JPH04223360A - 電子部品用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、周壁の少なくとも一部
を金属で形成した、高周波用半導体チップ等の電子部品
を収容する、高気密性、高熱放散性のパッケージに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】上記パッケージとして、信号線路、電源
線路用等の接続線路を備えたセラミック端子、またはセ
ラミック端子と接続線路用のリードとを、金属からなる
周壁に気密に封着してなる、パッケージがある。

【０００３】このパッケージでは、その周壁に、接続線
路を備えたセラミック端子を気密に封着するのに、次の
ようにしている。金属からなる周壁に、セラミック端子
封着用の溝状等をした嵌挿穴を透設して、その嵌挿穴に
、セラミック端子を、その周囲に備えためっきを施した
タングステン等からなるメタライズ層を介して、銀ろう
等を用いて気密にろう付けしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにして、セラミック端子をパッケージの周壁に透設
した嵌挿穴に封着した場合には、セラミック端子周囲に
めっきを施したメタライズ層を備える際に、多大な手数
と時間を要した。

【０００５】その理由は、セラミック端子周囲に備える
メタライズ層のうちの、セラミック端子の上下面のメタ
ライズ層は、セラミック端子焼成用のグリーンシートの
上下面にメタライズペーストをスクリーン印刷等により
塗布することにより比較的容易に形成可能であるが、セ
ラミック端子の左右面のメタライズ層は、セラミック端
子焼成用の複数枚積層したグリーンシートを裁断した後
に、そのグリーンシートの左右の裁断面等に、改めてメ
タライズペーストを塗布して焼成しなければならないか
らである。

【０００６】さらに、上記パッケージには、その周壁に
、セラミック端子の外に、接続線路用のリードをガラス
を介して気密に封着してなるパッケージがあり、そうし
たパッケージでは、リードをパッケージの周壁に気密に
ガラスを用いて封着する際のパッケージ周壁を晒す雰囲
気やその加熱温度が、セラミック端子をパッケージの周
壁にろう付けにより封着する際のパッケージ周壁を晒す
雰囲気やその加熱温度と大きく異なっていて、それらの
リードとセラミック端子のパッケージ周壁への封着作業
をそれぞれ別々に行う必要があり、その製造に多大な手
数を要した。

【０００７】本発明は、このような課題を解消した、金
属からなる周壁にセラミック端子、またはセラミック端
子とリードとを手数を掛けずに容易に封着可能な電子部
品用パッケージ（以下、パッケージという）を提供しよ
うとするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的のために、本発
明の第１のパッケージは、周壁の少なくとも一部を金属
で形成した電子部品用パッケージにおいて、前記金属か
らなる周壁を、ニッケル２〜１２重量％、銅１．５〜８
重量％を含み、残部がモリブデンおよび不可避的不純物
の組成の第１モリブデン基合金から形成して、その第１
モリブデン基合金から形成した周壁に設けた嵌挿穴内周
面にニッケル層またはコバルト層またはロジウム層など
のバリヤ層、鉄層、コバルト層を順次積層した状態に備
えると共に、前記鉄層からその直上の前記コバルト層に
拡散させた鉄を用いて、前記コバルト層表面に酸化膜を
形成し、その酸化膜を介して、前記嵌挿穴に周囲にセラ
ミック素地が露出したセラミック端子をホウケイ酸系ガ
ラスを用いて気密に封着したことを特徴としている。

【０００９】本発明の第２のパッケージは、周壁の少な
くとも一部を金属で形成した電子部品用パッケージにお
いて、前記金属からなる周壁を、ニッケル２〜１２重量
％、鉄１．５〜８重量％を含み、残部がモリブデンおよ
び不可避的不純物の組成の第２モリブデン基合金から形
成して、その第２モリブデン基合金から形成した周壁に
設けた嵌挿穴内周面にニッケル層またはコバルト層また
はロジウム層などのバリヤ層、鉄層、コバルト層を順次
積層した状態に備えると共に、前記鉄層からその直上の
前記コバルト層に拡散させた鉄を用いて、前記コバルト
層表面に酸化膜を形成し、その酸化膜を介して、前記嵌
挿穴に周囲にセラミック素地が露出したセラミック端子
をホウケイ酸系ガラスを用いて気密に封着したことを特
徴としている。

【００１０】本発明の第３のパッケージは、周壁の少な
くとも一部を金属で形成した電子部品用パッケージにお
いて、前記金属からなる周壁を、ニッケル２〜１２重量
％、鉄１．５〜８重量％、タングステン２〜１２重量％
を含み、残部がモリブデンおよび不可避的不純物の組成
の第３モリブデン基合金から形成して、その第３モリブ
デン基合金から形成した周壁に設けた嵌挿穴内周面にニ
ッケル層またはコバルト層またはロジウム層などのバリ
ヤ層、鉄層、コバルト層を順次積層した状態に備えると
共に、前記鉄層からその直上の前記コバルト層に拡散さ
せた鉄を用いて、前記コバルト層表面に酸化膜を形成し
、その酸化膜を介して、前記嵌挿穴に周囲にセラミック
素地が露出したセラミック端子をホウケイ酸系ガラスを
用いて気密に封着したことを特徴としている。

【００１１】本発明の第４のパッケージは、上記本発明
の第１、第２、第３のパッケージにおいて、その第１、
第２、第３モリブデン基合金のいずれかから形成した周
壁に嵌挿穴とは別に設けた挿通穴内周面に、ニッケル層
またはコバルト層またはロジウム層などのバリヤ層、鉄
層、コバルト層を順次積層した状態に備えると共に、前
記鉄層からその直上の前記コバルト層に拡散させた鉄を
用いて、前記コバルト層表面に酸化膜を形成し、その酸
化膜を介して、前記挿通穴に周囲に酸化膜を形成した鉄
−ニッケル−コバルト合金からなるリードをホウケイ酸
系ガラスを用いて気密に封着したことを特徴としている
。

【００１２】

【作用】上記構成の第１、第２、第３、第４のパッケー
ジにおいては、その第１、第２、第３モリブデン基合金
のいずれかから形成した周壁をアニール（加熱処理）等
して、その周壁に設けた嵌挿穴または挿通穴内周面に積
層した状態に備えた鉄層からその直上のコバルト層に鉄
を拡散させた際に、鉄層直下に備えたバリヤ層が、上記
周壁を形成している下地金属がバリヤ層を通してその上
方の鉄層やコバルト層に拡散するのを防ぐ。それと共に
、バリヤ層が、その直上の鉄層の鉄がバリヤ層を通して
その下方の第１、第２、第３モリブデン基合金のいずれ
かから形成した周壁の下地金属に拡散、消失するのを防
ぐ。

【００１３】また、パッケージ周壁をアニール等して鉄
層からその直上のコバルト層に鉄を拡散させた際に、そ
のコバルト層に拡散させた鉄がコバルト層表面周辺に鉄
合金を作ることとなって、コバルト層表面が酸化膜が形
成されやすい状態となる。次に、上記周壁をウエットガ
ス等を充満させた高温炉内等に入れる等して、コバルト
層表面に酸化膜を形成した際に、コバルト層が、その直
下の鉄層がウエットガス等に直接に触れるのを防ぐ。そ
のため、上記周壁を高温炉内に入れる等して、コバルト
層に拡散させた鉄を用いてコバルト層表面に酸化膜を形
成した際に、コバルト層表面に、密着性が悪くて脆いＦ
ｅ２　Ｏ３　やＦｅＯを主成分とする酸化膜が形成され
ずに、密着性が良くて頑強なスピネル型構造をしたＦｅ
３　Ｏ４　やＣｏＦｅ２　Ｏ４　等を主成分とする酸化
膜が形成される。

【００１４】また、パッケージ周壁をアニール等して、
鉄層からその直上のコバルト層に鉄を拡散させた際に、
鉄層が他の金属を含まないので、コバルト層に鉄が充分
に拡散し、次に、パッケージ周壁を高温炉内に入れる等
して、コバルト層に拡散させた鉄を用いてコバルト層表
面に酸化膜を形成した際に、コバルト層表面に密着性が
良くて頑強なスピネル型構造をしたＦｅ３　Ｏ４　やＣ
ｏＦｅ２　Ｏ４　等を主成分とする酸化膜が確実に形成
される。

【００１５】また、第１、第２、第３モリブデン基合金
のいずれかから形成したパッケージ周壁は、アルミナセ
ラミックなどからなるセラミック端子やホウケイ酸系ガ
ラスやコバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）からな
るリードに近似する熱膨張係数を持っている。それと共
に、ホウケイ酸系ガラスも、第１、第２、第３モリブデ
ン基合金のいずれかから形成したパッケージ周壁に近似
する熱膨張係数を持っている。そのため、上記嵌挿穴や
挿通穴にセラミック端子やリードをホウケイ酸系ガラス
を用いて封着した際に、その嵌挿穴または挿通穴に、そ
の内周面に備えたコバルト層表面に形成した密着性が良
くて頑強なＦｅ３　Ｏ４　やＣｏＦｅ２　Ｏ４　等を主
成分とする上記酸化膜を介して、セラミック端子やリー
ドが、マッチドシール法により、ホウケイ酸系ガラスを
介して気密性高く強固に封着される。

【００１６】

【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明する
。図１ないし図４は本発明の第１、第２、第３のパッケ
ージの好適な実施例を示し、図１はそれらのパッケージ
の斜視図、図２はそれらのパッケージのセラミック端子
周辺の拡大斜視図、図３はそれらのパッケージのセラミ
ック端子周辺の拡大側面断面図、図４はそれらのパッケ
ージのセラミック端子の封着工程説明図である。以下、
これらの図中の実施例を説明する。

【００１７】図において、１０は、その周壁１２全体を
金属で形成してなる、メタルウオールタイプのパッケー
ジである。

【００１８】第１のパッケージでは、その周壁１２を形
成している金属に、ニッケル２〜１２重量％、銅１．５
〜８重量％を含み、残部がモリブデンおよび不可避的不
純物の組成の第１モリブデン基合金を用いている。

【００１９】この第１モリブデン基合金は、近時開発さ
れたもので、その詳細は特願平２−２３２７９２号明細
書に記載されている。この第１モリブデン基合金は、そ
の熱膨張係数が４．６〜８．３×１０−６／℃前後と、
ホウケイ酸系ガラスの熱膨張係数の４．８×１０−６／
℃に近く、その熱伝導率が０．４５ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅ
ｃ・℃と高い。また、その引張強さが約８０ｋｇ／ｍｍ
２　以上あり、その比重が約１０であって、この合金を
用いてパッケージ周壁１２を形成すれば、その周壁１２
を薄肉軽量化できる。この第１モリブデン基合金に含ま
れるニッケルおよび銅は、第１モリブデン基合金の焼結
時に、１２９０〜１３８０℃で結合して液相を形成し、
第１モリブデン基合金の引張強さと伸びを向上させる。 この第１モリブデン基合金においては、ニッケルの含有
量が２重量％未満、銅の含有量が１．５重量％未満であ
ると、上記液相発生量が不足して、その引張強さと伸び
が低下し、ニッケルの含有量が１２重量％を越え、銅の
含有量が８重量％を越えると、その熱膨張係数が急激に
増大してシリコンからなる半導体素子等の熱膨張係数か
ら大幅に離隔してしまうため、ニッケルおよび銅の含有
量を上記のように規制している。

【００２０】第２のパッケージ１０では、その周壁１２
を形成している金属に、ニッケル２〜１２重量％、鉄１
．５〜８重量％を含み、残部がモリブデンおよび不可避
的不純物の組成の第２モリブデン基合金を用いている。

【００２１】この第２モリブデン基合金は、近時開発さ
れたもので、その詳細は特願平２−２３２７９１号明細
書に記載されている。この第２モリブデン基合金は、そ
の熱膨張係数が４．５〜８．２×１０−６／℃前後と、
ホウケイ酸系ガラスの熱膨張係数の４．８×１０−６／
℃に近く、その熱伝導率が０．４５ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅ
ｃ・℃と高い。また、その引張強さが約８０ｋｇ／ｍｍ
２　以上あり、その比重が約１０であって、この合金を
用いてパッケージ周壁１２を形成すれば、その周壁１２
を薄肉軽量化できる。この第２モリブデン基合金に含ま
れるニッケルおよび鉄は、第２モリブデン基合金の焼結
時に、１４３０℃で結合して液相を形成し、第２モリブ
デン基合金の引張強さと伸びを向上させる。この第２モ
リブデン基合金においては、ニッケルの含有量が２重量
％未満、鉄の含有量が１．５重量％未満であると、上記
液相発生量が不足して、その引張強さと伸びが低下し、
ニッケルの含有量が１２重量％を越え、鉄の含有量が８
重量％を越えると、その熱膨張係数が急激に増大してシ
リコンからなる半導体素子等の熱膨張係数から大幅に離
隔してしまうため、ニッケルおよび鉄の含有量を上記の
ように規制している。

【００２２】第３のパッケージ１０では、その周壁１２
を形成している金属に、ニッケル２〜１２重量％、鉄１
．５〜８重量％、タングステン２〜１２重量％を含み、
残部がモリブデンおよび不可避的不純物の組成の第３モ
リブデン基合金を用いている。

【００２３】この第３モリブデン基合金は、近時開発さ
れたもので、その詳細は特願平２−２３２７９１号明細
書に記載されている。この第３モリブデン基合金は、そ
の熱膨張係数が７．２〜７．３×１０−６／℃前後と、
ホウケイ酸系ガラスの熱膨張係数の４．８×１０−６／
℃に近く、その熱伝導率が０．４５ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅ
ｃ・℃と高い。また、その引張強さが約８０ｋｇ／ｍｍ
２　以上あり、その比重が約１０であって、この合金を
用いてパッケージ周壁１２を形成すれば、その周壁１２
を薄肉軽量化できる。この第３モリブデン基合金に含ま
れるニッケルおよび鉄は、前述の第２モリブデン基合金
と同様に、第３モリブデン基合金の引張強さと伸びを向
上させる。この第３モリブデン基合金においては、前述
の第２モリブデン基合金と同様な理由により、ニッケル
および鉄の含有量を上記のように規制している。この第
３モリブデン基合金において、タングステンを２〜１２
重量％含有させているのは、タングステンが第３モリブ
デン基合金の引張強さと伸びをさらに向上させるからで
ある。 また、タングステンの含有量を上記のように規制してい
るのは、タングステンの含有量が２重量％未満であった
り、１２重量％を越えると、タングステンが第３モリブ
デン基合金の引張強さと伸びを向上させなくなるからで
ある。

【００２４】これらの第１、第２、第３モリブデン基合
金のいずれかからなるパッケージ周壁１２は、粉末成形
法により直接に形成したり、その粉末成形法により形成
した第１、第２、第３モリブデン基合金のブロックを切
削加工して形成したりして、手数を掛けずに容易に形成
可能である。

【００２５】これらの第１、第２、第３モリブデン基合
金のいずれかから形成したパッケージ周壁１２には、ほ
ぼ方形状をした嵌挿穴２０を透設している。

【００２６】嵌挿穴２０内周面を含むパッケージ周壁１
２表面には、図３に示したように、ニッケルめっき層ま
たはコバルトめっき層またはロジウムめっき層などから
なるバリヤ層３０、鉄めっき層からなる鉄層３２、コバ
ルトめっき層からなるコバルト層３４を、順次積層した
状態に備えている。なお、これらのバリヤ層３０、鉄層
３２、コバルト層３４は、スパッタリング、ＣＶＤ（気
相成長法）などにより備えても良い。また、バリヤ層３
０は、ニッケル−コバルト合金等から形成しても良い。

【００２７】コバルト層３４には、その直下の鉄層３２
から鉄を拡散させて、そのコバルト層３４に拡散させた
鉄を用いて、コバルト層３４表面に密着性が良くて頑強
なスピネル型構造をしたＦｅ３　Ｏ４　やＣｏＦｅ２　
Ｏ４　等を主成分とするガラスに濡れやすい酸化膜４０
を形成している。

【００２８】嵌挿穴２０には、その内周面に備えたコバ
ルト層３４表面に形成した上記酸化膜４０を介して、周
囲にメタライズ層が備えられずにセラミック素地が露出
したセラミック端子５０であって、タングステンメタラ
イズ等からなる接続線路５２を備えたセラミック端子５
０を、マッチドシール法により、ホウケイ酸系ガラス６
０を用いて気密に封着している。ここで、マッチドシー
ル法とは、嵌挿穴２０を設けたパッケージ周壁１２とセ
ラミック端子５０とを、それぞれ熱膨張係数の近似する
部材から形成して、嵌挿穴２０にセラミック端子５０を
、それらと熱膨張係数の近似するホウケイ酸系ガラス６
０を用いて、気密に封着する方法をいう。ちなみに、パ
ッケージ周壁１２を形成している第１、第２、第３モリ
ブデン基合金の熱膨張係数はいずれも４．５〜８．３×
１０−６／℃の範囲内にあって、セラミック端子５０を
形成している例えばアルミナセラミックの熱膨張係数の
７×１０−６／℃やホウケイ酸系ガラス６０の熱膨張係
数の４．８×１０−６／℃に近似している。

【００２９】以下に、このセラミック端子５０の封着工
程例を詳述する。前述第１、第２、第３モリブデン基合
金のいずれかから形成したパッケージ周壁１２を、約９
００℃の高温炉内に約３０分間入れて、アニール（加熱
処理）している。そして、嵌挿穴２０内周面に順次積層
した状態に備えたバリヤ層３０、鉄層３２、コバルト層
３４のうちの、鉄層３２からその直上のコバルト層３４
に鉄を拡散させている。次に、パッケージ周壁１２をウ
エットガスを充満させた高温炉内に入れて、コバルト層
３４に拡散させた鉄を用いて、コバルト層３４表面にＦ
ｅ３　Ｏ４　やＣｏＦｅ２　Ｏ４　等を主成分とする酸
化膜４０を形成している。また、図４に示したように、
嵌挿穴２０の形状に合わせて、方形リング状等をしたホ
ウケイ酸系ガラス６０からなるタブレット６２を仮焼結
形成している。次に、嵌挿穴２０に、周囲にセラミック
素地が露出しているセラミック端子５０を嵌入している
と共に、そのセラミック端子５０周囲と嵌挿穴２０内周
面との間に、上記タブレット６２を挿入している。そし
て、それらのパッケージ周壁１２、セラミック端子５０
、タブレット６２を共に約１０００℃に加熱して、タブ
レット６２を溶融させた後、そのタブレット６２を冷却
、固化させている。その際には、パッケージ周壁１２、
セラミック端子５０、タブレット６２を共にカーボン治
具（図示せず）内に入れて、それらをカーボン治具内に
位置決め保持している。そして、図２および図３に示し
たように、嵌挿穴２０に、その内周面のコバルト層３４
表面に形成した酸化膜４０を介して、周囲にセラミック
素地が露出したセラミック端子５０を、ホウケイ酸系ガ
ラス６０を用いて気密に封着している。なお、セラミッ
クはガラスに濡れやすく、上記セラミック端子５０周囲
に露出しているセラミック素地にホウケイ酸系ガラス６
０を直接に気密に接合することは容易である。

【００３０】図１ないし図３に示した第１、第２、第３
のパッケージは、それぞれ以上のように構成している。

【００３１】図５ないし図７は本発明の第４のパッケー
ジの好適な実施例を示し、図５はその斜視図、図６はそ
のリード周辺の拡大側面断面図、図７はそのリードの封
着工程説明図である。以下、この図中の実施例を説明す
る。

【００３２】図のパッケージ１０ａでは、前述と同様な
第１、第２、第３のパッケージ１０において、それらの
パッケージの第１、第２、第３モリブデン基合金のいず
れかから形成した周壁１２ａに、前記嵌挿穴２０とは別
に、円形状等をした挿通穴２２を透設している。

【００３３】挿通穴２２には、図６に示したように、前
述の嵌挿穴２０内周面に備えたものと同様な、バリヤ層
３０、鉄層３２、コバルト層３４を順次積層した状態に
備えている。そして、前述と同様にして、鉄層３２から
その直上のコバルト層３４に鉄を拡散させて、そのコバ
ルト層３４に拡散させた鉄を用いて、コバルト層３４表
面にスピネル型構造をしたＦｅ３　Ｏ４　やＣｏＦｅ２
　Ｏ４　等を主成分とするガラスに濡れやすい酸化膜４
０を形成している。

【００３４】また、コバール（鉄−ニッケル−コバルト
合金）からなる線状をしたリード７０を設けて、そのリ
ード７０をウエットガスを充満させた高温炉内に入れて
、リード７０周囲に、密着性が良くて頑強なスピネル型
構造をしたＦｅ３　Ｏ４　やＣｏＦｅ２　Ｏ４　等を主
成分とする酸化膜４２を形成している。この酸化膜４２
は、リード７０を晒す上記ウエットガスやその加熱温度
等を調整することにより、リード７０周囲に容易に形成
可能である。

【００３５】挿通穴２２には、図５および図６に示した
ように、その内周面に備えたコバルト層３４表面に形成
した酸化膜４０とリード７０周囲に形成した上記酸化膜
４２とを介して、リード７０を、マッチドシール法によ
り、挿通穴２２に挿通した状態で、ホウケイ酸系ガラス
６０を用いて気密に封着している。ここで、マッチドシ
ール法とは、前述と同様に、挿通穴２２を設けたパッケ
ージ周壁１２ａとリード７０とを、それぞれ熱膨張係数
の近似する部材から形成して、挿通穴２２にリード７０
を、それらと熱膨張係数の近似するホウケイ酸系ガラス
６０を用いて気密に封着する方法をいう。ちなみに、コ
バールおよびホウケイ酸系ガラス６０は、その熱膨張係
数がそれぞれ４．８×１０−６／℃であって、パッケー
ジ周壁１２ａを形成している第１、第２、第３モリブデ
ン基合金の熱膨張係数の４．５〜８．３×１０−６／℃
に近似している。

【００３６】以下に、このリード７０の封着工程例を詳
述する。図７に示したように、挿通穴２２の形状に合わ
せて、円形リング状等をしたホウケイ酸系ガラス６０か
らなるタブレット６４を仮焼結形成している。そして、
そのタブレット６４を挿通穴２２に嵌入していると共に
、タブレット６４内側に周囲に酸化膜４２を形成したリ
ード７０を挿通している。次に、それらのパッケージ周
壁１２ａ、リード７０、タブレット６４を共に約１００
０℃に加熱して、上記タブレット６４を溶融させた後、
冷却、固化させている。その際には、パッケージ周壁１
２ａ、タブレット６４、リード７０を共にカーボン治具
（図示せず）内に入れて、それらをカーボン治具内に位
置決め保持している。そして、図５および図６に示した
ように、挿通穴２２にリード７０を、ホウケイ酸系ガラ
ス６０を用いて気密に封着している。

【００３７】その他は、前述第１、第２、第３のパッケ
ージ１０と同様に構成していて、その同一部材には、同
一符号を付し、その説明を省略する。

【００３８】これらのパッケージ１０ａでは、前述第１
、第２、第３のパッケージ１０の場合と同様にして、そ
の周壁の嵌挿穴２０にセラミック端子５０をホウケイ酸
系ガラス６０を用いて封着する際に、同時に、その周壁
の挿通穴２２にホウケイ酸系ガラス６０を用いてリード
７０を封着することができる。これは、セラミック端子
５０とリード７０とをそれぞれパッケージ周壁の嵌挿穴
２０と挿通穴２２とに、融点等の異なるろう材とガラス
とでなく、同じホウケイ酸系ガラス６０を用いて封着し
ているからであって、パッケージ周壁１２ａ、セラミッ
ク端子５０、リード７０、ホウケイ酸系ガラス６０から
なるタブレット６２，６４を、同じカーボン治具内に位
置決め保持して、それらをカーボン治具と共に約１００
０℃に加熱された高温炉内等に入れ、同一雰囲気中で、
パッケージ周壁の嵌挿穴２０と挿通穴２２とにセラミッ
ク端子５０とリード７０とをそれぞれホウケイ酸系ガラ
ス６０を介して同時に封着可能なためである。

【００３９】なお、図のパッケージ１０，１０ａでは、
いずれもその周壁１２，１２ａ全体を第１、第２、第３
モリブデン基合金のいずれかから形成しているが、本発
明は、セラミック端子５０、リード７０を封着する必要
のない、その側壁の一部、底壁等を金属でないセラミッ
ク等から形成しているパッケージにも利用可能である。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１、第
２、第３のパッケージによれば、多大な手数と時間をか
けて、セラミック端子周囲にメタライズ層を備えること
なく、周囲にセラミック素地が露出したセラミック端子
を、それらのパッケージの第１、第２、第３モリブデン
基合金のいずれかから形成した周壁に、ホウケイ酸系ガ
ラスを用いて容易かつ迅速に気密に封着できる。

【００４１】本発明の第４のパッケージによれば、パッ
ケージ周壁を同一温度に加熱する等して、同一雰囲気中
で、その周壁の嵌挿穴と挿通穴とにそれぞれセラミック
端子とリードとを、同時に、ホウケイ酸系ガラスを介し
て手数をかけずに容易かつ迅速に封着できる。

【００４２】そのため、本発明の第１、第２、第３、第
４のパッケージによれば、その周壁にセラミック端子、
またはセラミック端子とリードとを手数をかけずに容易
かつ迅速に気密に封着可能なパッケージを提供できる。

【００４３】また、パッケージ周壁を高熱伝導性の第１
、第２、第３モリブデン基合金のいずれかを用いて形成
しているので、近時の高集積化した半導体素子などの電
子部品を収容可能な、高熱放散性のパッケージを提供で
きる。

【００４４】また、パッケージ周壁を、アルミナセラミ
ックなどからなるセラミック端子、コバールからなるリ
ードの熱膨張率に近い、低熱膨張率の第１、第２、第３
モリブデン基合金のいずれかを用いて形成しているので
、その周壁の嵌挿穴や挿通穴にセラミック端子やリード
を、マッチドシール法により、高耐熱気密性を持たせて
封着して、高信頼性のパッケージを提供できる。

【００４５】また、パッケージ周壁を、機械的強度が高
く比重の小さい第１、第２、第３モリブデン基合金のい
ずれかを用いて形成しているので、その周壁を薄肉化し
て、小型軽量化してなるパッケージを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１、第２、第３のパッケージの斜視
図である。

【図２】本発明の第１、第２、第３のパッケージのセラ
ミック端子周辺の拡大斜視図である。

【図３】本発明の第１、第２、第３のパッケージのセラ
ミック端子周辺の拡大側面断面図である。

【図４】本発明の第１、第２、第３のパッケージのセラ
ミック端子の封着工程説明図である。

【図５】本発明の第４のパッケージの斜視図である。

【図６】本発明の第４のパッケージのリード周辺の拡大
側面断面図である。

【図７】本発明の第４のパッケージのリードの封着工程
説明図である。

【符号の説明】

１０　　パッケージ １０ａ　　パッケージ １２　　周壁 １２ａ　　周壁 ２０　　嵌挿穴 ２２　　挿通穴 ３０　　バリヤ層 ３２　　鉄層 ３４　　コバルト層 ４０　　酸化膜 ４２　　酸化膜 ５０　　セラミック端子 ６０　　ホウケイ酸系ガラス ７０　　リード

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　周壁の少なくとも一部を金属で形成し
   た電子部品用パッケージにおいて、前記金属からなる周
   壁を、ニッケル２〜１２重量％、銅１．５〜８重量％を
   含み、残部がモリブデンおよび不可避的不純物の組成の
   第１モリブデン基合金から形成して、その第１モリブデ
   ン基合金から形成した周壁に設けた嵌挿穴内周面にニッ
   ケル層またはコバルト層またはロジウム層などのバリヤ
   層、鉄層、コバルト層を順次積層した状態に備えると共
   に、前記鉄層からその直上の前記コバルト層に拡散させ
   た鉄を用いて、前記コバルト層表面に酸化膜を形成し、
   その酸化膜を介して、前記嵌挿穴に周囲にセラミック素
   地が露出したセラミック端子をホウケイ酸系ガラスを用
   いて気密に封着したことを特徴とする電子部品用パッケ
   ージ。
2. 【請求項２】　　周壁の少なくとも一部を金属で形成し
   た電子部品用パッケージにおいて、前記金属からなる周
   壁を、ニッケル２〜１２重量％、鉄１．５〜８重量％を
   含み、残部がモリブデンおよび不可避的不純物の組成の
   第２モリブデン基合金から形成して、その第２モリブデ
   ン基合金から形成した周壁に設けた嵌挿穴内周面にニッ
   ケル層またはコバルト層またはロジウム層などのバリヤ
   層、鉄層、コバルト層を順次積層した状態に備えると共
   に、前記鉄層からその直上の前記コバルト層に拡散させ
   た鉄を用いて、前記コバルト層表面に酸化膜を形成し、
   その酸化膜を介して、前記嵌挿穴に周囲にセラミック素
   地が露出したセラミック端子をホウケイ酸系ガラスを用
   いて気密に封着したことを特徴とする電子部品用パッケ
   ージ。
3. 【請求項３】　　周壁の少なくとも一部を金属で形成し
   た電子部品用パッケージにおいて、前記金属からなる周
   壁を、ニッケル２〜１２重量％、鉄１．５〜８重量％、
   タングステン２〜１２重量％を含み、残部がモリブデン
   および不可避的不純物の組成の第３モリブデン基合金か
   ら形成して、その第３モリブデン基合金から形成した周
   壁に設けた嵌挿穴内周面にニッケル層またはコバルト層
   またはロジウム層などのバリヤ層、鉄層、コバルト層を
   順次積層した状態に備えると共に、前記鉄層からその直
   上の前記コバルト層に拡散させた鉄を用いて、前記コバ
   ルト層表面に酸化膜を形成し、その酸化膜を介して、前
   記嵌挿穴に周囲にセラミック素地が露出したセラミック
   端子をホウケイ酸系ガラスを用いて気密に封着したこと
   を特徴とする電子部品用パッケージ。
4. 【請求項４】　　請求項１、２または３記載の電子部品
   用パッケージにおいて、その第１、第２、第３モリブデ
   ン基合金のいずれかから形成した周壁に嵌挿穴とは別に
   設けた挿通穴内周面に、ニッケル層またはコバルト層ま
   たはロジウム層などのバリヤ層、鉄層、コバルト層を順
   次積層した状態に備えると共に、前記鉄層からその直上
   の前記コバルト層に拡散させた鉄を用いて、前記コバル
   ト層表面に酸化膜を形成し、その酸化膜を介して、前記
   挿通穴に周囲に酸化膜を形成した鉄−ニッケル−コバル
   ト合金からなるリードをホウケイ酸系ガラスを用いて気
   密に封着したことを特徴とする電子部品用パッケージ。