JPH04233814A - 改良型pinダイオ−ド減衰器 - Google Patents
改良型pinダイオ−ド減衰器Info
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- JPH04233814A JPH04233814A JP3185876A JP18587691A JPH04233814A JP H04233814 A JPH04233814 A JP H04233814A JP 3185876 A JP3185876 A JP 3185876A JP 18587691 A JP18587691 A JP 18587691A JP H04233814 A JPH04233814 A JP H04233814A
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- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
- H03H7/25—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
- H03H7/253—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode
- H03H7/255—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode the element being a PIN diode
Landscapes
- Attenuators (AREA)
- Two-Way Televisions, Distribution Of Moving Picture Or The Like (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【発明の背景】本発明は高周波(RF)減衰回路、特に
直線性と反射減衰量が改善されたPINダイオ−ド減衰
器に関するものである。ケ−ブルテレビジョン網の様な
RF伝送の応用面では、信号強度を保持するため経路中
に増幅器が使用されている。特にケ−ブルテレビジョン
(CATV)では気温に応じてケ−ブルロスを補償する
増幅器のゲイン及びスロ−プを変える必要があり、一般
にはブリッジT形RFPINダイオ−ド減衰器とケ−ブ
ル等化器から成る増幅器が使用されている。
直線性と反射減衰量が改善されたPINダイオ−ド減衰
器に関するものである。ケ−ブルテレビジョン網の様な
RF伝送の応用面では、信号強度を保持するため経路中
に増幅器が使用されている。特にケ−ブルテレビジョン
(CATV)では気温に応じてケ−ブルロスを補償する
増幅器のゲイン及びスロ−プを変える必要があり、一般
にはブリッジT形RFPINダイオ−ド減衰器とケ−ブ
ル等化器から成る増幅器が使用されている。
【0002】PINダイオ−ド減衰器とケ−ブル等化器
を作動させるのに必要な駆動電流の各種の供給方法が知
らされており、例えばトランジスタ−のペア−により又
は演算増幅器(OPアンプ)又は固定抵抗器ペア−によ
り駆動する方法がある。この様な周知のPINダイオ−
ドの駆動方法にはいくつかの不利な点が見受けられる。 この一つは減衰の変化がコントロ−ル電圧と直線関係で
ないということである。このためPINダイオ−ドネッ
トワ−クの減衰は駆動電流と直線的に変化せず、その結
果減衰および(または)等化はコントロ−ル電圧の変化
に関して非直線性となっている。又この減衰及び等化は
一般にコントロ−ル電圧の範囲の末端部で鋭敏に感応し
、中心範囲で比較的不感である。この非直線性のため精
度の高い温度制御減衰器及びその他のPINダイオ−ド
信号処理回路を設計するのを難しくしており、今迄は出
来上がった回路を完全に複雑にしていた。
を作動させるのに必要な駆動電流の各種の供給方法が知
らされており、例えばトランジスタ−のペア−により又
は演算増幅器(OPアンプ)又は固定抵抗器ペア−によ
り駆動する方法がある。この様な周知のPINダイオ−
ドの駆動方法にはいくつかの不利な点が見受けられる。 この一つは減衰の変化がコントロ−ル電圧と直線関係で
ないということである。このためPINダイオ−ドネッ
トワ−クの減衰は駆動電流と直線的に変化せず、その結
果減衰および(または)等化はコントロ−ル電圧の変化
に関して非直線性となっている。又この減衰及び等化は
一般にコントロ−ル電圧の範囲の末端部で鋭敏に感応し
、中心範囲で比較的不感である。この非直線性のため精
度の高い温度制御減衰器及びその他のPINダイオ−ド
信号処理回路を設計するのを難しくしており、今迄は出
来上がった回路を完全に複雑にしていた。
【0003】その他の不利な点として減衰度の全ての設
置値で良好な反射減衰量を示さないということである。 RF回路ではインピ−ダンスが一定に保たれることが望
ましく、例えばケ−ブルテレビジョンでは信号分配経路
全般でインピ−ダンスを75オ−ムに保つことが最適の
条件である。この最適ラインのインピ−ダンスがずれる
とRF信号は受信装置で反射損となる。反射減衰が悪く
なると受信したビデオ信号中にゴ−ストを発生し反射損
失が大きくなるので、ケ−ブルテレビジョンシステムで
の反射減衰量は全帯域で約18dB(又はそれ以上)に
保つことが望まれる。
置値で良好な反射減衰量を示さないということである。 RF回路ではインピ−ダンスが一定に保たれることが望
ましく、例えばケ−ブルテレビジョンでは信号分配経路
全般でインピ−ダンスを75オ−ムに保つことが最適の
条件である。この最適ラインのインピ−ダンスがずれる
とRF信号は受信装置で反射損となる。反射減衰が悪く
なると受信したビデオ信号中にゴ−ストを発生し反射損
失が大きくなるので、ケ−ブルテレビジョンシステムで
の反射減衰量は全帯域で約18dB(又はそれ以上)に
保つことが望まれる。
【0004】PINダイオ−ドに対するブリッジT形R
F減衰器での理論補正抵抗のカ−ブは非直線である。減
衰器の構成部に要求される非直線性はPINダイオ−ド
RF抵抗の非直線性とマッチしない。この結果従来の技
術のブリッジT形RFPINダイオ−ド減衰器は全ての
減衰度設定値で良好な反射減衰量を示さないのである。 直線性が改善されたPINダイオ−ドRF減衰器や又は
スロ−プコントロ−ル回路は等化器の様な改善された信
号処理回路を提供できれば有益なことであろう。装置の
動作範囲内でこの回路が良好な反射減衰量を示せば更に
有益なことになろう。本発明はかかる利点をもった改善
された回路を提供するものである。
F減衰器での理論補正抵抗のカ−ブは非直線である。減
衰器の構成部に要求される非直線性はPINダイオ−ド
RF抵抗の非直線性とマッチしない。この結果従来の技
術のブリッジT形RFPINダイオ−ド減衰器は全ての
減衰度設定値で良好な反射減衰量を示さないのである。 直線性が改善されたPINダイオ−ドRF減衰器や又は
スロ−プコントロ−ル回路は等化器の様な改善された信
号処理回路を提供できれば有益なことであろう。装置の
動作範囲内でこの回路が良好な反射減衰量を示せば更に
有益なことになろう。本発明はかかる利点をもった改善
された回路を提供するものである。
【0005】
【発明の概要】本発明は入力信号に応じてインピ−ダン
スを変える信号処理回路を提供するものである。第1の
手段が予め定めてあるしき値以下の値のコントロ−ル信
号に応じてインピ−ダンスを変える第1の範囲にわたっ
て入力信号を供給する。コントロ−ル信号の絶対値がし
き値以上の時、コントロ−ル信号に応じる第2の手段が
第2の範囲にわたって入力信号を供給する。この第1と
第2の範囲は隣接していなく、この手法でインピ−ダン
スの変化する回路が非直線性を補償するのである。
スを変える信号処理回路を提供するものである。第1の
手段が予め定めてあるしき値以下の値のコントロ−ル信
号に応じてインピ−ダンスを変える第1の範囲にわたっ
て入力信号を供給する。コントロ−ル信号の絶対値がし
き値以上の時、コントロ−ル信号に応じる第2の手段が
第2の範囲にわたって入力信号を供給する。この第1と
第2の範囲は隣接していなく、この手法でインピ−ダン
スの変化する回路が非直線性を補償するのである。
【0006】実施例ではインピ−ダンスを変えるのはP
IN型ダイオ−ドによっている。入力信号はPINダイ
オ−ドを通過した電流で、第1の手段は入力信号電流を
供給する第1の抵抗から構成されている。第2の手段は
入力信号電流を供給するための第2の抵抗としきい値を
設定するため第2の抵抗に接続されたツエナ−ダイオ−
ドで構成されている。第2の抵抗とツエナ−ダイオ−ド
は直列に接続されており、この直線接続体は第1の抵抗
と並列に接続されている。
IN型ダイオ−ドによっている。入力信号はPINダイ
オ−ドを通過した電流で、第1の手段は入力信号電流を
供給する第1の抵抗から構成されている。第2の手段は
入力信号電流を供給するための第2の抵抗としきい値を
設定するため第2の抵抗に接続されたツエナ−ダイオ−
ドで構成されている。第2の抵抗とツエナ−ダイオ−ド
は直列に接続されており、この直線接続体は第1の抵抗
と並列に接続されている。
【0007】更に実施例では第1と第2のPIN型ダイ
オ−ドをブリッジT形に接続した改良型からのPINダ
イオ−ドアッテネ−タ回路を提示してある。第1の手段
がしきい値以下の減衰コントロ−ル信号に応じて第1の
範囲内でPINダイオ−ドに電流を供給し、しきい値以
上の減衰コントロ−ル信号に応じる第2の手段は、第1
の範囲に隣接していない第2の範囲内でPINダイオ−
ドに電流を供給する。ブリッジT形配置の各PINダ−
オ−ドは各々別個のコントロ−ル電圧回路で駆動されて
おり、各回路は直列に接続されたツエナ−ダイオ−ドと
抵抗が別の抵抗と並列に接続された回路で構成されてい
る。しきい値に達するとツエナ−ダイオ−ドは第1の抵
抗と並列に接続された第2の抵抗にも電流を流し、ペア
−の合成抵抗値が減少し、対応するPINダイオ−ドに
供給される電流が増加する。本発明の回路は減衰及びス
ロ−プコントロ−ルのためのゲインコントロ−ル部と、
温度補償に役立つボ−ド等化器を含めてCATV幹線増
幅器の構成要素として使用される。
オ−ドをブリッジT形に接続した改良型からのPINダ
イオ−ドアッテネ−タ回路を提示してある。第1の手段
がしきい値以下の減衰コントロ−ル信号に応じて第1の
範囲内でPINダイオ−ドに電流を供給し、しきい値以
上の減衰コントロ−ル信号に応じる第2の手段は、第1
の範囲に隣接していない第2の範囲内でPINダイオ−
ドに電流を供給する。ブリッジT形配置の各PINダ−
オ−ドは各々別個のコントロ−ル電圧回路で駆動されて
おり、各回路は直列に接続されたツエナ−ダイオ−ドと
抵抗が別の抵抗と並列に接続された回路で構成されてい
る。しきい値に達するとツエナ−ダイオ−ドは第1の抵
抗と並列に接続された第2の抵抗にも電流を流し、ペア
−の合成抵抗値が減少し、対応するPINダイオ−ドに
供給される電流が増加する。本発明の回路は減衰及びス
ロ−プコントロ−ルのためのゲインコントロ−ル部と、
温度補償に役立つボ−ド等化器を含めてCATV幹線増
幅器の構成要素として使用される。
【0008】
【実施例】図1のCATV幹線増幅器でケ−ブル信号は
RF入力端子10に接続されている。信号は前置増幅器
12を経てフラットネス回路14に入り、ケ−ブルシス
テム内の夫々の幹線増幅器の周波数レスポンスにおける
フラットネスレベルを許容範囲内で均一にする。つづい
てゲインコントロ−ル16で必要な増幅度になる様ゲイ
ンを変化させる。ボ−ド等化器18で温度変化に応じて
ケ−ブル自体内のスロ−プ及びレベル変化を補償させる
。ボ−ド等化器18に接続されているスイッチ26はケ
−ブル長の補償をさせるものである。オフの位置ではボ
−ド等化器の温度指標はなくなり増幅器が補償しすぎに
ならない様にし、ロ−の位置では特定ケ−ブル長にわた
るスロ−プ変化に相当する温度指標を与え、ハイの位置
ではより長い特定ケ−ブル長にわたるスロ−プ変化に相
当する指標を与えることになる。固定アッテネ−タ20
は伝送路に置かれた夫々均一でない幹線増幅器を補償す
るのに使用されているのである。後段増幅器22はRF
出力端子24から信号が出力される前に更に信号を増幅
する役目をになうのである。
RF入力端子10に接続されている。信号は前置増幅器
12を経てフラットネス回路14に入り、ケ−ブルシス
テム内の夫々の幹線増幅器の周波数レスポンスにおける
フラットネスレベルを許容範囲内で均一にする。つづい
てゲインコントロ−ル16で必要な増幅度になる様ゲイ
ンを変化させる。ボ−ド等化器18で温度変化に応じて
ケ−ブル自体内のスロ−プ及びレベル変化を補償させる
。ボ−ド等化器18に接続されているスイッチ26はケ
−ブル長の補償をさせるものである。オフの位置ではボ
−ド等化器の温度指標はなくなり増幅器が補償しすぎに
ならない様にし、ロ−の位置では特定ケ−ブル長にわた
るスロ−プ変化に相当する温度指標を与え、ハイの位置
ではより長い特定ケ−ブル長にわたるスロ−プ変化に相
当する指標を与えることになる。固定アッテネ−タ20
は伝送路に置かれた夫々均一でない幹線増幅器を補償す
るのに使用されているのである。後段増幅器22はRF
出力端子24から信号が出力される前に更に信号を増幅
する役目をになうのである。
【0009】PINダイオ−ドの様なインピ−ダンスの
変えられる部品はCATV幹線増幅器のゲインコントロ
−ル及びボ−ド等化器の一部に利用される。本発明によ
るブリッジT形RFPINダイオ−ド・アッテネ−タの
回路図を図2に示してある。この回路はCATV幹線増
幅器のゲインコントロ−ル部分に有効に使用される。端
子30でRF信号を受けコンデンサ32を経て、PIN
ダイオ−ド52,54を含むブリッジT形アッテネ−タ
に入力する。コンデンサ50,56はDC分離のため、
又抵抗34,36は回路に適切なインピ−ダンス(例え
ば75オ−ム)を与える役目をする。ブリッジT形アッ
テネ−タによって減衰された信号はコンデンサ38を経
てRF出力端子40から出力される。
変えられる部品はCATV幹線増幅器のゲインコントロ
−ル及びボ−ド等化器の一部に利用される。本発明によ
るブリッジT形RFPINダイオ−ド・アッテネ−タの
回路図を図2に示してある。この回路はCATV幹線増
幅器のゲインコントロ−ル部分に有効に使用される。端
子30でRF信号を受けコンデンサ32を経て、PIN
ダイオ−ド52,54を含むブリッジT形アッテネ−タ
に入力する。コンデンサ50,56はDC分離のため、
又抵抗34,36は回路に適切なインピ−ダンス(例え
ば75オ−ム)を与える役目をする。ブリッジT形アッ
テネ−タによって減衰された信号はコンデンサ38を経
てRF出力端子40から出力される。
【0010】本発明ではコントロ−ル電流は抵抗44と
直列の抵抗46及びツエナ−ダイオ−ド48の斬新な組
み合わせを経てPINダイオ−ド52に供給される。同
様にPINダイオ−ド54に対するコントロ−ル電流は
抵抗62と直列の抵抗64及びツエナ−ダイオ−ド66
の組み合わせを経て供給されている。供給電圧Vs(例
えば19ボルト)は端子42で供給され、可変コントロ
−ル電圧Vc(例えば0−19ボルト)は回路の減衰を
コントロ−ルするために端子60から供給されている。
直列の抵抗46及びツエナ−ダイオ−ド48の斬新な組
み合わせを経てPINダイオ−ド52に供給される。同
様にPINダイオ−ド54に対するコントロ−ル電流は
抵抗62と直列の抵抗64及びツエナ−ダイオ−ド66
の組み合わせを経て供給されている。供給電圧Vs(例
えば19ボルト)は端子42で供給され、可変コントロ
−ル電圧Vc(例えば0−19ボルト)は回路の減衰を
コントロ−ルするために端子60から供給されている。
【0011】動作時、ツエナ−ダイオ−ド48にかかっ
ている電圧(Vs−Vc)がツエナ−ダイオ−ドのしき
い値電圧(例えば12ボルト)を越える迄は、PINダ
イオ−ド52への電流は抵抗44を通じてのみ流れてい
る。しきい値電圧を越えた時点でツエナ−ダイオ−ド4
8が導通状態になり、抵抗44と並列の抵抗46が加わ
り電流が流れる。これによりPINダイオ−ドと直列の
全抵抗が低下し、PINダイオ−ドのレスポンスを引き
出し直線化する入力電流が増える。
ている電圧(Vs−Vc)がツエナ−ダイオ−ドのしき
い値電圧(例えば12ボルト)を越える迄は、PINダ
イオ−ド52への電流は抵抗44を通じてのみ流れてい
る。しきい値電圧を越えた時点でツエナ−ダイオ−ド4
8が導通状態になり、抵抗44と並列の抵抗46が加わ
り電流が流れる。これによりPINダイオ−ドと直列の
全抵抗が低下し、PINダイオ−ドのレスポンスを引き
出し直線化する入力電流が増える。
【0012】同様にツエナ−ダイオ−ド66にかかる電
圧がそのしきい値を越える迄はPINダイオ−ド54に
供給される電流は抵抗62を通じて流れている。ツエナ
−のしきい値を越えると抵抗64が抵抗62に加わりよ
り多くの電流をPINダイオ−ド54に流す。抵抗44
と62はそれ故コントロ−ル信号Vcが予め定めたしき
い値以下の時、PINダイオ−ドに第1電流範囲内の人
力信号を供給する。抵抗44,46と62,64の組み
合わせがコントロ−ル電圧値が予め定めたしきい値以上
の値の時、PINダイオ−ドに第2範囲内の駆動電流を
供給するのである。抵抗の値によって第1と第2の範囲
は隣接することはないが、アッテネ−タ・レスポンス・
カ−ブ上の望む点で回路を動作させる様に設計できるこ
とになる。チョ−ク58はも望ましくないAC信号成分
を阻止するために設けてある。
圧がそのしきい値を越える迄はPINダイオ−ド54に
供給される電流は抵抗62を通じて流れている。ツエナ
−のしきい値を越えると抵抗64が抵抗62に加わりよ
り多くの電流をPINダイオ−ド54に流す。抵抗44
と62はそれ故コントロ−ル信号Vcが予め定めたしき
い値以下の時、PINダイオ−ドに第1電流範囲内の人
力信号を供給する。抵抗44,46と62,64の組み
合わせがコントロ−ル電圧値が予め定めたしきい値以上
の値の時、PINダイオ−ドに第2範囲内の駆動電流を
供給するのである。抵抗の値によって第1と第2の範囲
は隣接することはないが、アッテネ−タ・レスポンス・
カ−ブ上の望む点で回路を動作させる様に設計できるこ
とになる。チョ−ク58はも望ましくないAC信号成分
を阻止するために設けてある。
【0013】図3と図4のグラフは本発明の回路により
減衰と反射減衰量が改善された状態を図示したものであ
る。図3では従来技術のブリッジT形RFアッテネ−タ
が70線の様にコントロ−ル電圧のごく狭い範囲にしか
非直線性の反射減衰に応答していないのが判る。図示で
明らかなごとく18dBよりも反射減衰量が良好な範囲
(カ−ブ70)は減衰量が約3−12dB(カ−ブ72
)の範囲のみである。
減衰と反射減衰量が改善された状態を図示したものであ
る。図3では従来技術のブリッジT形RFアッテネ−タ
が70線の様にコントロ−ル電圧のごく狭い範囲にしか
非直線性の反射減衰に応答していないのが判る。図示で
明らかなごとく18dBよりも反射減衰量が良好な範囲
(カ−ブ70)は減衰量が約3−12dB(カ−ブ72
)の範囲のみである。
【0014】図4の本発明の回路では18dBよりも反
射減衰量が良好な範囲(カ−ブ80)は減衰量が約1.
7dBより14dBの全般にわたっている。加えて従来
技術の回路で得られる最低減衰量は、カ−ブ72で明ら
かな様に約2.3dBであるが、本発明の回路ではカ−
ブ82が示す通り約1.7dBである。図3と図4を比
べるとはっきりするが、本発明回路の反射減衰量カ−ブ
80は、従来技術回路のカ−ブ70が1個の最低点を持
っているのに対し、2個の最低点を備えている。この結
果、減衰の広範囲にわたり反射量が改善されることにな
る。更に本発明回路ではコントロ−ル電圧の増加に伴う
減衰量の直線性が改善されていることが判る。
射減衰量が良好な範囲(カ−ブ80)は減衰量が約1.
7dBより14dBの全般にわたっている。加えて従来
技術の回路で得られる最低減衰量は、カ−ブ72で明ら
かな様に約2.3dBであるが、本発明の回路ではカ−
ブ82が示す通り約1.7dBである。図3と図4を比
べるとはっきりするが、本発明回路の反射減衰量カ−ブ
80は、従来技術回路のカ−ブ70が1個の最低点を持
っているのに対し、2個の最低点を備えている。この結
果、減衰の広範囲にわたり反射量が改善されることにな
る。更に本発明回路ではコントロ−ル電圧の増加に伴う
減衰量の直線性が改善されていることが判る。
【0015】本発明がPINダイオ−ドの様な可変イン
ピ−ダンスレスポンスの直線化という点で、改善された
信号処理回路を提供しているものであることがはっきり
したことと思う。またケ−ブルテレビジョンシステムの
様なRF送信の応用面で反射減衰量も改善されることに
なる。PINダイオ−ドRFアッテネ−タについて本発
明の内容を説明したが、コントロ−ル電流の範囲が交錯
する斬新なツエナ−ダイオ−ド回路の応用面が、スロ−
プコントロ−ルや等化処理の様な可変インピ−ダンス回
路に適用できることは明らかである。特許請求の範囲に
記載してある本発明の真意及び範囲から離脱することな
く、その他多くの応用及び改善ができることと思う。
ピ−ダンスレスポンスの直線化という点で、改善された
信号処理回路を提供しているものであることがはっきり
したことと思う。またケ−ブルテレビジョンシステムの
様なRF送信の応用面で反射減衰量も改善されることに
なる。PINダイオ−ドRFアッテネ−タについて本発
明の内容を説明したが、コントロ−ル電流の範囲が交錯
する斬新なツエナ−ダイオ−ド回路の応用面が、スロ−
プコントロ−ルや等化処理の様な可変インピ−ダンス回
路に適用できることは明らかである。特許請求の範囲に
記載してある本発明の真意及び範囲から離脱することな
く、その他多くの応用及び改善ができることと思う。
【0016】
【発明の効果】この発明は、以上述べた構成・作用によ
り直線性が改善されたPINダイオ−ドRF減衰器、ス
ロ−プコントロ−ル回路、あるいはまた、等化器の様な
改善された信号処理回路を提供し、この回路は良好な反
射減衰量を得ることができる。
り直線性が改善されたPINダイオ−ドRF減衰器、ス
ロ−プコントロ−ル回路、あるいはまた、等化器の様な
改善された信号処理回路を提供し、この回路は良好な反
射減衰量を得ることができる。
【図1】本発明の回路を使用したCATV幹線増幅器の
構成図である。
構成図である。
【図2】本発明によるブリッジT形RFPINダイオ−
ド減衰器の回路図である。
ド減衰器の回路図である。
【図3】従来のPINダイオ−ドブリッジT形減衰器の
減衰量と反射減衰レスポンスを表したグラフである。
減衰量と反射減衰レスポンスを表したグラフである。
【図4】本発明によるPINダイオ−ドブリッジT形減
衰器による改善された減衰量と反射減衰レスポンスを図
示したグラフである。
衰器による改善された減衰量と反射減衰レスポンスを図
示したグラフである。
Claims (16)
- 【請求項1】 改善された信号処理回路で、インピ−
ダンスを変えるために入力信号に応答する手段と、予め
定められたしきい値以下の絶対値のコントロ−ル信号に
応じて、インピ−ダンスを第1の範囲にわたって変える
ための入力信号を供給する第1の手段と、コントロ−ル
信号の絶対値がしきい値以下になったっ時、第2の範囲
にわたって入力信号を供給するため、コントロ−ル信号
に応じる第2の手段と、ここで第1と第2の範囲は隣接
していないことを特徴とする信号処理回路。 - 【請求項2】 請求項1において、前記インスピ−ダ
ンス変化手段はPINダイオ−ドから成ることを特徴と
する回路。 - 【請求項3】 請求項2において、前記入力信号はP
INダイオ−ドを通過する電流から成ることを特徴とす
る回路。 - 【請求項4】 請求項の範囲の前項各項において、前
記第1の手段は前記入力信号電流を供給するための第1
の抵抗から成ることを特徴とする回路。 - 【請求項5】 請求項4において、前記第2の手段は
入力信号電流を供給するための第2の抵抗と、前記しき
い値を作るため第2の抵抗に接続されたツエナ−ダイオ
−ドから成ることを特徴とする回路。 - 【請求項6】 請求項5において、前記第2の抵抗と
ツエナ−ダイオ−ドは直列に接続されており、この直列
の組み合わせと並列に第1の抵抗が接続されていること
を特徴とする回路。 - 【請求項7】 請求項1から3の各項において、前項
第1の手段は可変インピ−ダンスに電流を供給するため
の第1の抵抗から成ることを特徴とする回路。 - 【請求項8】 請求項7において、前記第2の手段は
可変インピ−ダンスに電流を供給するための第2の抵抗
と、前記しき値を作るための第2の抵抗に接続されたツ
エナ−ダイオ−ドから成ることを特徴とする回路。 - 【請求項9】 改良されたPINダイオ−ド減衰回路
で、ブリッジT形に接続された第1と第2のPINダイ
オ−ドと、しきい値以下の減衰コントロ−ル信号に応じ
て、第1の範囲内でPINダイオ−ドに電流を供給する
ための第1の手段と、前記PINダイオ−ドに第1の範
囲に隣接していない第2の範囲にわたって電流を供給す
るための、前記しきい値以上の減衰コントロ−ル信号に
応答する第2の手段から成ることを特徴とする回路。 - 【請求項10】 請求項9において、前記第1の手段
はコントロ−ル信号に応じてPINダイオ−ド駆動電流
を供給するための第1の接続手段から成り、前記第2手
段はコントロ−ル信号がツエナ−ダイオ−ドのしきい値
電圧に達した時、前記第2の範囲内でPINダイオ−ド
駆動電流を供給するためのツエナ−ダイオ−ドに接続さ
れた抵抗の手段から成ることを特徴とする回路。 - 【請求項11】 請求項9または10において、前記
第1と第2の手段は、コントロ−ル電圧と前記第1のP
INダイオ−ドに電流を供給するための供給電圧の差に
応答し、前記第1と第2の手段は、前記第2のPINダ
イオ−ドに電流を供給するためのコントロ−ル電圧のみ
に応答することを特徴とする回路。 - 【請求項12】 改良されたPINダイオ−ド減衰回
路で、ブリッジT形配置に接続された第1と第2のPI
Nダイオ−ドと、しきい値以下の減衰コントロ−ル信号
に応答して、第1の範囲内で第1のPINダイオ−ドに
駆動電流を供給するための第1の手段と、前記第1のP
INダイオ−ドに、前記第1の範囲と隣接していない第
2の範囲内で駆動電流を供給するための、前記しきい値
以上の減衰コントロ−ル信号に応答する第2の手段と、
前記第2のPINダイオ−ドに、前記しきい値以下の減
衰コントロ−ル信号に応じて第3の範囲内で駆動電流を
供給するための第3の手段と、前記第2のPINダイオ
−ドに、前記第3の範囲と隣接していない第4の範囲内
で駆動電流を供給するための、前記しきい値以上の減衰
コントロ−ル信号に応答する第4の手段とから成ること
を特徴とする回路。 - 【請求項13】 請求項12において、前記第1の手
段は第1の抵抗から成り、前記第2の手段はツイナ−ダ
イオ−ドと直列に接続された第2の抵抗から成り、第1
と第2の手段は並列に接続されて第1のPINダイオ−
ドに駆動電流を供給し、前記第3の手段は第3の抵抗か
ら成り、前記第4の手段はツエナ−ダイオ−ドと直列に
接続された第4の抵抗から成り、第3と第4の手段は並
列に接続されて第2のPINダイオ−ドに駆動電流を供
給することを特徴とする回路。 - 【請求項14】 請求項13において更に、前記第1
と第2の手段の並列組み合わせを、供給電圧とコントロ
−ル信号電圧間に供給するための手段と、前記第3と第
4の手段の並列組み合わせを、コントロ−ル信号電圧と
接地間に結合するための手段から成ることを特徴とする
回路。 - 【請求項15】 請求項12から14までの各項にお
いて、前記第1と第3の範囲は大体において等しく、前
記第2と第4の範囲は大体において等しいことを特徴と
する回路。 - 【請求項16】 請求項13から15までの各項にお
いて、前記第1と第2の手段の並列結合体は、前記第1
のPINダイオ−ドと直列に接続され、前記第3と第4
の手段の並列結合体は前記第2のPINダイオ−ドと直
列に接続されていることを特徴とする回路。
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