JPH04242701A - 樹脂製光学素子及びその製造方法 - Google Patents
樹脂製光学素子及びその製造方法Info
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- JPH04242701A JPH04242701A JP2418669A JP41866990A JPH04242701A JP H04242701 A JPH04242701 A JP H04242701A JP 2418669 A JP2418669 A JP 2418669A JP 41866990 A JP41866990 A JP 41866990A JP H04242701 A JPH04242701 A JP H04242701A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反射防止性、密着性、
耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を用いたクリーニング
液によるクリーニングに対する耐久性に優れた反射防止
層を有する樹脂製光学素子及びその製造方法に関する。
耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を用いたクリーニング
液によるクリーニングに対する耐久性に優れた反射防止
層を有する樹脂製光学素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂製光学素子は、従来より、ポリカー
ボネート樹脂（屈折率ｎ：１．５７０）などからなる樹
脂製基板に光の透過率を向上させるための反射防止層を
形成して製造されている。このような反射防止層として
は、ＭｇＦ２（屈折率ｎ：１．３８０）からなる単層の
反射防止層が知られている。膜厚９４ｎｍのＭｇＦ２層
をポリカーボネート樹脂基板に形成して得た光学素子の
反射特性は、図３中曲線ａで示され、可視域中央付近で
の反射率は１％となる。
ボネート樹脂（屈折率ｎ：１．５７０）などからなる樹
脂製基板に光の透過率を向上させるための反射防止層を
形成して製造されている。このような反射防止層として
は、ＭｇＦ２（屈折率ｎ：１．３８０）からなる単層の
反射防止層が知られている。膜厚９４ｎｍのＭｇＦ２層
をポリカーボネート樹脂基板に形成して得た光学素子の
反射特性は、図３中曲線ａで示され、可視域中央付近で
の反射率は１％となる。
【０００３】また、ＺｒＯ２（屈折率ｎ：１．９５０）
及びＳｉＯ２（屈折率ｎ：１．４７７）とからなる２層
構造、Ａｌ２Ｏ３（屈折率ｎ：１．６３１）、ＴｉＯ２
（屈折率ｎ：２．３４９）及びＳｉＯ２（屈折率ｎ：１
．４７７）からなる反射防止層が知られている。図３中
、ポリカーボネート樹脂基板に膜厚１３３ｎｍのＺｒＯ
２層と膜厚８８ｎｍのＳｉＯ２層とからなる反射防止層
を形成した場合の反射特性は曲線ｂで、膜厚８０ｎｍの
Ａｌ２Ｏ３層、膜厚１１１ｎｍのＴｉＯ２層及び膜厚８
８ｎｍのＳｉＯ２層からなる反射防止層を形成した場合
の反射特性は、曲線ｃで示される。図示されるように、
これら反射防止層の可視域中央付近の反射率は各々２．
７％と、１．６％である。
及びＳｉＯ２（屈折率ｎ：１．４７７）とからなる２層
構造、Ａｌ２Ｏ３（屈折率ｎ：１．６３１）、ＴｉＯ２
（屈折率ｎ：２．３４９）及びＳｉＯ２（屈折率ｎ：１
．４７７）からなる反射防止層が知られている。図３中
、ポリカーボネート樹脂基板に膜厚１３３ｎｍのＺｒＯ
２層と膜厚８８ｎｍのＳｉＯ２層とからなる反射防止層
を形成した場合の反射特性は曲線ｂで、膜厚８０ｎｍの
Ａｌ２Ｏ３層、膜厚１１１ｎｍのＴｉＯ２層及び膜厚８
８ｎｍのＳｉＯ２層からなる反射防止層を形成した場合
の反射特性は、曲線ｃで示される。図示されるように、
これら反射防止層の可視域中央付近の反射率は各々２．
７％と、１．６％である。
【０００４】更に可視域の反射防止特性を向上させるた
めに、様々な材料からなる多層構造の反射防止層が開発
されており、具体的には、膜厚３６ｎｍのＡｌ２Ｏ３層
、膜厚５ｎｍのＴｉＯ２層、膜厚３６ｎｍのＡｌ２Ｏ３
層、膜厚１１１ｎｍのＴｉＯ２層及び膜厚８８ｎｍのＳ
ｉＯ２層からなる反射防止層が知られている。これをポ
リカーボネート樹脂基板に形成した場合の反射特性は、
図３中、曲線ｄで示され、可視域中央付近での反射率は
０．５％となる。また、従来では、このような反射防止
層は、常温で真空蒸着法により、各層を順次積層して形
成されていた。
めに、様々な材料からなる多層構造の反射防止層が開発
されており、具体的には、膜厚３６ｎｍのＡｌ２Ｏ３層
、膜厚５ｎｍのＴｉＯ２層、膜厚３６ｎｍのＡｌ２Ｏ３
層、膜厚１１１ｎｍのＴｉＯ２層及び膜厚８８ｎｍのＳ
ｉＯ２層からなる反射防止層が知られている。これをポ
リカーボネート樹脂基板に形成した場合の反射特性は、
図３中、曲線ｄで示され、可視域中央付近での反射率は
０．５％となる。また、従来では、このような反射防止
層は、常温で真空蒸着法により、各層を順次積層して形
成されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
反射防止層では、高融点物質であるＡｌ２Ｏ３、ＴｉＯ
２及びＳｉＯ２などを樹脂基板に蒸着するため、積層中
の反射防止層からの輻射熱により樹脂基板が膨張し、こ
の際の基板と反射防止層との熱膨張差によって、反射防
止層にクラックが発生するという問題があった。また、
積層中にクラックが発生しなくても、熱膨張した樹脂基
板に形成した反射防止層には内部応力が蓄積されるため
、基板と反射防止層との密着性に劣り、反射防止層には
力や温度変化が加わった場合、例えば積層後基板が冷却
される際、樹脂基板が空気中の水分を吸収して膨張する
場合、或いはエーテルなどの揮発性溶剤をしみこませた
クリーニングペーパーで反射防止層表面を拭いた場合に
クラックが発生し易かった。
反射防止層では、高融点物質であるＡｌ２Ｏ３、ＴｉＯ
２及びＳｉＯ２などを樹脂基板に蒸着するため、積層中
の反射防止層からの輻射熱により樹脂基板が膨張し、こ
の際の基板と反射防止層との熱膨張差によって、反射防
止層にクラックが発生するという問題があった。また、
積層中にクラックが発生しなくても、熱膨張した樹脂基
板に形成した反射防止層には内部応力が蓄積されるため
、基板と反射防止層との密着性に劣り、反射防止層には
力や温度変化が加わった場合、例えば積層後基板が冷却
される際、樹脂基板が空気中の水分を吸収して膨張する
場合、或いはエーテルなどの揮発性溶剤をしみこませた
クリーニングペーパーで反射防止層表面を拭いた場合に
クラックが発生し易かった。
【０００６】本発明は、このような従来技術に伴う問題
点を解決しようとするものであり、基板と反射防止層と
の密着性に擾れるとともに、耐擦傷性、耐湿性に優れ、
エーテルなどの揮発性溶剤を含むクリーニング液を用い
た場合のクリーニングに対する耐久性に優れた反射防止
層を有する光学素子を提供することを目的としている。
点を解決しようとするものであり、基板と反射防止層と
の密着性に擾れるとともに、耐擦傷性、耐湿性に優れ、
エーテルなどの揮発性溶剤を含むクリーニング液を用い
た場合のクリーニングに対する耐久性に優れた反射防止
層を有する光学素子を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る樹脂製光学
素子は、樹脂基板と、該樹脂基板上に形成される下地層
と、該下地層上に形成される反射防止層とを有する樹脂
製光学素子であって、前記下地層が、Ｍｎ層、Ｎｉ層及
びＣｏ０層からなる群から選択される少なくとも１種の
層で形成され、前記反射防止層がＡｌ２Ｏ３層、ＴｉＯ
２層及びＳｉＯ２層から形成されることを特徴としてい
る。また、本発明に係る樹脂製光学素子の製造方法は、
樹脂基板上に、Ｍｎ層、Ｎｉ層及びＣｏＯ層からなる群
から選択される少なくとも１種の層で形成される下地層
と、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＯ２層及びＳｉＯ２層から形成
される反射防止層とを真空蒸着法にて形成するに際して
、前記樹脂基板の温度を８０℃以下に維持したことを特
徴とする。
素子は、樹脂基板と、該樹脂基板上に形成される下地層
と、該下地層上に形成される反射防止層とを有する樹脂
製光学素子であって、前記下地層が、Ｍｎ層、Ｎｉ層及
びＣｏ０層からなる群から選択される少なくとも１種の
層で形成され、前記反射防止層がＡｌ２Ｏ３層、ＴｉＯ
２層及びＳｉＯ２層から形成されることを特徴としてい
る。また、本発明に係る樹脂製光学素子の製造方法は、
樹脂基板上に、Ｍｎ層、Ｎｉ層及びＣｏＯ層からなる群
から選択される少なくとも１種の層で形成される下地層
と、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＯ２層及びＳｉＯ２層から形成
される反射防止層とを真空蒸着法にて形成するに際して
、前記樹脂基板の温度を８０℃以下に維持したことを特
徴とする。
【０００８】以下、本発明に係る樹脂製光学素子及びそ
の製造方法を更に詳しく説明する。本発明では、下地層
及び反射防止層を構成する各層の積層順、積層枚数、膜
厚等は、反射防止を行なう光の波長帯域及び屈折率など
の樹脂基板の材質などにより適宜選択される。ここで、
図１を参照して、本発明に係る樹脂製光学素子の好まし
い１態様を説明する。図１は本発明に係る樹脂製光学素
子の好ましい１態様を示す断面概略図である。図示され
るように、この光学素子１は、樹脂基板ａ上に、下地層
ｂと、第１層のＡｌ２Ｏ３層ｃ，第２層のＴｉＯ２層ｄ
、第３層のＡｌ２Ｏ３層ｅ、第４層のＴｉＯ２層ｆ及び
第５層のＳｉＯ２層ｇからなる反射層ｈとを有している
。
の製造方法を更に詳しく説明する。本発明では、下地層
及び反射防止層を構成する各層の積層順、積層枚数、膜
厚等は、反射防止を行なう光の波長帯域及び屈折率など
の樹脂基板の材質などにより適宜選択される。ここで、
図１を参照して、本発明に係る樹脂製光学素子の好まし
い１態様を説明する。図１は本発明に係る樹脂製光学素
子の好ましい１態様を示す断面概略図である。図示され
るように、この光学素子１は、樹脂基板ａ上に、下地層
ｂと、第１層のＡｌ２Ｏ３層ｃ，第２層のＴｉＯ２層ｄ
、第３層のＡｌ２Ｏ３層ｅ、第４層のＴｉＯ２層ｆ及び
第５層のＳｉＯ２層ｇからなる反射層ｈとを有している
。
【０００９】下地層ｂは、Ｍｎ層、Ｎｉ層及びＣｏＯ層
（不図示）からなる群から選択される少なくとも１種の
層で形成される。Ｍｎ、Ｎｉ及びＣｏＯは、樹脂基板ａ
との付着性に擾れるとともに、熱膨張率が基板ａと反射
防止層ｈを構成する材料の中間にあり、これらの間の熱
膨張差を緩和する働きがある。このような構成の光学素
子１において、各層の膜厚は、基板の材質、反射防止を
行なう光の波長帯域等により選択されるが、可視域の光
において反射防止を行なう場合、基板ａをポリカーボネ
ート樹脂とすると、前記下地層ｂの膜厚を１０ｎｍ以下
、好ましくは１〜５ｎｍ、反射防止層ｈを構成する第１
層ｃを膜厚３２〜４６ｎｍ、好ましくは３３〜３９ｎｍ
、第２層ｄを膜厚２０ｎｍ以下、好ましくは２〜８ｎｍ
、第３層ｅを膜厚３２〜４６ｎｍ、好ましくは３３〜３
９ｎｍ、第４層ｆを膜厚９５〜１２８ｎｍ、好ましくは
１０１〜１１９ｎｍ，第５層ｇを膜厚７５〜１１０ｎｍ
、好ましくは７９〜９７ｎｍに設定することが望ましい
。
（不図示）からなる群から選択される少なくとも１種の
層で形成される。Ｍｎ、Ｎｉ及びＣｏＯは、樹脂基板ａ
との付着性に擾れるとともに、熱膨張率が基板ａと反射
防止層ｈを構成する材料の中間にあり、これらの間の熱
膨張差を緩和する働きがある。このような構成の光学素
子１において、各層の膜厚は、基板の材質、反射防止を
行なう光の波長帯域等により選択されるが、可視域の光
において反射防止を行なう場合、基板ａをポリカーボネ
ート樹脂とすると、前記下地層ｂの膜厚を１０ｎｍ以下
、好ましくは１〜５ｎｍ、反射防止層ｈを構成する第１
層ｃを膜厚３２〜４６ｎｍ、好ましくは３３〜３９ｎｍ
、第２層ｄを膜厚２０ｎｍ以下、好ましくは２〜８ｎｍ
、第３層ｅを膜厚３２〜４６ｎｍ、好ましくは３３〜３
９ｎｍ、第４層ｆを膜厚９５〜１２８ｎｍ、好ましくは
１０１〜１１９ｎｍ，第５層ｇを膜厚７５〜１１０ｎｍ
、好ましくは７９〜９７ｎｍに設定することが望ましい
。
【００１０】各層の膜厚をこのような値に設定すること
により、可視域での反射防止性に優れ、且つ基板ａと反
射防止層ｈの密着性に擾れた光学素子を得ることができ
る。即ち、反射防止層ｈを構成する各層Ｃ，ｄ，ｅ，ｆ
，ｇを上記値に設定することにより、光の干渉により、
充分な反射特性を得られる。また、下地層ｂは、膜厚１
０ｎｍ以下で基板ａ及び反射防止層ｈ間の膨張差の緩和
が充分可能である他、この値を越えると光の吸収が大き
くなるため好ましくない。
により、可視域での反射防止性に優れ、且つ基板ａと反
射防止層ｈの密着性に擾れた光学素子を得ることができ
る。即ち、反射防止層ｈを構成する各層Ｃ，ｄ，ｅ，ｆ
，ｇを上記値に設定することにより、光の干渉により、
充分な反射特性を得られる。また、下地層ｂは、膜厚１
０ｎｍ以下で基板ａ及び反射防止層ｈ間の膨張差の緩和
が充分可能である他、この値を越えると光の吸収が大き
くなるため好ましくない。
【００１１】本発明に係る樹脂製光学素子の製造方法で
は、樹脂基板上に、Ｍｎ層、Ｎｉ層及びＣｏＯ層からな
る群から選択される少なくとも１種の層で形成される下
地層と、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＯ２層及びＳｉＯ２層から
形成される反射防止層とを真空蒸着法にて形成しており
、この際、樹脂基板の温度を８０℃以下、好ましくは３
０〜８０℃に維持している。基板の温度をこのような値
に維持することにより、樹脂製基板の熱膨張を押え、基
板と反射防止層との熱膨張差による影響を有効に緩和す
ることができる。以下実施例により、本発明に係る光学
素子及びその製造方法を更に具体的に説明するが、本発
明は、これら実施例に限定されるものではない、
は、樹脂基板上に、Ｍｎ層、Ｎｉ層及びＣｏＯ層からな
る群から選択される少なくとも１種の層で形成される下
地層と、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＯ２層及びＳｉＯ２層から
形成される反射防止層とを真空蒸着法にて形成しており
、この際、樹脂基板の温度を８０℃以下、好ましくは３
０〜８０℃に維持している。基板の温度をこのような値
に維持することにより、樹脂製基板の熱膨張を押え、基
板と反射防止層との熱膨張差による影響を有効に緩和す
ることができる。以下実施例により、本発明に係る光学
素子及びその製造方法を更に具体的に説明するが、本発
明は、これら実施例に限定されるものではない、
【００
１２】
１２】
【実施例１】電子ビーム真空蒸着装置内に、ポリカーボ
ネート樹脂（屈折率ｎ：１．５７０）からなる基板を据
え付け、真空度１×１０−５ｔｏｒｒで、Ｍｎを約０．
５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約２ｎｍとなるように下
地層を形成した。この際、基板の温度は３０℃であった
。次に、反射防止層の第１層として、Ａｌ２Ｏ３層を１
．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約３６ｎｍとなるよう
に形成した。この際、基板の温度は５０℃であった。 その後、真空度が９×１０−５ｔｏｒｒとなるまで酸素
を導入し、反射防止層の第２層として、ＴｉＯ２層を約
０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約５ｎｍ形成した。 この際、基板の温度は６０℃であった。
ネート樹脂（屈折率ｎ：１．５７０）からなる基板を据
え付け、真空度１×１０−５ｔｏｒｒで、Ｍｎを約０．
５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約２ｎｍとなるように下
地層を形成した。この際、基板の温度は３０℃であった
。次に、反射防止層の第１層として、Ａｌ２Ｏ３層を１
．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約３６ｎｍとなるよう
に形成した。この際、基板の温度は５０℃であった。 その後、真空度が９×１０−５ｔｏｒｒとなるまで酸素
を導入し、反射防止層の第２層として、ＴｉＯ２層を約
０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約５ｎｍ形成した。 この際、基板の温度は６０℃であった。
【００１３】この第２層上に、反射防止層の第３層とし
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は７５℃で
あった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、基
板温度を５５℃とした。次いで、真空度が９×１０−５
ｔｏｒｒとなるまで酸素を導入し、反射防止層の第４層
として、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて
膜厚約５５ｎｍ形成した。この際、基板の温度は８０℃
であった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、
基板温度を５５℃とした。更に酸素を真空度９×１０−
５ｔｏｒｒまで導入してＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒
の蒸着速度にて膜厚約５５ｎｍ形成し、合計１１０ｎｍ
の第４層とした。この時基板温度は８０℃であった。 最後に、反射防止層の第５層として、ＳｉＯ２層を約１
．３ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約８８ｎｍ形成した。 この際、基板の温度は７５℃であった。基板を冷却する
ために５分間蒸着装置内に放置し、基板温度が５５℃と
なった時点で装置に大気を導入し、光学素子を取り出し
た。
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は７５℃で
あった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、基
板温度を５５℃とした。次いで、真空度が９×１０−５
ｔｏｒｒとなるまで酸素を導入し、反射防止層の第４層
として、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて
膜厚約５５ｎｍ形成した。この際、基板の温度は８０℃
であった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、
基板温度を５５℃とした。更に酸素を真空度９×１０−
５ｔｏｒｒまで導入してＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒
の蒸着速度にて膜厚約５５ｎｍ形成し、合計１１０ｎｍ
の第４層とした。この時基板温度は８０℃であった。 最後に、反射防止層の第５層として、ＳｉＯ２層を約１
．３ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約８８ｎｍ形成した。 この際、基板の温度は７５℃であった。基板を冷却する
ために５分間蒸着装置内に放置し、基板温度が５５℃と
なった時点で装置に大気を導入し、光学素子を取り出し
た。
【００１４】
【実施例２】電子ビーム真空蒸着装置内に、ポリカーボ
ネート樹脂（屈折率ｎ：１．５７０）からなる基板を据
え付け、真空度１×１０−５ｔｏｒｒで、Ｎｉを約０．
５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約２ｎｍとなるように下
地層を形成した。この際、基板の温度は３０℃であった
。次に、反射防止層の第１層として、Ａｌ２Ｏ３層を１
．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約３６ｎｍとなるよう
に形成した。この際、基板の温度は５０℃であった。 その後、真空度が９×１０−５ｔｏｒｒとなるまで酸素
を導入し、反射防止層の第２層として、ＴｉＯ２層を約
０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約５ｎｍ形成した。 この際、基板の温度は６０℃であった。
ネート樹脂（屈折率ｎ：１．５７０）からなる基板を据
え付け、真空度１×１０−５ｔｏｒｒで、Ｎｉを約０．
５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約２ｎｍとなるように下
地層を形成した。この際、基板の温度は３０℃であった
。次に、反射防止層の第１層として、Ａｌ２Ｏ３層を１
．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約３６ｎｍとなるよう
に形成した。この際、基板の温度は５０℃であった。 その後、真空度が９×１０−５ｔｏｒｒとなるまで酸素
を導入し、反射防止層の第２層として、ＴｉＯ２層を約
０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約５ｎｍ形成した。 この際、基板の温度は６０℃であった。
【００１５】この第２層上に、反射防止層の第３層とし
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は７５℃で
あった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、基
板温度を５５℃とした。次いで、真空度が９×１０−５
ｔｏｒｒとなるまで酸素を導入し、反射防止層の第４層
として、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて
膜厚約５５ｎｍ形成した。この際、基板の温度は８０℃
であった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、
基板温度を５５℃とした。更に酸素を真空度９×１０−
５ｔｏｒｒまで導入してＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒
の蒸着速度にて膜厚約５５ｎｍ形成し、合計１１０ｎｍ
の第４層とした。この時基板温度は８０℃であった。 最後に、反射防止層の第５層として、ＳｉＯ２層を約１
．３ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約８８ｎｍ形成した。 この際、基板の温度は７５℃であった。基板を冷却する
ために５分間蒸着装置内に放置し、基板温度が５５℃と
なった時点で装置に大気を導入し、光学素子を取り出し
た。
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は７５℃で
あった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、基
板温度を５５℃とした。次いで、真空度が９×１０−５
ｔｏｒｒとなるまで酸素を導入し、反射防止層の第４層
として、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて
膜厚約５５ｎｍ形成した。この際、基板の温度は８０℃
であった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、
基板温度を５５℃とした。更に酸素を真空度９×１０−
５ｔｏｒｒまで導入してＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒
の蒸着速度にて膜厚約５５ｎｍ形成し、合計１１０ｎｍ
の第４層とした。この時基板温度は８０℃であった。 最後に、反射防止層の第５層として、ＳｉＯ２層を約１
．３ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約８８ｎｍ形成した。 この際、基板の温度は７５℃であった。基板を冷却する
ために５分間蒸着装置内に放置し、基板温度が５５℃と
なった時点で装置に大気を導入し、光学素子を取り出し
た。
【００１６】
【実施例３】電子ビーム真空蒸着装置内に、ポリカーボ
ネート樹脂（屈折率ｎ：１．５７０）からなる基板を据
え付け、真空度１×１０−５ｔｏｒｒで、ＣｏＯを約０
．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約２ｎｍとなるように
下地層を形成した。この際、基板の温度は３０℃であっ
た。次に、反射防止層の第１層として、Ａｌ２Ｏ３層を
１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約３６ｎｍとなるよ
うに形成した。この際、基板の温度は５０℃であった。 その後、真空度が９×１０−５ｔｏｒｒとなるまで酸素
を導入し、反射防止層の第２層として、ＴｉＯ２層を約
０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約５ｎｍ形成した。 この際、基板の温度は６０℃であった。
ネート樹脂（屈折率ｎ：１．５７０）からなる基板を据
え付け、真空度１×１０−５ｔｏｒｒで、ＣｏＯを約０
．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約２ｎｍとなるように
下地層を形成した。この際、基板の温度は３０℃であっ
た。次に、反射防止層の第１層として、Ａｌ２Ｏ３層を
１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約３６ｎｍとなるよ
うに形成した。この際、基板の温度は５０℃であった。 その後、真空度が９×１０−５ｔｏｒｒとなるまで酸素
を導入し、反射防止層の第２層として、ＴｉＯ２層を約
０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約５ｎｍ形成した。 この際、基板の温度は６０℃であった。
【００１７】この第２層上に、反射防止層の第３層とし
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は７５℃で
あった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、基
板温度を５５℃とした。次いで、真空度が９×１０−５
ｔｏｒｒとなるまで酸素を導入し、反射防止層の第４層
として、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて
膜厚約５５ｎｍ形成した。この際、基板の温度は８０℃
であった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、
基板温度５５℃とした。更に酸素を真空度９×１０−５
ｔｏｒｒまで導入してＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の
蒸着速度にて膜厚約５５ｎｍ形成し、合計１１０ｎｍの
第４層とした。この時基板温度は８０℃であった。最後
に、反射防止層の第５層として、ＳｉＯ２層を約１．３
ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約８８ｎｍ形成した。この
際、基板の温度は７５℃であった。基板を冷却するため
に５分間蒸着装置内に放置し、基板温度が５５℃となっ
た時点で装置に大気を導入し、光学素子を取り出した。
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は７５℃で
あった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、基
板温度を５５℃とした。次いで、真空度が９×１０−５
ｔｏｒｒとなるまで酸素を導入し、反射防止層の第４層
として、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて
膜厚約５５ｎｍ形成した。この際、基板の温度は８０℃
であった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、
基板温度５５℃とした。更に酸素を真空度９×１０−５
ｔｏｒｒまで導入してＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の
蒸着速度にて膜厚約５５ｎｍ形成し、合計１１０ｎｍの
第４層とした。この時基板温度は８０℃であった。最後
に、反射防止層の第５層として、ＳｉＯ２層を約１．３
ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約８８ｎｍ形成した。この
際、基板の温度は７５℃であった。基板を冷却するため
に５分間蒸着装置内に放置し、基板温度が５５℃となっ
た時点で装置に大気を導入し、光学素子を取り出した。
【００１８】
【比較例１】電子ビーム真空蒸着装置内に、ポリカーボ
ネート樹脂（屈折率ｎ：１・５７０）からなる基板を据
え付け、真空度１×１０−５ｔｏｒｒで、反射防止層の
第１層として、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着
速度にて膜厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度
は５０℃であった。その後、真空度が９×１０−５ｔｏ
ｒｒとなるまで酸素を導入し、反射防止層の第２層とし
て、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚
約５ｎｍ形成した。この際、基板の温度は６０℃であっ
た。
ネート樹脂（屈折率ｎ：１・５７０）からなる基板を据
え付け、真空度１×１０−５ｔｏｒｒで、反射防止層の
第１層として、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着
速度にて膜厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度
は５０℃であった。その後、真空度が９×１０−５ｔｏ
ｒｒとなるまで酸素を導入し、反射防止層の第２層とし
て、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚
約５ｎｍ形成した。この際、基板の温度は６０℃であっ
た。
【００１９】この第２層上に、反射防止層の第３層とし
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は７５℃で
あった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、基
板温度を５５℃とした。次いで、真空度が９×１０−５
ｔｏｒｒとなるまで酸素を導入し、反射防止層の第４層
として、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて
膜厚約５５ｎｍ形成した。この際、基板の温度は８０℃
であった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、
基板温度５５℃とした。更に酸素を真空度９×１０−５
ｔｏｒｒまで導入してＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の
蒸着速度にて膜厚約５５ｎｍ形成し、合計１１０ｎｍの
第４層とした。この時基板温度は８０℃であった。最後
に、反射防止層の第５層として、ＳｉＯ２層を約１．３
ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約８８ｎｍ形成した。この
際、基板の温度は７５℃であった。基板を冷却するため
に５分間蒸着装置内に放置し、基板温度が５５℃となっ
た時点で装置に大気を導入し、光学素子を取り出した。
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は７５℃で
あった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、基
板温度を５５℃とした。次いで、真空度が９×１０−５
ｔｏｒｒとなるまで酸素を導入し、反射防止層の第４層
として、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて
膜厚約５５ｎｍ形成した。この際、基板の温度は８０℃
であった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、
基板温度５５℃とした。更に酸素を真空度９×１０−５
ｔｏｒｒまで導入してＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の
蒸着速度にて膜厚約５５ｎｍ形成し、合計１１０ｎｍの
第４層とした。この時基板温度は８０℃であった。最後
に、反射防止層の第５層として、ＳｉＯ２層を約１．３
ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約８８ｎｍ形成した。この
際、基板の温度は７５℃であった。基板を冷却するため
に５分間蒸着装置内に放置し、基板温度が５５℃となっ
た時点で装置に大気を導入し、光学素子を取り出した。
【００２０】
【比較例２】電子ビーム真空蒸着装置内に、ポリカーボ
ネート樹脂（屈折率ｎ：１．５７０）からなる基板を据
え付け、真空度１×１０−５ｔｏｒｒで、反射防止層の
第１層として、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着
速度にて膜厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度
は５０℃であった。その後、真空度が９×１０−５ｔｏ
ｒｒとなるまで酸素を導入し、反射防止層の第２層とし
て、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚
約５ｎｍ形成した。この際、基板の温度は６０℃であっ
た。
ネート樹脂（屈折率ｎ：１．５７０）からなる基板を据
え付け、真空度１×１０−５ｔｏｒｒで、反射防止層の
第１層として、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着
速度にて膜厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度
は５０℃であった。その後、真空度が９×１０−５ｔｏ
ｒｒとなるまで酸素を導入し、反射防止層の第２層とし
て、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚
約５ｎｍ形成した。この際、基板の温度は６０℃であっ
た。
【００２１】この第２層上に、反射防止層の第３層とし
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は７５℃で
あった。次いで、真空度が９×１０−５ｔｏｒｒとなる
まで酸素を導入し、反射防止層の第４層として、ＴｉＯ
２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約１１０ｎ
ｍ形成した。この際、基板の温度は１１０℃であった。 最後に、反射防止層の第５層として、ＳｉＯ２層を約１
．３ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約８８ｎｍ形成した。 この際、基板の温度は１０５℃であった。基板を冷却す
るために５分間蒸着装置内に放置し、基板温度が８０℃
となった時点で装置に大気を導入し、光学素子を取り出
した。
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は７５℃で
あった。次いで、真空度が９×１０−５ｔｏｒｒとなる
まで酸素を導入し、反射防止層の第４層として、ＴｉＯ
２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約１１０ｎ
ｍ形成した。この際、基板の温度は１１０℃であった。 最後に、反射防止層の第５層として、ＳｉＯ２層を約１
．３ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約８８ｎｍ形成した。 この際、基板の温度は１０５℃であった。基板を冷却す
るために５分間蒸着装置内に放置し、基板温度が８０℃
となった時点で装置に大気を導入し、光学素子を取り出
した。
【００２２】このようにして得られた実施例１〜３及び
比較例１〜２の光学素子を用いて、以下に説明する試験
方法により、密着性、耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤
を含むクリーニング液に対する耐久性を測定した。即ち
、密着性テストでは、幅１８ｍｍのセロハンテープを反
射防止層に張り付け、４５°方向の角度から瞬時に引き
はがして剥離状態を観察した。耐擦傷性では、レンズク
リーニングペーパーにより１５０往復反射防止層表面を
こすり、傷発生の有無を観察した。耐湿性テストでは、
温度６０℃、湿度９０％の条件下に光学素子を放置し、
４８時間後にその表面を観察した。また、クリーニング
液を用いた場合の耐久性では、エーテル７０重量％とメ
タノール３０重量％とからなるクリーニング液で、レン
ズクリーニングペーパーを濡らし、１５０往復反射防止
層表面をこすり、傷発生の有無を観察した。結果を表１
に示す。
比較例１〜２の光学素子を用いて、以下に説明する試験
方法により、密着性、耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤
を含むクリーニング液に対する耐久性を測定した。即ち
、密着性テストでは、幅１８ｍｍのセロハンテープを反
射防止層に張り付け、４５°方向の角度から瞬時に引き
はがして剥離状態を観察した。耐擦傷性では、レンズク
リーニングペーパーにより１５０往復反射防止層表面を
こすり、傷発生の有無を観察した。耐湿性テストでは、
温度６０℃、湿度９０％の条件下に光学素子を放置し、
４８時間後にその表面を観察した。また、クリーニング
液を用いた場合の耐久性では、エーテル７０重量％とメ
タノール３０重量％とからなるクリーニング液で、レン
ズクリーニングペーパーを濡らし、１５０往復反射防止
層表面をこすり、傷発生の有無を観察した。結果を表１
に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１に示されるように、実施例１〜３の光
学素子は、密着性、耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を
含むクリーニング液に対する耐久性の各テストでまつた
く異常が無い。下地層がなく、基板を８０℃以下に維持
して反射防止層を形成した比較例１の光学素子は、クリ
ーニング液に対する耐久性にやや劣り、下地層がなく、
反射防止層形成時に基板温度が８０℃を越えた比較例２
の光学素子は耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を含むク
リーニング液に対する耐久性のいずれにおいても劣って
いる。また、上記試験前後の光学素子の反射特性を測定
したところ、実施例１〜３の何れにおいても同様の結果
が得られた。ここで、図２に、実施例１の光学素子の反
射特性を示す。図中Ａはテスト前、Ｂはテスト後の反射
特性を示す曲線である。図示されるように、本実施例の
光学素子は、可視域において優れた反射特性を示し、且
つこの上記テスト前後でほとんど反射特性が変化しなか
った。
学素子は、密着性、耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を
含むクリーニング液に対する耐久性の各テストでまつた
く異常が無い。下地層がなく、基板を８０℃以下に維持
して反射防止層を形成した比較例１の光学素子は、クリ
ーニング液に対する耐久性にやや劣り、下地層がなく、
反射防止層形成時に基板温度が８０℃を越えた比較例２
の光学素子は耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を含むク
リーニング液に対する耐久性のいずれにおいても劣って
いる。また、上記試験前後の光学素子の反射特性を測定
したところ、実施例１〜３の何れにおいても同様の結果
が得られた。ここで、図２に、実施例１の光学素子の反
射特性を示す。図中Ａはテスト前、Ｂはテスト後の反射
特性を示す曲線である。図示されるように、本実施例の
光学素子は、可視域において優れた反射特性を示し、且
つこの上記テスト前後でほとんど反射特性が変化しなか
った。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように 本発明によれば
、反射防止特性、特に可視域での反射防止特性に擾れ、
かつ密着性、耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を含むク
リーニング液に対する耐久性に優れた反射防止層を有し
、光学フィルタ、レンズ及びパネル等の多くの用途に好
適に使用できる光学素子を提供することが可能である。
、反射防止特性、特に可視域での反射防止特性に擾れ、
かつ密着性、耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を含むク
リーニング液に対する耐久性に優れた反射防止層を有し
、光学フィルタ、レンズ及びパネル等の多くの用途に好
適に使用できる光学素子を提供することが可能である。
【図１】本発明に係る光学素子の断面概略図。
【図２】実施例１の反射防止層を有する樹脂製光学素子
の反射特性を示すグラフ。
の反射特性を示すグラフ。
【図３】従来の反射防止層を有する樹脂製光学素子の反
射特性を示すグラフ。
射特性を示すグラフ。
１ 光学素子
ａ 樹脂製基板
ｂ 下地層
ｃ 第１層
ｄ 第２層
ｅ 第３層
ｆ 第４層
ｇ 第５層
ｈ 反射防止層
Claims (3)
- 【請求項１】 樹脂基板と、該樹脂基板上に形成され
る下地層と、該下地層上に形成される反射防止層とを有
する樹脂製光学素子であって、前記下地層が、Ｍｎ層、
Ｎｉ層及びＣｏＯ層からなる群から選択される少なくと
も１種の層で形成され、前記反射防止層がＡｌ２Ｏ３層
、ＴｉＯ２層及びＳｉＯ２層から形成される、ことを特
徴とする樹脂製光学素子。 - 【請求項２】 前記樹脂基板がポリカーボネート樹脂
からなり、前記下地層の厚さが１０ｎｍ以下であり、前
記反射防止層が厚さ３２〜４６ｎｍのＡｌ２Ｏ３層、厚
さ２０ｎｍ以下のＴｉＯ２層、厚さ３２〜４６ｎｍのＡ
ｌ２Ｏ３層、厚さ９５〜１２８ｎｍのＴｉＯ２層及び厚
さ７５〜１１０ｎｍのＳｉＯ２層を順次積層してなるこ
とを特徴とする請求項１記載の樹脂製光学素子。 - 【請求項３】 樹脂基板上に、Ｍｎ層、Ｎｉ層及びＣ
ｏＯ層からなる群から選択される少なくとも１種の層で
形成される下地層と、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＯ２層及びＳ
ｉＯ２層から形成される反射防止層とを真空蒸着法にて
形成するに際して、前記樹脂基板の温度を８０℃以下に
維持したことを特徴とする樹脂製光学素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2418669A JP2777937B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 樹脂製光学素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2418669A JP2777937B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 樹脂製光学素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04242701A true JPH04242701A (ja) | 1992-08-31 |
| JP2777937B2 JP2777937B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=18526463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2418669A Expired - Lifetime JP2777937B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 樹脂製光学素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2777937B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000078879A1 (fr) * | 1999-06-24 | 2000-12-28 | Nippon Arc Co., Ltd. | Article enrobe |
| US7544975B2 (en) * | 2005-07-04 | 2009-06-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60156001A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラスチツク製光学部品の反射防止膜 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2590020B2 (ja) | 1990-02-16 | 1997-03-12 | 旭光学工業株式会社 | 表面高反射鏡 |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP2418669A patent/JP2777937B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60156001A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラスチツク製光学部品の反射防止膜 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000078879A1 (fr) * | 1999-06-24 | 2000-12-28 | Nippon Arc Co., Ltd. | Article enrobe |
| US6703131B1 (en) | 1999-06-24 | 2004-03-09 | Nippon Arc Co., Ltd. | Coated article |
| US7544975B2 (en) * | 2005-07-04 | 2009-06-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2777937B2 (ja) | 1998-07-23 |
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