JPH04233479A - 静電放電検出器 - Google Patents

静電放電検出器

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JPH04233479A
JPH04233479A JP3146947A JP14694791A JPH04233479A JP H04233479 A JPH04233479 A JP H04233479A JP 3146947 A JP3146947 A JP 3146947A JP 14694791 A JP14694791 A JP 14694791A JP H04233479 A JPH04233479 A JP H04233479A
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detector according
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JP3146947A
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Jeffrey D Campbell
ジェフリー・ディー・キャンベル
Graham O Gearing
グラハム・オー・ジアリング
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Original Assignee
Zero Corp Japan
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
    • G01R29/12—Measuring electrostatic fields or voltage-potential

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Elimination Of Static Electricity (AREA)
  • Testing Relating To Insulation (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電気部品及び電気アッ
センブリで発生する静電放電（ＥＳＤ）現象を検出する
、改善された新たな検出器に関する。特にこの発明は、
現在用いられている微細電気部品プリント配線基板に直
接又は非常に隣接して配置できる検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術、及び発明が解決しようとする課題】電子
産業界は１９６０年代に静電気に関する問題、一般的に
は静電放電による部品の損傷について実験を開始した。 レイマン　（ｌａｙｍａｎ）　によれば、微小放電電圧
は、そのような電子部品に静電電位の発生及び放電によ
って起こり、発光電圧即ち静電放電は部品に損傷を加え
、この損傷は部品のテストにおいても実際には検出され
ない。
【０００３】先端技術によって半導体素子が更に小さく
なり、その集積密度が高まるにつれ、半導体素子は静電
放電現象によって損傷を受けやすくなり、この問題は重
大になっている。一般に人間は３５００Ｖ以下の放電現
象を感じることができない。
【０００４】電子部品動作空間付近での静電界を測定す
る目的で、現在様々の器具が製造されている。このタイ
プの器具は、現在のスレショルド（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ
）　が超過されたとき、それを警告、又は測定した電界
を記録する。 このような器具はＵＳ特許４，７８５，２９４及びこの
特許に示される参考文献に説明されている。
【０００５】この種の装置は保護される電子部品に比べ
大きく、静電レベルをモニタするための作業領域内で使
用されるが、特定の装置又はＰＣボード上の実際のＥＳ
Ｄ現象を示すことはない。
【０００６】この発明は非破壊直接読取り表示素子を好
適に使用する。非破壊直接読取り表示素子は、ＥＳＤ現
象が発生したかどうかを判断するためにいつでも読むこ
とができ、発生していないとき、その後のＥＳＤ現象を
表示することができる装置の一つである。これは間接読
出表示装置が読み出されるためには、ある種の条件の変
化を必要とし、その変化によってその装置はＥＳＤ現象
をその直後に表示することができないことに比べ対象的
である。写真フィルムはＥＳＤ現象が検出されたか否か
を判断するために現像されなければならないので、間接
読出表示装置の一例である。現像の後、フィルムはそれ
以上ＥＳＤ現象を示すために使用することができない。 液晶ディスプレイは非破壊直接読取りディスプレイ素子
の一例である。液晶ディスプレイ素子は、以前にＥＳＤ
現象がなかったならば、その後のＥＳＤ現象を示す能力
に悪い影響を及ぼすことなく、いつでも読み取ることが
できる。
【０００７】米国特許　　４，８３８，６５３は、液晶
素子アレイを静電放電又は電界強度の測定、即ち電界モ
ニタとして使用することを開示している。所望の感度を
達成するために、この要素は直列に接続される。過去の
特許　　４，２８６，２１０及び３，６２７，４０８で
は、液晶ディスプレイ素子をイオンの指示器又はモニタ
として強電界を検出するのに使用することが示された。 これらの特許は、実際のＥＳＤ現象の検出及び／又は記
録には言及していない。
【０００８】電界レベルに関する技術は有効な方法であ
るが、電界を測定する実験によれば、工場環境における
電界の制御は殆ど不可能であり、範囲が広い場合は特に
不可能である。その検出器は衣類、頭髪などによる危険
な電界を検出することはない。また、高電圧を発生する
装置（ＣＲＴモニタなど）が動作しているワークベンチ
及びワークエリアでも問題が生じる。
【０００９】電界モニタは危険電界が存在するとき、そ
れを警報する。電界モニタは余りに多くの危険を検出す
るので、各ソース（ｓｏｕｒｃｅ）に追随することは耐
えられない仕事になっている。その中の幾つかは実際に
危険であり、幾つかはそうではない。その区別は蓄積さ
れた実際のエネルギーである。発生したこのエネルギー
はＥＳＤソース背後の実際に破壊的なパワーであり、ソ
ース容量と電圧の積である。蓄積したエネルギーは式　
　Ｅ＝１／（２ＣＶ２　）　　によって示される。直接
接続によらずにソース容量を測定する方法は存在しない
。従って、現象起こる前に有力なＥＳＤ現象のエネルギ
ーレベルを測定することはできない。絶縁体は危険が少
ないことがこの問題を更に曖昧にする。なぜならばそれ
らの電荷を装置に素早く放出することができないからで
ある。即ち、それらは効果的な放電機構を持たないから
である。電荷は装置にダメージを与えるように移動し、
ＥＳＤ現象の間、一般に数ナノ秒で移動する。放電抵抗
をおおよそ測定する方法は存在しない。
【００１０】ＥＳＤ現象の検出により、そのような困難
な問題が克服される。現象モニタはＥＳＤ現象の間に発
生した一時的電界を効果的に”聞く（ｌｉｓｔｅｎ）”
。静電放電現象の強度は測定したパルスレベルに比例す
る。現象モニタは電界モニタが警告を発するような、電
界が徐々に変化する領域でも誤ってトリガすることはな
い。
【００１１】米国特許　　４，８３８，６５３に示され
る装置は、容量の電圧分割により電界を測定する。電源
とグランド間に直列に接続した２個のコンデンサを有す
る等価回路モデルを考える。各コンデンサの電圧はその
容量に逆比例する。電源と内部ノード（ｎｏｄｅ）間の
容量は、充電された物体とディスプレイのプレート間の
浮遊容量である。第２コンデンサはディスプレイ容量の
モデルである。連続電圧源は充電された要素とディスプ
レイ平面の間の容量比によって分割される。受動ＬＣＤ
材料の理論的最大感度は、１０５　ボルトでＥＳＤセン
サとして使用するには低すぎる。
【００１２】他のタイプの装置が米国特許　　４，８２
５，１５２に示される。写真フィルムは２個の電極間に
設けられ、この電極はＥＳＤ現象をピックアップするア
ンテナとして作用し、スパークギャップを与える。充分
な強度の現象はそのギャップにスパークを発生し、スパ
ークは写真フィルムに記録される。その後フィルムは一
般的な方法で現像され、ＥＳＤ現象が検出され記録され
たか否かが視覚的に検査される。ＥＳＤ現象の発生を視
覚的に判定するために、この二次フィルム現像処理が必
要であり、それによりスパークが発生しなかった場合、
フィルムを直後に使用することができない。
【００１３】この発明の目的は、特定の電子部品又は電
子アッセンブリ又はＰＣボード上の極めて低い電圧の静
電放電現象を検出する、改良された新しい検出器を提供
することである。又、モニタされる部品又はアッセンブ
リに直接搭載することができ、更に人間の体に直接搭載
又は接続することができる検出器を提供することである
。
【００１４】更にこの発明の目的は、現在入手できる多
数の小型電子部品及びアッセンブリを使って、小型、低
価格、従って利用しやすい検出器を提供することである
。又、この発明の目的は、直読表示器、好適に単一液晶
ディスプレイのみを使用して動作する検出器を提供する
ことである。更に、この発明の目的は、増幅又は電源を
使用しないで低電圧のＥＳＤ現象を検出でき、人間の目
で容易にその表示を識別できる検出器を提供することで
ある。又この発明の目的は、電圧レベルが変化する所に
露出されて、表示を変化させる表示素子を具備し、及び
ＥＳＤセンサを表示素子にに接続する回路を有し、又、
好適実施例においてセンサとディスプレイを、モニタさ
れる装置に直接搭載する搭載方法を有するＥＳＤセンサ
を具備する検出器を提供することである。更にこの発明
の目的は、ある構成では表示素子及びセンサは単一部品
であり、又ある構成ではそれらは分離されている部品検
出器を提供することである。又この発明の目的は、ある
表示素子に関して、増幅回路及び／又はラッチ回路を具
備する検出器を提供することである。
【００１５】これら及び他の目的、特徴、利点、及びそ
の結果は、実施例の詳細な説明により明確になる。
【００１６】
【課題を解決するための手段及び作用】電子部品、プリ
ント回路基板、又は部品アッセンブリに生じる静電放電
現象を検出する検出器であって、変化する電圧レベルに
さらされて、その表示を変化させる非破壊直読ディスプ
レイ素子と、静電放電センサ、及びセンサを表示素子に
接続する回路を有する検出器である。一実施例において
、センサ及び直読表示素子を、好適に単一部品で直結又
は磁気結合することにより、モニタされる装置に直接搭
載する手段を含む検出器。他の実施例において、検出器
の表示部分のドライブ能力を増加するアンテナ及びアン
プであって、前記検出器はプリント回路基板に搭載され
た電子感知部品の近傍に搭載できる。
【００１７】
【実施例】電子部品のＥＳＤ現象に対する露出は、直接
測定又は接近測定により決定される。直接測定は、検出
器をモニタされる部品又はアッセンブリの接続ピンに配
線することにより行われる。過大ストレス状態又はＥＳ
Ｄ現象の検出は表示素子の表示内容を変化させるのに使
用され、この内容変化は一般にバイステーブル（ｂｉ−
ｓｔａｂｌｅ）　液晶ディスプレイ内の光学的変化であ
る。表示の変化は、状態変化又は色の変化又は伝達性の
変化又は他の観測できる状態の変化である。直接測定検
出器の好適実施例を図１及び図２に示す。接近測定の実
施例において、モニタされる要素に隣接するアンテナ内
の現象により発生した電流を捕らえることにより、セン
サはＥＳＤ現象を検出する。アンテナからの信号は、バ
イステーブルディスプレイを駆動するために増幅される
。近接検出器の好適実施例を図３及び４に示す。
【００１８】このような応用に用いられるセンサは、比
較的短時間に低エネルギーで電子部品にダメージを与え
るＥＳＤ現象を捕らえるために、高速で高感度なものが
望ましい。一般にＥＳＤ現象に関するエネルギーはピコ
ジュールからマイクロジュールに及ぶ範囲であり、ナノ
秒からマイクロ秒の持続時間である。これはＥＳＤ現象
により消費される全エネルギーであり、検出器に全て使
用することができるわけではない。例えば１００Ｖの現
象は０．５マイクロジュールのエネルギーを発生する。 一般にこのエネルギーの５％が検出器に結合される。
【００１９】図１及び図２において、検出器１１はセン
サ１２を具備し、表示素子１３は電子装置１５のピン１
４に接続される。この実施例で、センサは複数のダイオ
ード１６を使用し、ダイオード１６はブリッジ整流器と
して接続されディスプレイの単一電圧を提供する。図２
では、ダイオード及びディスプレイはプリント回路ボー
ド１７に搭載され、ボード１７は結合クリップ１９によ
りハウジングに搭載され、このアッセンブリを電子装置
１５に取り付ける。この電子的接続はエラストマ接続（
ｅｌａｓｔｏｍｅｒ　ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）又はスプ
リングクリップ又は所望により他の方法によって行われ
る。エ検知接続は一般的な方法であり、ゼブラストライ
プ（Ｚｅｂｒａｓｔｒｉｐｓ）と呼ばれることもある。
【００２０】検出器のセンサは装置レベルでピンと装置
間の電圧差を測ることによりＥＳＤ露出を測定する。Ｅ
ＳＤ現象の間、ピン間の電圧は通常動作電圧の２〜４倍
である。ブリッジタイプセンサは、全てのピンの最大電
圧差を同時にモニタするために全てのピンに接続される
。ディスプレイの特性により決る電圧スレショルドが超
過されたとき、ディスプレイは状態を変化させ、それに
より所定レベルを越えるＥＳＤ現象に対する装置の露出
を表示する。簡単な構成では、ダイオードブリッジは使
用されず、装置のピンはディスプレイに電気的に直結さ
れ、それがセンサとして作用する。
【００２１】ディスプレイ１３の好適な形態は、強誘電
性液晶ディスプレイであり、これはバイステーブルで状
態変化を視覚的に示し、一般にそれは色の変化である。
【００２２】この実施例において、ＥＳＤ現象は１５ナ
ノ秒で１５Ｖから２５ボルトの電圧を電子装置に発生す
る。センサのブリッジ整流器は、ディスプレイを駆動す
る極性にこのパルスを変換する。ＥＳＤ現象が数十ナノ
秒だけ存在するとき、ディスプレイへのセンサからの電
圧は数マイクロ秒間存在する。この表示パルス時間は回
路特性の関数であり、選択することができ、ディスプレ
イの抵抗やディスプレイ容量、及びダイオードリカバリ
ー時間に依存する。
【００２３】バイスタビリティ（ｂｉ−ｓｔａｂｉｌｉ
ｔｙ）を示す様々なタイプの液晶ディスプレイを使用す
ることができ、それらにはスメクティック（ｓｍｅｃｔ
ｉｃ）　Ａ及びキラルスメクティック（ｃｈｉｒａｌ　
ｓｍｅｃｔｉｃ）Ｃが含まれる。ツイストネマティック
（ｔｗｉｓｔｅｄ　ｎｅｍａｔｉｃ：ＴＮ）ディスプレ
イも使用できる。ＴＮディスプレイの低感度性及び低速
応答性はスメクティックＡディスプレイに類似しており
、又、ＴＮディスプレイもメモリを持たない。結晶スメ
クティックＣは強電界性で、他の二つよりも大きな感度
及び応答性を示し、パワーアンプ及びラッチ回路を用い
ずにＥＳＤ現象を検出できる。このような液晶ディスプ
レイに関するその他の情報は次に示す米国特許に示され
る。即ち、４，３６７，９４２；　　４，５６３，０５
９；　　４，８１３，７６７；　　４，８１３，７７１
；　　及び４，８４０，４６３である。
【００２４】電子部品及びアッセンブリ装置は広範な電
圧レベルで動作し、装置特性により代表的に３Ｖ〜４０
Ｖのオーダである。これは、異なる検出器の感度が、異
なる電圧レベルの装置に対して適用されなければならな
いことを示す。又、一般に半導体装置は多くの異なるパ
ッケージサイズ、形状、及び構成で収納されているので
、検出器の装置への直接接続は各装置の形式に合わせて
設計されねばならない。　　図３及び４において、近接
タイプ検出器２３は、モニタされる装置２６に近接して
設けられたセンサ２４及びディスプレイ２５を含む。セ
ンサは装置を単一電極駆動するアンテナ、即ちロッド２
７及び検出器２８を含む。装置２６の構成要素２８及び
接続リード２９は点線で示される。
【００２５】検出器センサは、モニタされる装置に近接
するＥＳＤ現象により誘起された磁気結合エネルギーに
より動作する。回路が動作しているときの装置の通常な
過渡電流は０．５Ａを越えることはない。しかしＥＳＤ
現象が発生したとき、装置内のリード２９を流れる電流
は、低抵抗放電経路により容易に５Ａを越える。さらに
回路にＥＳＤ現象が発生しているときの電流の立ち上が
り時間は約２ナノ秒であり、これは高いｄｉ／ｄｔ成分
を生成し、近傍の導電体に大電圧を誘起する。検出器は
変化する磁界経路内のアンテナとして導電体を使用し、
急速に変化する磁界を、ディスプレイを作動する電圧に
変換する。リード２９内の電流はアンテナ２７に実質的
な電圧を発生する。近接検出器に用いるアンテナは任意
方向のＥＳＤ現象を検知する能力を向上するために、異
なる方向に向いた幾つかのロッド２７、２７ａ、２７ｂ
を有する。複数のアンテナが使用されるとき、図１に示
すようなブリッジ整流器が使用される。
【００２６】近接検出器２３のような検出器をモニタさ
れる装置に搭載するための構成が図５及び６に示される
。ディスプレイ２５、アンテナ２７、及びダイオード２
８はベース３３に搭載することができ、リード又はベー
ス上のプリント回路により適切に接続される。粘着剤３
４層はベースの反対側に設けられ、粘着剤上には剥がせ
る保護層３５が設けられる。検出器は剥がせる保護層を
取り除き、検出器を尾モニタされる装置に押圧すること
により取り付けられる。
【００２７】モニタされる装置に直結して、又は近接し
て配置することができない場合はアンプが望ましい。な
ぜならば、不適当なエネルギーをＥＳＤ現象に続くスプ
レイの過渡期に使用できるからである。装置の上又は装
置に接近して配置するのに適する図３及び図４に示され
るタイプの検出器は近接（ｎｅａｒ　ｐｒｏｘｉｍｉｔ
ｙ）検出器として参照され、一方、アンプを具備する検
出器は遠近接（ｆａｒ　ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ）　検出器
として参照される。ここで開示される近接検出器は強磁
性ディスプレイ素子を使用する。近接検出器の２つの構
成を図７及び１０に各々示す。アンプを有する検出器は
、ＴＮ及びスメクティックＡディスプレイのような他の
ディスプレイを使用することができる。ディスプレイ素
子は、ある実施例ではリセットすることができ、又他の
実施例ではリセットできない。アンプは所望であればあ
らゆる実施例に使用することができる。
【００２８】図７の遠近接検出器は、センサ４２及びデ
ィスプレイ４３を含み、センサはアンテナ４４及びアン
プ４５を有する。アンテナはアンプの入力に接続され、
アンプの出力はディスプレイに接続される。回路のグラ
ンド側（ここではプリント回路基板アッセンブリの回路
グランド）は、モニタされる装置にライン４６により接
続される。アンテナとグランド間の浮遊容量は４９によ
り示される。図８及び９に示される実施例において、ラ
イン４６は作業者の体に接続される。ＥＳＤ現象はボー
ドでの小さい雷電圧４８として概略示される。ボードの
導電マス（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｍａｓｓ）　の高速
放電または充電であるＥＳＤ現象は、センサのアンテナ
とグランドに容量結合する。更に大きなエネルギーがグ
ランドアンテナ入力に容量結合するのでセンサが機能し
、増幅された差を４５で生成し、ディスプレイ４３を駆
動する。図７に示す接続構成において、ＥＳＤ現象はア
ンテナに対するセンサのグランド電位を上昇する。なぜ
ならば、アンテナは接地グランドに対して浮遊容量を持
っているからである。このタイプの検出器はプリント回
路ボードアッセンブリに使用するのに特に適している。 なぜならば一つのセンサがアッセンブリ全体をモニタで
きるからである。
【００２９】図８及び９に他の使用法を示す。検出器は
電子アッセンブリ作業員に使用するための静電放電指示
器として機能する。センサのグランドライン４６は、モ
ニタされる電子装置ではなく、作業員の体に直接接続さ
れる。図８はバッジとしてポケットにクリップされた検
出器を示し、ライン４６は作業者に接続されている。図
９において、検出器４１は腕時計と同様な方法で手首に
取り付けられるか、又は普通の腕時計又は時計バンドに
付けることができる。図９には他の実施例が示され、検
出器はリングとして装着される。各実施例において、金
属電極又は導体が人体にグランド接続を与える。
【００３０】ＥＳＤ現象を生じる作業者の静電電荷が放
電するとき、作業者は急速な放電を経験する。これはセ
ンサグランドとアンテナ間の電位差を生じ、ディスプレ
イの表示状態を変える。作業者の体に取り付けられたセ
ンサの実際の位置は厳密なものではない。なぜならば、
その現象のときに体全体が放電するからである。
【００３１】図１０は遠近接検出器４１他の動作モード
を示し、ボード４９はハウジングに接地される。この構
成ではアンテナと、ボードで生じたＥＳＤ現象との容量
接続は、センサグランド４６とアンテナ４４の間に電位
差を生じる。ボードとアンテナ間の浮遊容量は５２で示
される。
【００３２】検出器と電子装置を有するパッケージの好
適な例が図１１に示される。プリント回路ボード５５は
ハウジング５６内に設けられ、ハウジング５６は背面板
５７により閉じられる。図１に示すようなＥＳＤ検出器
５９はハウジングのフレーム５９内に位置し、検出器の
表示要素６０はハウジング内のウインド６１に位置する
。検出器はエラストマ（ｅｌａｓｔｏｍｅｒ）　スペー
サ６２とエラストマコネクタのゼブラストリップ（Ｚｅ
ｂｒａ　ｓｔｒｉｐ）　６３により、プリント回路基板
に隣接して設けられる。ゼブラストリップ６３により、
回路基板から検出器への直接接続が可能となる。
【００３３】遠近接検出器の好適な電気的構成の略図を
図１２に示す。この回路に使用される部品は表１に示さ
れる。オプションのリセット回路は、ＥＳＤ現象が検出
され表示された後、表示要素６７をリセットすることが
できる。リセット回路はコイル６８及びコンデンサＣ３
により形成される調整された回路を含み。又、リセット
回路は適切なパワーの電磁源（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎ
ｅｔｉｃｓｏｕｒｃｅ）及び調整された回路に近い周波
数により作動する。
【００３４】図１２に示す回路において、二つの検知ア
ンテナ７０、７１はＥＳＤパルスの立ち上がり及び立ち
下がりの両方を検知するために使用される。
【００３５】 　　　　参照　　　　　　　　　　　　説明　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
値 　　　　Ｃ１　　　　　　　　　　　　コンテ゛ンサ、
５０Ｖ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　．０１　μＦ　　　　Ｃ２　　　　　　　　　　　　
コンテ゛ンサ、５０Ｖ　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　．００１μＦ　　　　Ｃ３　　　　　
　　　　　　　コンテ゛ンサ、５０Ｖ　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　４７ｐＦ　　　　　
Ｂ１　　　　　　　　　　　　ハ゛ッテリ　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３Ｖ
　　　　　Ｄ１　　　　　　　　　　　　タ゛イオ−ト
゛、ハイスヒ゜−ト゛　ＤＬ４１４８　　　　　Ｒ１、
Ｒ２　　　　　　抵抗　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　２．２Ｍ　　　　　Ｒ３
、Ｒ４　　　　　　抵抗　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　１２０Ｍ　　　　　Ｕ
１、Ｕ２　　　　　　ＩＣ、クワト゛シュミットＮＡＮ
Ｄケ゛−トＭＣ１４０９３ＢＤ　 ＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ）
を表示素子として使用する他の実施例を図１３に示す。 この回路はダイオードアレイ７１、検知回路７２、バッ
テリ７３及びＬＥＤ７４を含む。検知回路はＳＣＲとし
て動作するトランジスタ７６、７７及び抵抗７８、７９
、８０により構成される。装置に発生するＥＳＤ現象に
よりトランジスタはＯＮされ、ＬＥＤにエネルギーを与
える。
【００３６】熱タイプ素子を用いるこの発明の他の実施
例を図１４に示す。表示素子８２は、のぞき窓としての
クリアドーム８３を含むカプセルであり、インク又は他
の液体８６上に広がる、溶ける部材８５を有し、底部８
４で密閉される。一般にニクロム抵抗加熱体の加熱要素
８７はこの部材に設けられる。
【００３７】センサはアンテナ８９、アンプ９０、ラッ
チ回路９１、ドライブアンプ９２、及びバッテリー９３
を含み、ドライブアンプ９２の出力は発熱要素に接続さ
れる。ＥＳＤ現象はアンテナに信号を発生し、その信号
は増幅されラッチ回路をトリガし、ラッチはドライバに
線８７を介して電源を供給する。発熱線は部材を溶かし
、インクを解放しドームを介して見える表示を実現する
。可溶性インク、感熱テープ、及び感熱液晶のような他
の感熱素子を表示素子８２に使用することができる。 化学コーティングされた線又はミニフラッシュ管のよう
な熱による燃焼を表示に使用することができ、加熱され
た線は見える燃焼又は爆発を誘起する。
【図面の簡単な説明】
【図１】静電放電現象を検出し、この発明を実施する検
出器の電気的構成図
【図２】図１に示す検出器の一構成図
【図３】この発明による検出器の他の実施例に関する電
気的構成図であって、これはＥＳＤ現象が発生したとき
に生じる一時的磁界変化の検出に基づく。
【図４】図３に示す実施例の一構成を示す図。
【図５】検出器の平面図
【図６】図５に示す検出器の側面図であり、部品上に検
出器を直接搭載するための一構成を示す。
【図７】容量結合による検出器の他の実施例を示す電気
的構成図。
【図８】作業員の体に検出器を取り付けたときの図
【図
９】図８に類似する図であって、作業員の手首及び指に
取り付けたときの図
【図１０】図７に類似する図であって、回路基板が直接
ハウジングに接地されたときの動作を示す図。
【図１１】検出器の一実施例を示す電気的略図。
【図１２】この発明の他の実施例を示す電気的構成図。
【図１３】図１に類似するこの発明の他の実施例を示す
電気的構成図。
【図１４】この発明の他の実施例を示す電気的構成図。
【符号の説明】

Claims (42)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　電圧レベルの変化に露出されて、その
    表示を変える非破壊直読ディスプレイ素子と、静電放電
    センサと、及び前記センサを前記ディスプレイ素子に接
    続する回路手段と、を具備することを特徴とする、電子
    部品又はアッセンブリ装置に起こる静電放電現象を検出
    する検出器。
  2. 【請求項２】　　前記ディスプレイ素子は液晶であるこ
    とを特徴とする請求項１記載の検出器。
  3. 【請求項３】　　前記ディスプレイ素子は強誘電性液晶
    ディスプレイであることを特徴とする請求項２記載の検
    出器。
  4. 【請求項４】　　前記センサ及びディスプレイ素子を、
    モニタされる装置に直接搭載する手段を含むことを特徴
    とする請求項２記載の検出器。
  5. 【請求項５】　　前記搭載手段は前記ディスプレイ素子
    のハウジングと、モニタされる装置に前記ハウジングを
    接続するクリップを有するセンサを含むことを特徴とす
    る請求項４記載の検出器。
  6. 【請求項６】　　前記モニタされる装置の電気端子に前
    記センサを直接接続する電子的コネクタを含むことを特
    徴とする請求項５記載の検出器。
  7. 【請求項７】　　前記センサはブリッジ整流回路形式に
    接続される複数のダイオードを含むことを特徴とする請
    求項２記載の検出器。
  8. 【請求項８】　　前記センサは、前記モニタされる装置
    と前記ディスプレイ間の磁気結合手段を含むことを特徴
    とする請求項２記載の検出器。
  9. 【請求項９】　　前記電磁結合手段は、保護される装置
    近傍に配置され前記ディスプレイ素子に接続される導電
    性閉ループを含むことを特徴とする請求項８記載の検出
    器。
  10. 【請求項１０】　　前記導電性ループと前記ディスプレ
    イ素子を前記モニタされる装置に直接搭載する手段を含
    むことを特徴とする請求項９記載の検出器。
  11. 【請求項１１】　　前記搭載手段は、一方の面に前記デ
    ィスプレイ素子を設けたベースと、前記ベースの他方の
    面に設けられた粘着剤層を具備することを特徴とする請
    求項１０記載の検出器。
  12. 【請求項１２】　　前記磁気結合手段は、異なる方向に
    向いた複数の導電体と、前記導電体を前記ディスプレイ
    素子に接続するブリッジ整流回路とを具備することを特
    徴とする請求項８記載の検出器。
  13. 【請求項１３】　　前記搭載手段は、一方の面に前記デ
    ィスプレイ素子を設けたベースと、前記ベースの他方の
    面に設けられた粘着剤層を具備することを特徴とする請
    求項４記載の検出器。
  14. 【請求項１４】　　前記センサは、前記装置と前記ディ
    スプレイ素子を電気的に直接接続する導電体を具備する
    ことを特徴とする請求項２記載の検出器。
  15. 【請求項１５】　　前記ディスプレイ素子は発光ダイオ
    ードであることを特徴とする請求項１記載の検出器。
  16. 【請求項１６】　　前記センサは、ダイオードアレイ、
    トランジスタ対、及び電源を有することを特徴とする請
    求項１５記載の検出器。
  17. 【請求項１７】　　前記ディスプレイ素子は熱ディスプ
    レイ素子であることを特徴とする請求項１記載の検出器
    。
  18. 【請求項１８】　　前記ディスプレイ素子は、観察窓か
    ら液体を分離し熱的に結合しない部材により密閉された
    カプセルと、前記部材に設けられる熱源を具備すること
    を特徴とする請求項１７記載の検出器。
  19. 【請求項１９】　　前記センサは増幅手段を含み、及び
    前記増幅手段の出力を前記ディスプレイ素子に接続する
    手段を含むことを特徴とする請求項１７記載の検出器。
  20. 【請求項２０】　　前記センサ及び前記ディスプレイ素
    子を、モニタされる装置に直接搭載する手段を更に含む
    ことを特徴とする請求項１９記載の検出器。
  21. 【請求項２１】　　前記モニタされる装置は組み立て作
    業員の体であり、前記ディスプレイ素子のグランド接続
    は人体であり、前記センサ及びディスプレイ素子はパッ
    ケイジ内に設けられ、前記検出器は前記パッケイジを前
    記作業員に接続する手段を含むことを特徴とする請求項
    ２０記載の検出器。
  22. 【請求項２２】　　前記ディスプレイ素子の表示状態が
    変化した後、前記ディスプレイ素子を元の状態にリセッ
    トするリセット手段を含むことを特徴とする請求項１９
    記載の検出器。
  23. 【請求項２３】　　前記ディスプレイ素子は液晶ディス
    プレイであることを特徴とする請求項１９記載の検出器
    。
  24. 【請求項２４】　　前記ディスプレイ素子は強誘電液晶
    ディスプレイであることを特徴とする請求項１９記載の
    検出器。
  25. 【請求項２５】　　前記ディスプレイ素子は発光ダイオ
    ードであることを特徴とする請求項１９記載の検出器。
  26. 【請求項２６】　　前記ディスプレイ素子は熱ディスプ
    レイ素子であることを特徴とする請求項１９記載の検出
    器。
  27. 【請求項２７】　　前記ディスプレイ素子は、熱的に結
    合しない部材により液体を密閉するカプセルであること
    を特徴とする請求項１７記載の検出器。
  28. 【請求項２８】　　前記ディスプレイ素子はツイストネ
    マティック素子であることを特徴とする請求項１９記載
    の検出器。
  29. 【請求項２９】　　前記ディスプレイ素子はスメクティ
    ックＡ素子であることを特徴とする請求項１９記載の検
    出器。
  30. 【請求項３０】　　前記センサとディスプレイ素子を、
    モニタされる装置に直接搭載する手段を有し、前記搭載
    する手段は前記ディスプレイ素子のハウジングと、前記
    モニタされる装置に前記ハウジングを取り付けるクリッ
    プを有するセンサを具備することを特徴とする請求項１
    ９記載の検出器。
  31. 【請求項３１】　　前記センサを前記モニタされる装置
    の前記電気的端子に直接接続する電気的コネクタを有す
    ることを特徴とする請求項１９記載の検出器。
  32. 【請求項３２】　　前記センサは、ブリッジ整流回路形
    式に接続される複数のダイオードを有することを特徴と
    する請求項１９記載の検出器。
  33. 【請求項３３】　　前記センサは、前記モニタされる装
    置と前記ディスプレイ素子間の磁気結合手段を有するこ
    とを特徴とする請求項１９記載の検出器。
  34. 【請求項３４】　　前記磁気結合手段は、保護される装
    置の近傍に位置し、前記ディスプレイ素子に接続される
    導電性閉ループを含むことを特徴とする請求項３４記載
    の検出器。
  35. 【請求項３５】　　前記導電性ループ及びディスプレイ
    素子を前記モニタされる装置に直接搭載する手段を含む
    ことを特徴とする請求項３４記載の検出器。
  36. 【請求項３６】　　前記搭載する手段は一方の面に前記
    ディスプレイ素子が設けられるベースと、前記ベースの
    他方の面に設けられる粘着層を含むことを特徴とする請
    求項３５記載の検出器。
  37. 【請求項３７】前記磁気結合手段は異なる方向に向いた
    複数の導電体と、前記導電体を前記ディスプレイ素子に
    接続するブリッジ整流回路を含むことを特徴とする請求
    項３３記載の検出器。
  38. 【請求項３８】　　前記搭載する手段は一方の面に前記
    ディスプレイ素子が設けられるベースと、前記ベースの
    他方の面に設けられる粘着層を含むことを特徴とする請
    求項１９記載の検出器。
  39. 【請求項３９】　　前記センサはアンテナ手段を含み、
    更に、前記アンテナ手段を前記増幅手段の入力に接続し
    、前記増幅手段の出力と前記モニタされる装置のグラン
    ドを前記ディスプレイ素子に接続する手段を含むことを
    特徴とする請求項１９記載の検出器。
  40. 【請求項４０】　　前記センサ及びディスプレイ素子を
    前記モニタされる装置に直接搭載する手段を含むことを
    特徴とする請求項３９記載の検出器。
  41. 【請求項４１】　　前記アンテナ手段は、第１及び第２
    アンテナを有し、及び前記第１及び第２アンテナを前記
    増幅手段に接続する回路手段を有し、異なる極性のＥＳ
    Ｄ現象を受信することを特徴とする請求項３９記載の検
    出器。
  42. 【請求項４２】　　電子部品又はアッセンブリ装置に発
    生する静電放電現象を検出する検出器において、観察用
    アクセス窓を有するハウジングと、電圧レベルの変化に
    露出されてその表示を変化するディスプレイ素子と、静
    電放電センサと、前記センサを前記ディスプレイ素子に
    接続する回路手段とを有する検出器キャリアと、及びモ
    ニタされる電子装置とを具備し、前記ハウジングは、前
    記検出器キャリアと電子装置を前記ハウジングに搭載す
    る手段を含み、前記ディスプレイ素子は前記アクセス窓
    を通して見ることができ、前記キャリアは前記装置の近
    傍に位置することを特徴とする検出器。
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