JPH04237054A - マスク欠陥修正装置 - Google Patents
マスク欠陥修正装置Info
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- JPH04237054A JPH04237054A JP3005482A JP548291A JPH04237054A JP H04237054 A JPH04237054 A JP H04237054A JP 3005482 A JP3005482 A JP 3005482A JP 548291 A JP548291 A JP 548291A JP H04237054 A JPH04237054 A JP H04237054A
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- Japan
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- mask
- ion
- defect
- optical
- optical microscope
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- Pending
Links
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路パターンを作
成する原版であるマスクにある欠陥を修正するマスク欠
陥修正装置に関する。
成する原版であるマスクにある欠陥を修正するマスク欠
陥修正装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の一例を示すマスク欠陥修正
装置の概略図である。従来、この種の集束イオンビーム
を用いたマスク欠陥修正装置は、同図に示すように、マ
スク４を保持するホルダ３を搭載するステージ２と、こ
のステージ２を収納するチャンバ１と、チャンバ１に取
付けられるイオン銃及び偏向器８と、ステージ２を駆動
させるドライバ１４と、チャンバ１に取付けられている
とともに２次イオンを検出する検出器１３と、装置の制
御を行うコンピュータ１２とを有していた。
装置の概略図である。従来、この種の集束イオンビーム
を用いたマスク欠陥修正装置は、同図に示すように、マ
スク４を保持するホルダ３を搭載するステージ２と、こ
のステージ２を収納するチャンバ１と、チャンバ１に取
付けられるイオン銃及び偏向器８と、ステージ２を駆動
させるドライバ１４と、チャンバ１に取付けられている
とともに２次イオンを検出する検出器１３と、装置の制
御を行うコンピュータ１２とを有していた。
【０００３】次に、このマスク欠陥修正装置の動作を説
明する。まず、修正を行うマスク４を専用のホルダ３に
セットした状態で、チャンバ１内に装填し、ステージ２
上に固定する。
明する。まず、修正を行うマスク４を専用のホルダ３に
セットした状態で、チャンバ１内に装填し、ステージ２
上に固定する。
【０００４】次に、マスク４上の欠陥情報に基き欠陥部
をイオンビーム照射修正エリア内へと移動させる。この
際、欠陥位置情報は、一般に既知の欠陥座標をキーボー
ド９にて数値入力あるいは磁気カードに記録してある欠
陥情報をカードリーダー１０を介して入力する。そして
、コンピュータ１２は、入力された情報に基き、ドライ
バ１４に信号を送り、ステージ２を移動し、欠陥のある
場所の粗い位置決めを行う。
をイオンビーム照射修正エリア内へと移動させる。この
際、欠陥位置情報は、一般に既知の欠陥座標をキーボー
ド９にて数値入力あるいは磁気カードに記録してある欠
陥情報をカードリーダー１０を介して入力する。そして
、コンピュータ１２は、入力された情報に基き、ドライ
バ１４に信号を送り、ステージ２を移動し、欠陥のある
場所の粗い位置決めを行う。
【０００５】次に、欠陥部の精密な位置出しを行う。こ
の方法は、まず、集束イオンビームをマスクの欠陥のあ
る領域に操作し、この領域から発生する二次イオン像を
観察しながらステージ２を移動させて位置決めする。図
５及び図６はマスクの部分断面図である。ここで、通常
使用されるマスクは、図５に示すように、石英ガラスの
基板１６上にクロム膜１７と酸化クロム膜１８の二層の
遮光用パターン形成したものである。すなわち、二次イ
オン像は制御コンピュータ１２からの信号で偏向器８に
より操作されるイオンビーム１５をマスク４に照射し、
そのイオンビームを操作した際に発生するクロムの二次
イオンを検出器１３でカウントし、その後、画像処理を
制御コンピュータ１２により行い、色調をつけＣＲＴ１
１に表示させる。
の方法は、まず、集束イオンビームをマスクの欠陥のあ
る領域に操作し、この領域から発生する二次イオン像を
観察しながらステージ２を移動させて位置決めする。図
５及び図６はマスクの部分断面図である。ここで、通常
使用されるマスクは、図５に示すように、石英ガラスの
基板１６上にクロム膜１７と酸化クロム膜１８の二層の
遮光用パターン形成したものである。すなわち、二次イ
オン像は制御コンピュータ１２からの信号で偏向器８に
より操作されるイオンビーム１５をマスク４に照射し、
そのイオンビームを操作した際に発生するクロムの二次
イオンを検出器１３でカウントし、その後、画像処理を
制御コンピュータ１２により行い、色調をつけＣＲＴ１
１に表示させる。
【０００６】また、マスクの欠陥は、黒欠陥と呼ばれる
基板上に直接クロムが付着したものや、図６に示す酸化
クロム膜だけが欠落した欠陥部１９がある。このような
欠陥部１９は、酸化クロムとクロムとでは、２次イオン
強度が同程度であるので、イオンビーム操作による認識
が困難で、通常は列置きのレーザ加工器により欠陥部１
９から露出しているクロム膜１７を取除き、基板１６の
面が露出してから修復を行っていた。そしてこのような
欠陥部は通常白欠陥と呼ばれている。このように位置決
めされた欠陥部の修復は、黒欠陥に対しては、集束イオ
ンビーム１５を操作することにより取除き、白欠陥のよ
うな欠陥に対しては、反応ガスをチャンバ１に導入し、
反応させ、欠陥部１９を埋めて修復していた。
基板上に直接クロムが付着したものや、図６に示す酸化
クロム膜だけが欠落した欠陥部１９がある。このような
欠陥部１９は、酸化クロムとクロムとでは、２次イオン
強度が同程度であるので、イオンビーム操作による認識
が困難で、通常は列置きのレーザ加工器により欠陥部１
９から露出しているクロム膜１７を取除き、基板１６の
面が露出してから修復を行っていた。そしてこのような
欠陥部は通常白欠陥と呼ばれている。このように位置決
めされた欠陥部の修復は、黒欠陥に対しては、集束イオ
ンビーム１５を操作することにより取除き、白欠陥のよ
うな欠陥に対しては、反応ガスをチャンバ１に導入し、
反応させ、欠陥部１９を埋めて修復していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のマスク欠陥修正装置では、図６に示すような欠
陥部１９を認識するには、操作イオンビームによる画像
の倍率を大きくして、位置決めしようとすると、その視
野が小さくなり、位置決めに多大なる時間を浪費すると
いう欠点がある。また、下地のクロム膜を取除くのに、
別置きのレーザ加工機に移し、加工するといった無駄な
工数を浪費するといった問題がある。
た従来のマスク欠陥修正装置では、図６に示すような欠
陥部１９を認識するには、操作イオンビームによる画像
の倍率を大きくして、位置決めしようとすると、その視
野が小さくなり、位置決めに多大なる時間を浪費すると
いう欠点がある。また、下地のクロム膜を取除くのに、
別置きのレーザ加工機に移し、加工するといった無駄な
工数を浪費するといった問題がある。
【０００８】本発明の目的は、かかる欠点を解消するマ
スク欠陥修正装置を提供することである。
スク欠陥修正装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のマスク欠陥修正
装置は、イオン光学系と隣接し、かつイオン光学系の光
軸と平行になるようにその鏡筒部をベローズを介してチ
ャンバに取付けられる固定倍率の光学顕微鏡を備えてい
る。
装置は、イオン光学系と隣接し、かつイオン光学系の光
軸と平行になるようにその鏡筒部をベローズを介してチ
ャンバに取付けられる固定倍率の光学顕微鏡を備えてい
る。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照し説明する
。
。
【００１１】図１は本発明の一実施例を示すマスク欠陥
修正装置の概略図である。このマスク欠陥修正装置は、
同図に示すように、イオン光学系の光軸と平行になるよ
うにイオン光学系と隣接して光学顕微鏡５をチャンバ１
に取付けたことである。この光学顕微鏡５はチャンバ１
と鏡筒とを気密に取付ける伸縮し得るベローズ７と、同
一鏡筒内に取付けられる接眼レンズ５ａと対物レンズ６
とを有している。また、鏡筒の一部には照明用の光源部
（図示せず）が付設されている。
修正装置の概略図である。このマスク欠陥修正装置は、
同図に示すように、イオン光学系の光軸と平行になるよ
うにイオン光学系と隣接して光学顕微鏡５をチャンバ１
に取付けたことである。この光学顕微鏡５はチャンバ１
と鏡筒とを気密に取付ける伸縮し得るベローズ７と、同
一鏡筒内に取付けられる接眼レンズ５ａと対物レンズ６
とを有している。また、鏡筒の一部には照明用の光源部
（図示せず）が付設されている。
【００１２】図２は図１のマスク欠陥修正装置の動作を
説明するための概略部分拡大図である。次に、このマス
ク欠陥修正装置の動作を説明する。まず、イオンビーム
光軸と光学顕微鏡５の光軸とのオフセット量を考慮して
、光学顕微鏡５の下方に欠陥パターン部２０が位置する
ようにステージ２を移動させる。そして光学顕微鏡５で
観察を行いながら、視野の中央にホルダ３セットされた
マスク４上の欠陥パターン部２０を位置決めする。次に
、イオンビーム光軸の真下に欠陥パターン２０が来るよ
うに、前記オフセット量だけステージ２を移動させる。 欠陥パターン部２０における欠陥部を修復する。ここで
この欠陥パターン部２０の領域は約４０μｍ平方程度に
なるようにこの光学顕微鏡の倍率に設定すれば、１万倍
程度のこ倍率の二次イオン像観察で修正位置の最終確認
を速やかに行なうことができる。
説明するための概略部分拡大図である。次に、このマス
ク欠陥修正装置の動作を説明する。まず、イオンビーム
光軸と光学顕微鏡５の光軸とのオフセット量を考慮して
、光学顕微鏡５の下方に欠陥パターン部２０が位置する
ようにステージ２を移動させる。そして光学顕微鏡５で
観察を行いながら、視野の中央にホルダ３セットされた
マスク４上の欠陥パターン部２０を位置決めする。次に
、イオンビーム光軸の真下に欠陥パターン２０が来るよ
うに、前記オフセット量だけステージ２を移動させる。 欠陥パターン部２０における欠陥部を修復する。ここで
この欠陥パターン部２０の領域は約４０μｍ平方程度に
なるようにこの光学顕微鏡の倍率に設定すれば、１万倍
程度のこ倍率の二次イオン像観察で修正位置の最終確認
を速やかに行なうことができる。
【００１３】図３は本発明の他の実施例を示すマスク欠
陥修正機の概略部分拡大図である。このマスク欠陥修正
装置は、光学顕微鏡の対物レンズ６をイオン光学系の光
軸に接近させるために、反射用ミラーが内蔵する鏡筒５
ｂを設けたことである。このことにより、オフセット量
が小さくなり、ステージの移動距離が小さく出来、器材
の装置のステージ及びチャンバを改造しなくとも光学顕
微鏡を取付けるだけで済むという利点がある。また、二
次イオン像観察と、光学顕微鏡による観察を繰り返した
い場合も、ステージの移動距離が少いため、観察像切り
換えを瞬時に行うことができるという利点がある。
陥修正機の概略部分拡大図である。このマスク欠陥修正
装置は、光学顕微鏡の対物レンズ６をイオン光学系の光
軸に接近させるために、反射用ミラーが内蔵する鏡筒５
ｂを設けたことである。このことにより、オフセット量
が小さくなり、ステージの移動距離が小さく出来、器材
の装置のステージ及びチャンバを改造しなくとも光学顕
微鏡を取付けるだけで済むという利点がある。また、二
次イオン像観察と、光学顕微鏡による観察を繰り返した
い場合も、ステージの移動距離が少いため、観察像切り
換えを瞬時に行うことができるという利点がある。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明はイオンビー
ム光学系に隣接して光学顕微鏡を光軸が平行になるよう
に取付けることによりマスクにあるイオンビーム操作で
認識困難な欠陥についても容易に検索し、位置決めが出
来るので、レーザ加工による追加加工が不要で、かつ効
率良く欠陥部が修復出来るマスク欠陥修正装置が得られ
るという効果がある。
ム光学系に隣接して光学顕微鏡を光軸が平行になるよう
に取付けることによりマスクにあるイオンビーム操作で
認識困難な欠陥についても容易に検索し、位置決めが出
来るので、レーザ加工による追加加工が不要で、かつ効
率良く欠陥部が修復出来るマスク欠陥修正装置が得られ
るという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示すマスク欠陥修正装置の
概略図である。
概略図である。
【図２】図１のマスク欠陥修正装置の動作を説明するた
めの概略部分拡大図である。
めの概略部分拡大図である。
【図３】本発明の他の実施例を示すマスク欠陥修正装置
の概略部分拡大図である。
の概略部分拡大図である。
【図４】従来の一例を示すマスク欠陥修正装置の概略図
である。
である。
【図５】マスクの部分断面図である。
【図６】マスクの部分断面図である。
１ チャンバ
２ ステージ
３ ホルダ
４ マスク
５ 光学顕微鏡
５ａ 接眼レンズ
５ｂ 鏡筒
６ 対物レンズ
７ ベローズ
８ 偏向器
９ キーボード
１０ カードリーダ
１１ ＣＲＴ
１２ コンピュータ
１３ 検出器
１４ ドライバ
１５ イオンビーム
１６ 基板
１７ クロム膜
１８ 酸化クロム膜
１９ 欠陥部
２０ 欠陥パターン部
Claims (1)
- 【請求項１】 イオン光学系と隣接し、かつイオン光
学系の光軸と平行になるようにその鏡筒部をベローズを
介してチャンバに取付けられる固定倍率の光学顕微鏡を
備えることを特徴とするマスク欠陥修正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3005482A JPH04237054A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | マスク欠陥修正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3005482A JPH04237054A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | マスク欠陥修正装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04237054A true JPH04237054A (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=11612466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3005482A Pending JPH04237054A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | マスク欠陥修正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04237054A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7629088B2 (en) | 2005-08-24 | 2009-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask defect repairing method and semiconductor device manufacturing method |
-
1991
- 1991-01-22 JP JP3005482A patent/JPH04237054A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7629088B2 (en) | 2005-08-24 | 2009-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask defect repairing method and semiconductor device manufacturing method |
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