JPH04243032A - 反射型光センサ - Google Patents
反射型光センサInfo
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- JPH04243032A JPH04243032A JP3019472A JP1947291A JPH04243032A JP H04243032 A JPH04243032 A JP H04243032A JP 3019472 A JP3019472 A JP 3019472A JP 1947291 A JP1947291 A JP 1947291A JP H04243032 A JPH04243032 A JP H04243032A
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K7/00—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns
- G06K7/10—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation
- G06K7/10544—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation by scanning of the records by radiation in the optical part of the electromagnetic spectrum
- G06K7/10821—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation by scanning of the records by radiation in the optical part of the electromagnetic spectrum further details of bar or optical code scanning devices
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-
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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- H—ELECTRICITY
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- H04N1/126—Arrangements for the main scanning
- H04N1/1295—Arrangements for the main scanning using an optical guide, e.g. a fibre-optic bundle between the scanned line and the scanning elements
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明の反射型光センサは、印刷
物等の被検出体に表示されている図形や模様などを光学
的に検出する光学ヘッド、又は磁気的及び光学的に検出
する磁気光学複合ヘッド等に使用されるものである。
物等の被検出体に表示されている図形や模様などを光学
的に検出する光学ヘッド、又は磁気的及び光学的に検出
する磁気光学複合ヘッド等に使用されるものである。
【0002】
【従来の技術】紙幣等の被検出体Aに表示されている光
学的パタ−ンを読み取る光センサとしては、従来は図5
に示す光ファイバ結合型のものがあった。この光ファイ
バ結合型光センサは反射型接触式のものであり、透明な
ガラス等の透光体3に、入力側光ファイバアレイB、出
力側光ファイバアレイCの夫々の一端が固定され、入力
側光ファイバアレイBの他端が発光素子1に、出力側光
ファイバアレイCの他端が受光素子2に夫々光結合され
ている。
学的パタ−ンを読み取る光センサとしては、従来は図5
に示す光ファイバ結合型のものがあった。この光ファイ
バ結合型光センサは反射型接触式のものであり、透明な
ガラス等の透光体3に、入力側光ファイバアレイB、出
力側光ファイバアレイCの夫々の一端が固定され、入力
側光ファイバアレイBの他端が発光素子1に、出力側光
ファイバアレイCの他端が受光素子2に夫々光結合され
ている。
【0003】この光ファイバ結合型光センサでは、発光
素子1からの光が入力側光ファイバアレイBから透光体
3を通って被検出体Aに照射され、被検出体Aから反射
された光が前記透光体3を通って出力側光ファイバアレ
イCから受光素子2に入力されるようにしてある。
素子1からの光が入力側光ファイバアレイBから透光体
3を通って被検出体Aに照射され、被検出体Aから反射
された光が前記透光体3を通って出力側光ファイバアレ
イCから受光素子2に入力されるようにしてある。
【0004】しかしこの光ファイバ結合型光センサは発
光素子1と透光体3との間、受光素子2と透光体3との
間の夫々に光ファイバアレイB、Cが介在されているの
で、それらの結合部分での光の損失が大きく(光結合効
率が悪い)、感度が悪いという問題があった。また従来
は受光素子としてPT(フォトトランジスタ)を用いた
反射型光センサもあるが、それは図7のように発光素子
1から発光された光が透光体3の入射面3aで反射され
て直接受光素子2に入る洩光が多くなり、それによりS
/N比が低下する。また受光素子2の特性上、中間値の
出力を取出すことが困難となり、また磁気ヘッド内に設
置して磁気光学複合ヘッドを構成するには大きすぎると
いう問題があった。
光素子1と透光体3との間、受光素子2と透光体3との
間の夫々に光ファイバアレイB、Cが介在されているの
で、それらの結合部分での光の損失が大きく(光結合効
率が悪い)、感度が悪いという問題があった。また従来
は受光素子としてPT(フォトトランジスタ)を用いた
反射型光センサもあるが、それは図7のように発光素子
1から発光された光が透光体3の入射面3aで反射され
て直接受光素子2に入る洩光が多くなり、それによりS
/N比が低下する。また受光素子2の特性上、中間値の
出力を取出すことが困難となり、また磁気ヘッド内に設
置して磁気光学複合ヘッドを構成するには大きすぎると
いう問題があった。
【0005】そこで本件発明者等は先に、図6のように
発光素子1と受光素子2とを一つの透明な取付基材Dに
並べて取付け、同基材Dの発光素子1と受光素子2との
間に形成された仕切り溝E内に遮光性樹脂Fを充填して
両素子1、2を仕切ると共に、前記取付基材D、透光体
3の外側を同遮光性樹脂Fでモ−ルドしたダイレクト結
合型光センサを開発し、特許出願した(特願平2−21
3961号)。
発光素子1と受光素子2とを一つの透明な取付基材Dに
並べて取付け、同基材Dの発光素子1と受光素子2との
間に形成された仕切り溝E内に遮光性樹脂Fを充填して
両素子1、2を仕切ると共に、前記取付基材D、透光体
3の外側を同遮光性樹脂Fでモ−ルドしたダイレクト結
合型光センサを開発し、特許出願した(特願平2−21
3961号)。
【0006】このダイレクト結合型光センサでは仕切り
溝E内に充填された遮光性樹脂F、及び基材D、透光体
3の外側にモ−ルドされた遮光性樹脂Fにより、発光素
子1から発光された光は外部に洩れることなく透光体3
に入射し、被検出体Aに反射されて透光体3から出射さ
れた光も外部に洩れることなく受光素子2に入射される
ので光結合効率が非常によく、発光素子1と受光素子2
との間で光のクロスト−クが発生せず、高精度な光セン
サを提供することができるという利点があった。
溝E内に充填された遮光性樹脂F、及び基材D、透光体
3の外側にモ−ルドされた遮光性樹脂Fにより、発光素
子1から発光された光は外部に洩れることなく透光体3
に入射し、被検出体Aに反射されて透光体3から出射さ
れた光も外部に洩れることなく受光素子2に入射される
ので光結合効率が非常によく、発光素子1と受光素子2
との間で光のクロスト−クが発生せず、高精度な光セン
サを提供することができるという利点があった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図6の光
センサでは前記仕切り溝E内に遮光性樹脂Fを流入させ
るため、精密な遮光性樹脂Fの射出成形や取付基材Dの
切削技術が必要であり、量産化に難点があり、コストも
高いという問題があった。
センサでは前記仕切り溝E内に遮光性樹脂Fを流入させ
るため、精密な遮光性樹脂Fの射出成形や取付基材Dの
切削技術が必要であり、量産化に難点があり、コストも
高いという問題があった。
【0008】
【発明の目的】本発明の目的は受・発光素子間でのクロ
スト−クを防止でき、且つ製造が容易で、安価な反射型
光センサを提供することにある。
スト−クを防止でき、且つ製造が容易で、安価な反射型
光センサを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の反射型光センサ
は図1のように、発光素子1から発光される光が透光体
3を通して被検出体Aに照射され、被検出体Aから反射
される光が前記透光体3を通して受光素子2に受光され
るようにした反射型光センサにおいて、前記透光体3か
ら発光素子1、受光素子2までの距離を変えたことを特
徴とするものである。
は図1のように、発光素子1から発光される光が透光体
3を通して被検出体Aに照射され、被検出体Aから反射
される光が前記透光体3を通して受光素子2に受光され
るようにした反射型光センサにおいて、前記透光体3か
ら発光素子1、受光素子2までの距離を変えたことを特
徴とするものである。
【0010】
【作用】本発明の反射型光センサでは図1のように発光
素子1、受光素子2から透光体3までの距離をずらして
あるので、図2のように発光素子1から発光された光が
直接又は透光体3の入射面3aに反射して受光素子2に
直接入射することができない。また、被検出体Aで反射
されて透光体3から出射される光も図2のように受光素
子2に確実に入射するので、発光素子1と受光素子2と
の間でのクロスト−クが発生せず、また出力の中間値も
取出し易くなる。
素子1、受光素子2から透光体3までの距離をずらして
あるので、図2のように発光素子1から発光された光が
直接又は透光体3の入射面3aに反射して受光素子2に
直接入射することができない。また、被検出体Aで反射
されて透光体3から出射される光も図2のように受光素
子2に確実に入射するので、発光素子1と受光素子2と
の間でのクロスト−クが発生せず、また出力の中間値も
取出し易くなる。
【0011】
【実施例】本発明の反射型光センサの一実施例を示す図
1、図2において1はLED等の発光素子、2はP.D
等の受光素子、3はガラス等の透光体である。そして本
発明では中央に受光素子2が、その両側に発光素子1が
セラミックベ−ス10の下面に、受光素子2が発光素子
1よりも下方に突出するようにして横一列に並べて取付
けられ、同受光素子2の下面は透光体3にほぼ接触し、
発光素子1は透光体3から1mm程度離してある。また
、前記各素子1、2の接続端子11が前記セラミックベ
−ス10から上方に突設されている。なお、前記発光素
子1と透光体3との距離は発光素子1の発光出力、受光
素子2の受光感度、透光体3の光路長、各素子1、2同
士の中心間距離等に応じて適宜選定する。
1、図2において1はLED等の発光素子、2はP.D
等の受光素子、3はガラス等の透光体である。そして本
発明では中央に受光素子2が、その両側に発光素子1が
セラミックベ−ス10の下面に、受光素子2が発光素子
1よりも下方に突出するようにして横一列に並べて取付
けられ、同受光素子2の下面は透光体3にほぼ接触し、
発光素子1は透光体3から1mm程度離してある。また
、前記各素子1、2の接続端子11が前記セラミックベ
−ス10から上方に突設されている。なお、前記発光素
子1と透光体3との距離は発光素子1の発光出力、受光
素子2の受光感度、透光体3の光路長、各素子1、2同
士の中心間距離等に応じて適宜選定する。
【0012】図1に示す12は樹脂からなる取付基材で
あり、これには前記発光素子1及び受光素子2が取付け
られているセラミックベ−ス10と透光体3とが一体に
取付けられている。
あり、これには前記発光素子1及び受光素子2が取付け
られているセラミックベ−ス10と透光体3とが一体に
取付けられている。
【0013】本発明の反射型光センサでは前記各素子1
、2と透光体3との隙間は温度に伴う部材の伸縮を考え
ると空気層とするのが望ましいが、使用環境に応じては
各素子を保護するために同隙間内に透明樹脂を充填した
り、光を均一化するために更にその透明樹脂に拡散剤を
混入したりしてもよい。
、2と透光体3との隙間は温度に伴う部材の伸縮を考え
ると空気層とするのが望ましいが、使用環境に応じては
各素子を保護するために同隙間内に透明樹脂を充填した
り、光を均一化するために更にその透明樹脂に拡散剤を
混入したりしてもよい。
【0014】本発明の反射型光センサの他の実施例を示
す図3では、前記発光素子1をセラミックベ−ス10の
中央に、その両側に受光素子2を配置して、受光素子2
を発光素子1より下方に突出してある。このように発光
素子1の個数が受光素子2の個数より少ない場合に良好
なS/N比を得るためには発光素子1の発光出力が大き
いことが必要である。
す図3では、前記発光素子1をセラミックベ−ス10の
中央に、その両側に受光素子2を配置して、受光素子2
を発光素子1より下方に突出してある。このように発光
素子1の個数が受光素子2の個数より少ない場合に良好
なS/N比を得るためには発光素子1の発光出力が大き
いことが必要である。
【0015】本発明の反射型光センサの更に他の実施例
を示す図4では、複数個の発光素子1と受光素子2とを
交互に配置し、そのうち各受光素子2を発光素子1より
も下方に突出させてある。
を示す図4では、複数個の発光素子1と受光素子2とを
交互に配置し、そのうち各受光素子2を発光素子1より
も下方に突出させてある。
【0016】なお、これらの実施例ではいずれも受光素
子2から透光体3までの距離が、発光素子1から透光体
3までの距離より短いものについてのみ詳述したが、本
発明では前記と逆に発光素子1から透光体3までの距離
が、受光素子2から当後退3までの距離より短い場合も
同様の効果を有する。また本発明の反射型光センサでは
ほぼピ−ク波長の等しい発光素子1と受光素子2とを対
とし、互いにピ−ク波長の異なる複数対の発光素子1と
受光素子2とを設けて簡単なカラ−センサとすることも
できる。
子2から透光体3までの距離が、発光素子1から透光体
3までの距離より短いものについてのみ詳述したが、本
発明では前記と逆に発光素子1から透光体3までの距離
が、受光素子2から当後退3までの距離より短い場合も
同様の効果を有する。また本発明の反射型光センサでは
ほぼピ−ク波長の等しい発光素子1と受光素子2とを対
とし、互いにピ−ク波長の異なる複数対の発光素子1と
受光素子2とを設けて簡単なカラ−センサとすることも
できる。
【0017】
【発明の効果】本発明の反射型光センサは以下のような
効果がある。 a.発光素子1、受光素子2から透光体3までの距離が
ずらしてあるので、発光素子1から発光された光は受光
素子2に直接入射することがなく、発光素子1と受光素
子2との間でのクロスト−クが発生しない高精度な反射
型光センサを提供することができる。 b.発光素子1と受光素子2とを取付け位置をずらして
取付けるだけでよいので、製造が容易で量産化し易く、
ひいては反射型光センサのコストを低減することができ
る。
効果がある。 a.発光素子1、受光素子2から透光体3までの距離が
ずらしてあるので、発光素子1から発光された光は受光
素子2に直接入射することがなく、発光素子1と受光素
子2との間でのクロスト−クが発生しない高精度な反射
型光センサを提供することができる。 b.発光素子1と受光素子2とを取付け位置をずらして
取付けるだけでよいので、製造が容易で量産化し易く、
ひいては反射型光センサのコストを低減することができ
る。
【図1】本発明の反射型光センサの一実施例を示す斜視
図である。
図である。
【図2】図1の反射型光センサの光の照射、反射状態を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図3】本発明の反射型光センサの他の実施例を示す斜
視図である。
視図である。
【図4】本発明の反射型光センサの更に他の実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図5】従来の反射型光センサの一例を示す縦断面図で
ある。
ある。
【図6】従来の反射型光センサの他例を示す縦断面図で
ある。
ある。
【図7】図6の反射型光センサの光の照射、反射状態を
示す説明図である。
示す説明図である。
1 発光素子
2 受光素子
3 透光体
A 被検出体
Claims (1)
- 【請求項1】 発光素子1から発光される光が透光体
3を通して被検出体Aに照射され、被検出体Aから反射
される光が前記透光体3を通して受光素子2に受光され
るようにした反射型光センサにおいて、前記透光体3か
ら発光素子1、受光素子2までの距離を変えたことを特
徴とする反射型光センサ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3019472A JP2768840B2 (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 反射型光センサ |
CA002056850A CA2056850C (en) | 1991-01-18 | 1991-12-03 | Optical sensor |
US07/801,951 US5233177A (en) | 1991-01-18 | 1991-12-03 | Optical sensor with fiberless optical member |
EP19910120837 EP0495191A3 (en) | 1991-01-18 | 1991-12-04 | Optical sensor |
KR1019920000468A KR950001946B1 (ko) | 1991-01-18 | 1992-01-15 | 광센서 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3019472A JP2768840B2 (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 反射型光センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04243032A true JPH04243032A (ja) | 1992-08-31 |
JP2768840B2 JP2768840B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=12000273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3019472A Expired - Lifetime JP2768840B2 (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 反射型光センサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2768840B2 (ja) |
KR (1) | KR950001946B1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4992472U (ja) * | 1972-11-30 | 1974-08-09 | ||
JPS51146367U (ja) * | 1975-05-20 | 1976-11-24 | ||
JPS6417347A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Omron Tateisi Electronics Co | Reflection type photoelectric switch |
JPH02110146U (ja) * | 1989-02-20 | 1990-09-04 |
-
1991
- 1991-01-18 JP JP3019472A patent/JP2768840B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-01-15 KR KR1019920000468A patent/KR950001946B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4992472U (ja) * | 1972-11-30 | 1974-08-09 | ||
JPS51146367U (ja) * | 1975-05-20 | 1976-11-24 | ||
JPS6417347A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Omron Tateisi Electronics Co | Reflection type photoelectric switch |
JPH02110146U (ja) * | 1989-02-20 | 1990-09-04 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2768840B2 (ja) | 1998-06-25 |
KR950001946B1 (ko) | 1995-03-07 |
KR920015227A (ko) | 1992-08-26 |
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