JPH04242009A - 絶縁ペースト - Google Patents
絶縁ペーストInfo
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- JPH04242009A JPH04242009A JP1474891A JP1474891A JPH04242009A JP H04242009 A JPH04242009 A JP H04242009A JP 1474891 A JP1474891 A JP 1474891A JP 1474891 A JP1474891 A JP 1474891A JP H04242009 A JPH04242009 A JP H04242009A
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Links
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Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の組立て(
アッセンブリ)や各種部品類の接着等に使用する絶縁ペ
ーストに関し、半導体ペレット(チップともいう)の大
型化とアッセンブリ工程の短縮化に対応できるとともに
、配線の腐蝕断線を起こさず、接着性にも優れた絶縁ペ
ーストに関する。
アッセンブリ)や各種部品類の接着等に使用する絶縁ペ
ーストに関し、半導体ペレット(チップともいう)の大
型化とアッセンブリ工程の短縮化に対応できるとともに
、配線の腐蝕断線を起こさず、接着性にも優れた絶縁ペ
ーストに関する。
【0002】
【従来の技術】リードフレーム上の所定部分に、IC、
LSI等の半導体ペレットを接続する工程は、素子の長
期信頼性に影響を与える重要な工程の 1つである。従
来から、この接続方法としてペレットのシリコン面をリ
ードフレーム上の金メッキ面に加熱圧着するというAu
−Si 共晶法が主流であった。しかし、近年の貴金
属、特に金の高騰を契機として、樹脂封止型半導体装置
ではAu −Si 共晶法から、導電性ペースト(接着
剤)を使用する方法等に急速に移行しつつある。また、
近年、半導体装置の設計上の関係から導電性ペーストだ
けでなく絶縁性のペーストも使用されるようになってき
た。
LSI等の半導体ペレットを接続する工程は、素子の長
期信頼性に影響を与える重要な工程の 1つである。従
来から、この接続方法としてペレットのシリコン面をリ
ードフレーム上の金メッキ面に加熱圧着するというAu
−Si 共晶法が主流であった。しかし、近年の貴金
属、特に金の高騰を契機として、樹脂封止型半導体装置
ではAu −Si 共晶法から、導電性ペースト(接着
剤)を使用する方法等に急速に移行しつつある。また、
近年、半導体装置の設計上の関係から導電性ペーストだ
けでなく絶縁性のペーストも使用されるようになってき
た。
【0003】しかし、これらのペーストを使用する方法
は、ボイドの発生、耐湿性、耐加水分解性に問題があり
、アルミニウム電極の腐蝕を促進し、断線不良の原因と
なる場合も多く、素子の信頼性はAu −Si 共晶法
に比べて劣っていた。
は、ボイドの発生、耐湿性、耐加水分解性に問題があり
、アルミニウム電極の腐蝕を促進し、断線不良の原因と
なる場合も多く、素子の信頼性はAu −Si 共晶法
に比べて劣っていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】また、近年、IC、L
SIやLED等の半導体ペレットの大型化に伴い、ペレ
ットクラックの発生や接着力の低下が問題となっており
、またアッセンブリ工程の短縮化を目指して、高速硬化
のできる絶縁ペーストの開発が強く要望されていた。
SIやLED等の半導体ペレットの大型化に伴い、ペレ
ットクラックの発生や接着力の低下が問題となっており
、またアッセンブリ工程の短縮化を目指して、高速硬化
のできる絶縁ペーストの開発が強く要望されていた。
【0005】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、半導体ペレットの大型化、アッセンブリ工程の短
縮化に対応するとともに、配線の腐蝕断線がなく、接着
性に優れ、ボイドの発生がない高速硬化性の絶縁ペース
トを提供しようとするものである。
ので、半導体ペレットの大型化、アッセンブリ工程の短
縮化に対応するとともに、配線の腐蝕断線がなく、接着
性に優れ、ボイドの発生がない高速硬化性の絶縁ペース
トを提供しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、後述する組成
の絶縁ペーストが接着性に優れ、ボイドの発生がなく、
低応力であることを見いだし、本発明を完成したもので
ある。
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、後述する組成
の絶縁ペーストが接着性に優れ、ボイドの発生がなく、
低応力であることを見いだし、本発明を完成したもので
ある。
【0007】すなわち、本発明は、(A)エポキシ樹脂
、(B)硬化触媒として、(a )有機基を有するアル
ミニウム化合物と、(b )Si に直結したOH基若
しくは加水分解性基を分子内に 1個以上有する、シリ
コーン化合物又はオルガノシラン化合物、及び(C)絶
縁性充填剤を必須成分とすることを特徴とする絶縁ペー
ストである。
、(B)硬化触媒として、(a )有機基を有するアル
ミニウム化合物と、(b )Si に直結したOH基若
しくは加水分解性基を分子内に 1個以上有する、シリ
コーン化合物又はオルガノシラン化合物、及び(C)絶
縁性充填剤を必須成分とすることを特徴とする絶縁ペー
ストである。
【0008】以下、本発明を詳細に説明する。
【0009】本発明に用いる(A)エポキシ樹脂として
は、例えばエピコート827,828,834,100
1,1002,1007,1009(シェル化学社製、
商品名)、DER330,331,332,334,3
35,336,337,660(ダウ・ケミカル社製、
商品名)、アラルダイトGY250,260,280,
6071,6084,6097,6099(チバガイギ
ー社製、商品名)、EPI−REZ510,5101(
JONE DABNEY社製、商品名)、エピクロン
810,1000,1010,3010(大日本インキ
化学工業社製、商品名)、旭電化社製EPシリーズ等が
挙げられ、これらは単独又は2種以上使用することがで
きる。また、これらのエポキシ樹脂の高純度タイプ品や
希釈剤として使用される単官能エポキシ樹脂類も含まれ
る。
は、例えばエピコート827,828,834,100
1,1002,1007,1009(シェル化学社製、
商品名)、DER330,331,332,334,3
35,336,337,660(ダウ・ケミカル社製、
商品名)、アラルダイトGY250,260,280,
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ー社製、商品名)、EPI−REZ510,5101(
JONE DABNEY社製、商品名)、エピクロン
810,1000,1010,3010(大日本インキ
化学工業社製、商品名)、旭電化社製EPシリーズ等が
挙げられ、これらは単独又は2種以上使用することがで
きる。また、これらのエポキシ樹脂の高純度タイプ品や
希釈剤として使用される単官能エポキシ樹脂類も含まれ
る。
【0010】本発明における(B)硬化触媒としては、
(a )有機基を有するアルミニウム化合物と、(b
)Si に直結したOH基若しくは加水分解性基を分子
内に 1個以上有する、シリコーン化合物(ポリシロキ
サン)又はオルガノシラン化合物とが、併用される。
(a )有機基を有するアルミニウム化合物と、(b
)Si に直結したOH基若しくは加水分解性基を分子
内に 1個以上有する、シリコーン化合物(ポリシロキ
サン)又はオルガノシラン化合物とが、併用される。
【0011】(a )有機基を有するアルミニウム化合
物としては、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル
基などのアルキル基、ベンジル基などの芳香族基、メト
キシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、フェノキシ基
、アセトオキシ基などアシルオキシ基、アセチルアセト
ンなどの有機基を有する化合物であり、具体的にはトリ
イソプロポキシアルミニウム、ジイソプロポキシアセト
オキシアルミニウム、アルミニウムトリスアセチルアセ
トネート、アルミニウムトリスエチルアセトアセテート
、トリエチルアルミニウム等が挙げられ、これらは単独
もしくは 2種以上混合して用いる。
物としては、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル
基などのアルキル基、ベンジル基などの芳香族基、メト
キシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、フェノキシ基
、アセトオキシ基などアシルオキシ基、アセチルアセト
ンなどの有機基を有する化合物であり、具体的にはトリ
イソプロポキシアルミニウム、ジイソプロポキシアセト
オキシアルミニウム、アルミニウムトリスアセチルアセ
トネート、アルミニウムトリスエチルアセトアセテート
、トリエチルアルミニウム等が挙げられ、これらは単独
もしくは 2種以上混合して用いる。
【0012】また(b )分子内に 1個以上のSi
に直結したOH基もしくは加水分解性基を有する、シリ
コーン化合物又はオルガノシラン化合物は次のものであ
る。
に直結したOH基もしくは加水分解性基を有する、シリ
コーン化合物又はオルガノシラン化合物は次のものであ
る。
【0013】そのシリコーン化合物は、シロキサン骨格
が直鎖状又は分岐状のいずれであってもよく、直鎖状の
ものは次の一般式
が直鎖状又は分岐状のいずれであってもよく、直鎖状の
ものは次の一般式
【0014】
【化1】
(但し、式中R1 ,R2 は水素原子、アルキル基、
芳香族基、不飽和アルキル基、ハロアルキル基、OH基
、またはアルコキシル基などの加水分解性基を表す)で
示されるものであり、OH基もしくは加水分解性基を分
子内に 1個以上含んでいなければならない。これらの
シリコーン化合物は単一の分子量である必要はなく、分
子量が低分子量体から高分子量体のどのようなものでも
用いることができる。
芳香族基、不飽和アルキル基、ハロアルキル基、OH基
、またはアルコキシル基などの加水分解性基を表す)で
示されるものであり、OH基もしくは加水分解性基を分
子内に 1個以上含んでいなければならない。これらの
シリコーン化合物は単一の分子量である必要はなく、分
子量が低分子量体から高分子量体のどのようなものでも
用いることができる。
【0015】またオルガノシラン化合物としては、次の
一般式
一般式
【0016】
【化2】
(但し、式中R3 ,R4 ,R5 ,R6 はアルキ
ル基、芳香族基、アルコキシル基などの加水分解性基、
またはOH基を表し、R3 〜R6 のうち少なくとも
1個はOH基もしくは加水分解性基である)で示され
るものである。 これらのオルガノシラン化合物は単独又は 2種以上混
合して使用することができる。
ル基、芳香族基、アルコキシル基などの加水分解性基、
またはOH基を表し、R3 〜R6 のうち少なくとも
1個はOH基もしくは加水分解性基である)で示され
るものである。 これらのオルガノシラン化合物は単独又は 2種以上混
合して使用することができる。
【0017】本発明に用いる(C)絶縁性充填剤として
は、例えば結晶シリカ、溶融シリカ、微粉シリカ、タル
ク、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、ベントナイ
ト等の絶縁性粉末が挙げられ、これらは単独又は 2種
以上混合して使用される。
は、例えば結晶シリカ、溶融シリカ、微粉シリカ、タル
ク、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、ベントナイ
ト等の絶縁性粉末が挙げられ、これらは単独又は 2種
以上混合して使用される。
【0018】本発明の絶縁ペーストは、上述したエポキ
シ樹脂、併用硬化触媒および絶縁性充填剤を混合するが
、必要に応じて粘度調整用の溶剤、消泡剤、カップリン
グ剤、その他の添加剤を配合することができる。その溶
剤としては、ジオキサン、ヘキサノン、ベンゼン、トル
エン、ソルベントナフサ、工業用ガソリン、酢酸セロソ
ルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテート
、ブチルカルビトールアセテート、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等が
挙げられ、これらは単独もしくは 2種以上混合して使
用することができる。
シ樹脂、併用硬化触媒および絶縁性充填剤を混合するが
、必要に応じて粘度調整用の溶剤、消泡剤、カップリン
グ剤、その他の添加剤を配合することができる。その溶
剤としては、ジオキサン、ヘキサノン、ベンゼン、トル
エン、ソルベントナフサ、工業用ガソリン、酢酸セロソ
ルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテート
、ブチルカルビトールアセテート、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等が
挙げられ、これらは単独もしくは 2種以上混合して使
用することができる。
【0019】本発明の絶縁ペーストは、絶縁性充填剤の
種類により、ディスパース、ニーダー、三本ロールミル
等により混合攪拌し、その後、減圧脱泡して製造するこ
とができる。
種類により、ディスパース、ニーダー、三本ロールミル
等により混合攪拌し、その後、減圧脱泡して製造するこ
とができる。
【0020】こうして製造された絶縁ペーストを用いて
半導体ペレットとリードフレームを接着固定した後、ワ
イヤボンディングを行い、次いで封止樹脂で封止して半
導体装置を製造することができる。この半導体装置は、
(a )アルミニウム化合物と、(b )シリコーン化
合物またはシラン化合物とが併用されて絶縁ペーストの
硬化触媒として働くことにより、4 ×12mmという
大型ペレットを 200℃という高温で加熱硬化させて
も、半導体ペレットには反りがなく、リードフレームに
密接に固着され、また優れたワイヤボンディング耐性を
得ることができる。
半導体ペレットとリードフレームを接着固定した後、ワ
イヤボンディングを行い、次いで封止樹脂で封止して半
導体装置を製造することができる。この半導体装置は、
(a )アルミニウム化合物と、(b )シリコーン化
合物またはシラン化合物とが併用されて絶縁ペーストの
硬化触媒として働くことにより、4 ×12mmという
大型ペレットを 200℃という高温で加熱硬化させて
も、半導体ペレットには反りがなく、リードフレームに
密接に固着され、また優れたワイヤボンディング耐性を
得ることができる。
【0021】
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明は以下の実施例によって限定されるものではない。 以下の実施例および比較例において、「部」とは特に説
明のない限り「重量部」を意味する。
発明は以下の実施例によって限定されるものではない。 以下の実施例および比較例において、「部」とは特に説
明のない限り「重量部」を意味する。
【0022】実施例1
エポキシ樹脂のYL980(油化シェルエポキシ社製、
商品名)55部、フェニルグリシジルエーテル 5部、
アルミニウムトリスアセチルアセトネート 1.5部、
ジフェニルジエトキシシラン 1.5部及びシリカ粉末
37部を混合し、ディスパースで混合攪拌して絶縁ペー
スト(A)を製造した。
商品名)55部、フェニルグリシジルエーテル 5部、
アルミニウムトリスアセチルアセトネート 1.5部、
ジフェニルジエトキシシラン 1.5部及びシリカ粉末
37部を混合し、ディスパースで混合攪拌して絶縁ペー
スト(A)を製造した。
【0023】実施例2
エポキシ樹脂のYL980(前出)45部、フェニルグ
リシジルエーテル5部、アルミニウムトリスエチルアセ
テート 2部、ジフェニルジメトキシシラン 2部及び
シリカ粉末46部を混合し、ディスパースで混合攪拌し
て絶縁ペースト(B)を製造した。
リシジルエーテル5部、アルミニウムトリスエチルアセ
テート 2部、ジフェニルジメトキシシラン 2部及び
シリカ粉末46部を混合し、ディスパースで混合攪拌し
て絶縁ペースト(B)を製造した。
【0024】実施例3
エポキシ樹脂のエピコート807(油化シェルエポキシ
社製、商品名)50部、フェニルグリシジルエーテル
5部、アルミニウムトリスエチルアセトアセテート1.
5部、シリコーン化合物としてSH6018(トーレ・
ダウコーニング社製商品名、Si −OH基を有する)
2.0部及び充填剤の水酸化アルミニウム41.5部
を混合し、更に三本ロールで混練して絶縁ペースト(C
)を製造した。
社製、商品名)50部、フェニルグリシジルエーテル
5部、アルミニウムトリスエチルアセトアセテート1.
5部、シリコーン化合物としてSH6018(トーレ・
ダウコーニング社製商品名、Si −OH基を有する)
2.0部及び充填剤の水酸化アルミニウム41.5部
を混合し、更に三本ロールで混練して絶縁ペースト(C
)を製造した。
【0025】比較例
市販のエポキシ樹脂ベースの溶剤型半導体用絶縁ペース
ト(D)を入手した。
ト(D)を入手した。
【0026】実施例1〜3および比較例で得られた絶縁
ペースト(A)、(B)、(C)および(D)を用いて
半導体ペレットとリードフレームとを接着硬化させて固
定した。これらについて接着強度、ボイドの有無、ペレ
ットの反りの試験を行った。その結果を表1に示したが
いずれも本発明が優れており、本発明の顕著な効果が認
められた。
ペースト(A)、(B)、(C)および(D)を用いて
半導体ペレットとリードフレームとを接着硬化させて固
定した。これらについて接着強度、ボイドの有無、ペレ
ットの反りの試験を行った。その結果を表1に示したが
いずれも本発明が優れており、本発明の顕著な効果が認
められた。
【0027】
【表1】
【0028】
【発明の効果】以上の説明および表1から明らかなよう
に、本発明の絶縁ペーストは、接着性に優れ、配線の腐
蝕断線がなく、ボイドの発生やペレットの反りが少なく
、高速硬化性のもので、半導体ペレットの大型化、アッ
センブリ工程の短縮化に対応する信頼性の高い半導体装
置を製造することができる。
に、本発明の絶縁ペーストは、接着性に優れ、配線の腐
蝕断線がなく、ボイドの発生やペレットの反りが少なく
、高速硬化性のもので、半導体ペレットの大型化、アッ
センブリ工程の短縮化に対応する信頼性の高い半導体装
置を製造することができる。
Claims (1)
- 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂、(B)硬化触媒
として、(a )有機基を有するアルミニウム化合物と
、(b )Si に直結したOH基若しくは加水分解性
基を分子内に 1個以上有する、シリコーン化合物又は
オルガノシラン化合物、及び(C)絶縁性充填剤を必須
成分とすることを特徴とする絶縁ペースト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1474891A JPH04242009A (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 絶縁ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1474891A JPH04242009A (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 絶縁ペースト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04242009A true JPH04242009A (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=11869736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1474891A Pending JPH04242009A (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 絶縁ペースト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04242009A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5811497A (en) * | 1994-09-16 | 1998-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aromatic curing catalyst for epoxy resins |
US6051642A (en) * | 1997-09-15 | 2000-04-18 | General Electric Company | Silicone composition with improved high temperature tolerance |
-
1991
- 1991-01-14 JP JP1474891A patent/JPH04242009A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5811497A (en) * | 1994-09-16 | 1998-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aromatic curing catalyst for epoxy resins |
US6051642A (en) * | 1997-09-15 | 2000-04-18 | General Electric Company | Silicone composition with improved high temperature tolerance |
US6395815B1 (en) | 1997-09-15 | 2002-05-28 | General Electric Company | Silicone composition with improved high temperature tolerance |
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