JPH04227115A - 誘導近接スイッチ - Google Patents

誘導近接スイッチ

Info

Publication number
JPH04227115A
JPH04227115A JP3214880A JP21488091A JPH04227115A JP H04227115 A JPH04227115 A JP H04227115A JP 3214880 A JP3214880 A JP 3214880A JP 21488091 A JP21488091 A JP 21488091A JP H04227115 A JPH04227115 A JP H04227115A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
proximity switch
coil
inductive proximity
oscillator
sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3214880A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3027242B2 (ja
Inventor
Burkhard Tigges
ブルクハルト　ティッゲス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Werner Turck GmbH and Co KG
Original Assignee
Werner Turck GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE19904031252 external-priority patent/DE4031252C1/de
Priority claimed from DE19914102542 external-priority patent/DE4102542A1/de
Application filed by Werner Turck GmbH and Co KG filed Critical Werner Turck GmbH and Co KG
Publication of JPH04227115A publication Critical patent/JPH04227115A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3027242B2 publication Critical patent/JP3027242B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/945—Proximity switches
    • H03K17/95—Proximity switches using a magnetic detector
    • H03K17/952—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils
    • H03K17/953—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils forming part of an oscillator
    • H03K17/9535—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils forming part of an oscillator with variable amplitude
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/945—Proximity switches
    • H03K17/95—Proximity switches using a magnetic detector
    • H03K17/9505—Constructional details

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、交番磁界を発生する送
信コイルに給電する発振器を備え、該発振器は前記交番
磁界内に侵入する金属性のトリガ体によってその振動状
態に制御され、かつ該振動状態の変化から切換信号を取
り出すための評価回路を備えている、誘導近接スイッチ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】導電性のトリガ体の接近を検出するため
の種々様々な方法が公知である。
【０００３】渦電流方法では、トリガ体によって交番磁
界中に惹き起こされた渦電流損が評価される。その際交
番磁界は大抵、ＬＣ振動回路を有する発振器によって発
生され、該発振器は低減されたＱを有する渦電流損に応
答する。このことから生じる、振動振幅の変化は、切換
基準に達した際に評価回路によって、負荷スイッチを制
御するために利用される。この形式の誘導近接スイッチ
は数多くの変形例において、例えば西独国特許出願公開
第１２８６０９９号公報から公知である。この方法にお
いて、種々異なった導電性のトリガ体が種々異なった大
きさの渦電流損、ひいては近接スイッチの種々異なった
応答距離を来すことが不都合であることが認められてい
る。応答距離は例えば非鉄金属の場合、磁性鋼に比べて
１／２ないし１／３に低減される。この方法では、“目
的とする”損失の他に、“寄生の”損失、例えば巻線抵
抗によるまたはフェライト材料および注入樹脂における
損失も関係してくる。これら損失は大部分が周囲温度に
依存している。この形式の、ヨーロッパ特許出願公開第
００７０７９６号公報および西独国特許出願公開第３８
１４１３１号公報から公知の近接スイッチは、温度依存
性を低減するための特別な手段を設けているが、これら
手段のために著しい回路技術コストが必要である。
【０００４】更に、近接スイッチにおいて材料に依存し
た応答距離を次のようにして回避することが既に提案さ
れている。すなわち周波数に依存したＬＣ回路の変化し
た順方向特性をトリガ体の接近に対する尺度と見なすの
である。その際渦電流損の他に、コイルのインダクタン
ス変化も評価される。殊に高安定の素子を使用した場合
、構成部品が正しく選定されていれば、鉄金属および非
鉄金属に対して同じ応答距離および殆ど温度に無関係な
応答距離を実現することができる。しかしこれではコイ
ル直径を上回る、温度に無関係な応答距離は、大きな温
度領域にわたって実現することができない。
【０００５】また、西独国特許出願公開第３８４０５３
２号公報によって、誘導近接スイッチにおいて、空間的
に離された２つのセンサコイルを介して交番磁界自体に
おける複素損失電力を測定しかつ評価することが公知で
ある。確かにこの方法によれば、寄生損失の、応答距離
に対する影響は回避されるが、負荷されていない磁界測
定コイルを介するセンサ信号の直接測定は、電磁障害に
対して非常に敏感であることがわかっている。更に、そ
こで必要とされる、付加的に必要な基準信号の、センサ
信号との数学的な論理結合のための回路技術コストは非
常に大きい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、僅か
な製造コストしか必要とせずしかもコイル直径に比べて
大きな、例えば−２５°Ｃないし＋１００°Ｃの広範な
温度領域にわたって一定である応答距離を有している誘
導近接スイッチを提供することである。更に近接スイッ
チは、鉄金属および非鉄金属のトリガ体に同じ応答距離
で応答する全金属スイッチとしてまたは鉄金属か非鉄金
属にしか応答しない選択スイッチとして構成できるよう
にしたい。
【０００７】
【課題を解決するための手段】例えば西独国特許出願公
告第１２８６０９９号公報から公知の、冒頭に述べた形
式の近接スイッチから出発して、この課題は本発明によ
れば次のようにして解決される。すなわち交番磁界の中
で、２つのセンサコイルが、該センサコイルに誘起され
る電圧の差を検出するための直接差形成回路に配設され
ており、かつ前記センサコイルはそれら相互の空間位置
およびそれぞれの巻数によって、所望の応答距離におい
て差交番電圧が零になるように構成配置されており、か
つ前記差交番電圧は、該差交番電圧が零の場合に前記発
振器がその振動状態を跳躍的に変化するように、前記発
振器の発振器増幅器の入力側に供給されるようにする。
【０００８】本発明の近接スイッチでは、２つのセンサ
コイルに誘起される電圧が、送信コイルから出た交番磁
界によって発生されるその都度の起磁力に対する尺度で
ある。高抵抗のタップにおいてこの電圧は、相応のセン
サコイル部における磁束に比例し、かつ以下差交番電圧
と称する誘起された電圧の差は、磁束の勾配に比例して
いる。導電性のトリガ体が交番磁界中に侵入すると、ト
リガ体にリング電流が惹き起こされ、それが、発生交番
磁界とは反対方向である磁界を形成する。これにより惹
き起こされる、勾配の変化に比例して、差交番電圧も変
化する。申し分ない高周波交番磁界であってしかも送信
コイルの直径に比べて大きい、トリガ体の接近距離に対
して、勾配の変化はトリガ体の材料の種類に殆ど無関係
であるので、差交番電圧もトリガ体の材料の種類に無関
係であり、これにより近接スイッチの応答距離は広範な
領域においてトリガ体の導電率に依存しない。
【０００９】制御されていない状態においてセンサコイ
ルに誘起される電圧の大きさは、センサコイルの空間構
成配置およびセンサコイルのそれぞれの巻数並びにセン
サコイルを貫通する交番磁界の磁界強度および周波数に
依存している。磁界強度および周波数の大きさに対する
温度の影響を低減するために、本発明では、センサコイ
ルの空間位置およびそれらの巻数は互いに、その都度所
望の応答距離において差交番電圧が零になるように調整
されている。しかも有利にも必要な回路付加コストは非
常に僅かである。その理由は、発振器を評価回路の前置
段として利用しているため、通例の近接スイッチに普通
設けられている構成部品に対して付加的に、２つのセン
サコイルのみが必要でありかつ発振器増幅器をある程度
整合しさえすればよいだけであり、その際しかも発振器
の安定性には僅かな要求しか課せられない。
【００１０】本発明の第１実施例によれば、送信コイル
は、発振器のＬＣ振動回路のインダクタンスとして接続
されており、かつ発振器増幅器の入力側は高抵抗であり
、かつ２つのセンサコイルは反対の極性で、分圧器と前
記発振器増幅器の高抵抗の入力側との間に直列に接続さ
れている。
【００１１】このようにして２つの異なった形式で動作
することができる発振器回路が得られる：第１の作動形
式において、差交番電圧は発振器増幅器を、発振器の振
動条件が制御されていない状態において満たされている
ように制御する。トリガ体が接近すると差交番電圧は、
それが所望の応答距離において値零をとるまで低下する
。この切換判定基準において振動は中断し、このことが
評価段によって検出されかつ負荷スイッチに対する切換
信号に変換される。トリガ体が更に接近すると差交番電
圧の値は再び上昇することになるが、その位相位置はそ
れまでの状態に対して１８０°だけ回転しているので、
振動条件は満たされない。トリガ体が応答領域から再び
離れたとき漸く、発振器は再び振動しかつ新たに交番磁
界を形成する。
【００１２】第２の作動形式において、発振器増幅器は
差交番電圧によって次のように制御することができる。 すなわち制御されていない状態において振動条件は満た
されずかつ発振器は、応答距離を上回った際にトリガ体
によって惹き起こされる、差交番電圧の位相変化後に漸
く振動を開始する。
【００１３】第１の作動形式は第２の作動形式に比べて
、発振器が交番磁界の形成の際に、非常に接近したトリ
ガ体によって惹き起こされる渦電流損によって付加的に
負荷されないので、発振器は全体として比較的電力の小
さいものに設計することができるという利点を有してい
る。有利にも両方の作動形式において発振器の振動特性
は、発振器増幅器の増幅係数が十分大きい場合、差交番
電圧の零点通過によってのみ決定されかつ送信コイルま
たは発振器増幅器の特性によっては決定されない。近接
スイッチの応答距離は、前以て決められているセンサコ
イルではセンサコイルの空間位置にのみ依存しており、
これにより電気的な部材の温度依存性は応答距離には影
響しないままである。
【００１４】必要な差交番電圧を取り出すために、２つ
のセンサコイルは直接差形成回路において作動され、す
なわちそれらは直列に接続されているが、巻線は反対方
向であいり、これにより誘起される電圧間に１８０°の
位相のずれを来しかつこのようにして直列に接続された
コイルを介して差交番電圧が直接取り出し可能に生じる
。
【００１５】切換信号の取り出しは公知の方法で、発振
器振幅を検出することによって評価回路を用いて行われ
、評価回路が負荷スイッチを制御する。この場合周波数
選択性の特性および発振器の積分作用により装置の雑音
裕度を大きくすると有利であることがわかっている。
【００１６】本発明の有利な実施例によれば、発振器増
幅器は入力トランジスタおよび出力トランジスタを有す
る２段のトランジスタ増幅器であり、かつ送信コイルは
発振器のＬＣ振動回路のインダクタンスとして接続され
ておりかつ前記出力トランジスタのコレクタ回路に設け
られており、かつ２つのセンサコイルは反対の極性で、
前記入力トランジスタのベースと前記出力トランジスタ
のエミッタとの間に直列に接続されているようにするこ
とができる。
【００１７】近接スイッチのこの有利な実施例も、上述
の２つの作動形式において動作することができる。その
際、簡単な、２段のトランジスタ増幅器によって既に、
十分大きな増幅度が得られ、その結果発振器の振動特性
が差交番電圧の零点通過によってのみ決められかつ送信
コイルまたは発振器増幅器の特性によって決められない
ようにすれば有利であることがわかっている。更に、付
加的な抵抗から形成される分圧器は、反対方向の巻線を
有し、直列に配設された２つのセンサコイルを入力トラ
ンジスタの高抵抗のベースと出力トランジスタのエミッ
タとの間に挿入することによって回避することができる
。その際第２トランジスタ増幅器段の既存の構成素子が
相応の分圧器を形成する。
【００１８】近接スイッチの、トリガ体に対する応答特
性に対して、発振器の作動周波数は重要な意味を有して
いる。発振器が本発明の実施例において有利には５０ｋ
Ｈｚと１ＭＨｚとの間にある、２０ｋＨｚ以上の作動周
波数に設計されかつセンサコイルがその相互の空間位置
およびそれぞれの巻数によって、差交番電圧が鉄金属か
ら成るトリガ体の場合にも非鉄金属から成るトリガ体の
場合にも同じ切換距離において零になるように構成され
ているとき、所謂全金属タイプのスイッチが得られる。
【００１９】驚いたことに本発明の近接スイッチによっ
て、卓抜した選択的な切換特性が実現される、すなわち
発振器の作動周波数を変化することによって、非鉄金属
にのみ応答するするか、または鉄金属にのみ応答するよ
うにできる。
【００２０】従って本発明の選択的切換特性を次のよう
にして実現することができる。すなわち発振器を有利に
は１ｋＨｚおよび１０ｋＨｚの間の作動周波数に設計し
かつセンサコイルをそれらの相互の空間位置およびそれ
ぞれの巻数によって、差交番電圧が鉄金属トリガ体が所
望の切換距離まで接近した際にのみ零になり、一方非鉄
金属トリガ体の接近の際にはトリガ体の可能な走行領域
全体にわたって差交番電圧は決して零にならないように
構成する。
【００２１】しかし反対に、発振器をここでは有利には
１ｋＨｚおよび１０ｋＨｚの間の作動周波数に基づいて
設計しかつ２つのセンサコイルの適当な空間位置および
センサコイルに対する適当な巻数を設定することによっ
て、差交番電圧が非鉄金属トリガ体の接近の際にのみ零
になり、鉄金属トリガ体の接近の際には零にならないよ
うにすることもできる。
【００２２】発振器の作動周波数に相応する近接スイッ
チの種々異なった特性の原因となるのは、例えば鉄の周
波数に依存した透磁率および種々異なった侵入深度から
生じる、種々異なった種類の材料における磁界変化であ
る。すなわち鉄の透磁率は最初低い周波数において大き
いが、所定の周波数を上回ると著しく低下する。導電性
のトリガ体は磁界を導電性材料からいわば押しのける特
性を有しており、一方透磁性のトリガ体は磁界をいわば
トリガ体内に引き込む特性を有している。従って作動周
波数が十分に低い場合鉄の場合でも“引き込み”の効果
が磁界押しのけ効果に勝っている。損失の少ない磁性材
料、例えばフェライトでは、“引き込み”効果しかない
。すなわち鉄金属は送信コイルとトリガ体との間の空間
に磁界の増強を来し、非鉄金属は磁界の低減を来す。 それ故に、センサコイルをそれら相互の空間位置および
相応の巻数を相応に整合することによって、発振器がそ
の振動状態を非鉄金属トリガ体の接近の際にのみ変化す
るかまたは鉄金属トリガ体の接近の際にのみ変化するよ
うに構成することができる。
【００２３】本発明の実施例において、送信コイルおよ
びセンサコイルを空心コイルとして共通の巻型に同軸的
に配設することができる。これにより、そのために応答
距離がたいして変化することなく、近接スイッチの応答
側に相対向する裏面を金属壁に配設することができる。 もし応答距離に変化がある場合にも、本発明の別の実施
例により送信コイルをセンサコイルの間に中央に移動可
能に配設すれば、補正することができる。しかも必要に
応じて裏面側の影響に依存して応答距離を金属壁の近傍
に設定することができる。その理由は空心コイル装置は
大きなコイル間隔によって大きな差交番電圧を実現し、
これにより近接スイッチの感度を著しく高めることがで
きるからである。
【００２４】大きな応答距離の場合には、コイル支持体
の熱による膨張に基づいて僅かな温度依存性しか発生し
ない。従って応答距離のこのような変化を回避するため
に本発明の実施例によれば、センサコイルの磁界中に、
大きなコイル間隔において発生する温度ドリフトを補償
するための、既知の温度に依存する透磁率特性を有する
磁気材料が挿入される。その際、巻型の凹所内にトリガ
体とは反対側にあるセンサコイルの領域において、例え
ばコイル直径を３０ｍｍとした場合４ｍｍ２　の表面積
を有する磁気材料を設けると有利であることが認められ
ている。
【００２５】更に、空心コイルを備えた近接スイッチは
、溶接装置への使用のために適している、すなわち外部
磁界の影響を受けにくいことが認められている。その理
由は、影響を受け易い場合に外部磁界による飽和の際に
近接スイッチの切換特性に不都合に作用するおそれがあ
るフェライトコアが存在しないからである。フェライト
コアの老化による応答距離の影響も生じない。
【００２６】本発明の近接スイッチを一体に組み込む場
合は、公知のようにコイル装置を、トリガ体に対して開
いている金属シールド内に配設することができる。この
それ自体公知のシールド手段は、金属シリンダの形にお
いて実現することもできる。この場合この種のシールド
用金属体およびシリンダを多層に構成し、その際個々の
金属層は異なった磁気特性を有している。
【００２７】従って更に本発明によれば、金属シールド
の開いた方の側に補償コイルを同心的に、補償コイルに
おける電流方向が送信コイルにおける電流方向とは反対
であるように配設しかつ送信コイルと直列に接続するこ
とができる。その際有利には、補償コイルの巻数ｎと電
流Ｉとの積は送信コイルの積ｎ×Ｉのほぼ５％である。 この手段によって送信コイルの磁界はほぼ方向付けられ
かつ組み込み壁の影響を与えないようにされる。
【００２８】近接スイッチの、金属面への裏面側の組み
込みまたは金属面への一体組み込みの他に、ユーザが近
接スイッチに対して別の用途を要求することがある。例
えば、高圧、高温および液体中並びに防爆形の構成にお
けるような特別厳しい周囲条件下でも必ず同じにとどま
る大きな応答距離を有する近接スイッチが要求される。 従ってこのような要求に応えるために本発明によれば、
コイルを、トリガ体に対して閉じている、一体の、壺形
状の金属ケーシング内に配設することができる。これに
より、評価の際振動回路のＱはそれほど重要な役割を果
たさず、その結果金属性のトリガ体の検出は厚い金属壁
を通しても可能になるという利点が得られる。従って更
に、送信コイルから出た、壺形状のケーシングの底を貫
通する磁界が出来るだけ小さく減衰されるように、本発
明によれば、発振器周波数が１ｋＨｚと１０ｋＨｚとの
間にある場合金属ケーシングの壁厚は、トリガ体に向か
って出て行く磁界の領域において表皮深さより小さいよ
うにされている。このことは殊に、金属ケーシングが僅
かな透磁率を有する電気的に良好でない導電材料、例え
ばチタン、Ｖ２Ａ鋼またはＶ４Ａ鋼から成るときに、実
現される。
【００２９】相応に本発明の近接スイッチは開放形の実
施例において比較的厚い金属壁を介してもトリガ体に応
答することができる。本発明の近接スイッチは、トリガ
体材料に関する応答特性の点でも殆ど温度に無関係な応
答距離に関する応答特性の点でも公知の近接スイッチに
比べて著しく改善されている。
【００３０】本発明の近接スイッチは、例えば可動の圧
力センサまたは温度センサに組み立てられたトリガ体の
極めて小さな位置変化に応答するように高感度に構成す
ることができ、その結果それは圧力または温度監視装置
としても使用可能である。
【００３１】送信コイルおよび２つのセンサコイルのそ
の他の空間配置構成はその他の請求項に記載されている
。
【００３２】
【実施例】次に本発明を図示の実施例につき図面を用い
て詳細に説明する。
【００３３】図１の近接スイッチにおいて、発振器１に
よって、インダクタンスとしてコンデンサ３とともに該
発振器１のＬＣ振動回路４を形成する送信コイル２を介
して交番磁界が発生される。ＬＣ振動回路４は、近接ス
イッチに対する要求が僅かである場合には既に発振器増
幅器７として申し分ない増幅器トランジスタ６のコレク
タ回路５に設けられている。発振器の振動状態は、評価
回路８によって整流器回路９を介してコレクタ回路５か
ら取り出されかつ評価回路によって負荷スイッチ１０に
対する２進切換信号に変換される。発振器１、整流器回
路９および評価回路８には、接続端子１１を介して電流
が供給される。
【００３４】送信コイル２の交番磁界において、分圧器
１４と増幅器トランジスタ６のベース１５ないし発振器
増幅器７の高抵抗の入力側１６との間の直接差形成回路
に設けられている２つのセンサコイル１２、１３が存在
している。抵抗１７、１８並びにエミッタ回路に存在す
るＲＣ組み合わせが、トランジスタの動作点を決定する
。センサコイルに誘起される電圧Ｕ１およびＵ２の差か
ら生じる差交番電圧ＵＤが、発振器１の振動特性を制御
する。
【００３５】発振器の振動状態は評価回路８によって検
出され、評価回路が相応に負荷スイッチ１０を制御する
。負荷スイッチはその負荷回路に存在する、図示されて
いない負荷を切り換える。
【００３６】図２ないし図５および図７には、送信コイ
ルおよびセンサコイルの種々異なった空間的な、同軸配
置構成が示されている。
【００３７】図２において、送信コイル２０はフェライ
ト製の壺状体２１の中央隆起部２２に配設されている。 ２つのセンサコイル２３、２４は、軸線方向において送
信コイル２０の前方にトリガ体２５の側に設けられてい
る。
【００３８】図３において、送信コイルおよびセンサコ
イルの１つは、バイファイラ巻線２６として、フェライ
ト製の壺状体２７の中央隆起部２８に配設されており、
かつもう１つのセンサコイル２９は、軸線方向において
バイファイラ巻線２６の前方の交番磁界中に設けられて
いる。
【００３９】図４において、バイファイラ巻線３０およ
びもう１つのセンサコイル３１は、フェライト製の壺状
体３３の中央隆起部２３に軸線方向に相前後して設けら
れており、一方図５には、中央隆起部におけるバイファ
イラ巻線３４とフェライト製の壺状体３７内部でのセン
サコイル３５との同心的な配置が示されている。
【００４０】図６には、送信コイル３８が２つのセンサ
コイル４０、４１の中心においてフェライトコア３９に
配設されている空間配置が示されており、その際すべて
のコイルの環状面は共通の面内にある。
【００４１】図７には、センサコイル４３、４４間の中
心に送信コイル４２が同軸的に配設されている構成が示
されており、その際すべてのコイルは管４５の内壁に一
体に構成されているので、近接スイッチはこの管および
これらのコイルを通って通過走行するトリガ体４６に応
答する。
【００４２】図８の実施例では空心コイルが使用され、
その際送信コイル４７はセンサコイル４８、４９の間の
中心に配設されている。３つのコイルは、共通の非フェ
ライト製の、例えばセラミックまたは合成樹脂から成る
巻型５３の３つの室５０、５１、５２内に設けられてい
る。更にここには、巻型５３の凹所５５に、トリガ体５
６とは反対側のセンサコイル４９の領域において磁性の
部材５４が配設されていることが示されている。この磁
性の部材５４によって、相互に比較的離れて設けられて
いるコイル４７、４８、４９間の温度により生ずる相対
運動が補償される。
【００４３】図９では、中央に配設されている送信コイ
ル５７は、送信コイル５７およびセンサコイル５８、５
９に共通な巻型６０上を矢印方向ａにおいて移動可能で
ある。これにより、後方の金属性の固定壁６１の、近接
スイッチの応答距離に対する影響を補償することができ
る。
【００４４】図１０には、金属製の組み込み壁６２に一
体に組み込むのに適している近接スイッチが示されてお
り、この近接スイッチにおいてセンサコイル６３はセン
サコイル６４、６５の間に同軸的に配設されておりかつ
全体のコイル装置はトリガ体５６に対して開いている金
属シールド６６内に設けられている。金属シールド６６
とセンサケーシング６７の間において応答側に、別のシ
ールド手段として、送信コイル６３の出て行く磁界をシ
ールドしかつ収束するための補償コイル６８が示されて
いる。この補償コイル６８における電流Ｉ１の方向は、
送信コイル６３の電流Ｉ２の方向とは反対である。
【００４５】図１１には、近接スイッチの耐圧および防
爆形の実施例が示されている。近接スイッチのケーシン
グ６９は、固定壁７１における貫通孔７０を通って差し
込まれている、直径が比較的小さいセンサヘッド７２を
有しており、このセンサヘッドにコイル７３、７４、７
５が同軸的に配設されている。固定壁７１とケーシング
の環状肩状部７６との間に、パッキンリング７７が保持
されている。壁７１は、その中にセンサヘッド７２が突
出する圧力容器の壁とすることができる。
【００４６】本発明の壺形状の完全金属ケーシングを有
する耐圧および防爆形の近接スイッチでは、送信コイル
７３の磁界が貫通する、端面側の金属壁７８の厚さＳは
、所与の作動周波数における表皮深さより著しく小さい
。このことは、１ｋＨｚないし１０ｋＨｚの周波数にお
いて殊に、ケーシング６９に対して、チタンまたは非磁
性鋼のような僅かな透磁率しか有しない導電性のよくな
い金属を使用することによって実現される。
【００４７】図１２には、本発明の近接スイッチの発振
器７９の有利な回路構成が示されている。発振器増幅器
８０は、入力トランジスタ８１および出力トランジスタ
８２を有する２段のトランジスタ増幅器８０として実現
されている。発振器増幅器８０の高抵抗の入力側８３は
、入力トランジスタ８１のベース８４によって形成され
る。センサコイル６４、６５はベース８４と出力トラン
ジスタ８２のエミッタ８５との間の直接差形成回路に挿
入されている。この構成によって、図１に示されていた
別個の分圧器１４は省略される。というのは一方におい
てＲＣ組み合わせ８６および、他方において増幅器回路
を介して電圧降下が利用されるからである。送信コイル
６３は、出力トランジスタ８２のコレクタ回路に設けら
れている。
【００４８】一体に組み込むべき近接スイッチ（図１０
参照）では、ＲＬ組み合わせ８７は送信コイル６３と直
列に接続することができ、その際補償コイル６８の巻線
は、送信コイル６３の巻線とは反対向きに巻かれている
。この構成によって、補償コイル６８における電流Ｉ１
の方向は、送信コイル６３における電流Ｉ２の方向とは
反対である。金属性の組み込み壁６２と該組み込み壁６
２の近傍のセンサコイル６４との間に補償コイル６８を
配設した場合、磁界の一層良好な指向特性が得られる。
【００４９】
【発明の効果】本発明の近接スイッチは、僅かなコスト
で製造することができかつコイル直径に比べて大きな、
広範な温度領域にわたって一定の応答距離を有するとい
う特長がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の近接スイッチの第１実施例の回路略図
である。
【図２】近接スイッチの送信コイルおよびセンサコイル
の空間配置の１例を示す概略図である。
【図３】近接スイッチの送信コイルおよびセンサコイル
の空間配置の１例を示す概略図である。
【図４】近接スイッチの送信コイルおよびセンサコイル
の空間配置の１例を示す概略図である。
【図５】近接スイッチの送信コイルおよびセンサコイル
の空間配置の１例を示す概略図である。
【図６】近接スイッチの送信コイルおよびセンサコイル
の空間配置の１例を示す概略図である。
【図７】近接スイッチの送信コイルおよびセンサコイル
の空間配置の１例を示す概略図である。
【図８】近接スイッチの送信コイルおよびセンサコイル
の空間配置の１例を示す概略図である。
【図９】近接スイッチの送信コイルおよびセンサコイル
の空間配置の１例を示す概略図である。
【図１０】近接スイッチを金属壁に一体に組み込むため
の、シールドを備えたコイル配置の１実施例の概略図で
ある。
【図１１】耐圧および防爆形の実施例を示す概略図であ
る。
【図１２】発振器の有利な実施例の回路略図である。
【符号の説明】
１，７９　　発振器、 ２，２０，３８，４２，４７，５７，６３，７３　　送
信コイル、 ４　　ＬＣ振動回路、 ７，８０　　発振器増幅器、 ８　　評価回路、 ９　　整流器回路、 １２，１３，２３，２４，２９，３１，３５，４０，４
１，４３，４４，４８ ，４９，５８，５９，６４，６５，７４，７５　　セン
サコイル、 １４　　分圧器、 ２１，３３，３７　　フェライト製壺状体、２５，４６
，５６　　トリガ体、 ２６，３０，３４　　バイファイラ巻線、６８　　補償
コイル、 ７２　　センサヘッド

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　交番磁界を発生する送信コイル（２）
    に給電する発振器（１）を備え、該発振器（１）は前記
    交番磁界内に侵入する金属性のトリガ体（２５）によっ
    てその振動状態に制御され、かつ該振動状態の変化から
    切換信号を取り出すための評価回路（８）を備えている
    、誘導近接スイッチにおいて、前記交番磁界の中で、２
    つのセンサコイル（１２，１３）が、該センサコイルに
    誘起される電圧（Ｕ１，Ｕ２）の差を検出するための直
    接差形成回路に配設されており、かつ前記センサコイル
    （１２，１３）はそれら相互の空間位置およびそれぞれ
    の巻数によって、所望の応答距離において差交番電圧が
    零になるように構成配置されており、かつ前記差交番電
    圧（ＵＤ）は、該差交番電圧が零の場合（ＵＤ＝０）に
    前記発振器（１）がその振動状態を跳躍的に変化するよ
    うに、前記発振器（１）の発振器増幅器（７）の入力側
    （１６）に供給されるようにしたことを特徴とする誘導
    近接スイッチ。
  2. 【請求項２】　　送信コイル（２）は、発振器（１）の
    ＬＣ振動回路（４）のインダクタンスとして接続されて
    おり、かつ発振器増幅器（７）の入力側（１６）は高抵
    抗であり、かつ２つのセンサコイル（１２，１３）は反
    対の極性で、分圧器（１４）と前記発振器増幅器（７）
    の高抵抗の入力側（１６）との間に直列に接続されてい
    る請求項１記載の誘導近接スイッチ。
  3. 【請求項３】　　発振器増幅器（８０）は入力トランジ
    スタ（８１）および出力トランジスタ（８２）を有する
    ２段のトランジスタ増幅器であり、かつ送信コイル（６
    ３）は発振器（７９）のＬＣ振動回路（４）のインダク
    タンスとして接続されておりかつ前記出力トランジスタ
    （８２）のコレクタ回路に設けられており、かつ２つの
    センサコイル（６４，６５）は反対の極性で、前記入力
    トランジスタ（８１）のベース（８４）と前記出力トラ
    ンジスタ（８２）のエミッタ（８５）との間に直列に接
    続されている請求項１記載の誘導近接スイッチ。
  4. 【請求項４】　　発振器（１，７９）は、２０ｋＨｚ以
    上の作動周波数に設計されておりかつセンサコイル（１
    ２，１３）はこれら相互の空間位置およびそれぞれの巻
    数によって、差交番電圧（ＵＤ）がトリガ体（２５，４
    ６，５６）が鉄金属から成る場合にも非鉄金属から成る
    場合にも同じ切換距離において零になるように構成配置
    されている請求項１から３までのいずれか１項記載の誘
    導近接スイッチ。
  5. 【請求項５】　　発振器（１，７９）は、１ｋＨｚと１
    ０ｋＨｚとの間の作動周波数に設計されておりかつセン
    サコイル（１２，１３；６４，６５）はこれら相互の空
    間位置およびそれぞれの巻数によって、差交番電圧（Ｕ
    Ｄ）がＦＥトリガ体が所望の切換距離に接近したときに
    のみ零になり、一方トリガ体の可能な走行領域全体にわ
    たって非鉄金属部材が接近したときは前記差交番電圧が
    決して零にならないように構成配置されている請求項１
    から３までのいずれか１項記載の誘導近接スイッチ。
  6. 【請求項６】　　発振器（１，７９）は、１ｋＨｚと１
    ０ｋＨｚとの間の作動周波数に設計されておりかつセン
    サコイル（１２，１３；６４，６５）はこれら相互の空
    間位置およびそれぞれの巻数によって、差交番電圧（Ｕ
    Ｄ）が、ＮＥトリガ体の接近のときにのみ零になるが、
    鉄金属部材の接近のときには零にならないように構成配
    置されている請求項１から３までのいずれか１項記載の
    誘導近接スイッチ。
  7. 【請求項７】　　送信コイル（２０）および２つのセン
    サコイル（２３，２４）は相互に同軸的に配設されてい
    る請求項１から３までのいずれか６項記載の誘導近接ス
    イッチ。
  8. 【請求項８】　　送信コイル（２０）は中央隆起部（２
    ２）を有するフェライト製の壺状体（２１）に配設され
    ておりかつ２つのセンサコイル（２３，２４）は前記フ
    ェライト製の壺状体（２１）の前方においてトリガ体（
    ２５）の側に配設されている請求項７記載の誘導近接ス
    イッチ。
  9. 【請求項９】　　送信コイルおよびセンサコイルの１つ
    はバイファイラに巻かれておりかつ前記バイファイラ巻
    線（２６）はフェライト製の壺状体（２７）の内部に配
    設されている請求項７記載の誘導近接スイッチ。
  10. 【請求項１０】　　別のセンサコイル（２９）はフェラ
    イト製の壺状体（２７）の前方に配設されている請求項
    ９記載の誘導近接スイッチ。
  11. 【請求項１１】　　別のセンサコイル（３５または３１
    ）もフェライト製の壺状体（３７または３３）内部に、
    第１のセンサコイルおよび送信コイルのバイファイラ巻
    線（３４）に対して同心的かまたはバイファイラ巻線（
    ３０）の隣りに同軸的に配設されている請求項９記載の
    誘導近接スイッチ。
  12. 【請求項１２】　　送信コイル（４２）は管（４５）内
    において２つのセンサコイル（４３，４４）の間に配設
    されている請求項９記載の誘導近接スイッチ。
  13. 【請求項１３】　　２つのセンサコイル（４０，４１）
    の環状面は１平面内にありかつ前記センサコイル（４０
    ，４１）は送信コイル（３８）をそれらの間の真ん中に
    収容している請求項１または６記載の誘導近接スイッチ
    。
  14. 【請求項１４】　　送信コイル（４７）および２つのセ
    ンサコイル（４８，４９）は空心コイルとして、合成樹
    脂またはセラミックから成る共通の巻型（５３）に軸線
    方向に配設されている請求項７記載の誘導近接スイッチ
    。
  15. 【請求項１５】　　送信コイル（４７）は２つのセンサ
    コイル（４８，４９）の間の真ん中に配設されている請
    求項１４記載の誘導近接スイッチ。
  16. 【請求項１６】　　送信コイル（５７）は軸線方向に移
    動可能である請求項１５記載の誘導近接スイッチ。
  17. 【請求項１７】　　センサコイル（４８，４９）の磁界
    中に、大きなコイル間隔において発生する温度ドリフト
    を補償するための、周知の温度に依存する透磁率特性を
    有する磁性材料部材（５４）が挿入されている請求項１
    ４から１６までのいずれか１項記載の誘導近接スイッチ
    。
  18. 【請求項１８】　　磁性材料部材（５４）は、巻型（５
    ３）の凹所（５５）にトリガ体（５６）とは反対側のセ
    ンサコイル（４９）の領域に設けられている請求項１７
    記載の誘導近接スイッチ。
  19. 【請求項１９】　　磁性材料部材（５４）は、３０ｍｍ
    のコイル直径の場合に４ｍｍ２　の表面積を有する請求
    項１７記載の誘導近接スイッチ。
  20. 【請求項２０】　　コイル（６３，６４，６５）は、ト
    リガ体（５６）の方に開いている金属シールド（６６）
    内に配設されている請求項１から１９までのいずれか１
    項記載の誘導近接スイッチ。
  21. 【請求項２１】　　金属シールド（６６）の開いた側に
    補償コイル（６８）が、該補償コイル（６８）における
    電流（Ｉ１）の方向が送信コイル（６３）における電流
    （Ｉ２）の方向とは反対であるように同心的に配設され
    かつ送信コイル（６３）に直接に接続されている請求項
    ２０記載の誘導近接スイッチ。
  22. 【請求項２２】　　補償コイル（６８）の巻数ｎｋは、
    送信コイル（６３）の巻数ｎｓの約５％に、送信コイル
    電流（Ｉ２）の、補償コイル電流（Ｉ１）に対する比を
    乗じたもの、すなわちｎｋ＝０．０５×Ｉ１／Ｉ２×ｎ
    ｓである請求項２０記載の誘導近接スイッチ。
  23. 【請求項２３】　　コイル（７３，７４，７５）は、ト
    リガ体（５６）に対して閉じている、一体の、壺形状の
    金属ケーシング（６９）内に配設されている請求項１か
    ら２２までのいずれか１項記載の誘導近接スイッチ。
  24. 【請求項２４】　　１ｋＨｚおよび１０ｋＨｚの間の発
    振器周波数において、トリガ体（５６）に向かって出て
    行く磁界の領域において金属ケーシング（６９）の壁厚
    （Ｓ）は所与の作動周波数における表皮深さより小さい
    請求項２３記載の誘導近接スイッチ。
  25. 【請求項２５】　　金属ケーシング（６９）は、低い透
    磁率を有しかつ導電性のよくない金属、例えばチタン、
    Ｖ２Ａ鋼またはＶ４Ａ鋼から成る請求項２４記載の誘導
    近接スイッチ。
JP21488091A 1990-10-04 1991-08-27 誘導近接スイッチ Expired - Fee Related JP3027242B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19904031252 DE4031252C1 (en) 1990-10-04 1990-10-04 Inductive proximity switch - detects coil induced voltage difference which is fed to input of oscillator amplifier
DE4031252.6 1990-10-04
DE4102542.3 1991-01-29
DE19914102542 DE4102542A1 (de) 1991-01-29 1991-01-29 Induktiver naeherungsschalter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04227115A true JPH04227115A (ja) 1992-08-17
JP3027242B2 JP3027242B2 (ja) 2000-03-27

Family

ID=25897420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21488091A Expired - Fee Related JP3027242B2 (ja) 1990-10-04 1991-08-27 誘導近接スイッチ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5264733A (ja)
EP (1) EP0479078B1 (ja)
JP (1) JP3027242B2 (ja)
AT (1) ATE142386T1 (ja)
DE (1) DE59108136D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108988842A (zh) * 2018-06-11 2018-12-11 贵州振华华联电子有限公司 一种高可靠小型电感式接近开关

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5801530A (en) * 1995-04-17 1998-09-01 Namco Controls Corporation Proximity sensor having a non-ferrous metal shield for enhanced sensing range
JPH0946205A (ja) * 1995-05-25 1997-02-14 Omron Corp 物体検知装置及び人体センサ
DE19522668C1 (de) * 1995-06-22 1996-07-25 Soyck Gmbh Störfeldsicherer Näherungsschalter
DE19527174C2 (de) * 1995-07-25 2002-04-18 Balluff Gmbh Berührungslos arbeitender Näherungsschalter und Verfahren zu seiner Programmierung
US6002251A (en) * 1995-12-15 1999-12-14 Sun; Yu-Shi Electromagnetic-field-focusing remote-field eddy-current probe system and method for inspecting anomalies in conducting plates
DE19611810C2 (de) * 1996-03-26 2000-12-28 Balluff Gebhard Gmbh & Co Berührungslos arbeitender Näherungsschalter
EP0819944A1 (en) * 1996-07-16 1998-01-21 Lucent Technologies Inc. Eddy current sensor
US5952822A (en) * 1996-10-24 1999-09-14 Allen-Bradley Company, Llc Method and apparatus for proximity sensing in the presence of an external field
EP0963596B1 (de) * 1997-02-26 2002-09-11 Siemens Aktiengesellschaft Elektromechanisches schaltgerät
EP1012976B1 (de) * 1997-09-04 2001-11-28 HERA Rotterdam B.V. Annäherungsschalter
US5975131A (en) * 1997-10-10 1999-11-02 Theisen; Terry J. Tank valve and opening sensor
DE19834071A1 (de) * 1998-07-29 2000-02-03 Turck Werner Kg Induktiver Näherungsschalter
US6100810A (en) * 1999-09-24 2000-08-08 Koorsen; John R. Sensing apparatus for controlling the assembly of rafters by monitoring the position metallic fasteners
DE10012830A1 (de) * 2000-03-16 2001-09-20 Turck Werner Kg Elektronischer Näherungsschalter
IL135730A (en) * 2000-04-18 2004-05-12 Visonic Ltd Displacement sensor
DE10057773B4 (de) 2000-11-22 2021-05-27 Werner Turck Gmbh & Co. Kg Näherungsschalter
US6650111B2 (en) 2001-07-18 2003-11-18 Eaton Corporation Pulsed excited proximity sensor
EP1296160A1 (de) * 2001-09-21 2003-03-26 Senstronic (Société Anonyme) Induktiver Näherungsschalter
US6803757B2 (en) 2001-10-02 2004-10-12 Bentley Nevada, Llc Multi-coil eddy current proximity probe system
US6990384B2 (en) 2001-10-09 2006-01-24 Laharco, Inc. Truss plate detector
DE102004006901C5 (de) 2004-02-12 2013-01-31 Werner Turck Gmbh & Co. Kg Näherungsschalter
CA2504908A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-23 Innovative Materials Testing Technologies, Inc. Apparatus and method for eddy-current magnetic scanning a surface to detect sub-surface cracks around a boundary
US7088094B2 (en) * 2004-07-20 2006-08-08 Infinia Corporation Displacement sensing system and method
DE102005001692B4 (de) * 2005-01-13 2007-04-05 Pepperl + Fuchs Gmbh Näherungsschalter und Verfahren zum Betrieb eines Näherungsschalters
CN101124465A (zh) * 2005-02-01 2008-02-13 Ncte工程有限公司 位置传感器和洗衣机
DE102006012535A1 (de) * 2005-04-01 2006-10-19 Continental Teves Ag & Co. Ohg Reifenluftdrucküberwachungssystem sowie Verfahren zur Zuordnung von Reifenmodulen in einem Reifenluftdrucküberwachungssystem
US7626383B1 (en) 2005-04-25 2009-12-01 Innovative Materials Testing Technologies, Inc. Apparatus and method for holding a rotatable eddy-current magnetic probe, and for rotating the probe around a boundary
SE529127C2 (sv) * 2005-09-02 2007-05-08 Delaval Holding Ab Detekteringsarrangemang jämte -metod för en magnetisk gripanordning
US7560920B1 (en) 2005-10-28 2009-07-14 Innovative Materials Testing Technologies, Inc. Apparatus and method for eddy-current scanning of a surface to detect cracks and other defects
DE102007003374A1 (de) 2006-02-22 2007-09-20 Pepperl + Fuchs Gmbh Induktiver Näherungsschalter sowie Verfahren zum Betreiben eines solchen
US7901503B2 (en) * 2007-04-24 2011-03-08 Sun Chemical Corporation Pigments for non-aqueous inks and coatings
DE102007043498A1 (de) 2007-09-12 2009-03-19 Pepperl + Fuchs Gmbh Verfahren zur Positionierung eines Fahrzeugs sowie Positioniersysteme
DE102010007620B9 (de) * 2009-02-13 2013-01-24 Sick Ag Näherungssensor
US8258777B2 (en) * 2009-09-04 2012-09-04 Weihua Chen Inductive proximity sensor
US20110101967A1 (en) * 2009-11-02 2011-05-05 Rockwell Automation Technologies, Inc. Enhanced performance proximity sensor
DE102010028722A1 (de) * 2010-05-07 2011-11-10 Robert Bosch Gmbh Erfassung eines metallischen oder magnetischen Objekts
US8432157B2 (en) 2010-09-30 2013-04-30 Rockwell Automation Technologies, Inc. Inductive proximity sensor with active circuit to cancel stray fields
EP2439559B1 (en) 2010-10-07 2013-05-29 Mettler-Toledo Safeline Limited Method for operating of a metal detection system and metal detection system
EP2439560B1 (en) 2010-10-07 2013-05-29 Mettler-Toledo Safeline Limited Method for monitoring the operation of a metal detection system and metal detection system
WO2012045578A1 (en) 2010-10-07 2012-04-12 Mettlert-Toledo Safeline Limited Method for operating a metal detection system and metal detection system
EP2555019B1 (de) 2011-08-05 2015-08-05 Sick Ag Induktiver Näherungssensor
US9018935B2 (en) 2011-09-19 2015-04-28 Mettler-Toledo Safeline Limited Method for operating a metal detection apparatus and apparatus
US9188487B2 (en) 2011-11-16 2015-11-17 Tyco Fire & Security Gmbh Motion detection systems and methodologies
US10523199B2 (en) * 2011-12-20 2019-12-31 Robert Hooper Housings for inductive proximity sensors
US20140002069A1 (en) * 2012-06-27 2014-01-02 Kenneth Stoddard Eddy current probe
WO2014023605A1 (de) * 2012-08-10 2014-02-13 Ifm Electronic Gmbh Induktiver näherungsschalter
CN104266665B (zh) * 2014-09-17 2016-09-28 上海兰宝传感科技股份有限公司 电感式传感器
US9966948B2 (en) 2016-02-17 2018-05-08 Honeywell International Inc. Inductor type touch input in explosion-proof electronic enclosure
US10393908B2 (en) 2016-12-15 2019-08-27 Rockwell Automation Technologies, Inc. Bobbin construction and coil winding method
US10792697B2 (en) 2017-05-17 2020-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Drippage prevention system and method of operating same

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1286099B (de) * 1967-10-03 1969-01-02 Pepperl & Fuchs Ohg Kontakt- und beruehrungslos arbeitende Schaltvorrichtung
DE1951137B2 (de) * 1969-10-10 1973-03-01 lfm electronic gerate GmbH & Co KG, 4300 Essen Elektronisches, beruehrungslos arbeitendes schaltgeraet
US3805185A (en) * 1972-07-05 1974-04-16 Stanley Electric Co Ltd Switching oscillator controlled by a moving metal piece
DE2515654B2 (de) * 1975-04-10 1979-10-18 Klaschka, Walter, Dr.-Ing., 7531 Tiefenbronn Annäherungsschalter
US4091833A (en) * 1977-01-17 1978-05-30 Christopher Ian Arthur Ellis Device for detecting predetermined foaming conditions in fluids
ZA794794B (en) * 1978-09-28 1980-08-27 Lucas Industries Ltd Displacement transducers
CH655414B (ja) * 1981-07-17 1986-04-15
DE3244449C2 (de) * 1981-12-03 1985-03-14 Omron Tateisi Electronics Co., Kyoto Annäherungsschalter
US4587486A (en) * 1981-12-08 1986-05-06 Werner Turck Gmbh & Co., Kg Switch for detecting a magnetic field
DE3221888A1 (de) * 1982-06-09 1983-12-15 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektronisches, beruehrungslos arbeitendes schaltgeraet
DE3326476A1 (de) * 1983-07-22 1985-02-14 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Anordnung zur bestimmung der position, der geometrischen abmessungen oder der bewegungsgroessen eines gegenstandes
DE3527650A1 (de) * 1985-08-01 1987-02-12 Pepperl & Fuchs Verfahren und schaltungsanordnung
US4677384A (en) * 1985-09-19 1987-06-30 Teknetics, Inc. Target-identifying metal detector
DE3544809A1 (de) * 1985-10-02 1987-04-02 Turck Werner Kg Magnetfeldabhaengiger, elektronischer annaeherungsschalter
DE3616389A1 (de) * 1986-05-15 1987-11-19 Turck Werner Kg Beruehrungslos wirkender naeherungsschalter
EP0265844B1 (de) * 1986-10-30 1991-08-28 i f m electronic gmbh Elektronisches, berührungslos arbeitendes Schaltgerät
DE3714433C2 (de) * 1987-04-30 1994-04-28 Turck Werner Kg Induktiver Näherungsschalter
DE3814131C2 (de) * 1988-04-27 1998-08-20 Becker Wolf Juergen Prof Dipl Verfahren zum Messen des vom Abstand einer Steuerfahne abhängigen Anteils der Impedanz einer verlustbehafteten Spule und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
DE3840532A1 (de) * 1988-12-01 1990-06-07 Pepperl & Fuchs Verfahren zur induktiven erzeugung eines elektrischen messsignals zur bestimmung des weges und/oder der position im raum und/oder von materialeigenschaften eines pruefkoerpers und nach diesem verfahren aufgebauter naeherungssensor und verwendung desselben als naeherherungsschalter
DE3912946C3 (de) * 1989-04-20 1996-06-20 Turck Werner Kg Induktiver Näherungsschalter

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108988842A (zh) * 2018-06-11 2018-12-11 贵州振华华联电子有限公司 一种高可靠小型电感式接近开关
CN108988842B (zh) * 2018-06-11 2022-05-17 贵州振华华联电子有限公司 一种高可靠小型电感式接近开关

Also Published As

Publication number Publication date
EP0479078A3 (en) 1992-05-20
JP3027242B2 (ja) 2000-03-27
EP0479078B1 (de) 1996-09-04
DE59108136D1 (de) 1996-10-10
EP0479078A2 (de) 1992-04-08
US5264733A (en) 1993-11-23
ATE142386T1 (de) 1996-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04227115A (ja) 誘導近接スイッチ
US3777255A (en) Position sensor utilizing a primary and secondary shielded from one another by a ferromagnetic shield and a magnet whose position relative to the shield changes the shielding
US4618823A (en) Inductive proximity switch having an oscillator magnetic core and a permanent magnet forming a saturation-sensitive magnetization area
US4723446A (en) Device for measuring displacement
US6335619B1 (en) Inductive proximity sensor comprising a resonant oscillatory circuit responding to changes in inductive reaction
US5012206A (en) Inductive proximity switch
US3743853A (en) Adjustable proximity sensor
US7463020B2 (en) Inductive proximity switch based on a transformer coupling factor principle
US4553040A (en) Inductive proximity switch
US4509023A (en) Oscillator with a temperature compensated oscillating coil
US9479165B2 (en) Inductive proximity switch and method for its operation
US7511482B2 (en) Inductive proximity switch
JPS6343682B2 (ja)
US3986104A (en) Dual frequency metal detector system
JP2004523909A (ja) 電流検出器用変成器
JPH081867B2 (ja) 電気導体を流れる電流を測定する計器用変成器
US3961238A (en) Selective metal detector circuit having dual tuned resonant circuits
JPH02312316A (ja) 高周波発振型近接スイッチ
US20030107377A1 (en) Metal detector
US6859140B2 (en) Independently excited proximity or presence switch arrangement
US3197658A (en) Proximity responsive device
US3732503A (en) Proximity switch including variable frequency oscillator with ferrite control element
JPH02198301A (ja) 誘導性近接センサ
US4847570A (en) Electronic, contactless switchgear
Inada et al. Quick response large current sensor using amorphous MI element resonant multivibrator

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080128

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090128

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100128

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110128

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees