JPH04244732A - サージ吸収回路及びこの回路からなるサージ吸収器 - Google Patents
サージ吸収回路及びこの回路からなるサージ吸収器Info
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- JPH04244732A JPH04244732A JP3028066A JP2806691A JPH04244732A JP H04244732 A JPH04244732 A JP H04244732A JP 3028066 A JP3028066 A JP 3028066A JP 2806691 A JP2806691 A JP 2806691A JP H04244732 A JPH04244732 A JP H04244732A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
-
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- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
- H02H9/042—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage comprising means to limit the absorbed power or indicate damaged over-voltage protection device
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Thermally Actuated Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電話機、ファクシミリ、
電話交換機、モデム等の通信機器用の電子部品に適する
サージ吸収回路及びこの回路からなるサージ吸収器に関
する。更に詳しくは電子部品に印加されるサージ電圧の
吸収機能に加えて、継続的な過電圧又は過電流の電子部
品への侵入防止機能を有するサージ吸収回路及びこの回
路からなるサージ吸収器に関するものである。本明細書
で、過電圧又は過電流とは、サージ吸収素子の放電開始
電圧を上回る異常電圧とこれに伴う異常電流をいう。
電話交換機、モデム等の通信機器用の電子部品に適する
サージ吸収回路及びこの回路からなるサージ吸収器に関
する。更に詳しくは電子部品に印加されるサージ電圧の
吸収機能に加えて、継続的な過電圧又は過電流の電子部
品への侵入防止機能を有するサージ吸収回路及びこの回
路からなるサージ吸収器に関するものである。本明細書
で、過電圧又は過電流とは、サージ吸収素子の放電開始
電圧を上回る異常電圧とこれに伴う異常電流をいう。
【０００２】
【従来の技術】この種のサージ吸収素子は電子部品の一
対の入力線路にこの電子部品に並列に接続され、電子部
品の使用電圧より高い電圧で動作するように構成される
。即ち、サージ吸収素子はその放電開始電圧より低い電
圧では抵抗値の高い抵抗体であるが、印加電圧がその放
電開始電圧以上のときには数１０Ω以下の抵抗値の低い
抵抗体になる。電子部品に雷サージ等のサージ電圧が瞬
間的に印加されると、サージ吸収素子が放電し、サージ
電圧を吸収して電子部品が保護されるようになっている
。このため、電子部品を含む回路に過電圧又は過電流が
不慮の事故等により継続して加わると、サージ吸収素子
には電流が流れ続ける。この結果、サージ吸収素子が発
熱し周辺の電子機器の発火の原因となる。通常、このよ
うな過電圧又は過電流が回路に継続して侵入することは
考えられないが、不慮の事故を想定して最大限の安全対
策を施していく考えが広まってきている。例えば、米国
のＵＬ（Ｕｎｄｅｒｗｒｉｔｅｒ’ｓ Ｌａｂｏｒａｔ
ｏｒｉｅｓ Ｉｎｃ．）では、このような継続的な過電
圧又は過電流の侵入時にサージ吸収器が通信機器に火災
や電撃の危険を与えてはならないように、サージ吸収器
に対して所定の安全規格を制定している。
対の入力線路にこの電子部品に並列に接続され、電子部
品の使用電圧より高い電圧で動作するように構成される
。即ち、サージ吸収素子はその放電開始電圧より低い電
圧では抵抗値の高い抵抗体であるが、印加電圧がその放
電開始電圧以上のときには数１０Ω以下の抵抗値の低い
抵抗体になる。電子部品に雷サージ等のサージ電圧が瞬
間的に印加されると、サージ吸収素子が放電し、サージ
電圧を吸収して電子部品が保護されるようになっている
。このため、電子部品を含む回路に過電圧又は過電流が
不慮の事故等により継続して加わると、サージ吸収素子
には電流が流れ続ける。この結果、サージ吸収素子が発
熱し周辺の電子機器の発火の原因となる。通常、このよ
うな過電圧又は過電流が回路に継続して侵入することは
考えられないが、不慮の事故を想定して最大限の安全対
策を施していく考えが広まってきている。例えば、米国
のＵＬ（Ｕｎｄｅｒｗｒｉｔｅｒ’ｓ Ｌａｂｏｒａｔ
ｏｒｉｅｓ Ｉｎｃ．）では、このような継続的な過電
圧又は過電流の侵入時にサージ吸収器が通信機器に火災
や電撃の危険を与えてはならないように、サージ吸収器
に対して所定の安全規格を制定している。
【０００３】従来、こうした安全規格に適合し、継続的
な過電圧又は過電流に起因した電子機器の発火を防止し
得るサージ吸収器として、ヒューズや低融点金属部材を
サージ吸収素子の表面に密着させ、このヒューズや低融
点金属部材をサージ吸収素子に直列に接続したものが開
示されている（特開昭６３−１１０２２、特開昭６３−
１８９２３）。
な過電圧又は過電流に起因した電子機器の発火を防止し
得るサージ吸収器として、ヒューズや低融点金属部材を
サージ吸収素子の表面に密着させ、このヒューズや低融
点金属部材をサージ吸収素子に直列に接続したものが開
示されている（特開昭６３−１１０２２、特開昭６３−
１８９２３）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ヒューズや低
融点金属部材をサージ吸収素子に直列に接続したサージ
吸収器は、過電圧又は過電流の侵入によりヒューズや低
融点金属部材が溶断すると、サージ吸収回路はオープン
状態になるため、サージ吸収器を新品と交換しなければ
ならない煩わしさがあった。特にサージ吸収素子をヒュ
ーズ等とともにケーシングで被包した場合に、目視によ
ってはヒューズ等の溶断状況が判りにくい不具合もあっ
た。
融点金属部材をサージ吸収素子に直列に接続したサージ
吸収器は、過電圧又は過電流の侵入によりヒューズや低
融点金属部材が溶断すると、サージ吸収回路はオープン
状態になるため、サージ吸収器を新品と交換しなければ
ならない煩わしさがあった。特にサージ吸収素子をヒュ
ーズ等とともにケーシングで被包した場合に、目視によ
ってはヒューズ等の溶断状況が判りにくい不具合もあっ
た。
【０００５】本発明の目的は、雷サージのような瞬間的
なサージ電圧を吸収することに加えて、継続的な過電圧
又は過電流の侵入があった場合にはサージ吸収素子の異
常発熱のみならず、電子部品の熱的損傷、発火等を防止
することができ、しかも継続的な過電圧又は過電流の侵
入が止むと自動的に復元し得るサージ吸収回路及びこの
回路からなるサージ吸収器を提供することにある。
なサージ電圧を吸収することに加えて、継続的な過電圧
又は過電流の侵入があった場合にはサージ吸収素子の異
常発熱のみならず、電子部品の熱的損傷、発火等を防止
することができ、しかも継続的な過電圧又は過電流の侵
入が止むと自動的に復元し得るサージ吸収回路及びこの
回路からなるサージ吸収器を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のサージ吸収回路
は、図１に示すように電子部品１０の一対の入力線路１
１，１２に電子部品１０に並列にサージ吸収素子１４が
接続され、このサージ吸収素子１４の入力側の入力線路
の一方１１に加熱により開き冷却により閉じる熱応動ス
イッチ２１が介装接続されたことを特徴とする。また図
１及び図２に示すように、本発明のサージ吸収器１３は
電子部品１０の一対の入力線路１１，１２にこの電子部
品１０に並列にサージ吸収素子１４が接続される。この
サージ吸収器１３の特徴ある構成は、サージ吸収素子１
４の入力側の入力線路の一方１１に接続される第１リー
ド１７と電子部品１０の入力側に接続される第２リード
１８と入力線路の他方１２に接続される第３リード１９
とが基材１６に配設され、第１リード１７と前記第２リ
ード１８の間に加熱により開き冷却により閉じる熱応動
スイッチ２１が介装接続され、更に第２リード１８と熱
応動スイッチ２１の接続点と第３リード１９の間にサー
ジ吸収素子１４が介装接続されたことにある。
は、図１に示すように電子部品１０の一対の入力線路１
１，１２に電子部品１０に並列にサージ吸収素子１４が
接続され、このサージ吸収素子１４の入力側の入力線路
の一方１１に加熱により開き冷却により閉じる熱応動ス
イッチ２１が介装接続されたことを特徴とする。また図
１及び図２に示すように、本発明のサージ吸収器１３は
電子部品１０の一対の入力線路１１，１２にこの電子部
品１０に並列にサージ吸収素子１４が接続される。この
サージ吸収器１３の特徴ある構成は、サージ吸収素子１
４の入力側の入力線路の一方１１に接続される第１リー
ド１７と電子部品１０の入力側に接続される第２リード
１８と入力線路の他方１２に接続される第３リード１９
とが基材１６に配設され、第１リード１７と前記第２リ
ード１８の間に加熱により開き冷却により閉じる熱応動
スイッチ２１が介装接続され、更に第２リード１８と熱
応動スイッチ２１の接続点と第３リード１９の間にサー
ジ吸収素子１４が介装接続されたことにある。
【０００７】熱応動スイッチは、導電性材料のバイメタ
ル、形状記憶合金等の熱変形により切換わる常閉のスイ
ッチである。電子部品の最高使用温度は通常８５℃であ
るため、熱応動スイッチは作動開始温度が８０℃〜１２
０℃の範囲のものが好ましい。このため、バイメタルス
イッチは熱変形の開始温度が８０〜１００℃の黄銅−ニ
ッケル鋼又は１００〜１５０℃のマンガン−インバー、
黄銅−インバー等の熱膨張率の異なる２種の金属片の接
合体からなるものが好ましい。また形状記憶合金スイッ
チは変態点が９０℃まで調整可能なニッケル−チタン合
金、１００℃まで調整可能な銅−亜鉛−アルミニウム合
金からなるものが好ましい。熱応動スイッチをサージ吸
収素子の近傍に配置すると、継続的な過電圧又は過電流
の侵入時に熱応動スイッチ自体の発熱に加えてサージ吸
収素子の発熱が熱応動スイッチに及んで、速やかに熱応
動スイッチが開放されるため好ましい。更に熱応動スイ
ッチをサージ吸収素子の近傍に配置した状態でこれらを
ケーシングで被包すれば、発熱体のサージ吸収器周辺へ
の熱放散が減少し、より迅速に熱応動スイッチが開放さ
れるため好ましい。
ル、形状記憶合金等の熱変形により切換わる常閉のスイ
ッチである。電子部品の最高使用温度は通常８５℃であ
るため、熱応動スイッチは作動開始温度が８０℃〜１２
０℃の範囲のものが好ましい。このため、バイメタルス
イッチは熱変形の開始温度が８０〜１００℃の黄銅−ニ
ッケル鋼又は１００〜１５０℃のマンガン−インバー、
黄銅−インバー等の熱膨張率の異なる２種の金属片の接
合体からなるものが好ましい。また形状記憶合金スイッ
チは変態点が９０℃まで調整可能なニッケル−チタン合
金、１００℃まで調整可能な銅−亜鉛−アルミニウム合
金からなるものが好ましい。熱応動スイッチをサージ吸
収素子の近傍に配置すると、継続的な過電圧又は過電流
の侵入時に熱応動スイッチ自体の発熱に加えてサージ吸
収素子の発熱が熱応動スイッチに及んで、速やかに熱応
動スイッチが開放されるため好ましい。更に熱応動スイ
ッチをサージ吸収素子の近傍に配置した状態でこれらを
ケーシングで被包すれば、発熱体のサージ吸収器周辺へ
の熱放散が減少し、より迅速に熱応動スイッチが開放さ
れるため好ましい。
【０００８】サージ吸収素子としては、酸化亜鉛バリス
タ、炭化けい素バリスタ、ツェナダイオード等の半導体
型サージ吸収素子、コンデンサと抵抗を組合せたＣＲフ
ィルタ、コンデンサとコイルを組合せたＣＬフィルタ等
のフィルタ型サージ吸収素子、エアギャップ式放電管、
マイクロギャップ式放電管等のギャップ型サージ吸収素
子が挙げられる。
タ、炭化けい素バリスタ、ツェナダイオード等の半導体
型サージ吸収素子、コンデンサと抵抗を組合せたＣＲフ
ィルタ、コンデンサとコイルを組合せたＣＬフィルタ等
のフィルタ型サージ吸収素子、エアギャップ式放電管、
マイクロギャップ式放電管等のギャップ型サージ吸収素
子が挙げられる。
【０００９】
【作用】電子部品１０の一対の入力線路１１，１２に継
続して過電圧又は過電流が侵入すると、熱応動スイッチ
自体が抵抗体であるため発熱し、同時にサージ吸収素子
１４も発熱する。熱応動スイッチ自体の発熱により、或
いはこの発熱にサージ吸収素子１４の輻射熱が加わるこ
とにより熱応動スイッチ２１が一定の温度まで上昇する
と、熱応動スイッチ２１が開き、電子部品１０及びサー
ジ吸収素子１４に過電圧又は過電流は侵入しなくなる。 過電圧又は過電流の遮断により、熱応動スイッチ２１が
一定の温度を下回れば、再び熱応動スイッチ２１が閉じ
てサージ吸収器１３は自動的に復元し、電子部品１０は
入力線路１１，１２に接続された状態になる。
続して過電圧又は過電流が侵入すると、熱応動スイッチ
自体が抵抗体であるため発熱し、同時にサージ吸収素子
１４も発熱する。熱応動スイッチ自体の発熱により、或
いはこの発熱にサージ吸収素子１４の輻射熱が加わるこ
とにより熱応動スイッチ２１が一定の温度まで上昇する
と、熱応動スイッチ２１が開き、電子部品１０及びサー
ジ吸収素子１４に過電圧又は過電流は侵入しなくなる。 過電圧又は過電流の遮断により、熱応動スイッチ２１が
一定の温度を下回れば、再び熱応動スイッチ２１が閉じ
てサージ吸収器１３は自動的に復元し、電子部品１０は
入力線路１１，１２に接続された状態になる。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例と比較例を図面に基づい
て詳しく説明する。 ＜実施例＞図１〜図３に示すように、通信機器の電子部
品１０の一対の入力線路１１，１２には電子部品１０に
並列にサージ吸収器１３のサージ吸収素子１４が接続さ
れる。サージ吸収器１３の絶縁性基材１６には３本のピ
ン状のリード１７、１８及び１９が間隔をあけて貫通し
て設けられる。リード１７〜１９は導電性材料からなり
、この例では鉄ニッケル合金からなる。リード１７はサ
ージ吸収素子１４の入力側の入力線路１１に、リード１
８は電子部品１０の入力側に、リード１９は入力線路１
２にそれぞれ接続される。リード１７とリード１８の間
には熱応動スイッチ２１が介装接続され、リード１８と
スイッチ２１の接続点Ａとリード１９の間にはサージ吸
収素子１４が介装接続される。
て詳しく説明する。 ＜実施例＞図１〜図３に示すように、通信機器の電子部
品１０の一対の入力線路１１，１２には電子部品１０に
並列にサージ吸収器１３のサージ吸収素子１４が接続さ
れる。サージ吸収器１３の絶縁性基材１６には３本のピ
ン状のリード１７、１８及び１９が間隔をあけて貫通し
て設けられる。リード１７〜１９は導電性材料からなり
、この例では鉄ニッケル合金からなる。リード１７はサ
ージ吸収素子１４の入力側の入力線路１１に、リード１
８は電子部品１０の入力側に、リード１９は入力線路１
２にそれぞれ接続される。リード１７とリード１８の間
には熱応動スイッチ２１が介装接続され、リード１８と
スイッチ２１の接続点Ａとリード１９の間にはサージ吸
収素子１４が介装接続される。
【００１１】この例ではサージ吸収素子１４は放電開始
電圧が３００Ｖのマイクロギャップ式放電管である。こ
の素子１４は導電性皮膜で被包した円柱状のセラミック
ス素体の周方向に数１０μｍのマイクロギャップを形成
させ、このセラミックス素体の両端にキャップ電極を設
け、キャップ電極にリード線を接続した後、不活性ガス
とともにガラス管に封入して作られる。この素子１４の
リード線１４ａはリード１８に、リード線１４ｂはリー
ド１９にそれぞれ溶接により接続される。
電圧が３００Ｖのマイクロギャップ式放電管である。こ
の素子１４は導電性皮膜で被包した円柱状のセラミック
ス素体の周方向に数１０μｍのマイクロギャップを形成
させ、このセラミックス素体の両端にキャップ電極を設
け、キャップ電極にリード線を接続した後、不活性ガス
とともにガラス管に封入して作られる。この素子１４の
リード線１４ａはリード１８に、リード線１４ｂはリー
ド１９にそれぞれ溶接により接続される。
【００１２】この例では熱応動スイッチ２１は加熱によ
り開き冷却により閉じる常閉のバイメタルスイッチであ
る。スイッチ２１の固定接点片２２はリード１７に、そ
のバイメタル片２３はリード１８にそれぞれ溶接により
接続される。バイメタル片２３はこの例では熱膨張率の
異なるマンガンとインバーの２種の金属片の接合体から
なる。バイメタル片２３は温度により可逆的に熱変形す
る。このバイメタル片２３は１００℃以下ではその先端
が溶接により設けられた接点２３ａを介して固定接点片
２２に突き当って接触し、１００℃を越えると熱変形し
て固定接点片２２から離脱する特性を有する。スイッチ
２１はサージ吸収素子１４の近傍に配置される。スイッ
チ２１とサージ吸収素子１４はケーシング２４により被
包され、ケーシング２４は基材１６に取付けられる。
り開き冷却により閉じる常閉のバイメタルスイッチであ
る。スイッチ２１の固定接点片２２はリード１７に、そ
のバイメタル片２３はリード１８にそれぞれ溶接により
接続される。バイメタル片２３はこの例では熱膨張率の
異なるマンガンとインバーの２種の金属片の接合体から
なる。バイメタル片２３は温度により可逆的に熱変形す
る。このバイメタル片２３は１００℃以下ではその先端
が溶接により設けられた接点２３ａを介して固定接点片
２２に突き当って接触し、１００℃を越えると熱変形し
て固定接点片２２から離脱する特性を有する。スイッチ
２１はサージ吸収素子１４の近傍に配置される。スイッ
チ２１とサージ吸収素子１４はケーシング２４により被
包され、ケーシング２４は基材１６に取付けられる。
【００１３】＜比較例＞図４は比較例のサージ吸収器２
５を示す。図３と同一符号は同一構成部品を意味する。 リード１７にはばね弾性を有する金属線２６の基端が溶
接により接続される。サージ吸収素子１４のリード線１
４ｂの付け根には融点が９１０℃のりん青銅からなる金
属細線２７の一端がはんだ２８により接続される。金属
線２６はサージ吸収素子１４側に撓んだ状態でその先端
が金属細線２７の他端に溶接により接続される。
５を示す。図３と同一符号は同一構成部品を意味する。 リード１７にはばね弾性を有する金属線２６の基端が溶
接により接続される。サージ吸収素子１４のリード線１
４ｂの付け根には融点が９１０℃のりん青銅からなる金
属細線２７の一端がはんだ２８により接続される。金属
線２６はサージ吸収素子１４側に撓んだ状態でその先端
が金属細線２７の他端に溶接により接続される。
【００１４】＜過電圧過電流試験とその結果＞実施例の
サージ吸収器１３と比較例のサージ吸収器２５について
過電圧過電流試験を行った。これらのサージ吸収器１３
及び２５をそれぞれ図１に示すように入力線路１１，１
２及び電子部品１０に接続した。この試験回路の入力線
路１１及び１２にＡＣ６００Ｖで４０Ａの電流を１．５
秒間流す試験（ａ）と、ＡＣ６００Ｖで２．２Ａの電流
を３０分間流す試験（ｂ）をそれぞれ行った。
サージ吸収器１３と比較例のサージ吸収器２５について
過電圧過電流試験を行った。これらのサージ吸収器１３
及び２５をそれぞれ図１に示すように入力線路１１，１
２及び電子部品１０に接続した。この試験回路の入力線
路１１及び１２にＡＣ６００Ｖで４０Ａの電流を１．５
秒間流す試験（ａ）と、ＡＣ６００Ｖで２．２Ａの電流
を３０分間流す試験（ｂ）をそれぞれ行った。
【００１５】試験（ａ）で過電圧で比較的大きな電流を
流したところ、比較例のサージ吸収器２５の金属細線２
７が過電流による発熱のため３０ミリ秒で溶断した。印
加後サージ吸収器２５はサージ吸収機能を喪失し電子部
品１０は入力線路１１と遮断された。これに対して実施
例のサージ吸収器１３は過電流によるバイメタル片自体
の発熱とサージ吸収素子１４の輻射熱のためバイメタル
片２３が速やかに熱変形して固定接点片２２から僅か４
ミリ秒で離れた。このサージ吸収器１３のスイッチ２１
は過電圧を印加している間は開いたままであった。印加
後バイメタル片が復帰してサージ吸収器１３は復元し電
子部品１０は入力線路１１，１２に接続された状態にな
った。
流したところ、比較例のサージ吸収器２５の金属細線２
７が過電流による発熱のため３０ミリ秒で溶断した。印
加後サージ吸収器２５はサージ吸収機能を喪失し電子部
品１０は入力線路１１と遮断された。これに対して実施
例のサージ吸収器１３は過電流によるバイメタル片自体
の発熱とサージ吸収素子１４の輻射熱のためバイメタル
片２３が速やかに熱変形して固定接点片２２から僅か４
ミリ秒で離れた。このサージ吸収器１３のスイッチ２１
は過電圧を印加している間は開いたままであった。印加
後バイメタル片が復帰してサージ吸収器１３は復元し電
子部品１０は入力線路１１，１２に接続された状態にな
った。
【００１６】試験（ｂ）で過電圧で比較的小さな電流を
流したところ、比較例のサージ吸収器２５のはんだ２８
が溶融し金属線２６の復元弾性力により金属細線２７が
リード線１４ｂから１．５秒で離れた。印加後サージ吸
収器２５はサージ吸収機能を喪失し電子部品１０は入力
線路１１と遮断された。これに対して実施例のサージ吸
収器１３は過電圧印加中、スイッチ２１が平均数ミリ秒
オン状態と平均２〜５秒間オフ状態を繰返した。上記試
験のいずれの場合においても、比較例のサージ吸収器２
５にのみ熱的破壊現象が見られたが、実施例のサージ吸
収器１３及び電子部品１０には熱的損傷、発火等の異常
は見られなかった。
流したところ、比較例のサージ吸収器２５のはんだ２８
が溶融し金属線２６の復元弾性力により金属細線２７が
リード線１４ｂから１．５秒で離れた。印加後サージ吸
収器２５はサージ吸収機能を喪失し電子部品１０は入力
線路１１と遮断された。これに対して実施例のサージ吸
収器１３は過電圧印加中、スイッチ２１が平均数ミリ秒
オン状態と平均２〜５秒間オフ状態を繰返した。上記試
験のいずれの場合においても、比較例のサージ吸収器２
５にのみ熱的破壊現象が見られたが、実施例のサージ吸
収器１３及び電子部品１０には熱的損傷、発火等の異常
は見られなかった。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、従来のサージ吸収器
が金属の溶融によりオープン状態になるのに対して、本
発明のサージ吸収器は熱応動スイッチの熱変形によりオ
ープン状態になるため、本発明のサージ吸収器は過電圧
又は過電流に対する応答が速やかで、回路を迅速に遮断
でき、これにより電子部品を確実に保護することができ
る。また、過電圧又は過電流が解消され通常状態に戻れ
ば、本発明のサージ吸収器は自己復帰して、従来のよう
に新品のものと交換しなくても、サージ吸収機能及び過
電圧又は過電流の保護機能を保持し続ける。この結果、
サージ吸収器の寿命が高まって、その交換作業を著しく
減少させることができる。
が金属の溶融によりオープン状態になるのに対して、本
発明のサージ吸収器は熱応動スイッチの熱変形によりオ
ープン状態になるため、本発明のサージ吸収器は過電圧
又は過電流に対する応答が速やかで、回路を迅速に遮断
でき、これにより電子部品を確実に保護することができ
る。また、過電圧又は過電流が解消され通常状態に戻れ
ば、本発明のサージ吸収器は自己復帰して、従来のよう
に新品のものと交換しなくても、サージ吸収機能及び過
電圧又は過電流の保護機能を保持し続ける。この結果、
サージ吸収器の寿命が高まって、その交換作業を著しく
減少させることができる。
【図１】本発明実施例のサージ吸収回路の構成図。
【図２】本発明実施例のサージ吸収器の外観斜視図。
【図３】図２の正面図。
【図４】比較例のサージ吸収器の正面図。
１０ 電子部品
１１，１２ 一対の入力線路
１３，２５ サージ吸収器
１４ サージ吸収素子
１６ 基材
１７，１８，１９ リード
２１ 熱応動スイッチ
２４ ケーシング
Claims (6)
- 【請求項１】 電子部品（１０）の一対の入力線路（
１１，１２）に前記電子部品（１０）に並列にサージ吸
収素子（１４）が接続されたサージ吸収回路において、
前記サージ吸収素子（１４）の入力側の前記入力線路の
一方（１１）に加熱により開き冷却により閉じる熱応動
スイッチ（２１）が介装接続されたことを特徴とするサ
ージ吸収回路。 - 【請求項２】 電子部品（１０）の一対の入力線路（
１１，１２）に前記電子部品（１０）に並列にサージ吸
収素子（１４）が接続されるサージ吸収器において、前
記サージ吸収素子（１４）の入力側の前記入力線路の一
方（１１）に接続される第１リード（１７）と前記電子
部品（１０）の入力側に接続される第２リード（１８）
と前記入力線路の他方（１２）に接続される第３リード
（１９）とが基材（１６）に配設され、前記第１リード
（１７）と前記第２リード（１８）の間に加熱により開
き冷却により閉じる熱応動スイッチ（２１）が介装接続
され、前記第２リード（１８）と前記熱応動スイッチ（
２１）の接続点と前記第３リード（１９）の間に前記サ
ージ吸収素子（１４）が介装接続されたことを特徴とす
るサージ吸収器。 - 【請求項３】 熱応動スイッチ（２１）がバイメタル
からなる請求項２記載のサージ吸収器。 - 【請求項４】 熱応動スイッチ（２１）が形状記憶合
金からなる請求項２記載のサージ吸収器。 - 【請求項５】 熱応動スイッチ（２１）がサージ吸収
素子（１４）の近傍に配置された請求項２記載のサージ
吸収器。 - 【請求項６】 熱応動スイッチ（２１）とサージ吸収
素子（１４）がケーシング（２４）により被包され、前
記ケーシング（２４）が基材（１６）に取付けられた請
求項５記載のサージ吸収器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3028066A JPH04244732A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | サージ吸収回路及びこの回路からなるサージ吸収器 |
| KR1019920001139A KR960000839B1 (ko) | 1991-01-29 | 1992-01-27 | 서지흡수소자 |
| CA002060161A CA2060161A1 (en) | 1991-01-29 | 1992-01-28 | Surge absorber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3028066A JPH04244732A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | サージ吸収回路及びこの回路からなるサージ吸収器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04244732A true JPH04244732A (ja) | 1992-09-01 |
Family
ID=12238394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3028066A Pending JPH04244732A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | サージ吸収回路及びこの回路からなるサージ吸収器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04244732A (ja) |
| KR (1) | KR960000839B1 (ja) |
| CA (1) | CA2060161A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100820161B1 (ko) * | 2003-12-22 | 2008-04-08 | 국방과학연구소 | 고전압 전원공급기의 보호 회로 |
| US11178752B2 (en) | 2018-01-11 | 2021-11-16 | Pegatron Corporation | Circuit board with electrostatic discharge protection mechanism and electronic apparatus having the same |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100452855B1 (ko) * | 2002-02-18 | 2004-10-14 | 텍사스 인스트루먼트 코리아 주식회사 | 모터 보호 장치 |
| KR100899282B1 (ko) | 2006-07-18 | 2009-05-27 | 주식회사 엘지화학 | 열수축 튜브를 이용한 안전 스위치 및 이를 포함하고 있는이차전지 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57116537A (en) * | 1980-11-25 | 1982-07-20 | Philips Nv | Safety device |
-
1991
- 1991-01-29 JP JP3028066A patent/JPH04244732A/ja active Pending
-
1992
- 1992-01-27 KR KR1019920001139A patent/KR960000839B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-01-28 CA CA002060161A patent/CA2060161A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57116537A (en) * | 1980-11-25 | 1982-07-20 | Philips Nv | Safety device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100820161B1 (ko) * | 2003-12-22 | 2008-04-08 | 국방과학연구소 | 고전압 전원공급기의 보호 회로 |
| US11178752B2 (en) | 2018-01-11 | 2021-11-16 | Pegatron Corporation | Circuit board with electrostatic discharge protection mechanism and electronic apparatus having the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920015681A (ko) | 1992-08-27 |
| CA2060161A1 (en) | 1992-07-30 |
| KR960000839B1 (ko) | 1996-01-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19950808 |