JPH04242107A - 撮像装置の校正方法 - Google Patents
撮像装置の校正方法Info
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- JPH04242107A JPH04242107A JP3003550A JP355091A JPH04242107A JP H04242107 A JPH04242107 A JP H04242107A JP 3003550 A JP3003550 A JP 3003550A JP 355091 A JP355091 A JP 355091A JP H04242107 A JPH04242107 A JP H04242107A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
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- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Image Analysis (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップ形成用基板
の位置ずれ量測定装置における撮像装置の校正方法、特
に画像処理装置の校正方法に関する。
の位置ずれ量測定装置における撮像装置の校正方法、特
に画像処理装置の校正方法に関する。
【０００２】近年、半導体装置に要求されるパターンの
位置合わせ精度は、顕微鏡を使用した目視判定可能限界
（０．１μｍ 程度） を超えており、半導体チップ
形成用基板の位置ずれ量の測定ＣＣＤカメラ等の画像入
力装置に画像処理装置を組合せた撮像装置が利用される
ようになった。
位置合わせ精度は、顕微鏡を使用した目視判定可能限界
（０．１μｍ 程度） を超えており、半導体チップ
形成用基板の位置ずれ量の測定ＣＣＤカメラ等の画像入
力装置に画像処理装置を組合せた撮像装置が利用される
ようになった。
【０００３】
【従来の技術】半導体チップ形成用基板位置ずれ量測定
装置において、ウエーハ（基板）の位置決めおよびウエ
ーハに形成されたチップパターンの位置検出には、ＣＣ
Ｄカメラ等の画像入力装置にに画像処理装置を組合せた
撮像装置が使用されるようになった。かかる撮像装置は
、温度，湿度，気圧等の環境変化によってその特性が変
化するため、定期的に校正する必要がある。
装置において、ウエーハ（基板）の位置決めおよびウエ
ーハに形成されたチップパターンの位置検出には、ＣＣ
Ｄカメラ等の画像入力装置にに画像処理装置を組合せた
撮像装置が使用されるようになった。かかる撮像装置は
、温度，湿度，気圧等の環境変化によってその特性が変
化するため、定期的に校正する必要がある。
【０００４】図６は従来技術による撮像装置の校正方法
の説明図である。図６（イ） において、上下動と回動
およびＸ−Ｙの２軸方向に移動可能なステージ１の上面
に、ウエーハ（半導体チップ形成用基板）搭載用ステー
ジ２を固着し、ステージ２の上面には図６（ロ） に示
すような撮像装置校正用マーク３が形成された基板４を
固定する。ＣＣＤカメラ５に画像処理装置６を接続した
撮像装置７は、ステージ２の上方に配設され、画像処理
装置６からの出力はモニター８に表示する。
の説明図である。図６（イ） において、上下動と回動
およびＸ−Ｙの２軸方向に移動可能なステージ１の上面
に、ウエーハ（半導体チップ形成用基板）搭載用ステー
ジ２を固着し、ステージ２の上面には図６（ロ） に示
すような撮像装置校正用マーク３が形成された基板４を
固定する。ＣＣＤカメラ５に画像処理装置６を接続した
撮像装置７は、ステージ２の上方に配設され、画像処理
装置６からの出力はモニター８に表示する。
【０００５】校正マーク３は、例えば図６（ロ） の拡
大平面図およびその断面図（ハ） に示す如く、一対の
マークパターン３ａ，３ｂ によって構成し、マークパ
ターン３ａと３ｂとの２軸方向のずれ量δｘ ＝（ａ−
ｂ）／２とδｙ ＝（ｄ−ｃ）／２は、撮像装置７より
高精度である電子顕微鏡等によって予め測定し、校正マ
ーク３を撮像装置７にて検出したとき、画像処理装置６
からの出力値がδｘ，δｙ と一致するように、毎日ま
たは毎週の如く定期的に画像処理装置６を調整する。そ
して、画像処理装置６の校正が済むと、校正用基板４を
の代わりにウエーハを搭載することになる。
大平面図およびその断面図（ハ） に示す如く、一対の
マークパターン３ａ，３ｂ によって構成し、マークパ
ターン３ａと３ｂとの２軸方向のずれ量δｘ ＝（ａ−
ｂ）／２とδｙ ＝（ｄ−ｃ）／２は、撮像装置７より
高精度である電子顕微鏡等によって予め測定し、校正マ
ーク３を撮像装置７にて検出したとき、画像処理装置６
からの出力値がδｘ，δｙ と一致するように、毎日ま
たは毎週の如く定期的に画像処理装置６を調整する。そ
して、画像処理装置６の校正が済むと、校正用基板４を
の代わりにウエーハを搭載することになる。
【０００６】図７はウエーハの模式平面図（イ） と、
該ウエーハの各チップパターン内に形成したチップパタ
ーン位置検出用マークの拡大平面図（ロ）およびその断
面図（ハ） である。図７（イ） に示す如くウエーハ
９は、破線で囲まれた多数の各チップ領域１０内にチッ
プパターンの位置検出用マーク１１を形成し、マーク１
１はロ字形状のマークパターン１１ａ とその中心に位
置する角点部１１ｂ にて構成する。マークパターン１
１ａ はウエーハ１０の上面に形成した凹部であり、マ
ークパターン１１ｂ は、ウエーハ１０に被着した薄膜
１２の上のレジスト層１３に形成したものである。
該ウエーハの各チップパターン内に形成したチップパタ
ーン位置検出用マークの拡大平面図（ロ）およびその断
面図（ハ） である。図７（イ） に示す如くウエーハ
９は、破線で囲まれた多数の各チップ領域１０内にチッ
プパターンの位置検出用マーク１１を形成し、マーク１
１はロ字形状のマークパターン１１ａ とその中心に位
置する角点部１１ｂ にて構成する。マークパターン１
１ａ はウエーハ１０の上面に形成した凹部であり、マ
ークパターン１１ｂ は、ウエーハ１０に被着した薄膜
１２の上のレジスト層１３に形成したものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述した如く、撮像装
置（画像処理装置）において定期的に実施する従来の校
正は、校正用基板を使用するため完全な自動化が困難で
あり、校正作業に人為的ミスが誘発され易く、校正作業
が煩雑かつ熟練を要する等の問題点があった。
置（画像処理装置）において定期的に実施する従来の校
正は、校正用基板を使用するため完全な自動化が困難で
あり、校正作業に人為的ミスが誘発され易く、校正作業
が煩雑かつ熟練を要する等の問題点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による撮像装置の
校正方法は、その実施例を示す図１によれば、画像入力
信号を画像処理する撮像装置７を具えた半導体チップ製
造装置において、半導体チップ形成用基板９が搭載され
るステージ２または半導体チップ形成用基板９に、撮像
装置７の校正用マーク３を設け、少なくとも一対のマー
クパターン３ａ，３ｂ によって構成された校正用マー
ク３は、Ｘ−Ｙ座標の２軸方向にマークパターン３ａ，
３ｂ の間のずれ量を、撮像装置７より高精度の測定手
段によって測定し、該測定手段によるマークパターン３
ａ，３ｂ のずれ量と撮像装置７にて検出したマークパ
ターン３ａ，３ｂ のずれ量とが一致するように、撮像
装置７の画像処理装置６を調整することを特徴とする。
校正方法は、その実施例を示す図１によれば、画像入力
信号を画像処理する撮像装置７を具えた半導体チップ製
造装置において、半導体チップ形成用基板９が搭載され
るステージ２または半導体チップ形成用基板９に、撮像
装置７の校正用マーク３を設け、少なくとも一対のマー
クパターン３ａ，３ｂ によって構成された校正用マー
ク３は、Ｘ−Ｙ座標の２軸方向にマークパターン３ａ，
３ｂ の間のずれ量を、撮像装置７より高精度の測定手
段によって測定し、該測定手段によるマークパターン３
ａ，３ｂ のずれ量と撮像装置７にて検出したマークパ
ターン３ａ，３ｂ のずれ量とが一致するように、撮像
装置７の画像処理装置６を調整することを特徴とする。
【０００９】
【作用】上記手段によれば、半導体チップ形成用基板搭
載ステージまたは半導体チップ形成用基板に撮像装置の
校正マークを形成せしめ、該校正マークを利用して撮像
装置を校正するため、該校正は校正用基板を利用する従
来方法より迅速，容易かつ自動化を可能にし、校正マー
ク専用基板が不要となります。
載ステージまたは半導体チップ形成用基板に撮像装置の
校正マークを形成せしめ、該校正マークを利用して撮像
装置を校正するため、該校正は校正用基板を利用する従
来方法より迅速，容易かつ自動化を可能にし、校正マー
ク専用基板が不要となります。
【００１０】
【実施例】図１は本発明方法の一実施例の説明図、図２
は図１に示すウエーハ搭載ステージの平面図である。図
１（イ） において、上下動と回動およびＸ−Ｙの２軸
方向に移動可能なステージ１にウエーハ搭載用ステージ
２を搭載し、ステージ２にウエーハ１０を固定する。ス
テージ２の上方には、ＣＣＤカメラ５と画像処理装置６
からなる撮像装置７が設けられ、撮像装置７はモニター
８に接続する。ステージ２の上面には図２に示す如く、
ウエーハ９が搭載される位置の側方に撮像装置校正用マ
ーク３を形成する。校正マーク３は校正マーク基板に形
成した従来のそれと同じ形状であり、例えば図１（ロ）
に示す如く、ロ字形状のマークパターン３ａ とその
中心に位置する角点形状のマークパターン３ｂ にて構
成し、マークパターン３ａ と３ｂ とのずれ量δｘ
＝（ａ−ｂ）／２とδｙ ＝（ｄ−ｃ）／２は、マーク
パターン３ａ と３ｂ との間隔ａ，ｂ，ｃ，ｄを撮像
装置７より高精度な手段、例えば電子顕微鏡を使用して
予め測定し算出する。
は図１に示すウエーハ搭載ステージの平面図である。図
１（イ） において、上下動と回動およびＸ−Ｙの２軸
方向に移動可能なステージ１にウエーハ搭載用ステージ
２を搭載し、ステージ２にウエーハ１０を固定する。ス
テージ２の上方には、ＣＣＤカメラ５と画像処理装置６
からなる撮像装置７が設けられ、撮像装置７はモニター
８に接続する。ステージ２の上面には図２に示す如く、
ウエーハ９が搭載される位置の側方に撮像装置校正用マ
ーク３を形成する。校正マーク３は校正マーク基板に形
成した従来のそれと同じ形状であり、例えば図１（ロ）
に示す如く、ロ字形状のマークパターン３ａ とその
中心に位置する角点形状のマークパターン３ｂ にて構
成し、マークパターン３ａ と３ｂ とのずれ量δｘ
＝（ａ−ｂ）／２とδｙ ＝（ｄ−ｃ）／２は、マーク
パターン３ａ と３ｂ との間隔ａ，ｂ，ｃ，ｄを撮像
装置７より高精度な手段、例えば電子顕微鏡を使用して
予め測定し算出する。
【００１１】ステージ２に形成した校正マーク３を使用
する撮像装置７の校正は、従来と同じく、電子顕微鏡で
測定したずれ量δｘ ，δｙ と撮像装置７で測定した
ずれ量δｘ ′，δｙ ′とが一致するように、画像処
理装置６を毎日あるいは週毎の定期的に調整することに
なる。
する撮像装置７の校正は、従来と同じく、電子顕微鏡で
測定したずれ量δｘ ，δｙ と撮像装置７で測定した
ずれ量δｘ ′，δｙ ′とが一致するように、画像処
理装置６を毎日あるいは週毎の定期的に調整することに
なる。
【００１２】本発明によるかかる校正はウエーハ１０を
搭載した状態で可能であり、従って、校正用基板４に校
正用マーク３を形成して行う従来方法に比べ、撮像装置
７の校正が著しく容易かつ自動化が可能となり、さらに
各半導体チップパターン毎に実施することも可能になる
。
搭載した状態で可能であり、従って、校正用基板４に校
正用マーク３を形成して行う従来方法に比べ、撮像装置
７の校正が著しく容易かつ自動化が可能となり、さらに
各半導体チップパターン毎に実施することも可能になる
。
【００１３】図３は本発明方法の他の実施例に係わるウ
エーハの平面図であり、ウエーハ１０の上面のチップパ
ターン形成領域外に、ステージ２に形成したものと同じ
ような校正マーク３を形成する。このような校正マーク
３は、撮像装置７より高精度な手段でマークパターンの
ずれ量δｘ およびδｙ を測定しておき、ずれ量δｘ
，δｙ を用いる撮像装置７の校正は、ウエーハ毎ま
たは半導体チップパターン毎に実施する。
エーハの平面図であり、ウエーハ１０の上面のチップパ
ターン形成領域外に、ステージ２に形成したものと同じ
ような校正マーク３を形成する。このような校正マーク
３は、撮像装置７より高精度な手段でマークパターンの
ずれ量δｘ およびδｙ を測定しておき、ずれ量δｘ
，δｙ を用いる撮像装置７の校正は、ウエーハ毎ま
たは半導体チップパターン毎に実施する。
【００１４】以上説明した本発明の実施例において、校
正マーク３はステージ２またはウエーハ１０の１個所に
形成し撮像装置７を校正している。しかし、撮像装置７
の特性において、例えばずれ量δｘ およびδｙ ＝０
の校正マーク３で校正したとき、ずれ量δｘ およびδ
ｙ ＝０．２μｍ の位置で０．２μｍ からずれるも
のがあるため、そのような特性を校正する方法（傾斜特
性の校正）が必要になる。
正マーク３はステージ２またはウエーハ１０の１個所に
形成し撮像装置７を校正している。しかし、撮像装置７
の特性において、例えばずれ量δｘ およびδｙ ＝０
の校正マーク３で校正したとき、ずれ量δｘ およびδ
ｙ ＝０．２μｍ の位置で０．２μｍ からずれるも
のがあるため、そのような特性を校正する方法（傾斜特
性の校正）が必要になる。
【００１５】図４は本発明方法による撮像装置の傾斜特
性を校正するための図であり、ずれ量が異なる複数個の
校正マーク３、例えばδｘ１とδｙ１＝０μｍ，δｘ２
とδｙ２＝０．１５μｍ，δｘ３とδｙ３＝０．３μｍ
，δｘ２とδｙ２＝−０．１５μｍ ， δｘ３とδｙ
３＝−０．３μｍ とした５個の校正マーク３−１，３
−２，３−３，３−４，３−５を、同一ステージ２また
はウエーハ１０に形成し撮像装置７を校正すれば、図４
に示す如く、理想特性Ａに対する撮像装置７の傾斜特性
Ｂが校正可能となる。
性を校正するための図であり、ずれ量が異なる複数個の
校正マーク３、例えばδｘ１とδｙ１＝０μｍ，δｘ２
とδｙ２＝０．１５μｍ，δｘ３とδｙ３＝０．３μｍ
，δｘ２とδｙ２＝−０．１５μｍ ， δｘ３とδｙ
３＝−０．３μｍ とした５個の校正マーク３−１，３
−２，３−３，３−４，３−５を、同一ステージ２また
はウエーハ１０に形成し撮像装置７を校正すれば、図４
に示す如く、理想特性Ａに対する撮像装置７の傾斜特性
Ｂが校正可能となる。
【００１６】図５は本発明方法に係わる他の撮像装置校
正用マークの一例を示す平面図であり、構成マーク３と
全く同様に利用される校正マーク１３は、一対のＬ形マ
ークパターン１３ａ と１３ｂ にて構成し、マークパ
ターン１３ａ と１３ｂ と間のずれ量δは、２軸方向
の間隔ｅとｆを測定し算出される。
正用マークの一例を示す平面図であり、構成マーク３と
全く同様に利用される校正マーク１３は、一対のＬ形マ
ークパターン１３ａ と１３ｂ にて構成し、マークパ
ターン１３ａ と１３ｂ と間のずれ量δは、２軸方向
の間隔ｅとｆを測定し算出される。
【００１７】
【発明の効果】上記手段によれば、半導体チップ形成用
基板搭載ステージまたは半導体チップ形成用基板に撮像
装置の校正マークを形成せしめ、該校正マークを利用し
て撮像装置を校正するため、該校正は校正用基板を利用
する従来方法より迅速，容易かつ自動化を可能にし、校
正マーク専用基板が不要となる。
基板搭載ステージまたは半導体チップ形成用基板に撮像
装置の校正マークを形成せしめ、該校正マークを利用し
て撮像装置を校正するため、該校正は校正用基板を利用
する従来方法より迅速，容易かつ自動化を可能にし、校
正マーク専用基板が不要となる。
【図１】 本発明方法の一実施例の説明図である。
【図２】 図１に示すウエーハ搭載ステージの平面図
である。
である。
【図３】 本発明方法の他の実施例に係わるウエーハ
の平面図である。
の平面図である。
【図４】 本発明方法による撮像装置の傾斜特性の校
正の説明図である。
正の説明図である。
【図５】 本発明方法に係わる他の校正マークの一例
の平面図である。
の平面図である。
【図６】 従来技術による撮像装置の校正方法の説明
図である。
図である。
【図７】 ウエーハとチップパターンの位置検出用マ
ークの説明図である。
ークの説明図である。
２はウエーハ搭載ステージ ６は画像処
理装置３，１３は撮像装置校正用マーク ７
は撮像装置３ａ，３ｂ，１３ａ，１３ｂ はマークパタ
ーン ９はウエーハ（半導体チップ形成用基板） ５はＣＣＤカメラ δｘ，δｙ，δｘ ′，
δｙ ′はマークパターンのずれ量
理装置３，１３は撮像装置校正用マーク ７
は撮像装置３ａ，３ｂ，１３ａ，１３ｂ はマークパタ
ーン ９はウエーハ（半導体チップ形成用基板） ５はＣＣＤカメラ δｘ，δｙ，δｘ ′，
δｙ ′はマークパターンのずれ量
Claims (3)
- 【請求項１】 画像入力信号を画像処理する撮像装置
（７） を具えた半導体チップ形成用基板位置ずれ量測
定装置において、半導体チップ形成用基板（９） が搭
載されるステージ（２） に、該撮像装置（７） の校
正用マーク（３） を設け、少なくとも一対のマークパ
ターン（３ａ，３ｂ） によって構成された該校正用マ
ーク（３） のＸ−Ｙ座標の２軸方向における該一対の
マークパターン（３ａ，３ｂ） の間のずれ量 （δｘ
，δｙ）を、該撮像装置（７） より高精度の測定手段
によって測定し、該測定手段による該マークパターン（
３ａ，３ｂ） のずれ量 （δｘ，δｙ）と該撮像装置
（７） にて検出した該マークパターン（３ａ，３ｂ）
のずれ量（δｘ ′，δｙ ′）とが一致するように
、該撮像装置（７） の画像処理装置（６） を調整す
ることを特徴とする撮像装置の校正方法。 - 【請求項２】 前記半導体チップ形成用基板（９）
の搭載ステージ（２） に前記ずれ量 （δｘ，δｙ）
が異なる複数個の画像処理装置校正用マーク（３） を
設け、該複数個の校正用マーク（３） の各ずれ量 （
δｘ，δｙ）を前記半導体チップ製造装置の撮像装置（
７） より高精度の測定手段によって測定し、該ずれ量
（δｘ，δｙ）が異なる複数個の校正用マーク（３）
で該撮像装置（７） の校正を行うことを特徴とする
前記請求項１記載の撮像装置の校正方法。 - 【請求項３】 画像入力信号を画像処理する撮像装置
（７） を具えた半導体チップ形成用基板位置ずれ量測
定装置において、半導体チップ形成用基板（９） のチ
ップパターン形成領域外に該撮像装置（７） の校正用
マーク（３） を設け、少なくとも一対のマークパター
ン（３ａ，３ｂ） によって構成された該校正用マーク
（３） のＸ−Ｙ座標の２軸方向ににおける該一対のマ
ークパターン（３ａ，３ｂ） の間のずれ量 （δｘ，
δｙ）を、該撮像装置（７） より高精度の測定手段に
よって測定し、該測定手段による該マークパターン（３
ａ，３ｂ） のずれ量 （δｘ，δｙ）と該撮像装置（
７） にて検出した該マークパターン（３ａ，３ｂ）
のずれ量（δｘ ′，δｙ ′）とが一致するように、
該撮像装置（７） の画像処理装置（６） を調整する
ことを特徴とする撮像装置の校正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3003550A JP2921129B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 撮像装置の校正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3003550A JP2921129B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 撮像装置の校正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04242107A true JPH04242107A (ja) | 1992-08-28 |
| JP2921129B2 JP2921129B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=11560530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3003550A Expired - Fee Related JP2921129B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 撮像装置の校正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2921129B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010160051A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Mitsutoyo Corp | 画像機器の校正用パターン |
| JP2012002664A (ja) * | 2010-06-17 | 2012-01-05 | Mitsutoyo Corp | 画像機器の校正用パターン |
-
1991
- 1991-01-17 JP JP3003550A patent/JP2921129B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010160051A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Mitsutoyo Corp | 画像機器の校正用パターン |
| JP2012002664A (ja) * | 2010-06-17 | 2012-01-05 | Mitsutoyo Corp | 画像機器の校正用パターン |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2921129B2 (ja) | 1999-07-19 |
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