図1(A)において、ウェーハ2の背面にばらば
らにならないように固定テープ1を貼着して、表面側か
らブレード3によってスクライブし、ウェーハ2を複数
個のチップ4に分割する。
らにならないように固定テープ1を貼着して、表面側か
らブレード3によってスクライブし、ウェーハ2を複数
個のチップ4に分割する。
【0017】次いで、図1(B)おいて、チップ4の表
面に第一支持テープ5を貼着する。この第一支持テープ
5は接着材に紫外線硬化型の樹脂を用いているので、透
明な基材側から紫外線を照射して硬化させ、個々のチッ
プ4を固定する。そして、固定テープ1を剥離してチッ
プ4の背面を露出させる。露出したチップ4の切断面の
周縁部には、スクライビングの際に生じたシリコン破片
6が付着している。
面に第一支持テープ5を貼着する。この第一支持テープ
5は接着材に紫外線硬化型の樹脂を用いているので、透
明な基材側から紫外線を照射して硬化させ、個々のチッ
プ4を固定する。そして、固定テープ1を剥離してチッ
プ4の背面を露出させる。露出したチップ4の切断面の
周縁部には、スクライビングの際に生じたシリコン破片
6が付着している。
【0018】次いで、図1(C)において、チップ4の
背面側に除去手段7を施してシリコン破片6の除去を行
う。こゝでは、例えば 100kg/cm2 に加圧さ
れて噴出する高圧水ジェット7aによってシリコン破片
6を吹き飛ばす。そして、図示してないターンテーブル
に乗せてチップ4を回転させしたり、高圧水ジェット7
aが噴出するノズルを振ったりして、高圧水ジェット7
aがチップ4の全面を舐めるようにする。
背面側に除去手段7を施してシリコン破片6の除去を行
う。こゝでは、例えば 100kg/cm2 に加圧さ
れて噴出する高圧水ジェット7aによってシリコン破片
6を吹き飛ばす。そして、図示してないターンテーブル
に乗せてチップ4を回転させしたり、高圧水ジェット7
aが噴出するノズルを振ったりして、高圧水ジェット7
aがチップ4の全面を舐めるようにする。
【0019】次いで、図1(D)において、チップ4の
背面に第二支持テープ8を貼着する。この第二支持テー
プ8も接着材に紫外線硬化型の樹脂を用いているので、
透明な基材側から紫外線を照射して硬化する。そして、
チップ4の背面を支持したら、第一支持テープ5を剥離
してチップ4の表面を露出させる。
背面に第二支持テープ8を貼着する。この第二支持テー
プ8も接着材に紫外線硬化型の樹脂を用いているので、
透明な基材側から紫外線を照射して硬化する。そして、
チップ4の背面を支持したら、第一支持テープ5を剥離
してチップ4の表面を露出させる。
【0020】こうして、スクライビングの際に生じるシ
リコン破片6をチップ4から完全に取り除くことができ
る。このあとは、図示してないがピックアップ針によっ
てチップ4を第二支持テープ8から分離して、次の組立
工程に移る。
リコン破片6をチップ4から完全に取り除くことができ
る。このあとは、図示してないがピックアップ針によっ
てチップ4を第二支持テープ8から分離して、次の組立
工程に移る。
【0021】実施例:2
図2において、第一支持テープ5に支持されているチッ
プ4の切断面の周縁部のシリコン破片6を取り除く除去
手段7に、円筒状のブラッシ7bを用いる。このブラッ
シ7bは、筒の中から水が噴出するようになっており、
図示してないターンテーブルに乗せてチップ4を動かし
たり、ブラッシ7bを回転させたりして、ブラッシ7b
がチップ4の前面を舐めるようにする。
プ4の切断面の周縁部のシリコン破片6を取り除く除去
手段7に、円筒状のブラッシ7bを用いる。このブラッ
シ7bは、筒の中から水が噴出するようになっており、
図示してないターンテーブルに乗せてチップ4を動かし
たり、ブラッシ7bを回転させたりして、ブラッシ7b
がチップ4の前面を舐めるようにする。
【0022】こゝでは、低温度で短時間に接着できるよ
うに、第一支持テープ5や第二支持テープ8に紫外線硬
化型の接着テープを用いたが、これに限ることはなく種
々の変形が可能である。また、除去手段7にはブラッシ
7bの他にスポンジなどを用いてもよく、チップ4を傷
つけないようにすればシードブラストなどを用いること
もでき、種々の変形が可能である。
うに、第一支持テープ5や第二支持テープ8に紫外線硬
化型の接着テープを用いたが、これに限ることはなく種
々の変形が可能である。また、除去手段7にはブラッシ
7bの他にスポンジなどを用いてもよく、チップ4を傷
つけないようにすればシードブラストなどを用いること
もでき、種々の変形が可能である。
【0023】
【発明の効果】ウェーハをチップに分割する際、従来か
ら回転式のブレードを用いてスクライブすることがよく
行われているが、切断面に欠けが起こってシリコン破片
が生じることが避け難い。しかし、本発明によれば、こ
のシリコン破片を完全に取り除いたあと、従来どうりの
方法でチップを個々に分離して組立工程に移ることがで
きる。
ら回転式のブレードを用いてスクライブすることがよく
行われているが、切断面に欠けが起こってシリコン破片
が生じることが避け難い。しかし、本発明によれば、こ
のシリコン破片を完全に取り除いたあと、従来どうりの
方法でチップを個々に分離して組立工程に移ることがで
きる。
【0024】従って、シリコン破片に起因して生じる障
害を防ぐことが可能となり、本発明はスクライビング工
程の歩留り向上に対して、寄与するところが大である。
害を防ぐことが可能となり、本発明はスクライビング工
程の歩留り向上に対して、寄与するところが大である。
【図1】 本発明の一実施例の工程図である。
【図2】 本発明の他の実施例の要部の説明図である
。
。
【図3】 従来のスクライビング方法の一例の工程図
である。
である。
1 固定テープ 2 ウェーハ
3 ブレード 4 チップ 5 第一
支持テープ 6 シリコン破片 7 除去手段 7a 高圧
水ジェット 7b ブラッシ 8 第二支持テープ
3 ブレード 4 チップ 5 第一
支持テープ 6 シリコン破片 7 除去手段 7a 高圧
水ジェット 7b ブラッシ 8 第二支持テープ
Claims (4)
- 【請求項1】 背面側を固定テープ(1) で貼着し
たウェーハ(2) を、表面側からブレード(3) に
よって複数個のチップ(4) にスクライブし、次いで
、前記チップ(4) の表面に第一支持テープ(5)
を貼着したあと、前記固定テープ(1) を剥離して前
記チップ(4) の背面を露出させ、次いで、前記チッ
プ(4) のそれぞれの背面の周縁部に生じたシリコン
破片(6) を、除去手段(7) によって除去し、次
いで、前記チップ(4) の背面に第二支持テープ(8
) を貼着したあと、前記第一支持テープ(5) を剥
離して前記チップ(4) の表面を露出させることを特
徴とするスクライビング方法。 - 【請求項2】 前記除去手段(7) が、噴射する高
圧水ジェット(7a)である請求項1記載のスクライビ
ング方法。 - 【請求項3】 前記除去手段(7) が、スクラブす
るブラッシ(7b)である請求項1記載のスクライビン
グ方法。 - 【請求項4】 前記第一支持テープ(5) と第二支
持テープ(8) が、紫外線硬化型の粘着材を有するも
のである請求項1記載のスクライビング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3013085A JPH04247641A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | スクライビング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3013085A JPH04247641A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | スクライビング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04247641A true JPH04247641A (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=11823333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3013085A Withdrawn JPH04247641A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | スクライビング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04247641A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100817049B1 (ko) * | 2005-08-09 | 2008-03-26 | 삼성전자주식회사 | 패키징을 위한 웨이퍼 칩의 제조 방법 |
-
1991
- 1991-02-04 JP JP3013085A patent/JPH04247641A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100817049B1 (ko) * | 2005-08-09 | 2008-03-26 | 삼성전자주식회사 | 패키징을 위한 웨이퍼 칩의 제조 방법 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |