JPH04219646A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、オーバーライト可能な光
磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、磁界変調方式で
重ね書きが可能な光磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【発明の技術的背景】鉄、コバルトなどの遷移金属と、
テルビウム（Ｔｂ）、カドリニウム（Ｇｄ）などの希土
類元素との合金からなる光磁気記録層は、膜面と垂直な
方向に磁化容易軸を有し、一方向に全面磁化された膜面
にこの全面磁化方向とは逆向きの小さな反転磁区を形成
することができることが知られている。この反転磁区の
有無を「１」、「０」に対応させることによって、上記
のような光磁気記録層にデジタル信号を記録させること
が可能となる。

【０００３】上記のような光磁気記録層を有する光磁気
記録媒体への情報の書込みは、通常、基板を通して集束
レーザ光を記録層上に照射し、記録層をミクロ的に加熱
し、その際外部磁場を印加することにより磁区（ピット
）を形成することにより行なわれている。そしてこの光
磁気記録媒体に書込まれた情報上にさらにオーバーライ
トするための方式の１つとして、オーバーライトすべき
磁区に集束レーザ光を照射してキュリー温度あるいは補
償温度までミクロ的に加熱し、レーザ光照射を止めて温
度を下げ、その際外部から書込むべき情報に応じた外部
磁界を印加するという磁界変調方式が知られている。

【０００４】この磁界変調方式で光磁気記録媒体に情報
を書込むためには小型の電磁石を有する磁気ヘッドが用
いられており、磁気ヘッドとしては、固定型磁気ヘッド
あるいは浮上型磁気ヘッドが知られている。固定ヘッド
では情報の書込みに大きな磁界が必要であるのに対し、
浮上型磁気ヘッドでは、該ヘッドと光磁気記録媒体との
距離を小さく保つことができるため情報の書込みに小さ
な磁界で対応でき、情報の書込みの高速化が可能となる
。

【０００５】ところで浮上型磁気ヘッドは、光磁気記録
媒体を回転させた際に生ずる風圧によって浮上するが、
該記録媒体の停止時には、磁気ヘッドは記録媒体上に接
触した状態となっている。このため、光磁気記録媒体の
回転開始時および回転停止時には、磁気ヘッドが光磁気
記録媒体を擦ることとなり、この際該記録媒体の表面が
破壊されたり、磁気ヘッドが破壊されたりすることがあ
った。

【０００６】したがって磁界変調方式でオーバーライト
可能な光磁気記録媒体は、基本的には、基板上に光磁気
記録層と保護層とを有する構成であるが、必要に応じて
さらに基板と光磁気記録層との間に誘電体層を有してい
てもよく、また光磁気記録層と保護層との間に、誘電体
層（エンハンス層）あるいはその他の金属層を有してい
てもよく、さらにまた保護層上に潤滑層を有していても
よい。

【０００７】上記のような保護層としては、従来、たと
えば紫外線硬化樹脂などが用いられている。ところが本
発明者らの検討によれば、たとえば紫外線硬化樹脂など
からなる保護層を用いた場合には、磁気ヘッドが光磁気
記録媒体から浮上しにくくなり、安定して磁気ヘッドを
浮上させることができないという問題点があることが見
出された。

【０００８】

【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に鑑み
てなされたものであって、光磁気記録媒体への情報の書
込みを浮上型磁気ヘッドを用いて行なうことが可能であ
るような光磁気記録媒体を提供することができるような
光磁気記録媒体の製造方法を目的としている。

【０００９】

【発明の概要】本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に、少なくとも光磁気記録層と保護層とが設
けられてなる光磁気記録媒体の保護層を、円周方向に機
械的に粗面化することを特徴としている。

【００１０】本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法は
、基板上に、少なくとも光磁気記録層と保護層とが設け
られてなる光磁気記録媒体において、保護層を、円周方
向に機械的に粗面化して保護層表面に溝を形成しており
、浮上型磁気ヘッドを用いて情報の書込みを行なう場合
に、磁気ヘッドの浮上性が良好であり、保護層が破壊さ
れたり、磁気ヘッドが損傷したりすることがない。

【００１１】

【発明の具体的説明】以下本発明に係る光磁気記録媒体
の製造方法について具体的に説明する。本発明で製造さ
れる光磁気記録媒体１の構成について、まず説明すると
、この光磁気記録媒体１は、基板２上に、少なくとも光
磁気記録層４と、保護層（保護膜）７とが設けられてい
る。

【００１２】また必要に応じて、第１図に示すように、
基板２と光磁気記録層４との間に第１保護エンハンス層
３が設けられていてもよく、さらに光磁気記録層４と保
護層（保護膜）７との間に、第２保護エンハンス層５お
よび金属層６が設けられていてもよい。

【００１３】本発明における保護層（保護膜）７として
は、たとえば紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬
化性樹脂などが用いられ、具体的には、アクリル型紫外
線硬化樹脂などが用いられる。

【００１４】このような保護層７は、たとえばスピンコ
ート法、ロールコート法、ふき付けコート法などによっ
て形成することができる。本発明では、上記のような保
護層７の表面を、円周方向に機械的に粗面化している。

【００１５】本発明で円周方向に粗面化するとは、光磁
気記録媒体の保護層に溝等を円周方向に沿って形成して
粗面化することである。いいかえれば、光磁気記録媒体
を半径方向に切断した場合に、保護層の半径方向の断面
に凹凸が形成されるように粗面化することである（第２
図参照）。

【００１６】保護層７の表面を円周方向に機械的に粗面
化するには、たとえば光磁気記録媒体１を回転させなが
ら、一定の粗さの紙やすり、あるいは櫛状物を保護層７
に接触させ、保護層７の表面を機械的に切削すればよい
。

【００１７】本発明における保護層７の表面は粗面化さ
れ、第２図に示すように、円周方向に溝８が形成されて
いる。このような溝８が形成された保護層７の半径方向
の平均表面粗さは、０．００３〜０．０１μｍ、好まし
くは０．００３〜０．００８μｍであることが望ましい
。また上記の溝８の平均間隔（溝中心部と隣接する溝中
心部の間隔の平均値）は、２０μｍ以下、好ましくは１
０μｍ以下、特に好ましくは０．１〜１０μｍであるこ
とが望ましい。

【００１８】本明細書における保護層７の半径方向平均
表面粗さは、ＪＩＳ　　Ｂ０６０１−１９８２（カット
オフ値：０．８ｍｍ、触針直径：２５μｍ）によって測
定した値であり、触針式段差計において、触針を被測定
物に対して垂直に一定の荷重をかけながら接触させ、一
方向に（ディスク基板においては円の外周部の１点から
円の中心部に）被測定物を移動させ、触針の上下動を直
接観察して表面形状を出力させ、次にその出力値を統計
的手法により平均粗さとして求めたものである。

【００１９】また溝平均間隔は、溝の中心部と隣接する
溝の中心部との距離の平均値のことであり、その間隔は
顕微鏡により観察して測定される。本発明で製造される
光磁気記録媒体１では、基板２、光磁気記録層４そして
必要に応じて設けられる第１保護エンハンス層３、第２
保護エンハンス層５としては、従来公知の光磁気記録媒
体において用いられているものを広く用いることができ
るが、たとえば下記のようなものが好ましく用いられる
。

【００２０】基板２は、透明基板であることが好ましく
、ガラスやアルミニウム等の無機材料の他に、ポリメチ
ルメタクリレートなどのアクリル樹脂、ポリカーボネー
ト、ポリカーボネートとポリスチレンのポリマーアロイ
、米国特許４６１４７７８　号明細書で示されるような
エチレン−環状オレフィン共重合体たとえばエチレンと
１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５
，８，８ａ−　オクタヒドロナフタレン（テトラシクロ
ドデセン）との共重合体、エチレンと２−メチル−１，
４，５，８−　ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，
８，８ａ−　オクタヒドロナフタレン（メチルテトラシ
クロドデセン）との共重合体、エチレンと２−エチル−
１，４，５，８−　ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，
５，８，８ａ−　オクタヒドロナフタレンとの共重合体
など、ポリ４−メチル−１−　ペンテン、エポキシ樹脂
、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエー
テルイミドおよび特開昭６０−２６０２４号公報に示さ
れるようなテトラシクロドデセン類の単独開環重合体や
テトラシクロドデセン類とノルボルネン類との開環（共
）重合体またはこれらの（共）重合体を水添したもの等
の有機材料等を使用できる。特に上記米国特許第４６１
４７７８　号明細書に示されるようなエチレン−環状オ
レフィン共重合体が好ましい。

【００２１】このような基板２の厚みは特に限定されな
いが、好ましくは０．５〜５ｍｍ、特に好ましくは１〜
２ｍｍである。エンハンス層としてはたとえばＳｉＮｘ
、ＺｎＳｅ、ＡｌＮ、ＺｎＳ、Ｓｉ、ＣｄＳなどが使用
され得るが、この中で耐クラック性等の面からＳｉＮｘ
で示される組成の層から形成されていることが好ましく
、ＳｉＮｘ層としては、たとえば窒化ケイ素層または窒
化ケイ素含有層が例示できる。

【００２２】ＳｉＮｘで示される保護エンハンス層では
、０＜ｘ≦４／３であることが好ましく、具体的には、
Ｓｉ３　Ｎ４　（四窒化三ケイ素）などの窒化ケイ素層
あるいは０＜ｘ＜４／３となるようにＳｉ３　Ｎ４　と
Ｓｉとを混合した混合層が特に好ましく用いられる。

【００２３】エンハンス層３の膜厚は５００〜２０００
オングストローム、特に８００〜１５００オングストロ
ームであることが好ましい。エンハンス層の膜厚を上記
のような範囲にすることによって、良好なＣ／Ｎ比と広
い記録パワーマージンを有する光磁気記録媒体を得るこ
とができる。

【００２４】光磁気記録層４としては、たとえば（ｉ）
３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、（ｉｉｉ
　）希土類から選ばれる少なくとも１種とからなる合金
層（たとえばＴｂＦｅＣｏ合金層）あるいは（ｉ）３ｄ
遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、（ｉｉ）耐腐
食性金属と、（ｉｉｉ　）希土類から選ばれる少なくと
も１種の元素とからなる合金層などが用いられる。（ｉ
）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ
、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどが用いられるが、このう
ちＦｅまたはＣｏあるいはこの両者であることが好まし
い。

【００２５】この３ｄ遷移金属は、光磁気記録層４中に
好ましくは２０〜９０原子％、より好ましくは３０〜８
５原子％、特に好ましくは３５〜８０原子％の量で存在
していることが好ましい。（ｉｉ）耐腐食性金属は、光
磁気記録層４に含ませることによって、この光磁気記録
層の耐酸化性を高めることができる。このような耐腐食
性金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ
などが用いられるが、このうちＰｔ、Ｐｄ、Ｔｉが好ま
しくとくにＰｔまたはＰｄあるいはこの両者であること
が好ましい。

【００２６】この耐腐食性金属は、光磁気記録層４中に
、３０原子％まで、好ましくは５〜３０原子％、特には
１０〜２５原子％、さらに好ましくは１０〜２０原子％
の量で存在していることが望ましい。（ｉｉｉ　）希土
類元素としては、たとえば、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、
Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ、Ｅｕが用いられうるが、このうちＧｄ、Ｔｂ
、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒが好ましく用いられる
。

【００２７】上記のような群から選ばれる少なくとも１
種の希土類元素は、光磁気記録層４中に、好ましくは５
〜５０原子％、さらに好ましくは８〜４５原子％、特に
好ましくは１０〜４０原子％の量で存在している。

【００２８】本発明では、光磁気記録層４が、特に、下
記に記載するような組成を有することが好ましい。光磁
気記録層中には、（ｉ）３ｄ遷移元素として、好ましく
はＦｅまたはＣｏあるいはこの両者が含まれており、Ｆ
ｅおよび／またはＣｏは、４０原子％以上８０原子％以
下、好ましくは４０原子％以上７５原子％未満、さらに
好ましくは４０原子％以上５９原子％以下の量で存在し
、さらにＦｅおよび／またはＣｏは、Ｃｏ／（Ｆｅ＋Ｃ
ｏ）比［原子比］が０以上０．３以下、好ましくは０以
上０．２以下、さらに好ましくは０．０１以上０．２以
下であるような量で、光磁気記録層中に存在しているこ
とが望ましい。

【００２９】（ｉｉ）耐腐食性金属として、好ましくは
ＰｔまたはＰｄあるいはこの両者が含まれており、Ｐｔ
および／またはＰｄは、光磁気記録層中に５〜３０原子
％、好ましくは１０原子％を超えて３０原子％以下、さ
らに好ましくは１０原子％を超えて２０原子％未満、最
も好ましくは１１原子％以上１９原子％以下の量で存在
していることが望ましい。

【００３０】（ｉｉｉ　）希土類元素（ＲＥ）としては
、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙま
たはＨｏから選ばれた少なくとも１種が用いられる。こ
れらの中では、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙが好まし
く用いられ、特にＴｂが好ましい。また希土類元素は２
種以上併用してもよく、この場合にＴｂを希土類元素の
うち５０原子％以上含有していることが好ましい。

【００３１】この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁
化容易軸をもった光磁気を得るという点からＲＥ／（Ｒ
Ｅ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］をｘで表わした場合に、
０．１５≦ｘ≦０．４５、好ましくは０．２０≦ｘ≦０
．４であるような量で光磁気記録膜中に存在しているこ
とが望ましい。

【００３２】光磁気記録層にこの他に種々の元素を少量
添加して、キュリー温度や補償温度あるいは保磁力Ｈｃ
やカー回転角θｋの改善あるいは低コスト化を計ること
もできる。

【００３３】上記のような組成を有する光磁気記録層４
は、膜面に垂直な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒス
テリシスが良好な角形ループを示す垂直磁気および光磁
気記録可能な膜、好ましくは非晶質薄膜となる。非晶質
薄膜か否かはが、広角Ｘ線回析などにより確かめられる
。

【００３４】この光磁気記録層４の膜厚は５０〜５００
０オングストローム、好ましくは１００〜２０００オン
グストローム、より好ましくは１００〜４００オングス
トローム、最も好ましくは１５０〜３００オングストロ
ーム程度である。

【００３５】金属層６としては、たとえばアルミニウム
、クロム、銅、ニッケル、金、銀またはこれらの金属の
合金が用いられる。このうちニッケル、ニッケル−クロ
ム合金等は主として反射膜としての機能を果たし、また
アルミニウム合金は主として熱良導体としての機能を果
たすと考えられる。これらのうち光磁気記録媒体の記録
パワーの線速依存性を小さくするという点からは、以下
のようなアルミニウム合金が好ましい。

【００３６】このようなアルミニウム合金としては、具
体的には以下のようなものが例示できる。Ａｌ−Ｃｒ合
金（Ｃｒ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｃｕ合金
（Ｃｕ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｍｎ合金（
Ｍｎ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｈｆ合金（Ｈ
ｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｎｂ合金（Ｎｂ
含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｂ合金（Ｂ含有量
０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｔｉ合金（Ｔｉ含有量０
．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有
量０．５〜５原子％、Ｎｂ含有量０．５〜５原子％）、 Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金（Ｔｉ含有量０．５〜５原子％、
Ｈｆ含有量０．５〜５原子％）、 Ａｌ−Ｃｒ−Ｈｆ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原子％、
Ｈｆ含有量０．１〜９．５原子％）、 Ａｌ−Ｃｒ−Ｈｆ−Ｔｉ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原
子％、Ｈｆ含有量０．１〜９．５原子％、Ｔｉ含有量０
．１〜９．５原子％）、 Ａｌ−Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原子％、
Ｔｉ含有量０．１〜９．５原子％）、 Ａｌ−Ｃｒ−Ｚｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原子％、
Ｚｒ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．５〜５原子％、
Ｎｂ含有量０．５〜５原子％）、 Ａｌ−Ｎｉ合金（Ｎｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
ｌ−Ｍｇ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ
−Ｍｇ−Ｔｉ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％、Ｔ
ｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金
（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％、Ｔｉ含有量０．１〜
１０原子％、Ｃｒ含有量１０原子％以下）、 Ａｌ−Ｍｇ−Ｃｒ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％
、Ｃｒ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｍｇ−Ｈｆ
合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％、Ｈｆ含有量０．
１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｍｇ−Ｈｆ−Ｔｉ合金（Ｍｇ
含有量０．１〜１０原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原
子％、Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｌ−Ｓｅ合金（Ｓｅ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
ｌ−Ｍｇ−Ｈｆ−Ｔｉ−Ｃｒ合金（Ｍｇ含有量０．１〜
１０原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％、Ｔｉ含有
量０．１〜１０原子％、Ｃｒ含有量１０原子％以下）、 Ａｌ−Ｚｒ合金（Ｚｒ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
ｌ−Ｔａ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ
−Ｔａ−Ｈｆ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０原子％、Ｈ
ｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｓｉ合金（Ｓｉ
含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ａｇ合金（Ａｇ含
有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｐｄ合金（Ｐｄ含有
量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｐｔ合金（Ｐｔ含有量
０．１〜１０原子％）。

【００３７】このような金属層６の膜厚は、１００〜５
０００オングストローム、好ましくは５００〜３０００
オングストローム、さらに好ましくは７００〜２０００
オングストローム程度であることが望ましい。

【００３８】上記のような保護エンハンス層、光磁気記
録層および金属層は、基板上に、スパッタリング法、電
子ビーム蒸着法、真空蒸着法、イオンプレーティング法
などの従来公知の方法によって成膜することができる。

【００３９】

【発明の効果】本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法
では、基板上に、少なくとも光磁気記録層と保護層とが
設けられてなる光磁気記録媒体の保護層を、円周方向に
機械的に粗面化しているので、浮上型磁気ヘッドを用い
て情報の書込みを行なう場合に、磁気ヘッドの浮上性が
良好であり、保護層が破壊されたり、磁気ヘッドが損傷
したりすることがない。

【００４０】以下本発明を実施例によって説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

【００４１】

【実施例１】表面に１．６μｍの間隔で深さ０．０５μ
ｍの螺旋状の溝が形成されている、厚さ１．２ｍｍ、直
径１３０ｍｍの、エチレン−　テトラシクロドテセン共
重合体製の円板を基板とし、溝のある面にＳｉ３　Ｎ４
　ターゲットを用いて、スパッタリング法によりエンハ
ンス層としてのＳｉ３　Ｎ４　膜を０．０１μｍの膜厚
で被着させた。

【００４２】このＳｉ３　Ｎ４　膜上に、ＦｅとＣｏと
からなるターゲットにＴｂチップを載置してなる複合タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法により原子％でＴ
ｂ２３Ｆｅ７５Ｃｏ２　の組成の光磁気記録膜を０．０
３μｍの膜厚で被着させた。

【００４３】このＴｂ２３Ｆｅ７５Ｃｏ２　膜上に、Ｓ
ｉ３　Ｎ４　ターゲットを用いて、スパッタリング法に
より第２保護エンハンス層としてのＳｉ３　Ｎ４　膜を
０．０２μｍの膜厚で被着させた。

【００４４】さらにこのＳｉ３　Ｎ４　膜上に、Ａｌタ
ーゲットを用いて、スパッタリング法によりＡｌ膜を０
．１μｍの膜厚で被着させた。次に、このＡｌ膜上にス
ピンコート法によりアクリル酸エステル型紫外線硬化樹
脂（商品名　ＳＤ　１７、大日本インキ化学工業（株）
製）を５μｍの厚さで塗布し、紫外線照射により硬化さ
せ保護膜（保護層）を設け、このようにして光磁気記録
媒体（Ａ）を得た。

【００４５】上記光磁気記録媒体（Ａ）を毎分１８００
回転で回転させ、媒体の保護膜表面を＃１０００の紙や
すりを１０ｇ／ｃｍ２　の加重で押し当てた。その結果
、円周方向に溝平均間隔、６μｍの溝が形成され、かつ
保護膜表面の半径方向の表面平均粗さが０．００５μｍ
である光磁気記録媒体（Ｂ）が得られた。次に、この光
磁気記録媒体（Ｂ）を使用し、市販のウインチェスター
型の浮上式磁気ヘッドを用いて、磁界変調方式によるオ
ーバーライトの模擬実験をおこなった。その結果、磁気
ヘッドは安定に浮上した。また保護膜（保護層）は破壊
されず、磁気ヘッドも損傷しなかった。

【００４６】この浮上式磁気ヘッドは、媒体の回転で生
じる風圧を利用し、エアベアリング層を形成させ浮上す
るものである。すなわち、回転が停止しているときは媒
体に接触しており、ある一定の回転数に達したとき浮上
するので、回転開始時及び停止するときには、媒体と磁
気ヘッドは摩擦状態にある。

【００４７】

【比較例１】実施例１と同様の方法で作製した光磁気記
録媒体（Ａ）を、アセトン中に浸し化学的に紫外線硬化
樹脂を侵した。その結果、等方的に表面平均粗さ０．０
０５μｍの粗面化された保護層となった。

【００４８】次に、上記光磁気記録媒体を実施例１と同
様の方法でオーバーライトの模擬実験を行なった結果、
磁気ヘッドが光磁気記録媒体に静電吸着し、回転開始時
に磁気ヘッドが破壊した。

【図面の簡単な説明】

【図１】　　本発明に係る製造方法により得られる光磁
気記録媒体の概略断面図である。

【図２】　　本発明により得られる円盤状の光磁気記録
媒体の保護層の半径方向概略断面図である。

【符号の説明】

１…光磁気記録媒体 ２…基板 ３…第１保護エンハンス層 ４…光磁気記録層 ５…第２保護エンハンス層 ６…金属層 ７…保護層 ８…溝

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に、少なくとも光磁気記録層と保護
   層とが設けられてなる光磁気記録媒体の製造方法におい
   て、保護層の表面を、円周方向に機械的に粗面化するこ
   とを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。