JPH04242218A - 光走査方法および光走査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光走査方法に関する。本
発明は光プリンターやデジタル複写機に利用できる。

【０００２】

【従来の技術】レーザー光源装置からの光束を等角速度
的に偏向させ、偏向光束をｆθレンズを含む結像光学系
により集光して被走査面上に光スポットを形成し、この
光スポットにより被走査面を光走査する方法は従来から
良く知られている。

【０００３】このような光走査方式を実現した従来の光
走査装置では光走査のために偏向される偏向光束の偏向
角が比較的小さく、結像光学系に用いられるｆθレンズ
のｆθ特性を良好にすることが可能であった。このため
光走査において１画素を走査するのに必要な時間ｔは、
結像光学系の主走査方向に関する焦点距離をｆ、有効走
査幅をＬ、有効走査幅Ｌ内の画素数をＮ偏向光束の偏向
の角速度をωとして、 ｔ≒Ｌ／（ｆ・Ｎ・ω）　　　　　　　　　　　　　　
　　　　（１）なる関係式を満足するように定められて
いた。

【０００４】しかるに近来、光走査装置の小型化・低コ
スト化の要請が強く、結像光学系の広画角化・結像光学
系構成レンズ枚数の減少が必要となり、ｆθ特性の優れ
た結像光学系の実現が困難になってきている。結像光学
系のｆθ特性が十分に良好でないと光走査における光ス
ポットの移動速さが走査位置に応じて異なり、光走査に
より書き込まれた画像が主走査方向において場所により
伸び縮みするとともに画像全体としても設計上の記録サ
イズと異なるという所謂倍率誤差が顕著になる。

【０００５】このような倍率誤差を補正する方法として
、光走査における光スポット位置に応じて、１画素を走
査する時間ｔを変化させて光走査を行う方法が知られて
いるが（特開昭６２−３２７６９号公報）、その実現に
は複雑な回路装置を必要とするため光走査装置の低コス
ト化の要請になじまない。

【０００６】また、光走査装置の低コスト化の一環とし
て光走査装置の光学素子にプラスチック製のものを用い
ることが行われつつあるが、光走査装置がプラスチック
製の光学素子を含むと、温度変化に伴うプラスチック製
光学素子の特性変化が前述の倍率誤差をさらに増大させ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した事情
に鑑みてなされたものであって、光走査装置における上
記倍率誤差を有効に軽減できる新規な光走査方法の提供
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１および２の光走
査方法は、「レーザー光源装置からの光束を等角速度的
に偏向させ、偏向光束をｆθレンズを含む結像光学系に
より集光して被走査面上に光スポットを形成し、この光
スポットにより被走査面を光走査する」方法である。

【０００９】請求項１の方法は以下の如き特徴を有する
。即ち設計上の有効走査幅をＬ、有効走査幅Ｌに記録さ
せる画素数をＮ、偏向光束の偏向の角速度をω、偏向角
θに於ける光スポットの走査速度をｖ（θ）とし、さら
に関係［Ｌ・ω＝∫ｖ（θ）ｄθ］を満足する積分［∫
ｖ（θ）ｄθ］の上・下限を−ψ，＋ψ、−ψ≦θ≦＋
ψの範囲におけるｖ（θ）の最大値Ｖｍａｘ・最小値Ｖ
ｍｉｎの算術平均をＶ（＝（Ｖｍａｘ＋Ｖｍｉｎ）／２
）とするとき、１画素あたりの記録に要する時間ｔをＬ
／（ＮＶ）と２ψ／（Ｎω）の間に設定してレーザー光
源の変調を行うのである。

【００１０】請求項２の方法は以下の如き特徴を有する
。即ち設計上の有効走査幅をＬ、有効走査幅Ｌに記録さ
せる画素数をＮ、偏向光束の偏向の角速度をω、偏向角
θに於ける光スポットの走査速度をｖ（θ）とし、さら
に関係［Ｌ・ω＝∫ｖ（θ）ｄθ］を満足する積分［∫
ｖ（θ）ｄθ］の上・下限を−ψ，＋ψ、関係［ｌ（φ
，ｎ）・ω＝∫ｖ（θ）ｄθ；（積分は−｛（ψ／ｎ）
＋φ｝から｛（ψ／ｎ）＋φ｝まで取る。但し、２≦ｎ
≦１２の所望の数］により定義されるｌ（φ，ｎ）の、
最大値ｌｍａｘ・最小値ｌｍｉｎの算術平均をｌ（＝（
ｌｍａｘ＋ｌｍｉｎ）／２）とするとき、１画素あたり
の記録に要する時間ｔを、 ｔ≒（Ｌ・２ψ）／（Ｎｎｌω） に設定してレーザー光源の変調を行うのである。

【００１１】請求項３，４の方法も請求項１，２の方法
と同様に「レーザー光源装置からの光束を等角速度的に
偏向させ、偏向光束をｆθレンズを含む結像光学系によ
り集光して被走査面上に光スポットを形成し、この光ス
ポットにより被走査面を光走査する方法」であるが、「
レーザー光源から被走査面に到る光路上に配備された光
学素子の内の少なくとも１つがプラスチックで形成され
ていること、上限・下限をそれぞれＴｍａｘ，Ｔｍｉｎ
とする環境温度範囲内において光走査が行われる」こと
が前提となる。

【００１２】請求項３の方法は以下の如き特徴を有する
。即ち設計上の有効走査幅をＬ、有効走査幅Ｌに記録さ
せる画素数をＮ、偏向光束の偏向の角速度をω、偏向角
θに於ける光スポットの走査速度をｖ（θ）とし、さら
に平均環境温度Ｔ（＝（Ｔｍａｘ＋Ｔｍｉｎ）／２）に
おいて関係［Ｌ・ω＝∫ｖ（θ）ｄθ］を満足する積分
［∫ｖ（θ）ｄθ］の上・下限を−ψ（Ｔ），＋ψ（Ｔ
）、−ψ（Ｔ）≦θ≦＋ψ（Ｔ）の範囲において、環境
温度Ｔｍａｘのときのｖ（θ）の最大値Ｖｍａｘ（Ｔｍ
ａｘ）・最小値Ｖｍｉｎ（Ｔｍａｘ）と、環境温度Ｔｍ
ｉｎのときのｖ（θ）の最大値Ｖｍａｘ（Ｔｍｉｎ）・
最小値Ｖｍｉｎ（Ｔｍｉｎ）の４値の内の最大値Ｖｍａ
ｘ・最小値Ｖｍｉｎの算術平均をＶ（＝（Ｖｍａｘ＋Ｖ
ｍｉｎ）／２）とするとき、１画素あたりの記録に要す
る時間ｔを、Ｌ／（ＮＶ）と２ψ（Ｔ）／（Ｎω）の間
に設定してレーザー光源の変調を行うのである。

【００１３】請求項４の方法は以下の如き特徴を有する
。即ち設計上の有効走査幅をＬ、有効走査幅Ｌに記録さ
せる画素数をＮ、偏向光束の偏向の角速度をω、偏向角
θに於ける光スポットの走査速度をｖ（θ）とし、平均
環境温度Ｔ（＝（Ｔｍａｘ＋Ｔｍｉｎ）／２）において
、関係［Ｌ・ω＝∫ｖ（θ）ｄθ］を満足する積分［∫
ｖ（θ）ｄθ］の上・下限を−ψ（Ｔ），＋ψ（Ｔ）、
関係［ｌ（φ，ｎ）・ω＝∫ｖ（θ）ｄθ；（積分は−
｛（ψ（Ｔ）／ｎ）＋φ｝から｛（ψ（Ｔ）／ｎ）＋φ
｝まで取る。但し、２≦ｎ≦１２の所望の数］により定
義されるｌ（φ，ｎ）の、環境温度Ｔｍａｘのときの最
大値ｌｍａｘ（Ｔｍａｘ）・最小値ｌｍｉｎ（Ｔｍａｘ
），環境温度Ｔｍｉｎのときの最大値ｌｍａｘ（Ｔｍｉ
ｎ）・最小値ｌｍｉｎ（Ｔｍｉｎ）の４値の内の最大値
ｌｍａｘ・最小値ｌｍｉｎの算術平均をｌ（＝（ｌｍａ
ｘ＋ｌｍｉｎ）／２）とするとき、１画素あたりの記録
に要する時間ｔを、ｔ≒｛Ｌ・２ψ（Ｔ）｝／（Ｎｎｌ
ω）に設定してレーザー光源の変調を行うのである。

【００１４】請求項１において、Ｌ／（ＮＶ）と２ψ／
（Ｎω）の大小関係は一義的には定まらず、これらは前
者が後者より大きいことも小さいこともある。従って、
請求項１においてｔがＬ／（ＮＶ）と２ψ／（Ｎω）の
間にあるとは、Ｌ／（ＮＶ）≦ｔ≦２ψ／（Ｎω）もし
くはＬ／（ＮＶ）≧ｔ≧２ψ／（Ｎω）を意味する。

【００１５】同様に、請求項３においてｔがＬ／（ＮＶ
）と２ψ（Ｔ）／（Ｎω）の間にあるとは、Ｌ／（ＮＶ
）≦ｔ≦２ψ（Ｔ）／（Ｎω）もしくはＬ／（ＮＶ）≧
ｔ≧２ψ（Ｔ）／（Ｎω）を意味する。

【００１６】

【作用】図１は、本発明を適用できる光走査装置の１例
を示している。同図（ａ）において符号１で示すレーザ
ー光源装置は、例えば半導体レーザーとコリメートレン
ズにより構成され平行なレーザー光束を放射する。この
光束はシリンダーレンズ２により副走査対応方向に集光
されて回転多面鏡３の偏向反射面４上に主走査対応方向
に長い線像として結像する。偏向反射面４により反射さ
れた光束は、回転多面鏡３が回転軸３Ａの回りに等速回
転すると、等角速度的にに偏向されて偏向光束となり、
レンズ５，６により構成される結像光学系により被走査
面７上に光スポットに形成され被走査面７を光走査する
。

【００１７】この例で２枚のレンズ５，６により構成さ
れる結像光学系はアナモフィックなｆθレンズである。

【００１８】図１の（ｂ）は同図（ａ）の光走査装置の
光学配置を副走査対応方向から見た状態を示している。 被走査面７において図の上下方向は主走査方向、図面に
直交する方向が副走査方向である。レーザー光源から被
走査面に到る光学配置を光軸に沿って展開して考えたと
き、この光路を展開光路と呼ぶ。この展開光路上の任意
の位置において、主走査方向に平行になる方向を主走査
対応方向、副走査方向と平行になる方向を副走査対応方
向と称するのである。

【００１９】図１（ｂ）において、角θは光軸を基準と
して計った偏向光束の偏向角を示している。偏向光束が
偏向角θをなすとき、被走査面７上に於ける光スポット
の走査速度を図のようにｖ（θ）とする。ｖ（θ）は、
結像光学系が理想的なｆθ特性を持っていれば定数であ
るが、一般には偏向角θの関数であって結像光学系のｆ
θ特性により定まる。また同図においてＬは設計上の有
効走査幅である。

【００２０】偏向光束が偏向角θからｄθだけ偏向する
のにかかる時間をｄｔとすると、微小角ｄθの偏向に伴
う光スポットの変位ｄＬはｖ（θ）ｄｔとなる。一方に
おいてｄθ／ｄｔ＝ωは偏向光束の角速度であり、回転
多面鏡３の回転角速度の２倍であり装置設計上の定数で
ある。ｄθ／ｄｔ＝ωを用いるとｄｔ＝（１／ω）ｄθ
であるから、ｖ（θ）ｄｔ＝ｖ（θ）ｄθ／ωとなる。

【００２１】従って、有効走査幅Ｌを与える偏向角の領
域を図の如く−ψ〜＋ψとすると、積分∫ｖ（θ）ｄθ
を−ψ〜＋ψの領域で実行したものはＬ・ωとなる。光
走査装置設計の順序から言うと、先ず設計上の有効走査
幅Ｌが定まり、結像光学系のｆθ特性に応じて、Ｌ・ω
＝∫ｖ（θ）ｄθを与える積分の範囲として−ψ，＋ψ
が定まることになる。

【００２２】前述の如く、一般にｖ（θ）は偏向角θに
応じて変化するので、上記範囲−ψ〜＋ψにおいてｖ（
θ）の最大値をＶｍａｘ、最小値をＶｍｉｎとし、その
算術平均をＶとすると、Ｖ＝（Ｖｍａｘ＋Ｖｍｉｎ）／
２となる。

【００２３】さて、有効走査幅Ｌに書き込むべき画素の
数をＮとすると主走査方向における１画素の幅はＬ／Ｎ
である。そこで、請求項１の方法においては光走査を行
うにあたり、１画素あたりの記録に要する時間ｔの一方
の限界としてＬ／（ＮＶ）を用いるのである。こ２５１
画素の記録時間として、１画素の幅を光スポットが上述
の算術平均の速さで横切るのに必要な時間をｔとして設
定する場合に相当する。この場合には実際にＮ画素を光
走査すると走査長さは厳密にはＬにならない。光スポッ
トの速度がＶより大きいと、書き込まれる画素の長さは
引き延ばされ、光スポットの速度がＶより小さいと、書
き込まれる画素の長さは短縮される。しかしＶは光スポ
ットの速度の最大値Ｖｍａｘ，最小値Ｖｍｉｎの平均と
して設定されているため、画像の伸びと縮みがともに略
等しい割合で発生するので、記録画像全体としての倍率
誤差を小さく押さえることができ、上記最大値・最小値
近傍における記録画像の伸び縮みも平均の両側に振り分
けられて目立たなくなる。

【００２４】また２ψは設計上の有効走査幅Ｌを走査す
るのに必要な偏向光束の偏向範囲を与えるから、２ψ／
Ｎは理想的な１画素に対応する偏向角に対応する。請求
項１の方法では前記ｔの他方の限界として２ψ／（Ｎω
）を用いる。この場合は、光走査による走査幅が正しく
設計上の有効走査幅Ｌを与えることになる。従って、ｔ
を上記２つの限界の間に設定することにより任意の長さ
の倍率誤差を軽減することが可能になる。

【００２５】次に、上記積分∫ｖ（θ）ｄθを−｛（ψ
／ｎ）＋φ｝から｛（ψ／ｎ）＋φ｝まで行うことを考
えて見る。ｎは２≦ｎ≦１２の間の数であり、ψは先に
説明したものである。上記範囲の積分は偏向角φを中心
として、その前後の±ψ／ｎの範囲で積分を行うことに
外ならない。従って、積分の結果は偏向角φと数ｎの関
数になる。そこで、この積分の結果をｌ（φ，ｎ）・ω
と書くのである。

【００２６】この積分値ｌ（φ，ｎ）の意味を考察する
ために、結像光学系のｆθ特性が理想的であって、被走
査面７上における光スポットの走査速度ｖ（θ）が偏向
角θによらず一定であるとすると、積分値ｌ（φ，ｎ）
はφによらずｎのみの関数となり、その値はＬ／ｎとな
る。

【００２７】ところで実際に光走査により記録された画
像において、倍率誤差として影響を大きく感じる長さは
有効走査幅Ｌの１／２ないし１／１２である。そこで倍
率誤差の影響を小さくしたい所望のｎ（１／２≦ｎ≦１
／１２）に対してｌ（φ，ｎ）の最大値ｌｍａｘ・最小
値ｌｍｉｎの算術平均をｌ（＝（ｌｍａｘ＋ｌｍｉｎ）
／２）とすると、ｌは光走査の特性としてのＬ／ｎの長
さに対する倍率誤差の平均的な傾向を与えることになる
。

【００２８】そこで請求項２の方法では、１画素あたり
の記録に要する時間ｔを、 ｔ≒（Ｌ・２ψ）／（Ｎｎｌω） に設定してレーザー光源の変調を行うのである。この式
は、ｔ≒（２ψ／Ｎω）（Ｌ／ｌｎ）と書換えることが
できる。（２ψ／Ｎω）は、１画素に対応する偏向角を
偏向光束が偏向するのに要する時間である。また（Ｌ／
ｌｎ）は、もし結像光学系が理想的なｆθ特性を持つな
らば１に等しい。倍率誤差の平均が縮小傾向ならばｌｎ
はＬよりも小さく、（Ｌ／ｌｎ）は１より大きくなる。 従ってこのときｔは理想的な光走査において１画素あた
りの記録に要する時間よりも大きく設定されることにな
り、これによって縮小傾向にある倍率誤差を補正するこ
とができる。

【００２９】逆に、倍率誤差の平均が拡大傾向にあると
きは、ｔは理想的な光走査において１画素あたりの記録
に要する時間よりも小さく設定され、拡大傾向にある倍
率誤差が補正されることになる。

【００３０】次に、光源装置から被走査面にいたる光路
上に、プラスチック製の光学素子が配置された場合を考
えると、この場合にはプラスチック製の光学素子の特性
が温度により変化するため、上の説明における関係［Ｌ
・ω＝∫ｖ（θ）ｄθ］を満足する積分［∫ｖ（θ）ｄ
θ］の上・下限も温度に応じて変化する。しかし温度変
化に伴うプラスチック製光学素子の特性変化は単調な変
化であるから、光走査の行われる環境温度の上限・下限
をそれぞれＴｍａｘ，Ｔｍｉｎとするとき、平均環境温
度Ｔ（＝（Ｔｍａｘ＋Ｔｍｉｎ）／２）において、関係
［Ｌ・ω＝∫ｖ（θ）ｄθ］を満足する積分［∫ｖ（θ
）ｄθ］の上・下限を−ψ（Ｔ），＋ψ（Ｔ）、−ψ（
Ｔ）≦θ≦＋ψ（Ｔ）の範囲において、環境温度Ｔｍａ
ｘのときのｖ（θ）の最大値Ｖｍａｘ（Ｔｍａｘ）・最
小値Ｖｍｉｎ（Ｔｍａｘ）と、環境温度Ｔｍｉｎのとき
のｖ（θ）の最大値Ｖｍａｘ（Ｔｍｉｎ）・最小値Ｖｍ
ｉｎ（Ｔｍｉｎ）の４値の内の最大値Ｖｍａｘ・最小値
Ｖｍｉｎの算術平均Ｖ（＝（Ｖｍａｘ＋Ｖｍｉｎ）／２
）を用いて、１画素あたりの記録に要する時間ｔを、Ｌ
／（ＮＶ）と２ψ（Ｔ）／（Ｎω）の間に設定してレー
ザー光源の変調を行うことにより、上記環境温度範囲内
において有効に倍率誤差を軽減できることになる（請求
項３）。

【００３１】さらに、請求項２の方法の場合に、一部に
プラスチック製の光学素子を用いる場合には、平均環境
温度Ｔ（＝（Ｔｍａｘ＋Ｔｍｉｎ）／２）において、関
係［Ｌ・ω＝∫ｖ（θ）ｄθ］を満足する積分［∫ｖ（
θ）ｄθ］の上・下限を−ψ（Ｔ），＋ψ（Ｔ）、関係
［ｌ（φ，ｎ）・ω＝∫ｖ（θ）ｄθにより定義される
ｌ（φ，ｎ）の環境温度Ｔｍａｘでの最大値ｌｍａｘ（
Ｔｍａｘ）・最小値ｌｍｉｎ（Ｔｍａｘ），環境温度Ｔ
ｍｉｎのときの最大値ｌｍａｘ（Ｔｍｉｎ）・最小値ｌ
ｍｉｎ（Ｔｍｉｎ）の４値の内の最大値ｌｍａｘ・最小
値ｌｍｉｎの算術平均ｌ（＝（ｌｍａｘ＋ｌｍｉｎ）／
２）を用いて、１画素あたりの記録に要する時間ｔを、
ｔ≒｛Ｌ・２ψ（Ｔ）｝／（Ｎｎｌω）に設定してレー
ザー光源の変調を行うことにより、上記環境温度範囲内
において有効に長さＬ／ｎの倍率誤差を軽減できること
になる（請求項４）。

【００３２】

【実施例】

【００３３】以下、具体的な実施例を説明する。図１の
光走査装置の場合を例にとって説明する。

【００３４】この例において、光学素子にはプラスチッ
ク製のものは使用されていない。アナモフィックなｆθ
レンズである結像光学系を構成するレンズ５，６の諸元
は以下の通りである。回転多面鏡３の偏向反射面４の側
から数えて、第ｉ番目のレンズ面の曲率半径を主走査対
応方向につき，ｉをサフィックスとしてＲｍｉ，副走査
方向につきＲｓｉ、第ｉ番目と第ｉ＋１番目のレンズ面
の間の光軸上の面間隔をＤｉ、第ｊ番目のレンズの屈折
率をｊをサフィックスとしてＮｊとする。

【００３５】 ｉ　　　　　　　　Ｒｍｉ　　　　　　　　　　　　Ｒ
ｓｉ　　　　　　　　　　　　　　Ｄｉ　　　　　　　
　ｊ　　　　　　　　　　Ｎｊ１　　−１９８．８１　
　−１９８．８１　　　　１０．４６　　　　１　　　
　１．７１２２　　２　　　　　　∞　　　　　　　　
　　　　１０８．８２　　　　２０．２３３　　　　　
　∞　　　　　　　　　　−１０８．８２　　　　１２
．５６　　　　２　　　　１．６７５０　　４　　　　
−８４．６　　　　　　−２１．６６　　　　　　　　
　　　　　　偏向反射面４から第１番目のレンズ面まで
の光軸上の距離は１４．８５、第４番目のレンズ面から
被走査面７に到る光軸上の距離は２０６．８３であり、
主走査対応方向の焦点距離ｆは１８４．４３である。

【００３６】このレンズ系を用いた場合、回転多面鏡３
による偏向光束の偏向角θに対する被走査面７上におけ
る光スポットの走査速度ｖ（θ）を級数展開でｖ（θ）
＝（ａ０＋ａ１θ＋ａ２θ２＋ａ３θ３＋ａ４θ４）・
ωと表してみると、係数ａ０ないしａ４は、 　　ａ０＝０．３２１８９Ｅ＋１，ａ１＝０．５４９１
１６Ｅ−１４，　　ａ２＝０．１０７２９Ｅ−３，ａ３
＝−０．１０７８１Ｅ−１６，　　ａ４＝−０．１１６
１６Ｅ−６ で与えられる。Ｅとそれに続く数字は１０の羃乗を表す
。例えば、Ｅ−１４は、１／（１０）１４を意味し、こ
の数値が、その前にある数値に乗ぜられる。

【００３７】Ｌ＝２１０、ω＝７２０００（度／秒）、
画素密度を４００ｄｐｉとすると、Ｎ＝３３０７であり
、関係Ｌ・ω＝∫ｖ（θ）ｄθを満足する積分範囲の上
下限はψ＝±３２．５度となる。−３２．５≦θ≦＋３
２．５の範囲でｖ（θ）の最大値は２３３５４６．４、
最小値は２３０５８７．２で、これらの算術平均Ｖは２
３２０６６．８（ｍｍ／秒）となる。

【００３８】このときＬ／（ＮＶ）＝０．２７３６４Ｅ
−６（秒）、２ψ／Ｎω＝０．２７２９９Ｅ−６（秒）
となるから、ｔをこれらの値の間に設定すれば請求項１
の方法を実施できる。この場合において、従来の光走査
方法で行われているように時間ｔをｔ＝Ｌ／（ｆωＮ）
で設定するとｔ＝０．２７４００Ｅ−６（秒）となる。

【００３９】また請求項２の方法を適用し、所望のｎの
値としてｎ＝２と１２の場合を考えてみると、ｌの値は
ｎ＝２に対してはｌ＝１０４．９４２７７ｍｍとなり、
この場合のｔはｔ＝０．２７３１４Ｅ−６（秒）となる
。またｎ＝１２に対してはｌ＝１７．５０２１８ｍｍと
なり、ｔ＝０．２７２９６Ｅ−６（秒）となる。

【００４０】図２，３には本発明を適用できる光走査装
置の他の例を示す。煩雑を避けるために、混同の慮がな
いと思われるものについては図１におけると同じ符号を
用いた、これらの図の（ｂ）においてθは偏向角、±ψ
は関係［Ｌ・ω＝∫ｖ（θ）ｄθ］を満足する積分の上
下限である。

【００４１】図２，３において結像光学系はｆθレンズ
を構成するレンズ５Ａ，６Ａと長尺シリンダーレンズ８
もしくは長尺トロイダルレンズ９により構成されている
。

【００４２】

【発明の効果】以上、本発明によれば新規な光走査方法
を提供できる。本発明は上記の如き構成となっているの
でｆθ特性がさほど良好でない結像光学系を用いても、
また光学系の一部にプラスチック製の光学素子を用いた
場合も、倍率誤差を有効に軽減して光走査を行うことが
できる。

【００４３】なお、画素密度を例えば４００ｄｐｉと２
００ｄｐｉというように複数種類に切り替える場合は、
各画素密度ごとに、本発明の方法でｔの設定を行えば良
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の適用可能な光走査装置を説明するため
の図である。

【図２】本発明の適用可能な光走査装置の別例を示す図
である。

【図３】本発明の適用可能な他の光走査装置の例を示す
図である。

【符号の説明】

１　　　　　　レーザー光源装置 ２　　　　　　シリンダーレンズ ３　　　　　　回転多面鏡 ５、６　　　　　　結像光学系を構成するレンズ７　　
　　　　被走査面

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】レーザー光源装置からの光束を等角速度的
   に偏向させ、偏向光束をｆθレンズを含む結像光学系に
   より集光して被走査面上に光スポットを形成し、この光
   スポットにより被走査面を光走査する方法であって、設
   計上の有効走査幅をＬ、この有効走査幅Ｌに記録させる
   画素数をＮ、偏向光束の偏向の角速度をω、偏向角θに
   於ける光スポットの走査速度をｖ（θ）、関係［Ｌ・ω
   ＝∫ｖ（θ）ｄθ］を満足する積分［∫ｖ（θ）ｄθ］
   の上・下限を−ψ，＋ψ、 −ψ≦θ≦＋ψの範囲におけるｖ（θ）の最大値Ｖｍａ
   ｘ・最小値Ｖｍｉｎの算術平均をＶ（＝（Ｖｍａｘ＋Ｖ
   ｍｉｎ）／２）とするとき、１画素あたりの記録に要す
   る時間ｔを、Ｌ／（ＮＶ）と２ψ／（Ｎω）の間に設定
   してレーザー光源の変調を行うことを特徴とする光走査
   方法。
2. 【請求項２】レーザー光源装置からの光束を等角速度的
   に偏向させ、偏向光束をｆθレンズを含む結像光学系に
   より集光して被走査面上に光スポットを形成し、この光
   スポットにより被走査面を光走査する方法であって、設
   計上の有効走査幅をＬ、この有効走査幅Ｌに記録させる
   画素数をＮ、偏向光束の偏向の角速度をω、偏向角θに
   於ける光スポットの走査速度をｖ（θ）、関係［Ｌ・ω
   ＝∫ｖ（θ）ｄθ］を満足する積分［∫ｖ（θ）ｄθ］
   の上・下限を−ψ，＋ψ、 関係［ｌ（φ，ｎ）・ω＝∫ｖ（θ）ｄθ；（積分は−
   ｛（ψ／ｎ）＋φ｝から｛（ψ／ｎ）＋φ｝まで取る。 但し、２≦ｎ≦１２の所望の数］により定義されるｌ（
   φ，ｎ）の、最大値ｌｍａｘ・最小値ｌｍｉｎの算術平
   均をｌ（＝（ｌｍａｘ＋ｌｍｉｎ）／２）とするとき、
   １画素あたりの記録に要する時間ｔを、 ｔ≒（Ｌ・２ψ）／（Ｎｎｌω）に設定してレーザー光
   源の変調を行うことを特徴とする光走査方法。
3. 【請求項３】レーザー光源装置からの光束を等角速度的
   に偏向させ、偏向光束をｆθレンズを含む結像光学系に
   より集光して被走査面上に光スポットを形成し、この光
   スポットにより被走査面を光走査する方法であって、レ
   ーザー光源から被走査面に到る光路上に配備された光学
   素子の内の少なくとも１つがプラスチックで形成され、
   上限・下限をそれぞれＴｍａｘ，Ｔｍｉｎとする環境温
   度範囲内において光走査が行われ、設計上の有効走査幅
   をＬ、この有効走査幅Ｌに記録させる画素数をＮ、偏向
   光束の偏向の角速度をω、偏向角θに於ける光スポット
   の走査速度をｖ（θ）、平均環境温度Ｔ（＝（Ｔｍａｘ
   ＋Ｔｍｉｎ）／２）において、関係［Ｌ・ω＝∫ｖ（θ
   ）ｄθ］を満足する積分［∫ｖ（θ）ｄθ］の上・下限
   を−ψ（Ｔ），＋ψ（Ｔ）、−ψ（Ｔ）≦θ≦＋ψ（Ｔ
   ）の範囲において、環境温度Ｔｍａｘのときのｖ（θ）
   の最大値Ｖｍａｘ（Ｔｍａｘ）・最小値Ｖｍｉｎ（Ｔｍ
   ａｘ）と、環境温度Ｔｍｉｎのときのｖ（θ）の最大値
   Ｖｍａｘ（Ｔｍｉｎ）・最小値Ｖｍｉｎ（Ｔｍｉｎ）の
   ４値の内の最大値Ｖｍａｘ・最小値Ｖｍｉｎの算術平均
   をＶ（＝（Ｖｍａｘ＋Ｖｍｉｎ）／２）とするとき、１
   画素あたりの記録に要する時間ｔを、Ｌ／（ＮＶ）と２
   ψ（Ｔ）／（Ｎω）の間に設定してレーザー光源の変調
   を行うことを特徴とする光走査方法。
4. 【請求項４】レーザー光源装置からの光束を等角速度的
   に偏向させ、偏向光束をｆθレンズを含む結像光学系に
   より集光して被走査面上に光スポットを形成し、この光
   スポットにより被走査面を光走査する方法であって、レ
   ーザー光源から被走査面に到る光路上に配備された光学
   素子の内の少なくとも１つがプラスチックで形成され、
   上限・下限をそれぞれＴｍａｘ，Ｔｍｉｎとする環境温
   度範囲内において光走査が行われ、設計上の有効走査幅
   をＬ、この有効走査幅Ｌに記録させる画素数をＮ、偏向
   光束の偏向の角速度をω、偏向角θに於ける光スポット
   の走査速度をｖ（θ）、平均環境温度Ｔ（＝（Ｔｍａｘ
   ＋Ｔｍｉｎ）／２）において、関係［Ｌ・ω＝∫ｖ（θ
   ）ｄθ］を満足する積分［∫ｖ（θ）ｄθ］の上・下限
   を−ψ（Ｔ），＋ψ（Ｔ）、関係［ｌ（φ，ｎ）・ω＝
   ∫ｖ（θ）ｄθ；（積分は−｛（ψ（Ｔ）／ｎ）＋φ｝
   から｛（ψ（Ｔ）／ｎ）＋φ｝まで取る。但し、２≦ｎ
   ≦１２の所望の数］により定義されるｌ（φ，ｎ）の、
   環境温度Ｔｍａｘでの最大値ｌｍａｘ（Ｔｍａｘ）・最
   小値ｌｍｉｎ（Ｔｍａｘ），環境温度Ｔｍｉｎのときの
   最大値ｌｍａｘ（Ｔｍｉｎ）・最小値ｌｍｉｎ（Ｔｍｉ
   ｎ）の４値の内の最大値ｌｍａｘ・最小値ｌｍｉｎの算
   術平均をｌ（＝（ｌｍａｘ＋ｌｍｉｎ）／２）とすると
   き、 １画素あたりの記録に要する時間ｔを、ｔ≒｛Ｌ・２ψ
   （Ｔ）｝／（Ｎｎｌω）に設定してレーザー光源の変調
   を行うことを特徴とする光走査方法。