JPH04240717A - Ｘ線マスクおよびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクおよびその製造方法Info
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- JPH04240717A JPH04240717A JP3007441A JP744191A JPH04240717A JP H04240717 A JPH04240717 A JP H04240717A JP 3007441 A JP3007441 A JP 3007441A JP 744191 A JP744191 A JP 744191A JP H04240717 A JPH04240717 A JP H04240717A
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- substrate
- mask
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Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線マスクとその製造方
法に関する。超ＬＳＩ の高密度化にともなって， 超
微細加工が要求されフォトリソグラフィ工程でＸ線露光
が用いられるようになってきた。
法に関する。超ＬＳＩ の高密度化にともなって， 超
微細加工が要求されフォトリソグラフィ工程でＸ線露光
が用いられるようになってきた。
【０００２】Ｘ線マスクは，例えば線幅 ０．５μｍの
パターンを形成するためには， マスク自体の歪を少な
くとも０．０５μｍ以下に抑える必要がある。本発明は
この要求に対応したＸ線マスクの製造方法として利用で
きる。
パターンを形成するためには， マスク自体の歪を少な
くとも０．０５μｍ以下に抑える必要がある。本発明は
この要求に対応したＸ線マスクの製造方法として利用で
きる。
【０００３】
【従来の技術】従来のＸ線マスクでは，その製造工程に
おける歪を小さくするための一つの手段として， マス
クの背面エッチングをマスク表面のパターン部分に対応
する領域に限って行う方法がとられる場合がある。
おける歪を小さくするための一つの手段として， マス
クの背面エッチングをマスク表面のパターン部分に対応
する領域に限って行う方法がとられる場合がある。
【０００４】ここで，背面エッチングとは， マスク本
体の補強枠となるシリコン（Ｓｉ）ウエハの中央部の方
形領域 （マスク表面のパターン領域に対応する領域）
をエッチング除去することをいう。
体の補強枠となるシリコン（Ｓｉ）ウエハの中央部の方
形領域 （マスク表面のパターン領域に対応する領域）
をエッチング除去することをいう。
【０００５】この場合に表面と裏面のパターンのずれ量
を少なくとも１ｍｍ以下に抑えないと， マスク自体の
歪みを０．０５μｍ以下に抑えることは不可能となる。 上記のずれ量を小さくするために， 従来，パターン描
画はウエハを支持枠に接着する前にウエハの状態で行っ
ていた。
を少なくとも１ｍｍ以下に抑えないと， マスク自体の
歪みを０．０５μｍ以下に抑えることは不可能となる。 上記のずれ量を小さくするために， 従来，パターン描
画はウエハを支持枠に接着する前にウエハの状態で行っ
ていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが，パターン描
画の終わったマスクを炭化珪素（ＳｉＣ） 等で作成さ
れた支持枠に接着するときの歪や， 背面エッチングの
際のマスク表裏のパターンずれに起因する歩留低下が問
題となっていた。
画の終わったマスクを炭化珪素（ＳｉＣ） 等で作成さ
れた支持枠に接着するときの歪や， 背面エッチングの
際のマスク表裏のパターンずれに起因する歩留低下が問
題となっていた。
【０００７】本発明はマスクを支持枠に接着するときの
歪の影響をなくし，背面エッチングの位置精度を向上し
てマスクの歪を低減することを目的とする。
歪の影響をなくし，背面エッチングの位置精度を向上し
てマスクの歪を低減することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，１）
表面にＸ線を透過するメンブレン（２） とパターニン
グされたＸ線吸収膜（１） が順次被着された基板（３
）と，該基板（３）の裏面に接着され中央領域に開口を
持つ支持枠（５） とを有し，該基板（３）が該開口と
同一形状に開口され，該メンブレン（２） が表出して
いるＸ線マスク，あるいは ２）基板（３）の表面にＸ線を透過するメンブレン（２
） とＸ線吸収膜（１） を順次被着する工程と，該基
板（３）の裏面に中央領域に開口を有する支持枠（５）
を接着する工程と，該支持枠（５） をマスクにして
該基板（３）をエッチングし，該開口領域の該基板を除
去する工程と，該Ｘ線吸収膜（１） にパターン形成を
行う工程とを有するＸ線マスクの製造方法，あるいは ３）前記支持枠（５） および基板（３）を連通する貫
通孔（６） を有する前記１）記載のＸ線マスク，ある
いは４）前記支持枠（５） の厚さは外周部より内周部
が薄く，該内周部に前記貫通孔（６） を有する前記３
）記載のＸ線マスクにより達成される。
表面にＸ線を透過するメンブレン（２） とパターニン
グされたＸ線吸収膜（１） が順次被着された基板（３
）と，該基板（３）の裏面に接着され中央領域に開口を
持つ支持枠（５） とを有し，該基板（３）が該開口と
同一形状に開口され，該メンブレン（２） が表出して
いるＸ線マスク，あるいは ２）基板（３）の表面にＸ線を透過するメンブレン（２
） とＸ線吸収膜（１） を順次被着する工程と，該基
板（３）の裏面に中央領域に開口を有する支持枠（５）
を接着する工程と，該支持枠（５） をマスクにして
該基板（３）をエッチングし，該開口領域の該基板を除
去する工程と，該Ｘ線吸収膜（１） にパターン形成を
行う工程とを有するＸ線マスクの製造方法，あるいは ３）前記支持枠（５） および基板（３）を連通する貫
通孔（６） を有する前記１）記載のＸ線マスク，ある
いは４）前記支持枠（５） の厚さは外周部より内周部
が薄く，該内周部に前記貫通孔（６） を有する前記３
）記載のＸ線マスクにより達成される。
【０００９】
【作用】マスク表面の描画パターンを裏面の背面エッチ
パターンに合わせるときに， 本発明は支持枠をマスク
にしてＳｉウエハの背面エッチングを行うため，支持枠
の位置が決まれば背面エッチパターンの位置が決まるこ
とになり，支持枠の外周等を基準にすることができるの
で位置合わせが容易であることを利用したものである。
パターンに合わせるときに， 本発明は支持枠をマスク
にしてＳｉウエハの背面エッチングを行うため，支持枠
の位置が決まれば背面エッチパターンの位置が決まるこ
とになり，支持枠の外周等を基準にすることができるの
で位置合わせが容易であることを利用したものである。
【００１０】また，支持枠および基板を連通する貫通孔
を設けることにより，マスクとウエハ間の距離測定を可
能にすることができる。
を設けることにより，マスクとウエハ間の距離測定を可
能にすることができる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例を説明する断面図で
ある。図を用いて，実施例の構造を製造工程とともに説
明する。
ある。図を用いて，実施例の構造を製造工程とともに説
明する。
【００１２】まず，Ｓｉウエハ （基板） ３の表面に
Ｘ線を透過するメンブレン２，Ｘ線吸収膜１を被着し，
Ｓｉウエハ３の裏面にＳｉＣ 膜４を被着する。ＳｉＣ
膜４はメンブレン３をＳｉＣ で形成し，これと同時
に形成してもよい（両面同時成長）。
Ｘ線を透過するメンブレン２，Ｘ線吸収膜１を被着し，
Ｓｉウエハ３の裏面にＳｉＣ 膜４を被着する。ＳｉＣ
膜４はメンブレン３をＳｉＣ で形成し，これと同時
に形成してもよい（両面同時成長）。
【００１３】次いで，ＳｉＣ からなり方形に開口され
た支持枠５をマスク裏面のＳｉＣ 膜４上に接着する。 次いで，支持枠５をマスク（支持枠は厚いのでマスクと
なる）にしてＳｉＣ 膜４をエッチングしてメンブレン
２を表出するように開口する。
た支持枠５をマスク裏面のＳｉＣ 膜４上に接着する。 次いで，支持枠５をマスク（支持枠は厚いのでマスクと
なる）にしてＳｉＣ 膜４をエッチングしてメンブレン
２を表出するように開口する。
【００１４】ＳｉＣ のエッチング条件は，反応ガスと
して ＣＦ４＋０２を用い，これを０．１ Ｔｏｒｒに
減圧した雰囲気中でＲＦ電力を基板当たり２００ Ｗ
印加する。図はこの処理が終わった状態を示している。
して ＣＦ４＋０２を用い，これを０．１ Ｔｏｒｒに
減圧した雰囲気中でＲＦ電力を基板当たり２００ Ｗ
印加する。図はこの処理が終わった状態を示している。
【００１５】引き続いて支持枠５およびＳｉＣ 膜４を
マスクにしてＳｉウエハ３の背面エッチングを行う。Ｓ
ｉのエッチングは弗酸と硝酸の混酸を用いたウエットエ
ッチングによる。
マスクにしてＳｉウエハ３の背面エッチングを行う。Ｓ
ｉのエッチングは弗酸と硝酸の混酸を用いたウエットエ
ッチングによる。
【００１６】つぎに，Ｘ線吸収膜２上にレジスト膜を被
着し，支持枠５の外周を基準にしてパターン描画領域を
決定し，電子線によりパターン描画を行う。図２ （Ａ
）〜（Ｅ） は実施例の支持枠の４つの例の断面図と平
面図である。
着し，支持枠５の外周を基準にしてパターン描画領域を
決定し，電子線によりパターン描画を行う。図２ （Ａ
）〜（Ｅ） は実施例の支持枠の４つの例の断面図と平
面図である。
【００１７】図２（Ａ） は中央部（背面エッチングの
パターン）のみがが開口されたものである。図２（Ｂ）
はマスクとウエハ間の距離測定等に用いる貫通孔６が
開口されている例である。
パターン）のみがが開口されたものである。図２（Ｂ）
はマスクとウエハ間の距離測定等に用いる貫通孔６が
開口されている例である。
【００１８】この場合，Ｓｉウエハ３は中央部と同時に
貫通孔６の領域も背面エッチングされる。図２（Ｃ）
は支持枠（５） の中央部厚さを周辺部より薄くした例
である。
貫通孔６の領域も背面エッチングされる。図２（Ｃ）
は支持枠（５） の中央部厚さを周辺部より薄くした例
である。
【００１９】図２（Ｄ） は貫通孔６ の部分の支持枠
（５） の厚さを薄くして，マスクを装置に装着した時
の機械的な逃げをつくっている。図２（Ｅ） は図２（
Ｄ） の平面図である。
（５） の厚さを薄くして，マスクを装置に装着した時
の機械的な逃げをつくっている。図２（Ｅ） は図２（
Ｄ） の平面図である。
【００２０】つぎに， 実施例の効果を従来例と対比し
て説明する。前記のように表側のパターンと裏側のパタ
ーンが １ ｍｍ もずれれば， 表側のパターンは０
．０５μｍは歪むと考えられる。そこで従来は背面エッ
チングを行う場合には， 通常ウエハ状態で表裏同時に
露光して表裏の位置合わせを行って， この問題に対処
している。しかしながら，この場合パターン描画後に背
面エッチングを行うことになり， このエッチングによ
り生ずる歪が ０．１×数μｍ程度発生するが， 実施
例ではこの歪を０にすることができる。
て説明する。前記のように表側のパターンと裏側のパタ
ーンが １ ｍｍ もずれれば， 表側のパターンは０
．０５μｍは歪むと考えられる。そこで従来は背面エッ
チングを行う場合には， 通常ウエハ状態で表裏同時に
露光して表裏の位置合わせを行って， この問題に対処
している。しかしながら，この場合パターン描画後に背
面エッチングを行うことになり， このエッチングによ
り生ずる歪が ０．１×数μｍ程度発生するが， 実施
例ではこの歪を０にすることができる。
【００２１】また，従来の工程では，基板表面のパター
ン描画後に裏面の背面エッチング，あるいは支持枠の接
着を行っていた。そのため， 背面エッチング時、ある
いは支持枠の接着時に発生するストレスが基板表面のパ
ターンを歪ませる一因となっていた。これに対して実施
例では， 支持枠の接着と背面エッチング後にパターン
描画を行うためこれらに起因する歪を防止することがで
きる。
ン描画後に裏面の背面エッチング，あるいは支持枠の接
着を行っていた。そのため， 背面エッチング時、ある
いは支持枠の接着時に発生するストレスが基板表面のパ
ターンを歪ませる一因となっていた。これに対して実施
例では， 支持枠の接着と背面エッチング後にパターン
描画を行うためこれらに起因する歪を防止することがで
きる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば，マ
スクを支持枠に接着するときの歪の影響をなくし，背面
エッチングの位置精度を向上することができた。
スクを支持枠に接着するときの歪の影響をなくし，背面
エッチングの位置精度を向上することができた。
【００２３】この結果，Ｘ線吸収膜の応力歪を低減する
ことができた。
ことができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例を説明する断面図
【図２
】 実施例の支持枠の４つの例の断面図と平面図
】 実施例の支持枠の４つの例の断面図と平面図
１ Ｘ線吸収膜
２ Ｘ線を透過するメンブレン
３ 基板でＳｉウエハ
５ 支持枠
６ 貫通孔
Claims (4)
- 【請求項１】 表面にＸ線を透過するメンブレン（２
） とパターニングされたＸ線吸収膜（１） が順次被
着された基板（３）と，該基板（３）の裏面に接着され
中央領域に開口を持つ支持枠（５） とを有し，該基板
（３）が該開口と同一形状に開口されて該メンブレン（
２） が表出していることを特徴とするＸ線マスク。 - 【請求項２】 基板（３）の表面にＸ線を透過するメ
ンブレン（２） とＸ線吸収膜（１） を順次被着する
工程と，該基板（３）の裏面に中央領域に開口を有する
支持枠（５） を接着する工程と，該支持枠（５）をマ
スクにして該基板（３）をエッチングし，該開口領域の
該基板を除去する工程と，該Ｘ線吸収膜（１） にパタ
ーン形成を行う工程とを有することを特徴とするＸ線マ
スクの製造方法。 - 【請求項３】 前記支持枠（５） および基板（３）
を連通する貫通孔（６） を有することを特徴とする請
求項１記載のＸ線マスク。 - 【請求項４】 前記支持枠（５） の厚さは外周部よ
り内周部が薄く，該内周部に前記貫通孔（６） を有す
ることを特徴とする請求項３記載のＸ線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3007441A JPH04240717A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3007441A JPH04240717A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04240717A true JPH04240717A (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=11665948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3007441A Withdrawn JPH04240717A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04240717A (ja) |
-
1991
- 1991-01-25 JP JP3007441A patent/JPH04240717A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |