JPH0422886A - 半導体入出力回路 - Google Patents

半導体入出力回路

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JPH0422886A
JPH0422886A JP2126885A JP12688590A JPH0422886A JP H0422886 A JPH0422886 A JP H0422886A JP 2126885 A JP2126885 A JP 2126885A JP 12688590 A JP12688590 A JP 12688590A JP H0422886 A JPH0422886 A JP H0422886A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capacitor
terminal
input
test
waveform
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2126885A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuma Okura
一真 大蔵
Yukio Hiramoto
平本 行雄
Hiroaki Morooka
諸岡 宏昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Motor Co Ltd
Original Assignee
Nissan Motor Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Motor Co Ltd filed Critical Nissan Motor Co Ltd
Priority to JP2126885A priority Critical patent/JPH0422886A/ja
Publication of JPH0422886A publication Critical patent/JPH0422886A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は集積化された半導体入出力回路の試験方法に
関する。
(従来の技術) 従来の半導体入出力回路(入力保護回路)としては、例
えば、特願昭63−143652号公報がある。第10
図に、その構成を示す。
これは、外付けの保護抵抗22とモノリシックIC(半
導体人力保護回路21)内に、つ(り込まれたコンデン
サ23とによって決まる時定数でフィルタリングするこ
とによってノイズを除去するようになっている。
IC製造工程での不良によりコンデンサができていない
(機能していない)とするとフィルタが構成されず、I
Cの機能が果せなくなることか考えられる。そのために
、コンデンサが確実にできているかどうかを出荷前の検
査でチエツク(測定)する必要がある。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、このような従来の半導体入出力回路にあ
っては、コンデンサのチエツクは抵抗を外付けし、フィ
ルタが構成されているか、どうかを確かめるはかなく、
また、IC内部のコンデンサとしては、せいぜい数+p
F程度であり、テスト装置やパッケージ浮遊容量との区
別がしにくいため、IC内部のコンデンサが確実にでき
ているか、どうかの判断が困難であるという課題があっ
た。
この発明は、このような従来の課題に着目してなされた
もので、コンデンサの電源接続あるいは接地端子をIC
外部に引き出し、テスト時に、そこかう信号を印加し、
コンデンサによる微分波形を観測することにより、コン
デンサの有無を確実に判断し、もって上記課題を解決す
ることを目的としている。
[発明の構成コ (課題を解決するための手段) 上記目的を達成するために、この発明は、外部端子に接
続した信号線に一方の電極が接続され、他方の電極が電
源端子あるいは接地端子に接続されるコンデンサを少く
とも1つ含む集積化された半導体入出力回路において、
前記コンデンサの電源端子あるいは接地端子に接続され
るべき電極を外部端子に接続した半導体入出力回路を構
成した。
(作用) この発明の半導体入出力回路を採用することにより、コ
ンデンサの電源端子あるいは接地端子に接続されるべき
電極を外部端子に接続するという構成としたため、テス
ト時に、そこからノくルスを印加し、微分波形を観測す
ることにより、小容量のコンデンサの有無をテスト装置
やパッケージなどの浮遊容量の影響なしに確実かつ容易
にチエツク(測定)することができる。
(実施例) 以下、この発明を図面に基づいて説明する。
第1図は、この発明の第1実施例を示す図である。まず
、その構成について説明する。
100はモノリシックな半導体人力保護回路。
10]は入力端子、102は出力端子、103は外部端
子としてのテスト端子、104,105は過電圧入力保
護のための電圧クランプ用ダイオード、106はプルア
ップ抵抗、107は高周波ノイズ除去用のコンデンサ、
108は波形整形回路である。
次に作用を説明する。まず、通常動作を説明する。
通常時は入力端子101に保護抵抗を接続し、保護抵抗
とコンデンサ107とによって決まる時定数のフィルタ
が構成される。
この際、テスト端子103は電源に接続あるいは接地す
る。したがって、入力された信号はフィルタを通過した
後、波形整形回路108で波形整形され、出力端子10
2から出力される。
つづいてテスト動作を説明する。テスト時は、テスト端
子から方形波が入力する。その信号はコンデンサ107
で微分され、クランプされた波形が入力端子101から
観測でき、したがってコンデンサ107の存在が確めら
れることになる。問題となる浮遊容量はコンデンサ10
7の微分作用とは区別できる。
第3図にテスト端子から入力する方形波と入力端子10
1から観測できる微分波形の状態を示す。
また、入力端子101から方形波を入力し、テスト端子
103から微分波形を観測することも当然考えられる。
第2図に、第2実施例を示す。
これは入力が複数ある場合である。このように入力が複
数あってもテスト端子は共通に一つあればよい。
つまり、テスト端子203から方形波を入力すれば、入
力端子101,201から同時に微分波形が観測でき、
コンデンサ107,207のチエツクが可能となる。
通常時は第1実施例と同様に、各入力端子101.20
1に保護抵抗を接続し、テスト端子203を電源に接続
するか、接地すればよい。
また、第1実施例と同様に、テストの際、入力端子側か
ら方形波を入力し、テスト端子103から微分波形を観
測することも可能である。
第4図に、この発明の第3実施例を示す。この実施例は
、この発明を出力回路に応用したものである。半導体出
力回路300は出力バッファ309を含んでいる。この
出力回路300から発生するノイズを少なくするために
、出力バッファ309に容量を付加し、信号をなまらせ
ることが考えられる。この際の付加容量のチエツクも他
の実施例と同様に行うことができる。つまりテスト時に
は、テスト端子303から方形波を入力し、出力端子3
02から微分波形を観測すればコンデンサ307のチエ
ツク(lWI定)ができることになる。
第5図に、この発明の第4実施例を示す。
まず、構成を説明すると、一方の電極を入力端子Aに、
他方の電極をスイッチ7の入力S2に接続した検査用内
蔵抵抗6と、2つの入力のうち、一方の入力S+に半導
体の入力端子Aを、他方の入力S2に検査用内蔵抵抗6
に接続したスイッチ7と、スイッチ7の出力とアースの
間に接続されたコンデンサ1とを有する。
次に、第6図、第7図によって第5実施例の作用を説明
する。第6図は通常動作時を示し、第7図は検査時の回
路図である。
通常動作時はスイッチ7を81に接続し、内蔵抵抗6に
関係なく外付抵抗3と内蔵コンデンサ1による時定数で
高周波雑音を除去する。
検査時にはスイッチ7を82に接続し、外部抵抗は用い
ず内蔵抵抗6と内蔵コンデンサ1による時定数により、
内蔵コンデンサ1の容量を測定する。
なお、通常動作時に外付抵抗3を用いる理由は、高電圧
の雑音が直接半導体の入力端子に印加され、ラッチアッ
プまたは絶縁破壊などを引き起こすことを避けるためで
ある。
次に第8図に示す第6実施例について説明する。
この実施例は、オンオフ・スイッチ8を検査用内蔵抵抗
6と並列に接続し、検査時はスイッチ8をオフにし、抵
抗6とコンデンサ1で時定数が発生するようにし、通常
動作時はスイッチ8をオンにし、抵抗6の影響を受けな
くする。
次に、第9図によって、この発明の第7実施例を説明す
る。
まず、構成を説明すると、IC(半導体)の入力端子と
、内蔵コンデンサ12の一方の電極に接続されたスイッ
チ11と、前記スイッチ11の他方の端子とアース間に
接続された前記内蔵コンデンサ12によって構成される
。なお図中、1Bは外付抵抗、14は浮遊容量、15は
ロジック回路である。
次に作用を説明する。
通常動作時は、スイッチ11をオン(接続)状態とし、
内蔵コンデンサ12と外付は抵抗13による時定数で高
周波雑音を除去する。
また、検査時には、まず、スイッチ11をオフ状態とし
、内蔵コンデンサ12を切り離し、外付は抵抗13と浮
遊容量14の時定数にて周波数計測を行い、イニシャル
値とする。
次に、前記スイッチ11をオン状態とし、外付は抵抗と
内蔵コンデンサ12(十浮遊容量14)の時定数にて周
波数計測を行い、イニシャル値と比較することにより、
内蔵コンデンサ12が確実に作られているか、否かの判
断ができる。
以上、本発明の実施例を図面により詳細に説明してきた
が、具体的な、この実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸退しない範囲における変更等があって
も本発明に含まれるものである。
[発明の効果コ 以上説明してきたように、この発明によれば、コンデン
サの電源接続端子あるいは接地接続端子をIC外部に引
き出すという構成としたため、テスト時に、そこからパ
ルスを印加し、微分波形を観測することにより、小容量
のコンデンサの有無をテスト装置やパッケージなどの浮
遊容量の影響なしに確実かつ容量にチエツク(測定)で
きるという効果が得られる。
また、第2実施例では上記の効果に加えて、さらに、以
下のような効果が得られる。つまり、入力保護回路が複
数個含まれるICでも、テスト端子は1つでよく、かつ
、そのテスト端子にパルス波形を入力すれば、同時に複
数の入力保護コンデンサのチエツクが可能になるという
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例を示す回路図、第2図は第
2実施例を示す回路図、第3図は本発明のテスト時の入
力波形と観測波形の様子を示す波形図、第4図は、この
発明を出力回路に応用した第3実施例を示す図、第5図
は第4実施例を示す回路図、第6図は第4実施例の通常
動作時を示す回路図、第7図は第4実施例の検査時を示
す回路図、第8図は第5実施例を示す回路図、第9図は
第6実施例を示す回路図、第10図は従来の半導体入出
力回路を示す図である。 6・・・検査用内蔵抵抗 14・・・浮遊容量 100・・・半導体入出力回路 101・・・入力端子 102・・・出力端子 103・・・テスト端子 104.105・・・ダイオード 107・・・コンデンサ 108・・・波形整形回路 代理人 弁理士 三 好  秀 和 第3図 T           ’ ’3DO:半導体出力回路 第 4図 第6図 第7図 第8図 第9図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  外部端子に接続した信号線に一方の電極が接続され、
    他方の電極が電源端子あるいは接地端子に接続されるコ
    ンデンサを少くとも1つ含む集積化された半導体入出力
    回路において、 前記コンデンサの電源端子あるいは接地端子に接続され
    るべき電極を外部端子に接続することを特徴とする半導
    体入出力回路。
JP2126885A 1990-05-18 1990-05-18 半導体入出力回路 Pending JPH0422886A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2126885A JPH0422886A (ja) 1990-05-18 1990-05-18 半導体入出力回路

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JP2126885A JPH0422886A (ja) 1990-05-18 1990-05-18 半導体入出力回路

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JPH0422886A true JPH0422886A (ja) 1992-01-27

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ID=14946259

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JP2126885A Pending JPH0422886A (ja) 1990-05-18 1990-05-18 半導体入出力回路

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JP (1) JPH0422886A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6943412B1 (en) * 1999-08-20 2005-09-13 Nec Corporation Semiconductor integrated circuit
JP2006317170A (ja) * 2005-05-10 2006-11-24 Toshiba Corp Lsi内部信号観測回路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6943412B1 (en) * 1999-08-20 2005-09-13 Nec Corporation Semiconductor integrated circuit
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