JPS6321822A - シリコン気相エピタキシヤル成長方法 - Google Patents
シリコン気相エピタキシヤル成長方法Info
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- JPS6321822A JPS6321822A JP16720986A JP16720986A JPS6321822A JP S6321822 A JPS6321822 A JP S6321822A JP 16720986 A JP16720986 A JP 16720986A JP 16720986 A JP16720986 A JP 16720986A JP S6321822 A JPS6321822 A JP S6321822A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野〕
本発明に、３ｉエピタキシヤル成長方法に関するもので
ある。
ある。
従来、Ｓｉの気相エピタキシャル成長方法としてに、高
周波加熱あるいに赤外線ランプ加熱に：り、サセプタ及
びＳｉ単結晶基板（以下基板と記す）のみ全加熱する、
言わゆるコールドウオール方式のものが広く実用化され
ている。Ｏの方法は、赤外線ランプ加熱あるいは高周波
加熱に二り、基板とサセプタのみを加熱し、反応管内に
、シラン系反応カス（Ｓ ｔＨ４，Ｓ １Ｈｚｃｔ ２
． Ｓ １Ｈｃｌｘ、 ＳｉＣ／４）と水素（Ｈ２）及
び必要に応じてドーパントガス（シボランＢ２Ｈ６，ア
ルシンＡ ｓ Ｈ３，ホスフィンＰＨ３）を導入して所
望の８ｉエピタキシヤル膜を成長させるものである。こ
の様な方法としては、第４図に示し九様に、台形サセプ
タ３６を用い、スルーブツト（基板の処理能力）と、膜
質（膜厚、電気抵抗）の均一性を改善したものがある。
周波加熱あるいに赤外線ランプ加熱に：り、サセプタ及
びＳｉ単結晶基板（以下基板と記す）のみ全加熱する、
言わゆるコールドウオール方式のものが広く実用化され
ている。Ｏの方法は、赤外線ランプ加熱あるいは高周波
加熱に二り、基板とサセプタのみを加熱し、反応管内に
、シラン系反応カス（Ｓ ｔＨ４，Ｓ １Ｈｚｃｔ ２
． Ｓ １Ｈｃｌｘ、 ＳｉＣ／４）と水素（Ｈ２）及
び必要に応じてドーパントガス（シボランＢ２Ｈ６，ア
ルシンＡ ｓ Ｈ３，ホスフィンＰＨ３）を導入して所
望の８ｉエピタキシヤル膜を成長させるものである。こ
の様な方法としては、第４図に示し九様に、台形サセプ
タ３６を用い、スルーブツト（基板の処理能力）と、膜
質（膜厚、電気抵抗）の均一性を改善したものがある。
（Ｍ。
Ｏｇｉｒｉｍａ ｃｔａｌ、、 Ｊ、Ｅｌｅｃｔｒｏｃ
ｈｅｍ、 Ｓｏｃ、 ｖｏｌ。
ｈｅｍ、 Ｓｏｃ、 ｖｏｌ。
１２５、Ｎｎ１１（１９７８）Ｐ、１８７９ ”’Ａ
ＭｕｌｔｉｗａｆｅｒＧｒｏｗｔｈ Ｓｙｓｔｅｍ ｆ
ｏｒ Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ５ｉｌｉｃｏｎＥｐ
ｉｔａｘｙ″）また、圃様な方法としては、第５図に示
した様に、基板を積み重ねる様に保持するサセプタ４２
と反応ガス導入ノズル４３を用い、スループットと膜質
の均一性向上を計ったものがある。（Ｖ Ｉａｄｉｍｉ
ｒ３、 Ｂａｎ ｅｔａｌ、、 Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
ｏｆ ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｒａｉＣｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ ｏｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ、 ＴｈｅＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａ
ｌ 工ｎｃ、、１９７９ Ｐ、１０２’Ａ ＮＥＷＲ
ＥＡＣＴＯＲＦＯＲ５ＩＬＩＣＯＮ ＥＰＩＴＡＸＹ
’）Ｌかしながら、基板の大口径化が進むに伴い、上述
の様なコールドウオール方式の８ｉ気相エピタキシヤル
成長方法では、装置の運転コスト（消費電力、反応ガス
の消費量、保守の困難さ）、スルーブツト、装置価格、
等の問題が深刻化して来ている。
ＭｕｌｔｉｗａｆｅｒＧｒｏｗｔｈ Ｓｙｓｔｅｍ ｆ
ｏｒ Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ５ｉｌｉｃｏｎＥｐ
ｉｔａｘｙ″）また、圃様な方法としては、第５図に示
した様に、基板を積み重ねる様に保持するサセプタ４２
と反応ガス導入ノズル４３を用い、スループットと膜質
の均一性向上を計ったものがある。（Ｖ Ｉａｄｉｍｉ
ｒ３、 Ｂａｎ ｅｔａｌ、、 Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
ｏｆ ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｒａｉＣｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ ｏｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ、 ＴｈｅＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａ
ｌ 工ｎｃ、、１９７９ Ｐ、１０２’Ａ ＮＥＷＲ
ＥＡＣＴＯＲＦＯＲ５ＩＬＩＣＯＮ ＥＰＩＴＡＸＹ
’）Ｌかしながら、基板の大口径化が進むに伴い、上述
の様なコールドウオール方式の８ｉ気相エピタキシヤル
成長方法では、装置の運転コスト（消費電力、反応ガス
の消費量、保守の困難さ）、スルーブツト、装置価格、
等の問題が深刻化して来ている。
これらの問題を改善するため、オギリマらは、抵抗加熱
によるホットフォール方式のＳｉ気相エピタキシャル成
長方法を報告している。（Ｍ、Ｏｇｉｒｉｍａ ｅｔａ
ｌ、、Ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａ１８ｏｃ
ｉｅｔｙ Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ、
Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｎｎ ４０４（１９８１）ｐ９８１
＠ＬＯＷ−Ｐ几ＥＳＳＵＲＥ ＨＯＴ−ＷＡＬＬ
５ＩＬＩＣＯＮＥＰＩＴＡＸＹ“）この方法に、拡散炉
に用いられている抵抗加熱炉内に反応管を設置し、減圧
下で、８ｉＨ２Ｃｔ２．Ｈ２，ＰＨ３ｇ同時に同一の流
路で基板し ＶＣＣ対画垂直流し、所望のＳｉエピタキシャル成長膜
を成長させるものとなっている。
によるホットフォール方式のＳｉ気相エピタキシャル成
長方法を報告している。（Ｍ、Ｏｇｉｒｉｍａ ｅｔａ
ｌ、、Ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａ１８ｏｃ
ｉｅｔｙ Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ、
Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｎｎ ４０４（１９８１）ｐ９８１
＠ＬＯＷ−Ｐ几ＥＳＳＵＲＥ ＨＯＴ−ＷＡＬＬ
５ＩＬＩＣＯＮＥＰＩＴＡＸＹ“）この方法に、拡散炉
に用いられている抵抗加熱炉内に反応管を設置し、減圧
下で、８ｉＨ２Ｃｔ２．Ｈ２，ＰＨ３ｇ同時に同一の流
路で基板し ＶＣＣ対画垂直流し、所望のＳｉエピタキシャル成長膜
を成長させるものとなっている。
上述した従来のホットウォール方式ＶＣよるＳｉ気相エ
ピタキシャル成長方法に、反応に関与する全てのガスを
同一のガス流として、９００℃〜１２００℃の高温に維
持さｎた反応管内に導入するため、Ｓｉｉエピタキシャ
ル底長しようとする基板表面以外においても、シラン系
ガスの熱分解反応及び８ｉＨ４以外のシラン系ガス？使
用した場合はＨ２Ｋよる還元反応が生じ、Ｓｔエピタキ
シャル成長の原料となるシラン系ガスが著しく消費さｎ
る。こ（Ｄｆｃめ、反応ガスＮ、路の上流側と下流側と
では、成長したエピタキシャル膜の膜厚は著しく異なっ
たものとなってしまう問題がある。また、Ｏれら熱分解
反応や、還元反応に、不要の微粒子を多数発生させるた
め、基板を汚染し、エピタキシャル膜の欠陥発生原因と
なる。
ピタキシャル成長方法に、反応に関与する全てのガスを
同一のガス流として、９００℃〜１２００℃の高温に維
持さｎた反応管内に導入するため、Ｓｉｉエピタキシャ
ル底長しようとする基板表面以外においても、シラン系
ガスの熱分解反応及び８ｉＨ４以外のシラン系ガス？使
用した場合はＨ２Ｋよる還元反応が生じ、Ｓｔエピタキ
シャル成長の原料となるシラン系ガスが著しく消費さｎ
る。こ（Ｄｆｃめ、反応ガスＮ、路の上流側と下流側と
では、成長したエピタキシャル膜の膜厚は著しく異なっ
たものとなってしまう問題がある。また、Ｏれら熱分解
反応や、還元反応に、不要の微粒子を多数発生させるた
め、基板を汚染し、エピタキシャル膜の欠陥発生原因と
なる。
本発明のＳｉ気相エピタキシャル成長方法に、シラン系
ガスｖｃＨＣｔあるいはＣｔ２ｉ混合したガスと水素ガ
スと全基板近傍までそれぞれ別々に分離して供給するも
のである。
ガスｖｃＨＣｔあるいはＣｔ２ｉ混合したガスと水素ガ
スと全基板近傍までそれぞれ別々に分離して供給するも
のである。
シラン系ガスにＨＣｚあるいｆｌｃ１２”ｆ混合したガ
スと水素ガスとを基板近傍１で、そｆｌ、ぞｎ別々に分
離して供給することにより、基板近傍以外の領域におけ
るシラン系ガスの熱分解反応？抑制し、Ｈ２ＶＣよるシ
ラン系ガスの還元反応金防止できる。
スと水素ガスとを基板近傍１で、そｆｌ、ぞｎ別々に分
離して供給することにより、基板近傍以外の領域におけ
るシラン系ガスの熱分解反応？抑制し、Ｈ２ＶＣよるシ
ラン系ガスの還元反応金防止できる。
その結果微粒子の発生が抑制さ几、この微粒子に起因す
るエピタキシャル膜の欠陥発生が抑えられる。１九原料
ガスの消費も抑制することができ、低コストでエピタキ
シャルｉｋ製造できる。
るエピタキシャル膜の欠陥発生が抑えられる。１九原料
ガスの消費も抑制することができ、低コストでエピタキ
シャルｉｋ製造できる。
次に本発明について図面全参照して説明する。
〔実施例１〕
第１図は本発明の第１の実施例に使用し九収長装置の縦
断面図である１反応管は外管１及び内管２から成る２重
管であり、内管２にはガス導入の之めの複数の細孔３が
内管２の壁面に均一に分布する様設けられている。また
外管１にはガス導入口４，５が設けられている。内管２
の内部には。
断面図である１反応管は外管１及び内管２から成る２重
管であり、内管２にはガス導入の之めの複数の細孔３が
内管２の壁面に均一に分布する様設けられている。また
外管１にはガス導入口４，５が設けられている。内管２
の内部には。
基板６を水平に保持する回転可能な基板ホルダー７及び
基板６の枚数と同等の数で基板６と同等の高さに基板に
向って開口している細孔を有するノズル８が設置されて
おり、ノズル８及びガス導入口４，５工ク反応に関与す
るガスを導入する（図中矢印はガス流路を示している）
。外管１は真空気密を保つ様架台９に固定され、架台９
には真空排気口１０が設けられている。基板６の加熱は
、縦型の抵抗加熱炉１１ｔ−用いて行なわれる。
基板６の枚数と同等の数で基板６と同等の高さに基板に
向って開口している細孔を有するノズル８が設置されて
おり、ノズル８及びガス導入口４，５工ク反応に関与す
るガスを導入する（図中矢印はガス流路を示している）
。外管１は真空気密を保つ様架台９に固定され、架台９
には真空排気口１０が設けられている。基板６の加熱は
、縦型の抵抗加熱炉１１ｔ−用いて行なわれる。
以下に、第１の実施例の８ｉ気相エピタキシヤル成長方
法におけるＳｉエピタキシャル成長例を示す。
法におけるＳｉエピタキシャル成長例を示す。
基板ホルダー７に直径１５０■ の基板６ｔ−１０−間
隔で５０枚取り付け、１０ｒｐｍで回転させながら、ガ
ス導入口４，５エクＨ２’＜３０１７−で流し反応管内
温度ｔ−１１００℃とした。次にガス導入口４，５より
Ｈ２を１５１／−で流しＸ空排気ロ１０エク真空排気す
る事で反応管内部ｆ２ｔｏｒｒとした。その後ノズル８
工９５ｉＨ２Ｃｔｚ ０．８ｔ／”ＨＣＩ ０．８ｔ／
ｍ、 ＰＨａ ０．００３ｍ１／ｍ ｆ：流し、反応
管内部１２ｔｏｒｒに維持しＳｉのエピタキシャル成長
を行なった。その結果、成長速度にＱ、５＃Ｌ／’ｍで
あり、５０枚金工の基板におけるＳｉエピタキシャル膜
の膜厚分布は±４％以内、電気抵抗分布は±６％以内で
あり、かつ微粒子の発生に起因する欠陥は認められなか
った。
隔で５０枚取り付け、１０ｒｐｍで回転させながら、ガ
ス導入口４，５エクＨ２’＜３０１７−で流し反応管内
温度ｔ−１１００℃とした。次にガス導入口４，５より
Ｈ２を１５１／−で流しＸ空排気ロ１０エク真空排気す
る事で反応管内部ｆ２ｔｏｒｒとした。その後ノズル８
工９５ｉＨ２Ｃｔｚ ０．８ｔ／”ＨＣＩ ０．８ｔ／
ｍ、 ＰＨａ ０．００３ｍ１／ｍ ｆ：流し、反応
管内部１２ｔｏｒｒに維持しＳｉのエピタキシャル成長
を行なった。その結果、成長速度にＱ、５＃Ｌ／’ｍで
あり、５０枚金工の基板におけるＳｉエピタキシャル膜
の膜厚分布は±４％以内、電気抵抗分布は±６％以内で
あり、かつ微粒子の発生に起因する欠陥は認められなか
った。
なお、第１の実施例において、Ｈ２流路を変更し真空排
気口１０′ｔ−ガス導入口としてＨｘ’ｒ導入し、ガス
導入口４，５から真空排気を行なう成長実験も試み友結
果、同等の膜厚、電気抵抗の分布を有する８ｉエピタキ
シヤル膜が得られ、微粒子による欠陥も認められなかっ
た。
気口１０′ｔ−ガス導入口としてＨｘ’ｒ導入し、ガス
導入口４，５から真空排気を行なう成長実験も試み友結
果、同等の膜厚、電気抵抗の分布を有する８ｉエピタキ
シヤル膜が得られ、微粒子による欠陥も認められなかっ
た。
［実施例２］
第２図は１本発明の第２の実施例において、使用した成
長装置の縦断面図である。
長装置の縦断面図である。
本実施例に内管１３内部に設置されたノズル１９の細孔
が、内管１３の内壁面に向って開口している点で第１の
実施例と異なる。この時ノズル１９の細孔と、内管１３
の壁面に開口している細孔１４とに位置が一致しない様
装置する事が望ましい。
が、内管１３の内壁面に向って開口している点で第１の
実施例と異なる。この時ノズル１９の細孔と、内管１３
の壁面に開口している細孔１４とに位置が一致しない様
装置する事が望ましい。
この実施例では、ノズル１９工り導入さｎるガス流が一
度内管１３の内壁面にあたり、内管１３内部に広く分散
される九め多数枚の基板にエピタキシャル成長を行なり
場合、膜厚及び電気抵抗の均一性を向上できるという利
点がある。
度内管１３の内壁面にあたり、内管１３内部に広く分散
される九め多数枚の基板にエピタキシャル成長を行なり
場合、膜厚及び電気抵抗の均一性を向上できるという利
点がある。
第２の実施例の８ｉ気相エピタキシヤル成長方法を用い
、７５枚の基板に実施例１と同等の条件でエピタキシャ
ル成長上行なっ九結果、収長速匿は０．５μ情／−であ
り膜厚分布に±３％以内、電気抵抗分布は±５％以内あ
っｔ、まｔ微粒子発生に起因する欠陥は認められなかっ
た。
、７５枚の基板に実施例１と同等の条件でエピタキシャ
ル成長上行なっ九結果、収長速匿は０．５μ情／−であ
り膜厚分布に±３％以内、電気抵抗分布は±５％以内あ
っｔ、まｔ微粒子発生に起因する欠陥は認められなかっ
た。
なお、第２の実施例においてもＨ２流路を変更し、真空
排気口２１側からＨ２１に導入し、ガス導入口１５．１
６側から真空排気を行なう成長実験を試みたところ同等
の膜厚及び電気抵抗分布の８ｉエピタキシヤル膜が得ら
れ、微粒子による欠陥に認められなかった。
排気口２１側からＨ２１に導入し、ガス導入口１５．１
６側から真空排気を行なう成長実験を試みたところ同等
の膜厚及び電気抵抗分布の８ｉエピタキシヤル膜が得ら
れ、微粒子による欠陥に認められなかった。
〔実施例３〕
第３図は本発明の第３の実施例において使用した成長装
置の縦断面図である。
置の縦断面図である。
反応管は外管２３と内管２４から取る２重反応管であり
、内管２４には排気のための複数の細孔２５が、内管２
４の壁面に均一に分布する様設けられている。また外管
２３１Ｃは真空排気口２６が設けられている。内管２４
の内部には、基板２７を水平に保持する回転可能な基板
ホルダー２８が設けらｎでいる。また基板２７の枚数と
同等の数で、基板２７と同等の高さに細孔を有するノズ
ル２９及び３０が設けられている（図中矢印はガス流路
を示している）、外管２３に真空気密を保つ工の架台３
１に固定されている。基板２７の加熱は抵抗加熱炉３２
を用いて行なわ几る。
、内管２４には排気のための複数の細孔２５が、内管２
４の壁面に均一に分布する様設けられている。また外管
２３１Ｃは真空排気口２６が設けられている。内管２４
の内部には、基板２７を水平に保持する回転可能な基板
ホルダー２８が設けらｎでいる。また基板２７の枚数と
同等の数で、基板２７と同等の高さに細孔を有するノズ
ル２９及び３０が設けられている（図中矢印はガス流路
を示している）、外管２３に真空気密を保つ工の架台３
１に固定されている。基板２７の加熱は抵抗加熱炉３２
を用いて行なわ几る。
この実施例でに、反応に関与するガスが全てノズルに工
っで導入さ几る事から膜厚、電気抵抗の均−性向上に有
利であり、微粒子発生の抑制もエフ効果的に行なわ几る
。
っで導入さ几る事から膜厚、電気抵抗の均−性向上に有
利であり、微粒子発生の抑制もエフ効果的に行なわ几る
。
次に、第３の実施例のＳｉ気相エピタキシャル成長方法
における８ｉ工ピタキシヤル成長例を示す。
における８ｉ工ピタキシヤル成長例を示す。
基板ホルダー２８に直径１５０！■基板２７を７５枚、
８ｍ間隔で取り付け、ｌＱｒｐｍで回転させ、ノズル２
９−りＨｚ ｋ ４０ ｔ／ｍＩ で流し、反応管内温
度’１ｌｌｏｏ℃とした。伏いて、Ｈｚｆｉ量を２０ｔ
／−まで減じ、真空排気口２６エク真空排気することで
反応管内Ｗ’１２ｔｏｒｒとした。
８ｍ間隔で取り付け、ｌＱｒｐｍで回転させ、ノズル２
９−りＨｚ ｋ ４０ ｔ／ｍＩ で流し、反応管内温
度’１ｌｌｏｏ℃とした。伏いて、Ｈｚｆｉ量を２０ｔ
／−まで減じ、真空排気口２６エク真空排気することで
反応管内Ｗ’１２ｔｏｒｒとした。
その後ノズル３０工ｒ） Ｓ ｉＨ２Ｃ４１１／鱈、
ＨＣｔ１４／厘＋ ＢｚＨ６０，０１慣ｔ／調を流し、
反応管内部ｔ−２ｔｏｒｒに維持しなからＳｉのエピタ
キシャル成長を行なった。その結果、成長速度は０．６
μ？ＰＬ／ｓｉｌであり７５枚金工の基板での膜厚分布
は±３％以内、電気抵抗分布は±５％以内であった。ま
た、微粒子起因の欠陥も認められなかった。
ＨＣｔ１４／厘＋ ＢｚＨ６０，０１慣ｔ／調を流し、
反応管内部ｔ−２ｔｏｒｒに維持しなからＳｉのエピタ
キシャル成長を行なった。その結果、成長速度は０．６
μ？ＰＬ／ｓｉｌであり７５枚金工の基板での膜厚分布
は±３％以内、電気抵抗分布は±５％以内であった。ま
た、微粒子起因の欠陥も認められなかった。
なお、第１〜第３の実施例でに５ｉＨ２Ｃｔ２と混合す
るガスとしてＨＣｌ ’に用いたが、ｃｔ２ ｙ＜用
いても全く同様の結果を得之。さらに、５ｉＨ２Ｃｔ２
の代わジに、Ｓ ｉＨ４，Ｓ １ｎｃｚ、、 Ｓ ｉ
ＣＬ ４金用いても同様の結果が得られ九〇 し発明○効果〕 以上説明したように、本発明において、シラン糸ガスに
ＨＣｚあるいｄＣ１２ｆ混合し定ガスと水素ガスと上基
板近傍ブで、それぞれ別々に分離して供給することに；
ジ、同時ＶＣ複数枚の基板を使用し定場合においても、
基根間に膜厚や電気抵抗のバラツキのない状態で、微粒
子の発生に起因する欠陥のない８ｉエピタキシヤル膜七
低コストかつ量産性良く製造できる効果がある。
るガスとしてＨＣｌ ’に用いたが、ｃｔ２ ｙ＜用
いても全く同様の結果を得之。さらに、５ｉＨ２Ｃｔ２
の代わジに、Ｓ ｉＨ４，Ｓ １ｎｃｚ、、 Ｓ ｉ
ＣＬ ４金用いても同様の結果が得られ九〇 し発明○効果〕 以上説明したように、本発明において、シラン糸ガスに
ＨＣｚあるいｄＣ１２ｆ混合し定ガスと水素ガスと上基
板近傍ブで、それぞれ別々に分離して供給することに；
ジ、同時ＶＣ複数枚の基板を使用し定場合においても、
基根間に膜厚や電気抵抗のバラツキのない状態で、微粒
子の発生に起因する欠陥のない８ｉエピタキシヤル膜七
低コストかつ量産性良く製造できる効果がある。
近年、ＬＳＩの高集積化、微細化が進むに伴い、ＭＯ８
型素子にもＳｉエピタキシャル基板が用いられようとし
ており、通常の引き上げ技術で製造さ几るバルク基板と
比較して高品質であるエピタキシャル基板を低コスト、
高スルーブツトで製造できる本発明の工業的価値は甚大
である。
型素子にもＳｉエピタキシャル基板が用いられようとし
ており、通常の引き上げ技術で製造さ几るバルク基板と
比較して高品質であるエピタキシャル基板を低コスト、
高スルーブツトで製造できる本発明の工業的価値は甚大
である。
第１図に本発明の第１の実施例に用いるＳｉ気相エピタ
キシャル成長装置の縦断面図、第２図は本発明の第２の
実施例において使用する成長装置の縦断面図、第３図は
本発明の第３の実施例において使用する成長装置の縦断
面図である。第４図及び第５図にそれぞれ従来のＳｉ気
相エピタキシャル成長装置の縦断面図である。 １・・・・・・外管、２・・・・・・内管、３・−・・
・・細孔、４・・・・・・ガス導入口、５・・・・−・
ガス導入口、６・・・−・・基板、７・−・・・基板ホ
ルダー、８・・・・・・ノズル、９・・・・・・架台、
１０・・・・・・真空排気口、１１・・・・・・抵抗加
熱炉、１２・・・・・・外管、１３・・・・・・内管、
１４・・−・・・細孔、１５・−・・・−ガス導入口、
１６・・−・・・ガス導入口、１７・・・・・・基板、
１８・・・・・・基板ホルダー、１９・・・・・・ノズ
ル、２０・−・−架台、２１・・−・・・真空排気口、
２２・・・・・・抵抗加熱炉、２３・・・・−・外管、
２４・・・・・・内管、２５・・・・細孔、２６・・・
・・・真空排気口、２７・・・・・・基板、２８・−・
・・・基板ホルダー、２９・・・・・・ノズル、３０・
・・・・・ノズル、３１・・・・−・架台、３２・・・
・・・抵抗加熱炉、３３・・・・・・反応管、３４・・
−・・・赤外線加熱炉、３５・・・−・・基板、３６・
・・・・・サセプタ、３７・・・・・・排気口、３８・
・・・−・ノズル、３９・・・−熱雷対、４０・・・・
・・ガス導入口、４１・・・・・・反応管、４２・・・
・・・サセプタ、４３・−・・・・ノズル、４４・・−
・・・排気口、４５・・・・・・基板、４６・・・・−
高周波加熱炉。 豪１１ １５ｆＪ”ス導２＼ロ ヤ２て 不３面
キシャル成長装置の縦断面図、第２図は本発明の第２の
実施例において使用する成長装置の縦断面図、第３図は
本発明の第３の実施例において使用する成長装置の縦断
面図である。第４図及び第５図にそれぞれ従来のＳｉ気
相エピタキシャル成長装置の縦断面図である。 １・・・・・・外管、２・・・・・・内管、３・−・・
・・細孔、４・・・・・・ガス導入口、５・・・・−・
ガス導入口、６・・・−・・基板、７・−・・・基板ホ
ルダー、８・・・・・・ノズル、９・・・・・・架台、
１０・・・・・・真空排気口、１１・・・・・・抵抗加
熱炉、１２・・・・・・外管、１３・・・・・・内管、
１４・・−・・・細孔、１５・−・・・−ガス導入口、
１６・・−・・・ガス導入口、１７・・・・・・基板、
１８・・・・・・基板ホルダー、１９・・・・・・ノズ
ル、２０・−・−架台、２１・・−・・・真空排気口、
２２・・・・・・抵抗加熱炉、２３・・・・−・外管、
２４・・・・・・内管、２５・・・・細孔、２６・・・
・・・真空排気口、２７・・・・・・基板、２８・−・
・・・基板ホルダー、２９・・・・・・ノズル、３０・
・・・・・ノズル、３１・・・・−・架台、３２・・・
・・・抵抗加熱炉、３３・・・・・・反応管、３４・・
−・・・赤外線加熱炉、３５・・・−・・基板、３６・
・・・・・サセプタ、３７・・・・・・排気口、３８・
・・・−・ノズル、３９・・・−熱雷対、４０・・・・
・・ガス導入口、４１・・・・・・反応管、４２・・・
・・・サセプタ、４３・−・・・・ノズル、４４・・−
・・・排気口、４５・・・・・・基板、４６・・・・−
高周波加熱炉。 豪１１ １５ｆＪ”ス導２＼ロ ヤ２て 不３面
Claims (4)
- （１）シラン系ガスに塩化水素ガスあるいは塩素ガスを
混合したガスと、水素ガスとをシリコンを成長さすべき
基板の近傍まで、それぞれ別々に分離して供給すること
を特徴とするシリコン気相エピタキシャル成長方法。 - （２）前記混合したガスと、前記水素ガスとを前記基板
の近傍まで、それぞれ別々に分離して供給する方法は、
縦型抵抗加熱炉内に設置された反応管内に、複数枚のシ
リコン単結晶基板を任意の間隔をもたせて積み重ねるよ
うに水平に保持するシリコンの気相エピタキシャル成長
装置を用いて、前記混合ガスを前記基板近傍に開口部を
有するノズルにより供給し、前記水素ガスを別の流路よ
り前記反応管内に導入する方法である特許請求の範囲第
１項記載のシリコン気相エピタキシャル成長方法。 - （３）前記水素ガスを前記基板の近傍まで供給する方法
は、縦型抵抗加熱炉内に設置された反応管が、外管及び
壁面に均一に分布する細孔を有する円管とから成る２重
管構成であるエピタキシャル成長装置を用いて、該装置
の前記外管と前記内管との間隙及び前記内管の細孔を通
して前記水素ガスを前記基板の表面に供給する方法であ
る特許請求の範囲第（１）項記載のシリコン気相エピタ
キシャル成長方法。 - （４）前記混合したガスと、前記水素ガスとを、前記基
板の近傍まで、それぞれ別々に分離して供給する方法は
、縦型抵抗加熱炉内に設置された反応管内へ前記混合し
たガスを前記基板の近傍に開口部を有するノズルで供給
し、前記水素ガスを前記基板の近傍に開口部を有する別
のノズルを用いて供給する方法である特許請求の範囲第
（１）項記載のシリコン気相エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16720986A JPH0616495B2 (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | シリコン気相エピタキシヤル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16720986A JPH0616495B2 (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | シリコン気相エピタキシヤル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6321822A true JPS6321822A (ja) | 1988-01-29 |
| JPH0616495B2 JPH0616495B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=15845443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16720986A Expired - Lifetime JPH0616495B2 (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | シリコン気相エピタキシヤル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616495B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008155876A1 (ja) * | 2007-06-21 | 2008-12-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
-
1986
- 1986-07-15 JP JP16720986A patent/JPH0616495B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008155876A1 (ja) * | 2007-06-21 | 2008-12-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| US8361888B2 (en) | 2007-06-21 | 2013-01-29 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0616495B2 (ja) | 1994-03-02 |
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