JPH0421561A - 酸化物超電導体及びその製造法 - Google Patents
酸化物超電導体及びその製造法Info
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- JPH0421561A JPH0421561A JP2124539A JP12453990A JPH0421561A JP H0421561 A JPH0421561 A JP H0421561A JP 2124539 A JP2124539 A JP 2124539A JP 12453990 A JP12453990 A JP 12453990A JP H0421561 A JPH0421561 A JP H0421561A
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は酸化物超電導体及びその製造法に関する。
(従来の技術)
従来の酸化物超電導体としては、1988年。
金属材料技術研究所の前出総合研究官らKよって発見さ
れたビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅を主
成分とするB1−8r−Ca−Cu−0系の酸化物超電
導体があるが、このB1−8r−Ca−Cu−0系の酸
化物超電導体は、電気抵抗が零になる臨界温度(以下T
ぎ0とする)が110に付近であり、タリウム、バリウ
ム、カルシウム及び銅を主成分とするT/−Ba−Ca
−Cu−0系の酸化物超電導体についで高いことが知ら
れている。
れたビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅を主
成分とするB1−8r−Ca−Cu−0系の酸化物超電
導体があるが、このB1−8r−Ca−Cu−0系の酸
化物超電導体は、電気抵抗が零になる臨界温度(以下T
ぎ0とする)が110に付近であり、タリウム、バリウ
ム、カルシウム及び銅を主成分とするT/−Ba−Ca
−Cu−0系の酸化物超電導体についで高いことが知ら
れている。
Bi −Sr −Ca −Cu −0系の酸化物超電導
体は。
体は。
T/ −Ba −Ca −Cu −0系の酸化物超電導
体よシも毒性が弱いという特徴を有するが、結晶相にお
いて耳er0が110にとなる2223相よりも。
体よシも毒性が弱いという特徴を有するが、結晶相にお
いて耳er0が110にとなる2223相よりも。
T:ero、5zs OK(7) 2212相又t=t
T:ero カ20 Kの2201相が生成し易いと
いう欠点がある。その後、ジャパニーズ・ジャーナル・
オブ・アプライド−フィジックス(Japanese
Journal ofAppHed Physics
)Vow 、 27. 6 号(1988年6月刊
)、L1041−L1043頁に示されるように、鉛を
添加したBi −Pb −5r−Ca−Cu −0系の
酸化物超電導体(以下Bi系超超電導体する)で222
3相が多く得られることが明らかになった。
T:ero カ20 Kの2201相が生成し易いと
いう欠点がある。その後、ジャパニーズ・ジャーナル・
オブ・アプライド−フィジックス(Japanese
Journal ofAppHed Physics
)Vow 、 27. 6 号(1988年6月刊
)、L1041−L1043頁に示されるように、鉛を
添加したBi −Pb −5r−Ca−Cu −0系の
酸化物超電導体(以下Bi系超超電導体する)で222
3相が多く得られることが明らかになった。
(発明が解決しようとする絆題)
しかしながら上記のBi系超超電導体、2223相を生
成する温度範囲が狭いという問題があると共に2223
相を多く生成させるためには長時間。
成する温度範囲が狭いという問題があると共に2223
相を多く生成させるためには長時間。
例えば100時間の焼成が必要である。
一方Bi系超電導体は、2223相の他にCazPbO
a −PbCu01等の異相が残留し易いo Ca*P
boa t P b Cubs等の異相が2223相
中に共存すると超電導体の含有率が低下して臨界電流密
度(以下Jcとする)の低下を引き起こす問題がある。
a −PbCu01等の異相が残留し易いo Ca*P
boa t P b Cubs等の異相が2223相
中に共存すると超電導体の含有率が低下して臨界電流密
度(以下Jcとする)の低下を引き起こす問題がある。
またBi系超超電導体、 Y−Ba−Cu−Q系超電導
体に比べ磁場の印加によってJcが低下し易いという問
題があシ、超電導電磁石、超電導磁気シールド材への適
用の面で不利であった。さらに焼結体の密度を高くする
ことが困難であシ2粒子同士のつながりの改善が強く求
められていた。
体に比べ磁場の印加によってJcが低下し易いという問
題があシ、超電導電磁石、超電導磁気シールド材への適
用の面で不利であった。さらに焼結体の密度を高くする
ことが困難であシ2粒子同士のつながりの改善が強く求
められていた。
本発明は上記のような問題のない酸化物超電導体及びそ
の製造法を提供することを目的とするものである。
の製造法を提供することを目的とするものである。
(11題を解決するための手段)
本発明は銀を10〜35重量%及び白金を0.1〜2重
量%含み、かつ 一般式Bi 1−I P bASrB CaB−M g
□ Ba Ocul、ofo、150 x(但しA=0
.01〜0.35.B=0.6〜1.3.B=0.3〜
0.9.C=0.01〜0.3.D=0.01〜0.3
.数字は原子比を表わす) で示される組成からなる酸化物超電導体及び上記の組成
となるように銀、白金、ビスマス、鉛、ストロンチウム
、カルシウム、マグネシウム、バリウム及び銅を含む各
原料を秤量し、ついで混合した後焼成する酸化物超電導
体の製造法に関する。
量%含み、かつ 一般式Bi 1−I P bASrB CaB−M g
□ Ba Ocul、ofo、150 x(但しA=0
.01〜0.35.B=0.6〜1.3.B=0.3〜
0.9.C=0.01〜0.3.D=0.01〜0.3
.数字は原子比を表わす) で示される組成からなる酸化物超電導体及び上記の組成
となるように銀、白金、ビスマス、鉛、ストロンチウム
、カルシウム、マグネシウム、バリウム及び銅を含む各
原料を秤量し、ついで混合した後焼成する酸化物超電導
体の製造法に関する。
なる物質であれば特に制限はない。
また白金としては、白金粉末の他、酸化白金などが用い
られ、焼成後白金単体になる物質であれば%に制限はな
い。
られ、焼成後白金単体になる物質であれば%に制限はな
い。
銀は酸化物超電導体中に10〜35重量%の範囲で含有
されることが必要とされ、10重量%未満では白金の添
加効果を均一化する助剤としての効果が低く、35重量
%を越えると該効果はあるが、超電導体の体積率が低下
する。
されることが必要とされ、10重量%未満では白金の添
加効果を均一化する助剤としての効果が低く、35重量
%を越えると該効果はあるが、超電導体の体積率が低下
する。
一方白金は酸化物超電導体中に0.1〜2重量%の範囲
で含有されることが必要とされ、0.1重量%未満では
白金による高Jc化、磁場特性の改善の効果が少なく、
2重量%を越えると高価になるという欠点が生じる。
で含有されることが必要とされ、0.1重量%未満では
白金による高Jc化、磁場特性の改善の効果が少なく、
2重量%を越えると高価になるという欠点が生じる。
銀及び白金の添加法について#′i特に制限はないが2
例えば酸化物超電導体用材料の粉末と共にボールミル、
乳鉢等を用いて乾式又は湿式で混合。
例えば酸化物超電導体用材料の粉末と共にボールミル、
乳鉢等を用いて乾式又は湿式で混合。
均一化する方法、酸化物超電導体用材料に銀及び白金の
水溶液を添加後、これを均一加熱する方法などがある。
水溶液を添加後、これを均一加熱する方法などがある。
上記成分の他にビスマス、鉛、ストロンチウム。
カルシウム、マグネシウム、バリウム及び銅を含む原料
についてii%に制限はないが9例えば酸化物、炭酸塩
、硝酸塩等の1種または2種以上が用いられる。
についてii%に制限はないが9例えば酸化物、炭酸塩
、硝酸塩等の1種または2種以上が用いられる。
一般式B 11−AP bA8 r B Ca B’
Mg □ Ba D Cu 1.0 *0.150 X
において、AFii子比で0.01〜0.35の範囲と
され、0.01未満であるとTZerOが80に付近の
中温相が生成し易くなるため110に付近の高温相の生
成量が少なくな、9,0.35を越えると鉛とカルシウ
ムとの酸化物であるCa2Pb04などの異相が多量に
生成し臨界温度が低下する。
Mg □ Ba D Cu 1.0 *0.150 X
において、AFii子比で0.01〜0.35の範囲と
され、0.01未満であるとTZerOが80に付近の
中温相が生成し易くなるため110に付近の高温相の生
成量が少なくな、9,0.35を越えると鉛とカルシウ
ムとの酸化物であるCa2Pb04などの異相が多量に
生成し臨界温度が低下する。
Brat原子比で0.6〜1.3の範囲とされ、0.6
未満であると高温相が生成する焼成条件の範囲が狭く、
かつ110に付近で安定して電気抵抗を零にすることが
困難であり、1.3を越えると超電導体以外の異相が生
成し易くTコer0が低下する。
未満であると高温相が生成する焼成条件の範囲が狭く、
かつ110に付近で安定して電気抵抗を零にすることが
困難であり、1.3を越えると超電導体以外の異相が生
成し易くTコer0が低下する。
B′ハ原子比で0.3〜0.9の範囲とされ、0.3未
満であると顕著麦効来が認められず、0.9を越えると
超電導体以外の異相が生成し易い。
満であると顕著麦効来が認められず、0.9を越えると
超電導体以外の異相が生成し易い。
Cは原子比で0.0.〜0.3の範囲とされ、0.01
未満であると顕著な効果は認められず、0.3を越える
と超電導体以外の異相が生成し易い。
未満であると顕著な効果は認められず、0.3を越える
と超電導体以外の異相が生成し易い。
Dは原子比で0.01〜0.3の範囲とされ、0.01
未満であると顕著な効果は認められず、Q、3を越える
と超電導体以外の異相が生成し易い。
未満であると顕著な効果は認められず、Q、3を越える
と超電導体以外の異相が生成し易い。
原料の混合方法については特に制限はないが。
例えば合成樹脂製のボールミル内に合成樹脂で被覆した
ボール、エタノール、メタノール等の溶媒及び原料を充
填し、湿式混合する方法、溶媒中に原料を溶解した後に
共沈生成物を得る共沈法、アルコキシド等の原料を加水
分解させてゾルを作製し、これをゲル化させるゾル−ゲ
ル法等を用いることができる。
ボール、エタノール、メタノール等の溶媒及び原料を充
填し、湿式混合する方法、溶媒中に原料を溶解した後に
共沈生成物を得る共沈法、アルコキシド等の原料を加水
分解させてゾルを作製し、これをゲル化させるゾル−ゲ
ル法等を用いることができる。
本発明では混合した後必要に応じ仮焼を行うが。
その仮焼条件において、仮焼温度及び時間は各原料の配
合割合などによシ適宜選定されるが、800〜870℃
で10〜60時間仮焼することが好ましく、また仮焼雰
囲気は、大気中、酸素雰囲気中。
合割合などによシ適宜選定されるが、800〜870℃
で10〜60時間仮焼することが好ましく、また仮焼雰
囲気は、大気中、酸素雰囲気中。
真空中、還元雰囲気中等で仮焼することができ特に制限
はない。
はない。
粉砕及び成形については特に制限はなく、従来公知の方
法で行う本のとする。
法で行う本のとする。
焼成条件において、焼成温度は各原料の配合割合などに
より適宜選定されるが、820〜870℃の範囲で焼成
することが好ましく、また焼成雰囲気は、大気中、空気
気流中、iたは低酸素圧雰囲気中(酸素の含有量が1〜
20体積チ好ましくVi2〜20体積チの範囲)で焼成
することが好ましい。
より適宜選定されるが、820〜870℃の範囲で焼成
することが好ましく、また焼成雰囲気は、大気中、空気
気流中、iたは低酸素圧雰囲気中(酸素の含有量が1〜
20体積チ好ましくVi2〜20体積チの範囲)で焼成
することが好ましい。
本発明の組成においてO(酸素)の量は、 Cu。
量及びCuの酸化状態によって定まる。しかし酸化状態
がどのようになっているかを厳密にそして精度よく測定
することができず本発明においてはXで表わされる。
がどのようになっているかを厳密にそして精度よく測定
することができず本発明においてはXで表わされる。
(実施例)
以下1本発明の実施例を説明する。
実施例1〜6
ビスマス、鉛、ストロンチウム、マグネシウム。
バリウム、カルシウム及び銅の比率が原子比で第1表に
示す組成になるように三酸化ビスマス(高純度化学研究
新製、純度99.9 % ) 、炭酸ストロンチウム(
レアメタリック製、純度99.9%)、II化マグネシ
ウム(高純度化学研究新製、純度99.9%)、炭酸バ
リウム(高純度化学研究所表、純度99.9%)、炭酸
カルシウム(高純度化学研究新製。
示す組成になるように三酸化ビスマス(高純度化学研究
新製、純度99.9 % ) 、炭酸ストロンチウム(
レアメタリック製、純度99.9%)、II化マグネシ
ウム(高純度化学研究新製、純度99.9%)、炭酸バ
リウム(高純度化学研究所表、純度99.9%)、炭酸
カルシウム(高純度化学研究新製。
純度99.9%)及び散化第2銅(高純度化学研究所製
、純度99.9チ)を秤量し出発原料とした。
、純度99.9チ)を秤量し出発原料とした。
次に上記の出発原料を合成樹脂製のボールミル内に合成
樹脂で被覆した鋼球ボール及びメタノールと共に充てん
し毎分50回転の条件で72時時間式混合した。乾燥後
アルミナ匣鉢に入れ電気炉を用いて大気中800℃で1
0時間仮焼し、ついで乳鉢で粗粉砕した後9合成樹脂製
ボールミル内にジルコニア衾ボール、酢酸エチルと共に
原子比で第1表に示す組成になるように一酸化鉛(黄色
。
樹脂で被覆した鋼球ボール及びメタノールと共に充てん
し毎分50回転の条件で72時時間式混合した。乾燥後
アルミナ匣鉢に入れ電気炉を用いて大気中800℃で1
0時間仮焼し、ついで乳鉢で粗粉砕した後9合成樹脂製
ボールミル内にジルコニア衾ボール、酢酸エチルと共に
原子比で第1表に示す組成になるように一酸化鉛(黄色
。
高純度化学研究新製、純度99.9%)を秤量して充て
んし、毎分50回転の条件で24時時間式混合後、乾燥
し、酸化物超電導体用組成物を得た。
んし、毎分50回転の条件で24時時間式混合後、乾燥
し、酸化物超電導体用組成物を得た。
この後酸化物超電導体用組成物を147MPaの圧力で
プレス成形後9体積比でo、: N==1 : 10の
低酸素圧雰囲気中で835℃で100時間焼成して厚さ
1■の酸化物超電導体用材料を得た。
プレス成形後9体積比でo、: N==1 : 10の
低酸素圧雰囲気中で835℃で100時間焼成して厚さ
1■の酸化物超電導体用材料を得た。
この後上記の酸化物超電導体用材料を乳鉢で粗粉砕した
後9合成樹脂製ボールミル内にジルコニア製ボール、酢
酸エチルと共に充てんし毎分50回転の条件で48時時
間式粉砕後、銀粉及び白金粉を第1表に示す組成になる
ように添加し、さらに5時間混合して均一にした。なお
銀粉及び白金粉は日中貴金属製の純度99.9%以上で
、平均粒径が1〜5μmの粉末を用いた。
後9合成樹脂製ボールミル内にジルコニア製ボール、酢
酸エチルと共に充てんし毎分50回転の条件で48時時
間式粉砕後、銀粉及び白金粉を第1表に示す組成になる
ように添加し、さらに5時間混合して均一にした。なお
銀粉及び白金粉は日中貴金属製の純度99.9%以上で
、平均粒径が1〜5μmの粉末を用いた。
乾燥後得られた粉末を147MPaの圧力で直径30m
+、厚さ1閣のペレットに成形後、大気中で840℃で
10時間焼成して酸化物超電導体を得た。
+、厚さ1閣のペレットに成形後、大気中で840℃で
10時間焼成して酸化物超電導体を得た。
比較例1〜6
第1表に示す組成になるように各原料を秤量し。
以下実施例と同様の工程を経て酸化物超電導体を得た。
次に各実施例及び比較例で得た酸化物超電導体を長さ2
0 m X幅3mX淳さ1m+の直方体に加工し、四端
子法で抵抗の温度変化を測定しTぎ0を求めた。また上
記と同様の試料を用いて液体窒素温度(77,3K)で
のJc(1を測定すると共に液体窒素中0.05テスラ
の磁場中でのJC(LO5をII定した。
0 m X幅3mX淳さ1m+の直方体に加工し、四端
子法で抵抗の温度変化を測定しTぎ0を求めた。また上
記と同様の試料を用いて液体窒素温度(77,3K)で
のJc(1を測定すると共に液体窒素中0.05テスラ
の磁場中でのJC(LO5をII定した。
これらの測定結果及びJC(L。5とJcoとの比を合
わせて第1表に示す。
わせて第1表に示す。
第1表から本発明の実施例になる酸化物超電導体u、
T:”’が高く、磁場の印加によるJcの低下が77
%さいことが示される。これに対し比較例の酸化物超電
導体は +1+:eroは実施例になる酸化物超電導体
とあま9変わらないが、磁場の印加によりJcの低下が
大きいことが示される。
T:”’が高く、磁場の印加によるJcの低下が77
%さいことが示される。これに対し比較例の酸化物超電
導体は +1+:eroは実施例になる酸化物超電導体
とあま9変わらないが、磁場の印加によりJcの低下が
大きいことが示される。
(発明の効果)
本発明になる酸化物超電導体は、T:eroの低下が少
なく、また磁場の印加によるJcの低下も小さく、工業
的に極めて好適な酸化物超電導体である。
なく、また磁場の印加によるJcの低下も小さく、工業
的に極めて好適な酸化物超電導体である。
手続補正書(帥)
平成3年 3月13 日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、銀を10〜35重量%及び白金を0.1〜2重量%
含み、かつ 一般式Bi_1_−_APb_ASr_BCa_B_’
Mg_CBa_DCu_1_._0_±_0_._1_
5Ox(但しA=0.01〜0.35、B=0.6〜1
.3、B’=0.3〜0.9、C=0.01〜0.3、
D=0.01〜0.3、数字は原子比を表わす) で示される組成からなる酸化物超電導体。 2、請求項1記載の組成となるように銀、白金、ビスマ
ス、鉛、ストロンチウム、カルシウム、マグネシウム、
バリウム及び銅を含む各原料を秤量し、ついで混合した
後焼成することを特徴とする酸化物超電導体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2124539A JPH0421561A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 酸化物超電導体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2124539A JPH0421561A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 酸化物超電導体及びその製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0421561A true JPH0421561A (ja) | 1992-01-24 |
Family
ID=14887983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2124539A Pending JPH0421561A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 酸化物超電導体及びその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0421561A (ja) |
-
1990
- 1990-05-15 JP JP2124539A patent/JPH0421561A/ja active Pending
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