JPH04228409A - 大量アルゴンの精製法 - Google Patents

大量アルゴンの精製法

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JPH04228409A JP3145463A JP14546391A JPH04228409A JP H04228409 A JPH04228409 A JP H04228409A JP 3145463 A JP3145463 A JP 3145463A JP 14546391 A JP14546391 A JP 14546391A JP H04228409 A JPH04228409 A JP H04228409A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、粗アルゴンからの酸素
除去の方法に関する。詳述すれば、空気からのアルゴン
の極低温分離により生成される粗アルゴン流れから酸素
を除去する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】アルゴンは、鋼生産に必要な不活性雰囲
気としての不活性ガスであり、電球や金属の溶接と同様
に、様々の電子産業などに数多い用途をもつ。アルゴン
の主要供給源は大気であり、それの約1%がアルゴンで
ある。
【0003】工業的には、アルゴンは酸素および窒素生
産の極低温分離装置における貴重な副産物として生産さ
れる。極低温装置で生産された粗アルゴンには普通極微
量の窒素(0.02乃至1%)と、かなりの量の酸素(
2乃至7%)が含まれる。この粗アルゴン流れは、窒素
と酸素の生産には精製が必要で、その後、特に不活性ガ
スとしての使用に適するものとなる。アルゴンの沸点(
87.28°K)と酸素の沸点(90.19°K)が接
近しているため、特にアルゴンと酸素との蒸留分離が困
難でエネルギー集約的である。
【0004】酸素は従来、この明細書においてデオキソ
法と呼ぶ白金触媒床の上で過剰酸素と接触させて水に接
触還元させた後、乾燥させて前記水を除去してから、二
重圧力蒸留により窒素と余分の水素とを除去する方法で
、粗アルゴンから除去されてきた。たとえば、典型的機
構を説明する1967年2月発行の「ケミカル.エンジ
ニアリング.プロセス」の第35乃至39頁、R.E.
ラティマー(Latimer)の「ディスティレーショ
ン.オブ.エア(Distillation of A
ir)参照のこと。
【0005】この方法で精製されたアルゴン流れには普
通、窒素、酸素および水素がppmで示される僅かな量
しか含まれていないが、この方法には有意の欠点がある
。第1に、普通のクリオ・デオキソ法で用いられる水素
は高価につく。たとえば、約2.8%の僅かの酸素しか
含まない粗アルゴン流れにも、加工する酸素1トン当り
約3モルの水素が消費される。1,000標準立方フィ
ート(約28,320l)の水素の原価を8ドルとして
、アルゴン1トン当りの水素消費だけで#9.20の酸
素分離費がかかる。そのうえ、水素は必ずしも世界中ど
こでもいつでも入手できるものではない。
【0006】アルゴン精製の前記クリオ・デオキソ法の
別の欠点は、前記デオキソ反応から生成される水を完全
に除去してからアルゴンを最終極低温蒸留塔に供給する
ことである。これは、アルゴン流れを極低温蒸留に先立
ってドライヤーを通して供給することを必要とする。こ
の付加工程に関連する資本ならびに運転費用は全費用に
有意に加算されてくる。
【0007】そのうえ、最初の酸素除去に導入された余
分の水素そのものを除去回収してから純粋アルゴン流れ
を発生させる必要がある。この問題が全構想と方法操作
の複雑性と費用にさらに加わってくる。
【0008】アルゴンガス流れ精製の他の技術も示唆さ
れてきた。たとえば、米国特許第4,144,038 
号および4,477,265 号は、アルミ1シリケー
ト沸石と分子篩を用いるアルゴンの酸素からの分離を示
唆する。このような方法ではアルゴンの回収よりも純度
をとる。
【0009】米国特許第4,230,463 号は、高
分子膜たとえばポリスルホン、ポリシロキサン、ポリア
リレンオキシド、ポリスチレン、ポリカーボネート、酢
酸セルロースその他同種類のものを用いて何組ものガス
、たとえば水素とアルゴンの分離と、高分子膜たとえば
ポリスルホンを用いてアルゴンから酸素の除去を示唆し
ている。極低温蒸留を必要とする混成法と膜分離の研究
が、たとえばアメリカン.インスチチュート.オブ.ケ
ミカル.エンジニアーズの1987年夏季全国大会にお
けるジエンングス(gennings)ほかによる「コ
ンセプチュアル.プロセシス.フォア.リカバリー.オ
ブ.アルゴン.ウィズ.メンブレインズ.イン.アン.
エアー.セパレーション.プロセス(Conceptu
al Processes for Recovery
 of Argon withMembranes i
n an Air Separation Proce
ss) 」および、アメリカン.イススチチュート.オ
ブ.ケミカル.エンジニアーズのコロラド州デンバー夏
季全国大会におけるアグラワル(Agrawal) ほ
かによる「メンブレイン.クリオジェニック.ハイブリ
ッド.スキーム.フォア.アルゴン.プロダクション.
フロム.エア(Me−mbrane・Cryogeni
c Hybrid Scheme for Argon
 Production from Air)」で見ら
れるように報告されてきた。 このような混成機構における選択性と回収率はどちらか
と言えば不良であった。大量のアルゴンは酸素と共に膜
を通って透過するので粗アルゴン蒸留塔に再循環させる
必要がある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】それ故に、産業界にお
いては、極低温空気分離で生成された粗アルゴンの精製
の改良法に対する要求が出ている。
【0011】本発明の目的は、粗大量アルゴン流れ、詳
述すれば、空気の極低温、吸着または膜分離により生成
された流れからの酸素分離の方法を提供することがある
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、粗大量
アルゴンガスを前記ガスの他の成分以上に酸素透過に選
択性のある高温固体電解質膜(SEM)の供給側に送る
ことと、前記ガスを前記膜の透過側に通し選択性透過に
より酸素を分離すること、および酸素減損アルゴンガス
を前記膜の供給側から回収することから成る。前記酸素
減損アルゴンガスはそこで最終蒸留塔に送って、前記ガ
スに含まれる他の成分たとえば窒素からアルゴンを分離
できる。
【0013】好ましくは、空気の極低温分離で得られた
粗アルゴンを好ましくは約30乃至80psigの圧力
に圧縮また約450乃至800℃の温度に加熱すること
である。その後、前記圧縮、加熱アルゴン流れを固体電
解質膜装置に送って、前記膜の透過側で清掃ガスの使用
の有無にかかわらず酸素を除去して、透過酸素圧力を低
下させる。前記SEMからの酸素減損流出ガスをその後
冷却する。それを蒸留塔に送って、ガスの他の成分、た
とえば僅かな量の窒素でも除去して高純度アルゴン生成
物をつくることができる。
【0014】本発明のSEMは単独に利用してアルゴン
ガス流れから実質的完全に酸素を分離できるが、本発明
のSEMは、必要の場合、水素・脱酸と併用もできる。
【0015】
【作用】本発明を、添付図面を参照して、好ましい実施
例によりさらに詳細に説明するが、類似素子には同一数
字を付して示す。これらの実施例は本発明をなんら制限
するものではない。
【0016】図1は、高温固体電解質膜(SEM)を用
いてアルゴンガス流れ、たとえばZrO2、またY2O
3でドープされたBi2O3または他の酸化物、もしく
はそれらの混合物から、実質的に全酸素を除去できる機
構を示す。精製アルゴン流れには1ppm以下の酸素が
含まれる。その後、それを最終精製塔に送り窒素を除去
できる。この実施例は、水素を必要とせず、それ故に粗
アルゴン精製のグラスルーツプラントには最適である。 この実施例では前記デオキソユニットおよび乾燥器が排
除されているだけでなく、最終蒸留塔圧力も、窒素だけ
をアルゴンから分離する必要があるので90psigか
ら約45psigの圧力に減圧される。これは、圧縮力
を減じかつ、普通の方法で行うアルゴンの最終精製に必
要な2重圧力塔の代りにより単純な単一圧力塔を必要と
する。
【0017】図1において、低圧粗アルゴン流れ10を
アルゴン熱交換器で熱入れする。熱入れ流れ12を圧縮
機13に送り、30乃至80psigの圧力範囲、好ま
しくは45psigの圧力に圧縮する。流出流れ14を
熱交換器15で加熱し、そこからの流出流れ16を始動
ヒーター17を通過させて約450乃至800℃の温度
にさらに加熱する。加熱流れ18をSEM装置19の供
給側に供給し、そこで、酸素が前記SEMを通って透過
側20に入る選択透過により酸素量が約1ppm以下に
減少する。
【0018】膜工程は、2つの電極と、ZrO2または
Bi2O3をドープした材料のような固体電解質材料を
導電する適当な酸素イオンから成り、前記酸素イオンは
イオン化酸素を導電し、それを、酸素に対し無限の選択
性を実質的に有する膜を横切って輸送する。酸素輸送の
機構は次の通り、すなわち: O2+4e−→20=        (陰極)20=
→O2+4e−        (陽極)純粋酸素は、
前記透過側から出て、前記SEM装置からそれ自体の約
20psigの圧力によるか、あるいは窒素のように廃
ガスまたは気体窒素25として上流空気分離装置から来
る適当な清掃ガスを用いるかして除去される。窒素流2
5を熱交換器15で熱入れして、流出流れ24を発生さ
せ、それを始動ヒーター17で加熱して熱流26を発生
させ、それをSEM供給側20からの酸素を向流方向に
清掃27に用いる。この清掃ガスは酸素分圧を有効に減
圧して前記アルゴン流れから酸素を高度に除去させるの
で、前記膜を横切って酸素をポンピングするに必要な電
力の削減になる。流出透過流れ28を熱交換器15で冷
却し、上流極低温装置に復帰させて、酸素と窒素のさら
なる分離に用いる。
【0019】SEM膜装置19を流出するアルゴン流れ
22を熱交換器15で冷却し、そこからの流出液流れ3
2を冷却器33でさらに冷却して、アルゴン熱交換器1
1に通す。
【0020】冷却して、実質的に酸素を含まないアルゴ
ン流れ36をその後さらに冷却器37で極低温に冷却し
てから、そこから窒素を除去する。極低温流れ38を単
一圧力塔39に送り、それを塔頂部で液体窒素40の気
化42により還流させ、塔底部で気体窒素流れ44の冷
却により再沸騰させる。精製アルゴン48を塔39の底
部から抜取り、熱交換器41で熱入れして生成物アルゴ
ン流れ50を生成する。
【0021】窒素流れ52は塔39の上部を出て、アル
ゴン熱交換器11を通過する。窒素流出流れ54はそこ
で所望通りに処分できる。たとえば、それを廃ガス流れ
に落すか、あるいはガス抜きをするか、もしくは清掃ガ
スとして純粋気体窒素と前記SEM装置またはその種の
他のものに利用できる。
【0022】前記塔底リボイラーからの熱入れ窒素流れ
49を前記気化塔頂窒素流れ42を混合して熱交換器3
7と41で熱入れした。流出ガス46を戻して上流空気
分離装置で使用する。
【0023】図2は、酸素を粗アルゴンからほぼ完全に
除去する混成SEM・デオキソ法を具体的に示す。この
実施例において、目的は前記SEMを酸素の大量除去(
約90乃至95%)に使用すること、また水素デオキソ
装置を用いてアルゴンから残存酸素を除去することであ
る。この実施例は、流出デオキソ装置の改装によく適合
し、それによって現存設備能力の増強と、水素消費の低
減に繋がる。
【0024】約2.8%の酸素を含む低圧粗アルゴン流
れ10をアルゴン熱交換器11で熱入れする。流出流れ
12を圧縮機13に送って約90psigの圧力にする
。排出流れ14を熱交換器15で約560乃至750℃
の温度範囲に加熱する。熱アルゴン流れ16を始動ヒー
ター17を通して2段固体電解質膜装置19と21の供
給側に送る。前記膜装置においては、その選択透過によ
りSEM装置19と21を通して酸素をアルゴン流れ1
8から除去して中間精製アルゴン流れ23と流出精製ア
ルゴン流れ22を生成する。透過流れは純粋酸素として
、それ自体の圧力または前記装置を向流方向に送られた
窒素124のような適当な清掃ガスと混合した圧力のい
ずれかにより、約20psigの圧力で透過側で出てく
る。前記SEM装置からの流れ22に含まれる酸素を約
0.15%に減ずる。その後、この流れを熱交換器15
に入れて冷却し、水素132と再循環水素・アルゴン流
れ134と混合する。前記3つの流れの混合物を触媒デ
オキソ装置135に送り、そこで前記酸素を、水素との
反応で約1ppmに減らして水を生成する。流出流れ1
36を熱交換器15で冷却し、流出流れ138を冷却器
139で冷却する。流出流れ140をグリコール冷却器
141でさらに冷却する。できた流れ142を分離器1
43に送り、そこから水を流れ144として除去し、塔
頂脱水アルゴン流れ146を分子篩装置147に通して
最終乾燥をする。未除去窒素と過剰酸素の残留する脱水
流れアルゴン流れ148をアルゴン熱交換器11で冷却
する。流出流れ150をその後、最終蒸留塔(図示せず
)に送り、そこから純粋アルゴンが得られる。若干のア
ルゴンを含む過剰水素を流れ154として前記最終蒸留
塔から戻して、アルゴン熱交換器11で熱入れして水素
源流れ134として使用する。
【0025】本発明では、高温固体電解質膜(SEM)
の適当なものであればどのような設計のものでも採用で
きる。たとえば、円筒多管式でその胴側に粗アルゴンを
配置する装置が使用可能である。固体電解質材料製の管
群に電子伝導電極をかぶせて、外部DC電源に接続する
。他に板枠式ハネカム(一体式層)幾何学的構成もある
。電源入力、電流密度、印加電圧および膜面積などすべ
て電解質電極材料、厚さ、およびイオン導電率に基き適
当に設計ならびに計算できる。
【0026】
【実施例】表1、2および3は、3種類の異なるSEM
装置設計を示す。設計1はZrO2−Y2O3を750
℃の温度で使用して純粋酸素を透過させる。設計2はB
i2O3−Y2O3を560℃の温度で用い純粋酸素を
透過する。設計3は、窒素清掃ガスを用いて、酸素透過
圧力を低下させ、それ故に電力消費を軽減することを除
き設計1と同一である。上記設計のすべては、酸素を粗
アルゴンガス流れから除去する通常の極低温・水素デオ
キソ法よりさらに原価効率がよい。たとえば、設計1は
既存デオキソ装置の改装に使用すると、約70%の水素
費の節約ができるものと考えられる。設計2と3をグラ
スルーツプラントに使用すると、水素消費には全く費用
がかからない上に10%もの資本経費節約が容易に実現
できる。
【0027】
【表1】       粗アルゴン    除去O2    電 
 力    面  積    印加電圧    除去O
2      O2濃度      (モル/    
(KW)    (平  方    (ボルト)  %
供給工程  入/出(ppm)     時間)   
           フィート)――  ―――――
    ――――    ―――    ――――  
――――    ――――1    28000/91
90    .5755       6.16   
    39.3       0.22      
 69.8 2    9190/1470     
.230        2.46       41
.7       0.22       27.1 
3    1470/216      .0371 
      0.40       42.9    
   0.22        4.374    2
16/43        .0051       
0.06       40.2       0.2
2        0.605    43/7.5 
       .00Y05      0.01  
     39.8       0.28     
   0.12  6    7.5/1.0    
   1.91E−4     0.003     
 50.0       0.30        0
.01――――――――――――――――――――――
――――――――――――――その他:   SEM装置全体の温度上昇  :  200°F(
約93.3℃)  高温H−Xの面積        
  :  110平方フィート  SEM総電力   
           :  9.02KW  SEM
総面積              :  254平方
フィート(1ppmO2)             
                   <100平方
フィート(0.15%O2)
【0028】
【表2】       粗アルゴン    除去O2    電 
 力    面  積    印加電圧    除去O
2      O2濃度      (モル/    
(KW)    (平  方    (ボルト)  %
供給工程  入/出(ppm)     時間)   
           フィート)――  ―――――
    ――――    ―――    ――――  
――――    ――――1    28000/91
90    .5755       4.48   
    39.70      0.16      
 67.8 2    9190/1470     
.230        1.79       42
.76      0.16       27.1 
3    1470/216      .0371 
      0.29       45.17   
   0.16        4.374    2
16/43        .0051       
0.47       39.9       0.1
8        0.605    43/7.5 
       .00105      0.11  
     40.8       0.22     
   0.12  6    7.5/1.0    
   1.91E−4     0.002     
 46.3       0.26        0
.02――――――――――――――――――――――
――――――――――――――その他:   SEM装置全体の温度上昇  :  ほぼ145°
F(約62.8℃)  高温面積H−X       
     :  110平方フィート  SEM総電力
              :  6.6KW  S
EM総面積              :  255
平方フィート(<1ppmO2)          
                      <10
0平方フィート(0.15%O2)
【0029】
【表3】       粗アルゴン  清掃ガス    除去O2
  電力  面  積  印加電圧  除去O2   
   O2濃度    O2濃度    (モル/  
(KW)  (平方  (ボルト)%供給工程  入/
出(ppm) 入/出(ppm)   時間)    
    フィート)――  ―――――    ―――
―    ―――    ――――  ――――   
 ――――1    28000/9190  134
90/40720   .5755   5.04  
 40.6     0.18     67.8  
 2    9190/1470   2170/13
490    .230    1.68   43.
2     0.15     27.1 3    
1470/216    319/2170     
 .0371   0.18   44.8     
0.10      4.374    216/43
      64/3191       .0051
   0.02   40.6     0.075 
    0.60  5    43/7.5    
  11.5/64       .00105  0
.004  43.8     0.075     
 0.12 6      5/1.0     2/
11.5        .60019  0.001
  46.1     0.10      0.02
―――――――――――――――――――――――――
―――――――――――その他:   SEM装置全体の温度上昇  :  ほぼ80°F
(約26.7℃)  高温H−Xの面積       
   :  500平方フィート  総電力(SEMお
よび清掃複合):6.93+7=ほぼ14KW  SE
M総面積              :  259.
1平方フィート(<1ppmO2)前記SEM装置また
はセルは、固体電解質材料で適当なものあるいは、それ
らの混合物で、高温[たとえば1000乃至2000°
F(535乃至1100℃)]で酸素イオンを輸送する
能力のあるものであればどのようなものでも構成できる
。電極に外部電力と電気回路を入力すると、膜のイオン
の性質で、酸素を低分圧域から高圧域に輸送または「ポ
ンピング」するようになる。このような膜の酸素に対す
る選択性は、イオン輸送の仕組みが他の燃焼性ガス成分
には機能的に作用しない故に、非常に高い。
【0030】若干の使用できるこの種の固体電解質材料
の実施例には、酸化ビスマス、ジルコニア、および様々
な酸化物たとえばイットリア、カルシャ、酸化バリウム
、その他同種類のものでドープした同種類のものが含ま
れる。好ましくはカルシャでドープした酸化ビスマスを
使用することである。さらに好ましくは、三二酸化ビス
マス基剤の材料をそれが非常に高いイオン導電率を具え
る故に使用する。
【0031】高電力導電率と同様高酸素輸送特性を具え
る電極材料で適当なものであればどのようなものでも、
例えば銀、白金、酸化ランタン・ストロンチウム・マグ
ネシウム(SLM)、酸化ランタム・ストロンチウム・
コバルト(LSC)その他同種類のものが使用できる。 好ましくは酸化LSMをその高導電率と熱相溶性の故に
、固体電解質材料と一緒に使用することである。
【0032】電解質膜には適当な厚さ、好ましくは約1
0乃至1000マイクロメーター、最も好ましくは20
乃至100ミクロンの範囲で、また適当な酸素導電率、
たとえば約0.01乃至2オーム−1cm−1の範囲、
好ましくは0.5乃至1オーム−1cm−1の範囲を具
えることである。電極も適当な厚さを具え、また電解質
膜のいずれの側に位置しても差支えない。電極は、好ま
しくは多孔質であって、適当な電流密度、好ましくは約
0.05乃至2アンペア/cm2、最も好ましくは0.
5乃至アンペア/cm2で作用させることである。
【0033】薄手固体電解質フィルムから成り、電極の
ない無電極SEMセルも使用できる。適当な固体電解質
材料は、高酸素イオン導電率と電子導電率とが具わる混
合導体、たとえばCo−Sr−Bi、Co−La−Bi
、Co−Sr−Se、Co−La−Ce酸化物その他同
種類のもので差支えなく、その酸素イオン導電率が約0
.01乃至1オーム−1cm−1の範囲、電子導電率が
約1乃至30オーム−1cm−1の範囲、最も好ましく
はイオン導電率が約0.5乃至1オーム−1cm−1ま
た電子導電率が10乃至25オーム−1cm−1の範囲
のものであること。前記無電極SEMセルは、好ましく
は、供給側での酸素圧力を、酸素イオン輸送に要する能
動的駆動力が外部印加電圧と電源の不在において達成で
きるように維持して操作することである。陽極で放出さ
れた電子は、電極と外部電気回路を通り抜けることなく
、前記混合導体フィルム自体を通って陰極側に逆流する
。このようなセルの1つの特別の利点は、電極付SEM
セル装置に関連する過電圧損失の軽減である。
【0034】米国特許第3,400,054 号、4,
131,514 号および4,725,346 号で開
示された固体電解液で、その開示がこの明細書で参考と
して取り入れられているが、それと同種類のものも利用
できる。
【0035】
【発明の効果】空気の極低温、吸着または膜分離装置か
らの大量粗アルゴン流れから本発明の方法により酸素を
除去する高温固体電解質膜の使用で、同一目的の従来の
水素デオキソ法にまさるかなりの利点を提供する。たと
えば、本発明は、高価につく水素と、水素貯蔵収容力の
必要性を排除または軽減する。デオキソ触媒装置とドラ
イヤーの必要性は排除されるか、少くなくなる。より単
純な最終精製蒸留塔は、アルゴン・窒素分離に利用でき
、水素・アルゴン回収と再循環が不必要になる。粗アル
ゴン圧縮必要量が45対90psigの圧力に低められ
、全資本経費および運転経費も有意に低減できる。大量
のアルゴンとは、卓上規模、実験または試験室量と対照
的に工業的に通常取扱われるアルゴンの量を考えるべき
である。このような量のアルゴンには、本発明の方法が
以外にも、また都合よく効率的かつ経済的であることが
わかった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法の略図である。
【図2】デオキソ法を組み込んだ本発明の実施例の略図
である。
【符号の説明】
10  低圧粗アルゴン流れ 11  アルゴン熱交換器 12  熱入れ流れ 13  圧縮機 14  流出流れ 15  熱交換器 16  排出流れ 17  始動ヒーター 18  加熱流れ 19  SEM装置 20  透過側 21  SEM装置 22  アルゴン流れ 23  中間精製アルゴン流れ 24  流出流れ 25  窒素流れ 26  熱流れ 27  清掃 28  流出透過流れ 32  流出流れ 33  冷却器 34  通路 37  熱交換器 38  極低温流れ 39  単一圧力蒸留塔 40  液体窒素 41  熱交換器 42  気化 44  気体窒素流れ 46  流出 48  精製アルゴン 49  熱入れ窒素 50  生成物アルゴン流れ 52  窒素流れ 54  窒素流出流れ 124  窒素 126  中間流れ 128  流出流れ 132  水素 134  再循環水素・アルゴン流れ 135  触媒デオキソ装置 136  流出流れ 138  流出流れ 139  冷却器 140  流出流れ 141  グリコール冷却器 142  流れ 143  分離装置 144  流れ 146  塔頂脱水アルゴン流れ 147  分子篩装置 148  脱水流れアルゴン流れ 150  流出流れ 154  流れ

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  大量アルゴンの精製法であって、空気
    の極低温、吸着性または膜分離装置からの酸素を含む粗
    大量アルゴンガスを回収することと、前記粗アルゴンガ
    スを約450乃至800℃の温度に加熱して、前記粗ア
    ルゴンガスを約30乃至80psigの圧力に圧縮する
    ことと、前記加熱、圧縮したガスを、前記ガスの他の成
    分以上に酸素の透過に選択性を有する高温固体電解質膜
    に供給すること、および前記アルゴンガスから前記膜を
    通す酸素の選択透過により酸素を分離することから成る
    精製法。
  2. 【請求項2】  前記アルゴンガス流れ中の酸素を約1
    ppm以下に減少させることを特徴とする請求項1の精
    製法。
  3. 【請求項3】  前記酸素ガスを2つ以上の膜に通して
    透過することを特徴とする請求項2による精製法。
  4. 【請求項4】  前記膜が、酸素イオンと電子の混合導
    電率を具える混合導体製であることを特徴とする請求項
    1の精製法。
  5. 【請求項5】  前記酸素をドープしたジルコニア膜で
    あることを特徴とする請求項4の精製法。
  6. 【請求項6】  前記酸素をドープした酸化ビスマス膜
    に通して透過することを特徴とする請求項4の精製法。
  7. 【請求項7】  前記膜を酸化イットリウムでドープす
    ることを特徴とする請求項5の精製法。
  8. 【請求項8】  前記膜を酸化イットリウムでドープす
    ることを特徴とする請求項6の精製法。
  9. 【請求項9】  前記透過酸素圧力を下げるため清掃ガ
    スを用いることを特徴とする請求項1の精製法。
  10. 【請求項10】  前記請求項1の方法が、前記アルゴ
    ンガスを前記膜から蒸留塔に供給して前記ガスの僅かな
    他の成分からもアルゴンを分離することを特徴とする請
    求項1の精製法。
  11. 【請求項11】  前記蒸留塔中のアルゴンから窒素を
    分離することを特徴とする請求項10の精製法。
  12. 【請求項12】  前記膜からのアルゴンガスを水素脱
    酸にかけることを特徴とする請求項1の精製法。
  13. 【請求項13】  前記請求項12が、前記水素脱酸か
    らのアルゴンガスを蒸留塔に供給してアルゴンを前記ガ
    スの僅かな他の成分からも分離することを特徴とする請
    求項12の精製法。
  14. 【請求項14】  前記蒸留塔中のアルゴンから窒素を
    分離することを特徴とする請求項13の精製法。
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