JPH0414247A - 電子部品用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、高集積化した半導体チップ等の電子部品を収
容するパッケージ、特にその周壁を金属で形成した、高
気密性、高熱放熱性のメタルパッケージに関する。

［従来の技術］ 上記パッケージとして、その金属からなる周壁に、タン
グステン等のメタライズからなる信号線路や電源線路等
の入出力用線路を備えた高絶縁性のセラミックからなる
セラミック端子を気密にろう付けしてなるパッケージが
ある。

このパッケージでは、上記セラミック端子をろう付けす
るのに、次のようにしている。

セラミック端子周囲に、連続するタングステン等からな
るメタライズ層であって、その表面にニッケルめっき等
のめっきを施したメタライズ層を備えて、そのメタライ
ズ層を介して、セラミック端子をパッケージの周壁に設
けた嵌挿穴に銀ろう等を用いて気密にろう付けしている
。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記のようにして、セラミック端子をパ
ッケージの周壁の嵌挿穴にろう付けした場合には、セラ
ミック端子周囲に上記のようなメタライズ層を備えなけ
ればならず、そのための多大な手数と時間を要した。

その理由は、セラミック端子周囲に備えるメタライズ層
のうち、セラミック端子の上下面に備えるメタライズ層
は、セラミック端子焼成用の複数枚積層したセラミック
グリーンノートの上下面にメタライズ層形成用のペース
トをスクリーン印刷等により塗布することにより比較的
容易に焼成可能であるが、セラミック端子の前後面のメ
タライズ層は、セラミック端子焼成用の複数枚積層した
セラミ、フグリーンシートを切り離した後に、そのセラ
ミックグリーンシートの切り離した前後面に、改めてメ
タライズ層形成用のペーストを塗布して焼成しなければ
ならないからである。

さらに、上記パッケージには、その金属からなる周壁に
、セラミンク端子の外に、入出力用線路のリードをガラ
スを用いて気密に封着してなるパッケージかあり、そう
したパッケージでは、その周壁へのリードの封着作業と
セラミック端子のろう付は作業をそれぞれ別々に行う必
要があって、多大な手数を要した。これは、リード封着
の際とセラミック端子ろう付けの際にパッケージの周壁
を晒す雰囲気やその加熱温度か、それぞれ大きく異なっ
ているからである。

本発明は、このような課題を解消した、金属からなる周
壁にセラミック端子、またはセラミ・７り端子とリード
とを手数を掛けずに容易に気密に封着可能なパッケージ
を提供しようとするものである。

［課題を解決するための手段］ 上記目的のために、本発明の第１のパッケージは、周壁
を鉄または鉄を主成分とする合金で形成したパッケージ
において、その周壁の嵌挿穴に、その内周面に形成した
酸化被膜を介して、周囲にセラミックが露出しているセ
ラミック端子をガラスを用いて気密に封着してなること
を特徴としている。

または、それに加えて、上記鉄または鉄を主成分とする
合金で形成した周壁の嵌挿穴とは別の挿通穴に、その内
周面に形成した酸化被膜を介して、周囲に酸化被膜を形
成した鉄を主成分とする合金からなるリードをガラスを
用いて気密に封着してなることを特徴としている。

本発明の第２のパッケージは、周壁をニッケル３．５〜
１２重量％、銅１．５〜８重量％、残りがタングステン
と不可避不純物の組成の第１タングステン基焼結合金で
形成したパッケージにおいて、その周壁の嵌挿穴内周面
にニッケル層またはコバルト層またはロジウム層などの
バリヤ層、鉄層、コバルト層を順次備えて、そのコバル
ト層にその直下の鉄層から拡散させた鉄を用いて、コバ
ルト層表面に酸化被膜を形成すると共に、前記嵌挿穴に
、その内周面のコバルト層表面の前記酸化被膜を介して
、周囲にセラミックが露出しているセラミック端子をガ
ラスを用いて気密に封着してなることを特徴としている
。

または、それに加えて、上記第１タングステン基焼結合
金で形成した周壁の嵌挿穴とは別の挿通穴内周面にニッ
ケル層またはコバルト層またはロジウム層などのバリヤ
層、鉄層、コバルト層を順次備えて、そのコバルト層に
その直下の鉄層から拡散させた鉄を用いて、コバルト層
表面に酸化被膜を形成すると共に、前記挿通穴に、その
内周面のコバルト層表面の前記酸化被膜を介して、周囲
に酸化被膜を形成した鉄を主成分とする合金からなるリ
ードをガラスを用いて気密に封着してなることを特徴と
している。

本発明の第３のパッケージは、上記構成の第２のパッケ
ージにおいて、その周壁を、第１タングステン基焼結合
金に代えて、二・ノケル３．５〜１２重量％、鉄１．５
〜８重量％、残りがタングステンと不可避不純物の組成
の第２タングステン基焼結合金で形成したことを特徴と
している。

本発明の第４のパッケージは、上記構成の第２のパッケ
ージにおいて、その周壁を、第１タングステン基焼結合
金に代えて、ニッケル３．５〜１２重量％、鉄１．５〜
８重量％、モリブデン３゜５〜１２重量％、残りがタン
グステンと不可避不純物の組成の第３タングステン基焼
結合金で形成したことを特徴としている。

本発明の第５のパッケージは、上記構成の第２のパッケ
ージにおいて、その周壁を、第１タングステン基焼結合
金に代えて、焼結させたタングステンまたはモリブデン
に銅を含浸させてなる銅合金（以下、銅合金という）で
形成したことを特徴としている。

［作用］ セラミックは、ガラスと直接に接合可能である。

そのため、上記構成の第１のパッケージにおいては、そ
の鉄や鉄を主成分とする合金からなる周壁や鉄を主成分
とする合金からなるリードに含まれる鉄やコバルト等を
用いて、周壁の嵌挿穴や挿通穴内周面とリード周囲とに
密着性の良いＦｅ。

０４やＣｏＦｅ、Ｏ，等を主成分とするガラスに濡れや
すい酸化被膜を形成することにより、上記嵌挿穴や挿通
穴に、その内周面の上記酸化被膜を介して、周囲にメタ
ライズ層を備えずにセラミ・ツクが露出しているセラミ
ック端子や、周囲に上記酸化被膜を形成したリードが、
ガラスにより気密性高く強固に封着される。

また、上記構成の第２、第３、第４、第５の／　ｚＨ、
ケージにおいては、その周壁の嵌挿穴内周面や挿通穴内
周面のコバルト層にその直下の鉄層から拡散させた鉄を
用いて、コバルト層表面に密着性の良いＦｅ３０ａやＣ
ｏＦｅ、Ｏ，等を主成分とするガラスに濡れやすい酸化
被膜を形成したり、鉄を主成分とする合金からなるリー
ドに含まれる鉄やコバルト等を用いて、リード周囲に密
着性の良いＦｅ３Ｏ４やＣｏＦｅｚ○４等を主成分とす
るガラスに濡れやすい酸化被膜を形成したりすることに
より、上記嵌挿穴や挿通穴に、その内周面のコノ・ルト
層表面の上記酸化被膜を介して、周囲にセラミックが露
出しているセラミック端子や、周囲に上記酸化被膜を形
成したリードが、ガラスにより気密性高く強固に封着さ
れる。

また、上記構成の第２、第３、第４、第５のパッケージ
においては、その周壁をアニール（加熱処理）等して、
周壁の嵌挿穴や挿通穴内周面に備えたコバルト層にその
直下の鉄層から鉄を拡散させた際に、バリヤ層が、周壁
を形成している下地金属かバリヤ層上方の鉄層やコバル
ト層に拡散するのを防ぐ。それと共に、バリヤ層が、そ
の直上の鉄めっき層から鉄が周壁を形成している下地金
属に拡散、消失するのを防ぐ。さらに、鉄層が他の金属
を含んでいないので、鉄層からその直上のコバルト層に
鉄のみか十分に拡散する。

そして、周壁をアニール等してコバルト層にその直下の
鉄層から鉄を拡散させた際に、そのコバルト層に鉄が十
分に拡散して、その鉄がコバルト層表面周辺に鉄合金を
的確に作って、コバルト層表面が良好な酸化被膜が形成
されやすい状態となる。

そのため、その後、周壁をウェットガスを充満させた高
温炉内等に入れて、コバルト層に拡散させた上記鉄を用
いて、コバルト層表面に酸化被膜を形成した際に、コバ
ルト層表面に密着性が悪くて脆いＦｅ、０３やＦｅＯを
主成分とする酸化被膜が形成されずに、コバルト層表面
に密着性が良くて頑強なスピネル型構造をしたＦｅ、０
４やＣｏＦｅ、０４等を主成分とする酸化被膜が確実に
形成される。それと共に、鉄層直上を覆うコバルト層に
より、鉄層が上記ウェットガスに直接に触れて鉄層表面
に密着性の悪い脆弱なＦｅ、、０３やＦｅＯ等の酸化被
膜が形成されるのか防止される。

鉄を主成分とする合金の例えば鉄−ニッケルコバルト合
金の熱膨張係数は４．８Ｘ１０−＠／°Ｃであり、第１
、第２、第３タングステン基焼結合金の熱膨張係数は４
．４〜６．　　ＯＸ　１０−６／℃であり、銅合金の熱
膨張係数は６．０〜７．２ＸＩＯ−８／’Ｃであり、他
方、ホウケイ酸系ガラスの熱膨張係数は４．８　Ｘ　１
０−’／’Ｃであり、アルミナセラミックの熱膨張係数
は６．　７　Ｘ　１０−＠／’Ｃであり、近時多く用い
られるようになったムライトセラミックや窒化セラミッ
クの熱膨張係数は約４゜６　Ｘ　１０−’／’Ｃであり
、ガラスアルミナ複合セラミックの熱膨張係数は約５　
Ｘ　１０−”／’Ｃであって、それらの熱膨張係数は、
互いに近似している。

そのため、前記構成の第１、第２、第３、第４、第５の
パッケージの周壁を、上記鉄を主成分とする合金や第１
、第２、第３タングステン基焼結合金や銅合金で形成し
て、その周壁の嵌挿穴や挿通穴に、セラミックからなる
セラミック端子や上記鉄を主成分とする合金からなるリ
ードを、ホウケイ酸系ガラスを用いて封着してなるパッ
ケージにあっては、セラミック端子やリードを上記嵌挿
穴や挿通穴にガラスを用いて封着した際に、それらの間
に過大な熱応力が働いて、セラミック端子自体またはセ
ラミック端子やリード封着用のガラスにクラックが生じ
たり、それらの間に隙間が生じたりすることなく、セラ
ミック端子やリードが上記嵌挿穴や挿通穴にガラスによ
り気密性高く封着される。

［実施例］ 次に、本発明の実施例を図面に従い説明する。

第１図ないし第３図は本発明の第１のパッケージの好適
な実施例を示し、第１図はその斜視図、第２図はそのセ
ラミック端子周辺の拡大斜視図、第３図はそのセラミッ
ク端子周辺の拡大側面断面図である。以下、この図中の
実施例を説明する。

図のパッケージ１０は、その周壁１２を、鉄または鉄を
主成分とする合金の鉄−ニノケル−コバルト合金（コバ
ール）や鉄−ニッケル合金（４２アロイ）などで形成し
ている。

周壁１２には、方形状をした嵌挿穴１４を透設している
。

嵌挿穴１４内周面を含む周壁１２表面には、周壁１２に
含まれる鉄やコバルト等を用いて、第３図に示したよう
に、密着性が良くて頑強なスピネル型構造をしたＦｅ３
Ｏ４やＣｏＦｅ、０４等を主成分とするガラスに濡れや
すい酸化被膜２０を形成している。この酸化被膜２０は
、例えば周壁１２をウェットガスを充満させた高温炉内
に所定時間入れることにより、形成している。その際に
は、上記ウェットガスや高温炉内の温度等を適宜調整し
て、嵌挿穴１４内周面に上記酸化被膜２０か的確に形成
されるようにしている。なお、酸化被膜２０は、ガラス
との接合面となる上記嵌挿穴１４内周面のみに形成して
も良い。

嵌挿穴１４には、第３図に示したように、その内周面の
上記酸化被膜２０を介して、周囲にセラミックか露出し
ているセラミック端子３０を、ソーダバリウム系ガラス
、ホウケイ酸系ガラス等のガラス４０を用いて気密に封
着している。

セラミック端子３０は、第４図（Ｃ）に示したように、
セラミックからなる長矩形ブロック３２と、そのブロッ
ク表面中央の縦方向に備えたメタライズからなる入出力
用線路３４と、その線路中途部を含む上記長矩形ブロッ
ク３２表面中途部を横方向に一体に覆うセラミックから
なる短矩形ブロック３６とから形成している。

このセラミック端子３０は、次のようにして、第４図（
ａ）に示したような、パッケージの周壁１２の嵌挿穴１
４に封着している。

上記嵌挿穴１４に挿入可能な、第４図（ｂ）に示したよ
うな、ガラス４０を方形リング状に仮焼結してなるタブ
レット４２を形成している。そして、第４図（Ｃ）に示
したような、周囲にセラミックが露出しているセラミッ
ク端子３０を、上記嵌挿穴１４に嵌入していると共に、
セラミック端子３０周囲と嵌挿穴１４内周面との間に上
記タブレット４２を挿入している。そして、それらを約
１０００°Ｃまで加熱して、上記タブレット４２を溶融
させた後冷却している。この際、周壁１２、セラミック
端子３０、タブレット４２をカーボン治具内に入れて、
それらを位置決め支持している。

そして、上記嵌挿穴１４に、その内周面の酸化被膜２０
を介して、周囲にセラミックが露出しているセラミック
端子３０を、ガラス４０により気密に封着している。

第１図ないし第３図に示した第１のパッケージは、以上
のように構成している。

第５図と第６図は本発明の他の第１のパッケージの好適
な実施例を示し、第５図はその斜視図、第６図はそのリ
ード周辺の拡大側面断面図である。

以下、この図中の実施例を説明する。

図のパッケージ１００ては、前述と同様なバ。

ケージ１０の鉄または鉄を主成分とする合金で形成した
周壁１２に、前記嵌挿穴１４とは別に、円形状の挿通穴
１６を透設している。

挿通穴１６内周面には、前述第１のパッケージ１０と同
様にして嵌挿穴１４内周面に酸化被膜２０を形成する際
に同時に、その酸化被膜２０と同様にして、第６図に示
したように、周壁１２に含まれる鉄やコバルト等を用い
て、密着性が良くて頑強なＦｅ５０．やＣｏＦｅ、０４
等を主成分とするガラスに濡れやすい酸化被膜２０を形
成している。

５０は、前記コバール、４２アロイなどの鉄を主成分と
する合金からなる、入出力用線路のリードである。

このソー１５０周囲には、リード５０に含まれる鉄やコ
バルト等を用いて、密着性が良くて頑強なスピネル型構
造をしたＦｅ５０．やＣ０Ｆｅ２ｏ４等を主成分とする
ガラスに濡れやすい酸化被膜５２を形成している。この
酸化被膜５２は、例えばリード５０をウェットガスを充
満させた高温炉内に所定時間入れることにより、形成し
ている。その際には、上記ウェットガスや高温炉内の温
度等を適宜調整して、ソー１５０周囲に上記酸化被膜５
２が的確に形成されるようにしている。

挿通ン（１６には、第６図に示したように、その内周面
の前記酸化被膜２０を介して、周囲に上記酸化被膜５２
を形成したリード５０を、挿通穴１６を貫通させて、ソ
ーダバリウム系ガラス、ホウケイ酸系ガラス等のガラス
４０を用いて気密に封着している。

このソード５０は、バクケージ１００の周壁１２の嵌挿
穴１４にセラミック端子３０を前述第１のパッケージ１
０と同様にして封着する際に同時に、次のようにして、
同じ周壁１２の挿通穴１６に封着している。

第７図（ａ）に示したような、内周面に前記酸化被膜２
０を形成した挿通穴１６に挿入可能な、第７図（ｂ）に
示したような、ガラス４０を円形リング状に仮焼結して
なるタブレット４４を形成して、そのタブレット４４を
上記挿通穴１６に挿入していると共に、タブレット４４
内側に、第７図（ｃ）に示したような、周囲に酸化被膜
５２を形成したり−ド５０を挿通している。そして、そ
れらを約１０００°Ｃまで加熱して、タブレット４４を
セラミツク端子３０封着用のタブレット４２と同時に溶
融させた後冷却している。この際、リード５０、タブレ
ット４４を、周壁１２、セラミック端子３０、タブレッ
ト４２を入れた同じカーボン治具内に入れて、それらを
位置決め支持している。そして、上記嵌挿穴１４にセラ
ミック端子３０をガラス４０により気密に封着している
と同時に、上記挿通穴１６に、その内周面の酸化被膜２
０を介して、周囲に酸化被膜５２を形成したリード５０
をガラス４０により気密に封着している。

その他は、前述筒１のパッケージ１０と同様に構成して
いる。

第８図と第９図は本発明の第２、第３、第４、第５のパ
ッケージの好適な実施例を示し、第８図はその斜視図、
第９図はそのセラミック端子周辺の拡大側面断面図であ
る。以下、この図中の実施例を説明する。

図ノパッケージ１１では、その周壁１２を、熱伝導率が
高くて熱放散性の良い、前記第１、第２、第３タングス
テン基焼結合金、または前記銅合金のいずれかで形成し
ている。このうち、第１、第２、第３タングステン基焼
結合金は、最近ツマ、ケージ用構造部材として開発され
たもので、その詳細は特願平２−１９６３９号、特願平
２−１９６４０号に係る明細書に記載されている。これ
らのタングステン基焼結合金は、いずれも熱伝導率か約
０．３０６ｃａ　ｌ／ｃｍ−ｓｅｃ　−°Ｃと高く、そ
の引張り強度か約８０〜１２０ｋｇ／ｍｍ等と機械的強
度が優れていて、これらのタングステン基焼結合金を用
いてパッケージの周壁を形成すれば、周壁を薄型化する
などして、高熱放散性の、軽量化したパッケージを形成
できる。他方、銅合金は、機械的強度が第１、第２、第
３タングステン基焼結合金よりも低いものの、熱伝導率
が約０５　ｃ　ａ　］　／　ｃ　ｍ　−ｓ　ｅ　ｃ　・
’Ｃと高く、この銅合金を用いてパッケージの周壁を形
成すれば、高熱放散性のパッケージを形成できる。

周壁１２の嵌挿穴１４内周面には、第９図に示したよう
に、ニッケルまたはコバルトまたはロジウムなどのめっ
き層からなるバリヤ層６０と、鉄めっき層からなる鉄層
６２と、コバルトめっき層からなるコバルト層６４とを
、順次積層させた状態に備えている。なお、上記バリヤ
層６０、鉄層６２、コバルト層６４は、スパッタリング
またはＣＶＤ　（気相成長法）なとにより、上記嵌挿穴
１４内周面に備えても良く、バリヤ層６０は、ニッケル
とコバルトなどとの合金層であっても良い。

そして、そのコバルト層６４にその直下の鉄層６２から
鉄を拡散させて、そのコバルト層６４に拡散させた鉄を
用いて、コバルト層６４表面に密着性が良くて頑強なス
ピネル型構造をしたＦｅ５Ｏ４やＣｏＦｅ、Ｏ，等を主
成分とするガラスに濡れやすい酸化被膜２０を形成して
いる。

嵌挿穴１４には、その内周面のコバルト層６４表面の上
記酸化被膜２０を介して、周囲にセラミ７りが露出して
いるセラミック端子３０を、ホウケイ酸系ガラス等のガ
ラス４０を用いて気密に封着している。

このセラミック端子３０は、次のようにして、嵌挿穴１
４に封着している。

嵌挿穴１４内周面にバリヤ層６０と鉄層６２とコバルト
層６４とを順次備えた周壁１２を、約９００℃の高温炉
内に約３０公人れてアニール（加熱処理）し、鉄層６２
からその直上のコバルト層６４に鉄を拡散させている。

次に、周壁１２をウニ、７　）ガスを充満させた高温炉
内に入れて、フッ＼ルト層６４に拡散させた上記鉄を用
いて、コバルト層６４表面にＦｅ５０．やＣｏ　Ｆ　ｅ
　ｙ　Ｏ４等を主成分とする酸化被膜２０を形成してい
る。次に、前述筒１のパッケージ１０と同様にして、嵌
挿穴１４に、周囲にセラミックが露出しているセラミ・
７り端子３０を嵌入していると共に、そのセラミック端
子３０周囲と嵌挿穴１４内周面との間に、ガラス４０を
方形リング状に仮焼結してなるタブレット４２を挿入し
ている。そして、それらを約１０００℃まで加熱して、
タブレット４２を溶融させた後冷却している。そして、
嵌挿穴１４に、その内周面のコバルト層６４表面の酸化
被膜２０を介して、周囲にセラミックが露出しているセ
ラミック端子３０をガラス４０により気密に封着してい
る。

第８図と第９図に示した第２、第３、第４、第５のパッ
ケージは、以上のように構成している。

第１０図と第１１図は本発明の他の第２、第３、第４、
第５のパッケージの好適な実施例を示し、第１０図はそ
の斜視図、第１１図はそのリード周辺の拡大側面断面図
である。以下、この図中の実施例を説明する。

図のパッケージ１１０では、第１１図に示したように、
前記第１、第２、第３タングステン基焼結合金または銅
合金のいずれかで形成した周壁１２に、嵌挿穴１４とは
別に、円形状の挿通穴１６を透設している。

挿通穴１６自周面には、前述と同様なバリヤ層６０と鉄
ｉ６２とコバルト層６４とを順次備えて、そのコバルト
層６４にその直下の鉄層６２から鉄を拡散させ、そのコ
バルト層６４に拡散させた鉄を用いて、コバルト層６４
表面にスピネル型構造をしたＦｅ＝０４やＣｏＦｅ、０
４等を主成分とするガラスに濡れやすい酸化被膜２０を
形成している。

挿通穴１６には、前述と同様ζ巳して周囲にＦｅ５Ｏｔ
やＦｅＣｏｔＯｈ等を主成分とする酸化被膜５２を形成
したコバール、４２アロイなどの鉄を主成分とする合金
からなるリード５０を、挿通穴１６を貫通させて、ホウ
ケイ酸系ガラス等のガラス４０を用いて気密に封着して
いる。

このリード５０は、パッケージ１１０の周壁１２の嵌挿
穴１４にセラミック端子３０を前述パッケージ１１と同
様にして封着する際に同時に、次のようにして、同じ周
壁１２の挿通穴１６に封着している。

前述パッケージＩＩと同様にして嵌挿穴１４自周面のコ
バルト層６４表面に酸化被膜２０を形成する際に同時に
、その酸化被膜２０と同様にして、挿通穴１６自周面の
コバルト層６４表面に、Ｆｅ３Ｏ４やＦｅ　ＣＯ２０４
等を主成分とする酸化被膜３０を形成している。そして
、前述パッケージ１１と同様にして上記嵌挿穴１４にセ
ラミック端子３０をガラス４０により封着する際に同時
に、ガラス４０を円形リング状に仮焼結してなるタブレ
ット４４を用いて、前述第１のパッケージ１００と同様
にして、上記挿通穴１６に、その内周面のコバルト層６
４表面の上記酸化被膜２０を介して、周囲に酸化被膜５
２を形成したリード５０をガラス４０により気密に封着
している。

その他は、前述パッケージ１１と同様に構成している。

なお、上述各実施例において、方形状の嵌挿穴１４は、
そのコーナ一部を円弧状に形成すれば、嵌挿穴１４にセ
ラミック端子３０をガラス４０を用いて封着した際に、
上記コーナ一部に応力集中が生じて、そのコーナ一部近
くのガラス４０にクラックが入ったり、そのコーナ一部
とガラス４０との接合部に隙間が生じたりするのを防止
できて良い。

また、周壁１２を熱膨張係数の大きい鉄で形成した場合
は、ガラス４０やリード５０にそれぞれ鉄よりも熱膨張
係数の小さいソーダバリウム系ガラスや４２７０イなど
からなるリードを用いると良い。これは、嵌挿穴１４や
挿通穴１６にセラミック端子３０やリード５０をガラス
４０を用いて封着した際に、周壁１２の収縮力を用いて
、いわゆるフンプレッションソール法により、セラミッ
ク端子３０やリード５０を上記嵌挿穴１４や挿通穴１６
に気密性高く封着できるからでらある。

逆に、周壁１２を熱膨張係数の小さい鉄を主成分とする
合金のコバールや前記第１、第２、第３タングステン基
焼結合金や銅合金で形成した場合は、ガラス４０やリー
ド５０にそれぞれそれらに近い熱膨張係数を持つホウケ
イ酸系ガラスやコバールなどからなるリードを用いると
良い。これは、それらの熱膨張係数を近似させることに
より、それらの間に働く熱応力でセラミツク端子３０自
体またはセラミック端子３０やリード５０封着用のガラ
ス４０にクラックを生じさせたりそれらの間に隙間を生
じさせたすせずに、いわゆるマツチドシール法により、
セラミック端子３０やリード５０を上記嵌挿穴１４や挿
通穴１６にガラス４０を用いて気密性高く封着できるか
らである。

また、入出力用線路３４を備えたセラミック端子３０は
、低誘電率の低融点ガラスを用いて、嵌挿置１４に封着
するのが良く、そうすれば、そのセラミック端子の入出
力用線路３４を高周波信号を漏洩少なく伝達可能となる
。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の第１、第２、第３、第４
、第５のパッケージによれば、セラミック端子周囲に、
多大な手数と時間をかけて、連続するメタライズ層を備
えることなく、周囲にセラミックが露出しているセラミ
ック端子をパッケージの金属からなる周壁にガラスを用
いて気密性高（強固に封着できる。

また、金属からなる周壁にセラミック端子とリードとを
共に封着してなるパッケージにあっては、その周壁を同
一雰囲気中に晒したり同一温度に加熱したり等した状態
で、周壁にセラミック端子とリードとを同時に、ガラス
を用いて手数をかけずに容易かつ迅速に気密に封着でき
る。

また、鉄を主成分とする合金や第１、第２、第３タング
ステン基焼結合金や銅合金でパッケージの周壁を形成し
て、その周壁の嵌挿穴や挿通穴に、セラミックからなる
セラミック端子や鉄を主成分とする合金からなるリード
をホウケイ酸系ガラスを用いて封着してなるパッケージ
にあっては、それらの熱膨張係数か互いに近似している
ので、それらの間に働く熱応力でセラミック端子自体ま
たはセラミック端子やリード封着用のガラスにクラック
を生じさせたりそれらの間に隙間を生じさたりせずに、
セラミック端子やリードを、上記嵌挿穴や挿通穴に気密
性高く封着できる。

そのため、本発明の第１、第２、第３、第４、第５のパ
ッケージによれば、その金属からなる周壁にセラミック
端子またはセラミック端子とり一ドとを手数をかけずに
容易かつ迅速に気密性高く強固に封着可能なパッケージ
を提供できる。

また、本発明の第２、第３、第４、第５のパッケージに
よれば、その金属からなる周壁の嵌挿穴や挿通穴内周面
のコバルト層表面に密着性の良いＦｅ５０．やＦｅＣｏ
、Ｏ，等を主成分とするガラスに濡れやすい酸化被膜を
容易かつ確実に形成して、それらの酸化被膜を介して、
上記嵌挿穴や挿通穴にセラミック端子やリードをガラス
を用いて常に的確に気密性高く強固に封着可能なパッケ
ージを提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の電子部品用パッケージの斜視図
、第２図と第３図はそれぞれ第１図のパッケージのセラ
ミック端子周辺の拡大斜視図と拡大側面断面図、第４図
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ第１図のパッケージ
のセラミック端子の封着方法説明図、第５図は本発明の
他の第１の電子部品用パッケージの斜視図、第６図は第
５図のパッケージのリード周辺の拡大側面断面図、第７
図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ第５図のパッケー
ジのリードの封着方法説明図、第８図は本発明の第２、
第３、第４、第５の電子部品用パッケージの斜視図、第
９図は第８図のパッケージのセラミック端子周辺の拡大
側面断面図、第１０図は本発明の他の第２、第３、第４
、第５の電子部品用パッケージの斜視図、第１１図は第
１０図のパッケージのリード周辺の拡大側面断面図であ
る。 ０、　１００．　１１．　１１０・・パッケージ、２・
・・周壁、１４・・・嵌挿穴、１６・・挿通穴、０・・
・酸化被膜、３０・・・セラミック端子、Ｏ・・ガラス
、５０・・リード、 ２・・・酸化被膜、６０・・・バリヤ層、２・・８層、
６４・・−コバルト層。 特許出願人　新光電気工業株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、周壁を鉄または鉄を主成分とする合金で形成したパ
   ッケージにおいて、その周壁の嵌挿穴に、その内周面に
   形成した酸化被膜を介して、周囲にセラミックが露出し
   ているセラミック端子をガラスを用いて気密に封着して
   なる電子部品用パッケージ。 ２、請求項１記載のパッケージにおいて、その周壁の嵌
   挿穴とは別の挿通穴に、その内周面に形成した酸化被膜
   を介して、周囲に酸化被膜を形成した鉄を主成分とする
   合金からなるリードをガラスを用いて気密に封着してな
   る電子部品用パッケージ。 ３、周壁をニッケル３．５〜１２重量％、銅１．５〜８
   重量％、残りがタングステンと不可避不純物の組成の第
   １タングステン基焼結合金で形成したパッケージにおい
   て、その周壁の嵌挿穴内周面にニッケル層またはコバル
   ト層またはロジウム層などのバリヤ層、鉄層、コバルト
   層を順次備えて、そのコバルト層にその直下の鉄扇から
   拡散させた鉄を用いて、コバルト層表面に酸化被膜を形
   成すると共に、前記嵌挿穴に、その内周面のコバルト層
   表面の前記酸化被膜を介して、周囲にセラミックが露出
   しているセラミック端子をガラスを用いて気密に封着し
   てなる電子部品用パッケージ。 ４、請求項３記載の電子部品用パッケージにおいて、そ
   の周壁の嵌挿穴とは別の挿通穴内周面にニッケル層また
   はコバルト層またはロジウム層などのバリヤ層、鉄層、
   コバルト層を順次備えて、そのコバルト層にその直下の
   鉄層から拡散させた鉄を用いて、コバルト層表面に酸化
   被膜を形成すると共に、前記挿通穴に、その内周面のコ
   バルト層表面の前記酸化被膜を介して、周囲に酸化被膜
   を形成した鉄を主成分とする合金からなるリードをガラ
   スを用いて気密に封着してなる電子部品用パッケージ。 ５、パッケージの周壁を、第１タングステン基焼結合金
   に代えて、ニッケル３．５〜１２重量％、鉄１．５〜８
   重量％、残りがタングステンと不可避不純物の組成の第
   ２タングステン基焼結合金で形成した請求項３または４
   記載の電子部品用パッケージ。 ６、パッケージの周壁を、第１タングステン基焼結合金
   に代えて、ニッケル３．５〜１２重量％、鉄１．５〜８
   重量％、モリブデン３．５〜１２重量％、残りがタング
   ステンと不可避不純物の組成の第３タングステン基焼結
   合金で形成した請求項３または４記載の電子部品用パッ
   ケージ。 ７、パッケージの周壁を、第１タングステン基焼結合金
   に代えて、焼結させたタングステンまたはモリブデンに
   銅を含浸させてなる銅合金で形成した請求項３または４
   記載の電子部品用パッケージ。