JPH04224194A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH04224194A JPH04224194A JP40571090A JP40571090A JPH04224194A JP H04224194 A JPH04224194 A JP H04224194A JP 40571090 A JP40571090 A JP 40571090A JP 40571090 A JP40571090 A JP 40571090A JP H04224194 A JPH04224194 A JP H04224194A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 9
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 84
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);carbanide Chemical compound [CH3-].[CH3-].[Cd+2] VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は気相成長装置に関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来技術】図７は従来のＭＯＣＶＤ装置（有機金属気
相成長装置）の一例を示すものである。以下得ようとす
る結晶がＨｇＣｄＴｅである場合を例に説明する。反応
管１の中央部の支持台１４上に配置されたグラファイト
等のサセプタ１１上にＣｄＴｅ（又はＣｄＺｎＴｅ）の
基板１０が載置されており、この反応管１の一端に設け
られた原料ガス供給口１２から原料ガスＧが供給され、
他端上部の排気口１３から排出されるようになっている
。上記基板１０はこのように反応管１内に供給される原
料ガスＧの流れに面するように斜めに傾斜されて配置さ
れている。中央部管周壁外周には電磁誘導加熱コイル１
５が巻かれ、基板１０を原料ガスＧの分解温度以上（３
００℃〜４００℃）に加熱するようにしている。
相成長装置）の一例を示すものである。以下得ようとす
る結晶がＨｇＣｄＴｅである場合を例に説明する。反応
管１の中央部の支持台１４上に配置されたグラファイト
等のサセプタ１１上にＣｄＴｅ（又はＣｄＺｎＴｅ）の
基板１０が載置されており、この反応管１の一端に設け
られた原料ガス供給口１２から原料ガスＧが供給され、
他端上部の排気口１３から排出されるようになっている
。上記基板１０はこのように反応管１内に供給される原
料ガスＧの流れに面するように斜めに傾斜されて配置さ
れている。中央部管周壁外周には電磁誘導加熱コイル１
５が巻かれ、基板１０を原料ガスＧの分解温度以上（３
００℃〜４００℃）に加熱するようにしている。
【０００３】上記原料ガスＧは水素をキャリアとする濃
度０．０１〜０．１ ｍｏｌ％の（ＣＨ３）２ Ｃｄ（
以下ＤＭＣという）、同じく水素をキャリアとする濃度
０．０１〜０．１ ｍｏｌ％の（Ｃ２ Ｈ５ ）２ Ｔ
ｅ（以下ＤＥＴという）との混合ガス及び水素をキャリ
アとする３００℃〜４００℃の水銀蒸気との混合ガスが
用いられる。そして、上記のような構成において原料ガ
スを一気圧の下で２０ｍｍ／ｓｅｃ程度の早さで流すと
１〜１０μｍ／ｈｒの成長速度でＨｇＣｄＴｅの結晶が
得られる。
度０．０１〜０．１ ｍｏｌ％の（ＣＨ３）２ Ｃｄ（
以下ＤＭＣという）、同じく水素をキャリアとする濃度
０．０１〜０．１ ｍｏｌ％の（Ｃ２ Ｈ５ ）２ Ｔ
ｅ（以下ＤＥＴという）との混合ガス及び水素をキャリ
アとする３００℃〜４００℃の水銀蒸気との混合ガスが
用いられる。そして、上記のような構成において原料ガ
スを一気圧の下で２０ｍｍ／ｓｅｃ程度の早さで流すと
１〜１０μｍ／ｈｒの成長速度でＨｇＣｄＴｅの結晶が
得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】成長させる結晶の組成
はその電気的特性に重大な影響を与える。例えば、赤外
線受光素子となるＨｇＣｄＴｅの場合、ＨｇとＣｄの組
成比によって受光波長領域が変化する。ところが、上記
従来例の構成では、基板１０が原料ガスＧの流れに面す
るように斜めに配置されており、サセプタ１１及び基板
１０が３００℃〜４００℃に加熱されているので、基板
１０にあたった原料ガスＧはＤＭＣ及びＤＥＴが分解し
Ｃｄ、Ｔｅを基板上に堆積させつつ加熱されて基板に沿
って上昇し、図７中に示すように基板上で対流を起こし
て、正しい組成比を保っている原料ガスと、該対流を起
こしている原料ガスが混合して組成比を乱すことになり
、したがって基板１０上に形成された結晶の組成を基板
１０上で均一に保つことはできない。
はその電気的特性に重大な影響を与える。例えば、赤外
線受光素子となるＨｇＣｄＴｅの場合、ＨｇとＣｄの組
成比によって受光波長領域が変化する。ところが、上記
従来例の構成では、基板１０が原料ガスＧの流れに面す
るように斜めに配置されており、サセプタ１１及び基板
１０が３００℃〜４００℃に加熱されているので、基板
１０にあたった原料ガスＧはＤＭＣ及びＤＥＴが分解し
Ｃｄ、Ｔｅを基板上に堆積させつつ加熱されて基板に沿
って上昇し、図７中に示すように基板上で対流を起こし
て、正しい組成比を保っている原料ガスと、該対流を起
こしている原料ガスが混合して組成比を乱すことになり
、したがって基板１０上に形成された結晶の組成を基板
１０上で均一に保つことはできない。
【０００５】更に、水銀のように高温でなければ適正な
蒸気圧にならない物質とＤＭＣ、ＤＥＴ等４００℃〜５
００℃でほとんど分解する物質を一つの原料ガス供給口
１２から供給しているので、上記原料ガス供給口１２付
近で分解した（ＣＨ３）２ Ｃ、（Ｃ２ Ｈ５ ）２
Ｔｅの金属成分Ｃｄ、Ｔｅが管壁に付着し、また水銀も
低温ガスに触れることによって管壁に結露し、原料ガス
の組成比を乱し、しいては、成長する結晶の組成比も部
分によって変化することになる。
蒸気圧にならない物質とＤＭＣ、ＤＥＴ等４００℃〜５
００℃でほとんど分解する物質を一つの原料ガス供給口
１２から供給しているので、上記原料ガス供給口１２付
近で分解した（ＣＨ３）２ Ｃ、（Ｃ２ Ｈ５ ）２
Ｔｅの金属成分Ｃｄ、Ｔｅが管壁に付着し、また水銀も
低温ガスに触れることによって管壁に結露し、原料ガス
の組成比を乱し、しいては、成長する結晶の組成比も部
分によって変化することになる。
【０００６】これら組成比の問題は基板１０の面積が大
きくなるに従って顕著に顕れることになる。
きくなるに従って顕著に顕れることになる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は上記目的を達
成するために以下の手段を採用している。すなわち、反
応管１に原料ガスＧを供給し、基板１０上に気相成長さ
せる横型反応管を用いた気相成長装置において、例えば
図１、図２に示すように反応管１の一端部上下に複数の
原料ガス供給口１２（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）を設け
、上部の原料ガス供給口１２から下部の原料ガス供給口
１２に至るに従って供給する原料ガスＧの温度を低くし
たものである。
成するために以下の手段を採用している。すなわち、反
応管１に原料ガスＧを供給し、基板１０上に気相成長さ
せる横型反応管を用いた気相成長装置において、例えば
図１、図２に示すように反応管１の一端部上下に複数の
原料ガス供給口１２（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）を設け
、上部の原料ガス供給口１２から下部の原料ガス供給口
１２に至るに従って供給する原料ガスＧの温度を低くし
たものである。
【０００８】更に、図３に示すように、反応管１内に該
反応管１の軸芯に平行な回転軸を持つ回転テーブル３２
を設け、該回転テーブル３２上に基板１０を上記軸芯に
対して偏心して配置する構成とすることもでき、また図
４に示すように反応管１内に該反応管１の軸芯に直角な
回転軸を持つ回転テーブル３２を設け、該回転テーブル
３２上に基板１０を上記軸芯に対して偏心して配置する
構成とすることもできる。
反応管１の軸芯に平行な回転軸を持つ回転テーブル３２
を設け、該回転テーブル３２上に基板１０を上記軸芯に
対して偏心して配置する構成とすることもでき、また図
４に示すように反応管１内に該反応管１の軸芯に直角な
回転軸を持つ回転テーブル３２を設け、該回転テーブル
３２上に基板１０を上記軸芯に対して偏心して配置する
構成とすることもできる。
【０００９】また更に、図５に示すように、反応管１の
低部に冷却手段２１をまた、反応管１の上部に加熱手段
２２を配設して、反応管１自体の上部と下部で温度差を
持たせ得る構成としてもよい。また更に、図６に示すよ
うに上記原料ガスＧに温度差を持たせる構成と、反応管
１自体の上下で温度差を持たせる構成を併用してもよい
。
低部に冷却手段２１をまた、反応管１の上部に加熱手段
２２を配設して、反応管１自体の上部と下部で温度差を
持たせ得る構成としてもよい。また更に、図６に示すよ
うに上記原料ガスＧに温度差を持たせる構成と、反応管
１自体の上下で温度差を持たせる構成を併用してもよい
。
【００１０】
【作用】例えば、図１に示すように複数の原料ガス供給
口１２（１２ａ，１２ｂ）を設け、反応管１の上部に設
けた原料ガス供給口１２ａから高温原料ガスＧａを反応
管１の下部に設けた原料ガス供給口１２ｂから低温原料
ガスＧｂを供給すると、各ガスは拡散によって反応管１
内に分散する。また、原料ガスＧの流れに従って基板１
０に接触した原料ガスＧは、基板１０の傾きに沿って上
昇するが、上昇した原料ガスＧは上部の温度の高い原料
ガスＧａに混入して対流を起こすことなく排出口１３ａ
より排出される。更に、高温原料ガスＧａと低温原料ガ
スＧｂを分離して供給することによって、原料ガス供給
口１２ａ，１２ｂ付近で低温原料ガスＧｂと高温原料ガ
スＧａと触れ合うことがなく管壁での結露現象が生じな
いことになる。
口１２（１２ａ，１２ｂ）を設け、反応管１の上部に設
けた原料ガス供給口１２ａから高温原料ガスＧａを反応
管１の下部に設けた原料ガス供給口１２ｂから低温原料
ガスＧｂを供給すると、各ガスは拡散によって反応管１
内に分散する。また、原料ガスＧの流れに従って基板１
０に接触した原料ガスＧは、基板１０の傾きに沿って上
昇するが、上昇した原料ガスＧは上部の温度の高い原料
ガスＧａに混入して対流を起こすことなく排出口１３ａ
より排出される。更に、高温原料ガスＧａと低温原料ガ
スＧｂを分離して供給することによって、原料ガス供給
口１２ａ，１２ｂ付近で低温原料ガスＧｂと高温原料ガ
スＧａと触れ合うことがなく管壁での結露現象が生じな
いことになる。
【００１１】上記構成では反応管１内での原料ガスＧの
分散は拡散のみに依っているが、図３に示すように基板
１０を反応管１の管軸に対して垂直に配置した回転テー
ブル３２上で、管軸に対して公転又は自公転させる構成
とすると、積極的に基板１０を高温部と低温部の原料ガ
スに交互に接するようにできるので均質な結晶を得るこ
とが期待できる。また図４に示すように基板１０を反応
管の管軸に対して平行に配置しても同様の効果が期待で
きる。図５に示すように、反応管１の低部に冷却手段２
１をまた、反応管１の上部に加熱手段２２を配設すると
、反応管１自体の上部と底部で温度差を持たせ得ること
になり、図１、図２に示した実施例と同じ効果を期待で
き、更にこの構成と図１、図２に示した構成を併用する
ことによってより大きな効果を期待できる。
分散は拡散のみに依っているが、図３に示すように基板
１０を反応管１の管軸に対して垂直に配置した回転テー
ブル３２上で、管軸に対して公転又は自公転させる構成
とすると、積極的に基板１０を高温部と低温部の原料ガ
スに交互に接するようにできるので均質な結晶を得るこ
とが期待できる。また図４に示すように基板１０を反応
管の管軸に対して平行に配置しても同様の効果が期待で
きる。図５に示すように、反応管１の低部に冷却手段２
１をまた、反応管１の上部に加熱手段２２を配設すると
、反応管１自体の上部と底部で温度差を持たせ得ること
になり、図１、図２に示した実施例と同じ効果を期待で
き、更にこの構成と図１、図２に示した構成を併用する
ことによってより大きな効果を期待できる。
【００１２】
【実施例】図１はＣｄＴｅ（又はＣｄＺｎＴｅ）上にＨ
ｇＣｄＴｅを成長させる場合、この発明の一実施例概念
図を示すものである。反応管１の一端部（図面上左側）
の上下に２つの原料ガス供給口１２（１２ａ，１２ｂ）
が設けられるとともに、反応管１の他端部（図面上右側
）にも上下に２つの排出口１３（１３ａ，１３ｂ）が設
けられている。また、反応管１の中央部には下記のよう
に原料ガス供給口１２ａ，１２ｂから排出口１３ａ，１
３ｂに向かって流れる原料ガスＧに傾斜して面するよう
に、例えばグラファイトからなるサセプタ１１が支持台
１４上に配置され、その上にＣｄＴｅ（又はＣｄＺｎＴ
ｅ）の基板１０が載置される。
ｇＣｄＴｅを成長させる場合、この発明の一実施例概念
図を示すものである。反応管１の一端部（図面上左側）
の上下に２つの原料ガス供給口１２（１２ａ，１２ｂ）
が設けられるとともに、反応管１の他端部（図面上右側
）にも上下に２つの排出口１３（１３ａ，１３ｂ）が設
けられている。また、反応管１の中央部には下記のよう
に原料ガス供給口１２ａ，１２ｂから排出口１３ａ，１
３ｂに向かって流れる原料ガスＧに傾斜して面するよう
に、例えばグラファイトからなるサセプタ１１が支持台
１４上に配置され、その上にＣｄＴｅ（又はＣｄＺｎＴ
ｅ）の基板１０が載置される。
【００１３】上部の原料ガス供給口１２ａからは３００
〜４００℃前後の水素をキャリアガスとする水銀蒸気が
供給され、また、下部の原料ガス供給口１２ｂからは水
素をキャリアガスとする、例えば濃度０．１〜０．０１
ｍｏｌ％の常温のＤＥＴ，ＤＭＣが供給される。サセ
プタ１１は例えば誘導加熱コイル１５によって３００℃
〜４００℃に加熱される。
〜４００℃前後の水素をキャリアガスとする水銀蒸気が
供給され、また、下部の原料ガス供給口１２ｂからは水
素をキャリアガスとする、例えば濃度０．１〜０．０１
ｍｏｌ％の常温のＤＥＴ，ＤＭＣが供給される。サセ
プタ１１は例えば誘導加熱コイル１５によって３００℃
〜４００℃に加熱される。
【００１４】この構成によって上部の原料ガス供給口１
２ａから供給されるＨｇ蒸気及び下部の原料ガス供給口
１２ｂから供給されるＤＥＴ、ＤＭＣは反応管１内で拡
散して、反応管１内は各成分が混合した空間を形成する
。そして、基板１０で加熱され上昇した原料ガスＧは上
部の高温ガスに混入して対流することなく排出口１３ａ
より排出される。また低温原料ガスＧｂ（ＤＥＴ、ＤＭ
Ｃ＋Ｈ）と高温原料ガスＧａ（Ｈｇ＋Ｈ）が原料ガス供
給口１２ａ、１２ｂ内で接触することがないので、低温
原料ガスＧｂが原料ガス供給口１２ｂ付近で分解して金
属（Ｔｅ，Ｃｄ）が原料ガス供給口１２ｂ付近の管壁に
付着するおそれもなく、また、水銀蒸気が低温原料ガス
Ｇｂで冷されることもないので、原料ガス供給口１２ａ
付近で結露することもなくなる。
２ａから供給されるＨｇ蒸気及び下部の原料ガス供給口
１２ｂから供給されるＤＥＴ、ＤＭＣは反応管１内で拡
散して、反応管１内は各成分が混合した空間を形成する
。そして、基板１０で加熱され上昇した原料ガスＧは上
部の高温ガスに混入して対流することなく排出口１３ａ
より排出される。また低温原料ガスＧｂ（ＤＥＴ、ＤＭ
Ｃ＋Ｈ）と高温原料ガスＧａ（Ｈｇ＋Ｈ）が原料ガス供
給口１２ａ、１２ｂ内で接触することがないので、低温
原料ガスＧｂが原料ガス供給口１２ｂ付近で分解して金
属（Ｔｅ，Ｃｄ）が原料ガス供給口１２ｂ付近の管壁に
付着するおそれもなく、また、水銀蒸気が低温原料ガス
Ｇｂで冷されることもないので、原料ガス供給口１２ａ
付近で結露することもなくなる。
【００１５】図２はこの発明の別の実施例を示す概念図
である。図１の実施例では原料ガス供給口１２、排出口
１３とも２つとしたが、この実施例では反応管１の一端
の上部、中間部、下部の各位置に３つの原料ガス供給口
１２ａ，１２ｂ，１２ｃを、また、反応管１の他端の上
部、中間部、下部の各位置にも同様に３つの排出口１３
ａ，１３ｂ，１３ｃを設けた構成としている。そして、
最上部の原料ガス供給口１２ａからは温度の最も高い高
温原料ガスＧａ、すなわち、水銀蒸気を含む水素を、ま
た、中間部、下部の原料ガス供給口１２ｂ，１２ｃに至
るに従って低い温度の中温原料ガスＧｃ、及び低温原料
ガスＧｂすなわち、水素又は水素をキャリアガスとする
ＤＥＴ、ＤＭＣが供給されるようにする。尚、成長させ
ようとする結晶がＨｇＣｄＴｅである場合、中間の原料
ガス供給口１２ｃと下部に位置する原料ガス供給口１２
ｂとは、水素、ＤＥＴ、ＤＭＣのいずれか一種又は複数
ガスの混合ガスとなる。
である。図１の実施例では原料ガス供給口１２、排出口
１３とも２つとしたが、この実施例では反応管１の一端
の上部、中間部、下部の各位置に３つの原料ガス供給口
１２ａ，１２ｂ，１２ｃを、また、反応管１の他端の上
部、中間部、下部の各位置にも同様に３つの排出口１３
ａ，１３ｂ，１３ｃを設けた構成としている。そして、
最上部の原料ガス供給口１２ａからは温度の最も高い高
温原料ガスＧａ、すなわち、水銀蒸気を含む水素を、ま
た、中間部、下部の原料ガス供給口１２ｂ，１２ｃに至
るに従って低い温度の中温原料ガスＧｃ、及び低温原料
ガスＧｂすなわち、水素又は水素をキャリアガスとする
ＤＥＴ、ＤＭＣが供給されるようにする。尚、成長させ
ようとする結晶がＨｇＣｄＴｅである場合、中間の原料
ガス供給口１２ｃと下部に位置する原料ガス供給口１２
ｂとは、水素、ＤＥＴ、ＤＭＣのいずれか一種又は複数
ガスの混合ガスとなる。
【００１６】これによって、前記図１に示したように原
料ガス供給口１２ｃ、１２ｂ付近での原料ガスの分解及
び原料ガス供給口１２ａ付近での水銀の結露がなくなる
とともに、前記図１に示した場合は基板１０付近の温度
が低いと基板１０で加熱された原料ガスＧが上昇中に冷
却されて対流発生の原因となるのに対して、本実施例で
は中間部（基板１０付近に流れる原料ガス又は水素ガス
）もある程度加熱されているので、対流の発生がより少
なくなる。
料ガス供給口１２ｃ、１２ｂ付近での原料ガスの分解及
び原料ガス供給口１２ａ付近での水銀の結露がなくなる
とともに、前記図１に示した場合は基板１０付近の温度
が低いと基板１０で加熱された原料ガスＧが上昇中に冷
却されて対流発生の原因となるのに対して、本実施例で
は中間部（基板１０付近に流れる原料ガス又は水素ガス
）もある程度加熱されているので、対流の発生がより少
なくなる。
【００１７】図３はこの発明の更に別の実施例を示すも
のである。原料ガス供給口１２ａ、１２ｂ、排出口１３
ａ、１３ｂの構成は図１に示した構成と同じであるが、
基板１０の配置構造が異なっている。すなわち、排出口
１３ａ、１３ｂ側から反応管１の管軸に平行に、反応管
１の内外に貫通する回転軸３１を配置し、該回転軸３１
の先端に回転テーブル３２が管軸に直角に取付けられる
。この回転テーブル３２に対して偏心してサセプタ１１
が配設され、このサセプタ１１上に基板１０が配置され
るようになっている。この構成において、上記のように
上部の原料ガス供給口１２ａから高温の原料ガスＧａ（
水銀）を、また、下部の原料ガス供給口１２から低温の
原料ガスＧｂ（ＤＥＴ、ＤＭＣ）を供給し、各ガス成分
を反応管１内に拡散させるとともに、回転軸３１を駆動
して回転テーブル３２を例えば１０ｒｐｍ程度の緩やか
な速度で回転させる。これによって上記図１、図２の例
のように原料成分の拡散だけに頼る場合よりもより有効
に反応管１内の各成分濃度のむらを補完するようにして
いる。この場合、上記サセプタ１１を自転させるように
すると更に濃度むらの補完効果が大きくなることになる
。また、図４のように回転軸９９を反応管１の管軸に垂
直にしても同様の効果が期待できる。
のである。原料ガス供給口１２ａ、１２ｂ、排出口１３
ａ、１３ｂの構成は図１に示した構成と同じであるが、
基板１０の配置構造が異なっている。すなわち、排出口
１３ａ、１３ｂ側から反応管１の管軸に平行に、反応管
１の内外に貫通する回転軸３１を配置し、該回転軸３１
の先端に回転テーブル３２が管軸に直角に取付けられる
。この回転テーブル３２に対して偏心してサセプタ１１
が配設され、このサセプタ１１上に基板１０が配置され
るようになっている。この構成において、上記のように
上部の原料ガス供給口１２ａから高温の原料ガスＧａ（
水銀）を、また、下部の原料ガス供給口１２から低温の
原料ガスＧｂ（ＤＥＴ、ＤＭＣ）を供給し、各ガス成分
を反応管１内に拡散させるとともに、回転軸３１を駆動
して回転テーブル３２を例えば１０ｒｐｍ程度の緩やか
な速度で回転させる。これによって上記図１、図２の例
のように原料成分の拡散だけに頼る場合よりもより有効
に反応管１内の各成分濃度のむらを補完するようにして
いる。この場合、上記サセプタ１１を自転させるように
すると更に濃度むらの補完効果が大きくなることになる
。また、図４のように回転軸９９を反応管１の管軸に垂
直にしても同様の効果が期待できる。
【００１８】図５はこの発明の更に別の実施例の概念図
である。反応管１の構成は従来と同様であるが、反応管
１の下部にウォータジャケット等の冷却手段２１が、反
応管１の上部にはヒータ等の加熱手段２２が設けられて
いる。また下部に配置した冷却手段２１による冷却効果
が支持台１４を介してサセプタ１１に及ぶのを防止する
ためサセプタ１１にヒータ１６が接近して取付けられる
。これによって、上記図１〜図４に示したと同様の効果
が得られることになる。図６（ａ）（ｂ）は上記図１、
図２に示した実施例を組み合わせたものである。原料ガ
ス供給口１２ａ、１２ｂ、排出口１３ａ、１３ｂの構成
は図１に示す実施例と同じようにし、本実施例では更に
、反応管下部に冷却手段２１が配置され、反応管１上部
には加熱手段２２が配設される。更に、サセプタ１１は
反応管１の排出口１３側から突出させた支持棒２３の先
端に原料ガス流に対して傾斜して取付けられ、ヒータ１
６で加熱できるようになっている。これによって、反応
管１の管内の温度は原料ガスの温度差だけでなく、加熱
手段２２と冷却手段２１とで更に温度差が付けられるこ
とになり、一層の対流防止効果が得られることになる。 図６（ｂ）の実施例は図６（ａ）に示す場合より、更に
サセプタ１１の角度を水平にし、気流の乱れを防止しよ
うとしたものである。尚、この実施例では図１、図５等
に示す支持台１４を用いずに上記のような支持棒２３を
用いて、反応管１の底部に配設された冷却手段２１の影
響を避けるようにしている。
である。反応管１の構成は従来と同様であるが、反応管
１の下部にウォータジャケット等の冷却手段２１が、反
応管１の上部にはヒータ等の加熱手段２２が設けられて
いる。また下部に配置した冷却手段２１による冷却効果
が支持台１４を介してサセプタ１１に及ぶのを防止する
ためサセプタ１１にヒータ１６が接近して取付けられる
。これによって、上記図１〜図４に示したと同様の効果
が得られることになる。図６（ａ）（ｂ）は上記図１、
図２に示した実施例を組み合わせたものである。原料ガ
ス供給口１２ａ、１２ｂ、排出口１３ａ、１３ｂの構成
は図１に示す実施例と同じようにし、本実施例では更に
、反応管下部に冷却手段２１が配置され、反応管１上部
には加熱手段２２が配設される。更に、サセプタ１１は
反応管１の排出口１３側から突出させた支持棒２３の先
端に原料ガス流に対して傾斜して取付けられ、ヒータ１
６で加熱できるようになっている。これによって、反応
管１の管内の温度は原料ガスの温度差だけでなく、加熱
手段２２と冷却手段２１とで更に温度差が付けられるこ
とになり、一層の対流防止効果が得られることになる。 図６（ｂ）の実施例は図６（ａ）に示す場合より、更に
サセプタ１１の角度を水平にし、気流の乱れを防止しよ
うとしたものである。尚、この実施例では図１、図５等
に示す支持台１４を用いずに上記のような支持棒２３を
用いて、反応管１の底部に配設された冷却手段２１の影
響を避けるようにしている。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明は、反応管
の上部に供給される原料ガスとして高温原料ガスをまた
、反応管の下部に至るに従って低い温度の原料ガスを供
給するようにしているので、基板にそって上昇する原料
ガスが対流を起こすことなく排出でき、原料ガスの組成
をみだすことなく、従って、成長される結晶の組成の基
板上での均一性を確保できる効果がある。更に、反応管
に底部を冷却手段で冷却し、上部を加熱手段で加熱する
構成、更に、上記原料ガスに温度差を持たせる構成と反
応管自体に温度差を持たせる方法を併用することによっ
て、更に上記効果をより一層高めることができる。
の上部に供給される原料ガスとして高温原料ガスをまた
、反応管の下部に至るに従って低い温度の原料ガスを供
給するようにしているので、基板にそって上昇する原料
ガスが対流を起こすことなく排出でき、原料ガスの組成
をみだすことなく、従って、成長される結晶の組成の基
板上での均一性を確保できる効果がある。更に、反応管
に底部を冷却手段で冷却し、上部を加熱手段で加熱する
構成、更に、上記原料ガスに温度差を持たせる構成と反
応管自体に温度差を持たせる方法を併用することによっ
て、更に上記効果をより一層高めることができる。
【図１】本発明一実施例概念図である。
【図２】本発明一実施例概念図である。
【図３】本発明一実施例概念図である。
【図４】本発明一実施例概念図である。
【図５】本発明一実施例概念図である。
【図６】本発明一実施例概念図である。
【図７】従来例概念図である。
１ 反応管
１０ 基板
１２（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ） 原料ガス供給口２
１ 冷却手段 ２２ 加熱手段 ３２ 回転テーブル Ｇ 原料ガス
１ 冷却手段 ２２ 加熱手段 ３２ 回転テーブル Ｇ 原料ガス
Claims (4)
- 【請求項１】 反応管（１） に原料ガス（Ｇ） を
供給し、基板（１０）上に気相成長させる横型反応管を
用いた気相成長装置において、反応管（１） の一端部
上下に複数の原料ガス供給口（１２：１２ａ，１２ｂ，
１２ｃ）を設け、上部の原料ガス供給口（１２）から下
部の原料ガス供給口（１２）に至るに従って供給する原
料ガス（Ｇ） の温度を低くしたことを特徴とする気相
成長装置。 - 【請求項２】 反応管（１） 内に該反応管（１）
の軸芯に直角又は平行な回転軸を持つ回転テーブル（３
２）を設け、該回転テーブル（３２）上に基板（１０）
を上記軸芯に対して偏心して配置する構成とした請求項
１に記載の気相成長装置。 - 【請求項３】 反応管（１） に原料ガス（Ｇ） を
供給し、基板（１０）上に気相成長させる横型反応管を
用いた気相成長装置において、反応管（１） の低部に
冷却手段（２１）をまた、反応管（１） の上部に加熱
手段（２２）を配設したことを特徴とする気相成長装置
。 - 【請求項４】 反応管（１） に原料ガス（Ｇ） を
供給し、基板（１０）上に気相成長させる横型反応管を
用いた気相成長装置において、反応管（１） の一端部
上下に複数の原料ガス供給口（１２：１２ａ，１２ｂ．
１２ｃ）を設け、上部の原料ガス供給口（１２）から下
部の原料ガス供給口（１２）に至るに従って供給する原
料ガス（Ｇ） の温度を低くするとともに、反応管（１
） の低部に冷却手段（２１）を、また、反応管（１）
の上部に加熱手段（２２）を配設したことを特徴とす
る気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40571090A JPH04224194A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40571090A JPH04224194A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04224194A true JPH04224194A (ja) | 1992-08-13 |
Family
ID=18515320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40571090A Withdrawn JPH04224194A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04224194A (ja) |
-
1990
- 1990-12-25 JP JP40571090A patent/JPH04224194A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |