JPH04221063A - 薄膜形成装置 - Google Patents

薄膜形成装置

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JPH04221063A
JPH04221063A JP40407390A JP40407390A JPH04221063A JP H04221063 A JPH04221063 A JP H04221063A JP 40407390 A JP40407390 A JP 40407390A JP 40407390 A JP40407390 A JP 40407390A JP H04221063 A JPH04221063 A JP H04221063A
Authority
JP
Japan
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thin film
vapor deposition
power supply
source
vapor
Prior art date
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Pending
Application number
JP40407390A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoyuki Kajita
梶田 直幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP40407390A priority Critical patent/JPH04221063A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は薄膜形成装置、特に、
クラスターイオンビーム蒸着法(ICB 法) により
高品質の薄膜を蒸着形成する薄膜形成装置に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来から光学薄膜、磁性膜、絶縁膜など
の高品質の薄膜がICB 法により形成されている。図
2は例えば特公昭54−9592 号公報に示された従
来の薄膜形成装置を模式的に示す概略図であり、図にお
いて、23は蒸着源、1は蒸着物質2の蒸気を噴出する
蒸気発生源、3は蒸着物質2を収容するるつぼで、その
上部にはノズル4が設けられている。5はるつぼ3を加
熱する加熱用フィラメント、6は加熱用フィラメント5
の熱を遮る第1の熱シールド板であり、るつぼ3、加熱
用フィラメント5および第1の熱シールド板6で蒸気発
生源1を構成している。
【0003】7はノズル4から噴出した蒸着物質2の蒸
気で形成されたクラスター(塊状原子集団)、8はクラ
スター7をイオン化するイオン化装置、9は電子を放出
する電子放出フィラメント、10は電子放出フィラメン
ト9から電子を引き出して加速するグリッド状の電子引
出電極、11は電子放出フィラメント9からの熱を遮る
第2の熱シールド板であり、電子放出フィラメント9、
電子引出電極10、第2の熱シールド板11でイオン化
装置8を構成している。
【0004】12はイオン化装置8によりイオン化され
たイオン化クラスター、13はイオン化クラスター12
を電界により加速する加速装置である加速電極であり、
蒸気発生源1、イオン化装置8および加速電極13で蒸
着源23を構成している。14は表面に薄膜 (図示せ
ず)が形成される基板、15は蒸着源25と基板14を
収納するとともに内部を真空に保つ真空槽、16は真空
槽15内の真空度を調節する真空排気系である。
【0005】17は電源装置、18は加熱用フィラメン
ト5を加熱する第1の交流電源、19はるつぼ3の電位
を加熱用フィラメント5に対して正にバイアスする第1
の直流電源、20は電子放出フィラメント9を加熱する
第2の交流電源、21は電子放出フィラメント9の電位
を電子引出電極10に対して負にバイアスする第2の直
流電源、22は電子引出電極10およびるつぼ3の電位
を加速電極13に対して正にバイアスする第3の直流電
源であり、第1、第2の交流電源18,20と第1〜第
3の直流電源19,21,22で電源装置17を構成し
ている。
【0006】次に動作について説明する。まず、真空槽
15内が10−6Torr程度の真空度になるまで真空
排気系16によって排気する。そして第1の交流電源1
8によって加熱用フィラメント5に通電して加熱する。 加熱用フィラメント5から電子が放出され、第1の直流
電源19の電圧が加熱用フィラメント5とるつぼ3の間
に印加されてその間に形成される電界により、上記電子
が加速されてるつぼ3に衝突する。このようにして、る
つぼ3内の蒸着物質2の蒸気圧が数Torrになる温度
まで加熱する。この加熱によって蒸発した蒸着物質2の
蒸気はノズル4からるつぼ3外へ噴出する。蒸気はノズ
ル4を通過する際、断熱膨張により過冷却状態になって
クラスター7を形成する。
【0007】第2の交流電源20から電子放出フィラメ
ント9に通電して加熱する。これから放出された電子は
、第2の直流電源21の電圧が電子放出フィラメント9
と電子引出電極10の間に印加されて形成される電界に
より引出され、電子引出電極10に向かって加速される
。グリッド状の電子引出電極10の隙間を通り抜けた電
子はクラスター7に衝突し、そのエネルギーでクラスタ
ー7の一部がイオン化されて、正電荷を有するイオン化
クラスター12になる。
【0008】第3の直流電源22により加速電極13と
電子引出電極10の間に直流電圧が印加されて、加速電
極13の電位は電子引出電極10やるつぼ3に対して負
になっており、加速電極13と電子引出電極10の間に
形成される電界レンズによって正電荷のイオンクラスタ
ー12を基板14へ向かって加速する。加速されたイオ
ン化クラスター12はイオン化されていない中性のクラ
スター7とともに基板14に衝突し、その表面に蒸着物
質2が蒸着され、薄膜が形成される。
【0009】ところで、形成される薄膜が酸化シリコン
(SiO2 )やフッ化マグネシウム(MgF2)など
の絶縁膜である場合、イオン化クラスター12の電荷が
基板14上の絶縁膜に集積されて、その電荷の放電によ
り膜が損傷するので、これを防止するため、図示しない
中和器を設け、これにより電子を基板14へ照射して上
記電荷を中和しながら成膜する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜形成装置は
以上のように構成されていて蒸着源と中和器により薄膜
を形成するので、蒸着源のるつぼ内の蒸着物質がなくな
れば成膜を続けることができず、連続的に成膜可能な時
間が短いので成膜効率が悪いなどの問題点があった。こ
の発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、絶縁膜の成膜においても基板上の薄膜の帯電を
中和できるとともに、連続的に成膜可能な時間の長い薄
膜形式装置を得ることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明に係る薄膜形成
装置は、複数台の蒸着源を共通の真空槽内に収納すると
ともに、イオン化クラスターを加速する加速装置へ直流
電圧を印加する直流電源装置の極性を切換えできるよう
にしたものである。
【0012】
【作用】この発明における薄膜形成装置は、直流電源装
置により電子引出電極の電位を加速電極に対して正にバ
イアスした蒸着源で基板上へ蒸着物質の蒸着を行なう。 同時に、上記直流電源装置とは極性が逆の直流電源装置
により、電子引出電極の電位を加速電極に対して負にバ
イアスした別の蒸着源を中和器として動作させ、基板へ
電子を照射してイオン化クラスターによる正電荷を中和
する。
【0013】蒸着を行なっていた蒸着源の蒸着物質がな
くなれば、直流電源装置の極性を切換えてこの蒸着源を
中和器として動作させる一方、中和器として動作してい
た蒸着源において、直流電源装置の極性を切換えて蒸着
物質の蒸着を行なうようにする。
【0014】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1はこの発明の一実施例による薄膜形成装置を
模式的に示す概略図であり、図において、1〜16、1
8〜22は図2の場合と同様であるので説明を省略する
。25,26はそれぞれ図2の蒸着源23と同様に蒸気
発生源1、イオン化装置8および加速電極13で構成さ
れた第1および第2の蒸着源であり、共通の真空槽15
内に収納されている。
【0015】27,28は第1、第2の電源装置、29
は直流電源装置、30は電子引出電極10およびるつぼ
3の電位を加速電極13に対して負にバイアスする第4
の直流電源、31は第3と第4の直流電源の接続換えに
より加速電極13へ印加される直流電圧の極性を切換え
るスイッチである。直流電源装置29が第3、第4の直
流電源22,30およびスイッチ31で構成され、また
、第1、第2の電源装置27,28はそれぞれ第1、第
2の交流電源18,20、第1、第2の直流電源19,
21および直流電源装置29により構成されている。
【0016】次に動作について説明する。まず、第1の
電源装置27においては図2の場合と同様に、第1、第
2の交流電源18,20および第1、第2の直流電源1
9,21をそれぞれ動作させ、そしてスイッチ31は第
3の直流電源22側へつながるようにしておく。一方、
第2の電源装置28では第1の交流電源18と第1の直
流電源19を切って蒸気発生源1を停止しておき、第2
の交流電源20、第2の直流電源21は第1の電源装置
27と同様に動作させる。また、スイッチ31は第4の
直流電源30側へつなががるようにしておく。
【0017】第1、第2の電源装置27,28を上記の
状態にすることにより、第 1の蒸着源25は図2の場
合と同様に蒸着物質2の蒸着を行なう本来の蒸着源とし
て動作し、また、第2の蒸着源26は中和器として動作
する。すなわち、第2の蒸着源26において電子放出フ
ィラメント9から放出された電子を電子引出電極10で
引き出し、そして電子引出電極10に対して正電位の加
速電極13で基板14へ向けて放出する。第1の蒸着源
25からのイオン化クラスター12によって基板14上
へもたらされる正電荷が上記電子で中和される。
【0018】以上のように第1、第2の蒸着源25,2
6を動作させて基板14上へ成膜を行なうと第1の蒸着
源25のるつぼ3中の蒸着物質2が減少していき、つい
にはなくなってしまう。そのとき、第1、第2の電源2
5,26の動作を互いに入れ替えた状態にする。つまり
、第1の蒸着源25を中和器として、そして第2の蒸着
源26を本来の蒸着源として動作させる。そうすること
により、第2の蒸着源26のるつぼ3中の蒸着物質2が
なくなるまで成膜を継続することができる。
【0019】なお、上記実施例では直流電源装置29を
第3、第4の直流電源22,30とスイッチ31で構成
したが、一つの直流電源と二つのスイッチで構成してこ
の直流電源を接続換えすることにより直流電源装置29
の極性を切換えるようにしてもよい。また、第1、第2
蒸着源25,26を用いたが、3台以上設けてそのうち
の一部を本来の蒸着源として、そして他の一部を中和器
として動作させ、順次切換えて成膜を継続するようにし
てもよい。
【0020】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば複数台
の蒸着源を用い、かつ、加速装置用の直流電源装置の極
性を切換えできるように構成して蒸着源を中和器として
も使用できるようにしたので、別途中和器を設けなくと
も絶縁物薄膜形成において基板上の薄膜へ帯電する電荷
を中和できるとともに、蒸着を行なう蒸着源と中和を行
なう蒸着源の動作を互いに切換えることにより、連続的
に成膜可能な時間を長くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による薄膜形成装置を示す
断面図である。
【図2】従来の薄膜形成装置を示す断面図である。
【符号の説明】
1は蒸気発生源、2は蒸着物質、7はクラスター、8は
イオン化装置、12はイオン化クラスター、13は加速
電極、14は基板、15は真空槽、25,26は第1、
第2の蒸着源、29は直流電源装置である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  基板上に蒸着される蒸着物質の蒸気を
    噴出して上記蒸着物質のクラスターを発生させる蒸気発
    生源と、電子を放出してこの電子を上記クラスターに衝
    突させ、正電荷を有するイオン化クラスターを形成する
    イオン化装置と、上記イオン化クラスターを上記基板へ
    向けて加速する加速装置とから成る蒸着源を真空槽に収
    納するとともに、上記加速装置に直流電圧を印加する直
    流電源装置を備えた薄膜形成装置において、複数台の上
    記蒸着源を共通の上記真空槽に収納するとともに、上記
    直流電源装置の極性を切換可能にしたことを特徴とする
    薄膜形成装置。
JP40407390A 1990-12-20 1990-12-20 薄膜形成装置 Pending JPH04221063A (ja)

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