JPH04214689A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
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- JPH04214689A JPH04214689A JP2410254A JP41025490A JPH04214689A JP H04214689 A JPH04214689 A JP H04214689A JP 2410254 A JP2410254 A JP 2410254A JP 41025490 A JP41025490 A JP 41025490A JP H04214689 A JPH04214689 A JP H04214689A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- laser diode
- drive circuit
- delay element
- waveform
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、半導体レーザ駆動回路に関し、
特に高速ディジタル光通信の送信部等に用いられる電界
効果型トランジスタを利用した半導体レーザ駆動回路に
関する。
特に高速ディジタル光通信の送信部等に用いられる電界
効果型トランジスタを利用した半導体レーザ駆動回路に
関する。
【０００２】
【従来技術】従来、この種の半導体レーザ駆動回路は図
２に示されているように電界効果型トランジスタ（以下
、ＦＥＴと略す）１のソース電極Ｓと基準電源−Ｖとの
間にバイパスコンデンサ３とツェナダイオード４とを互
いに並列接続し、又、ソース電極Ｓと電源−Ｖとの間に
抵抗２が接続されていた。さらに、ＦＥＴ１の駆動出力
端たるドレイン電極Ｄに半導体レーザダイオード５と、
これにプリバイアスを与える直流バイアス供給回路８と
が接続される構成となっていた。
２に示されているように電界効果型トランジスタ（以下
、ＦＥＴと略す）１のソース電極Ｓと基準電源−Ｖとの
間にバイパスコンデンサ３とツェナダイオード４とを互
いに並列接続し、又、ソース電極Ｓと電源−Ｖとの間に
抵抗２が接続されていた。さらに、ＦＥＴ１の駆動出力
端たるドレイン電極Ｄに半導体レーザダイオード５と、
これにプリバイアスを与える直流バイアス供給回路８と
が接続される構成となっていた。
【０００３】かかる構成において、ＦＥＴ１のゲート電
極Ｇにパルス信号が入力されるとソース電位はツェナダ
イオード４とソース抵抗２とにより定電圧化されている
ので、ドレイン・ソース間電圧ＶＤＳで決定される駆動
電流が得られる。
極Ｇにパルス信号が入力されるとソース電位はツェナダ
イオード４とソース抵抗２とにより定電圧化されている
ので、ドレイン・ソース間電圧ＶＤＳで決定される駆動
電流が得られる。
【０００４】つまり、直流バイアス供給回路８により、
レーザダイオード５を、発光閾値付近まで励起しておき
、その状態でＦＥＴ１に与えられるパルス信号に応答し
てＦＥＴ１がオン・オフし、レーザダイオード５が発光
することで光通信により図示せぬ受信側装置へ情報が伝
達されるのである。
レーザダイオード５を、発光閾値付近まで励起しておき
、その状態でＦＥＴ１に与えられるパルス信号に応答し
てＦＥＴ１がオン・オフし、レーザダイオード５が発光
することで光通信により図示せぬ受信側装置へ情報が伝
達されるのである。
【０００５】なお、直流バイアス供給回路８の入力段に
は、該回路を他の部分から交流的に切離すために図示せ
ぬチョークコイルが設けられている。
は、該回路を他の部分から交流的に切離すために図示せ
ぬチョークコイルが設けられている。
【０００６】しかし、上述した従来の半導体レーザ駆動
回路では半導体レーザを光変調する場合、半導体レーザ
の発光遅延、緩和振動、いわゆるパターン効果による光
出力波形の劣化を補償することが困難であった。すなわ
ち、これらの現象により、光出力波形がなまり、その立
上り部分にジッタが生じてしまう等の欠点があった。
回路では半導体レーザを光変調する場合、半導体レーザ
の発光遅延、緩和振動、いわゆるパターン効果による光
出力波形の劣化を補償することが困難であった。すなわ
ち、これらの現象により、光出力波形がなまり、その立
上り部分にジッタが生じてしまう等の欠点があった。
【０００７】
【発明の目的】本発明は上述した従来の欠点を解決する
ためになされたものであり、その目的は光出力波形の劣
化を有効に補償することができる半導体レーザ駆動回路
を提供することである。
ためになされたものであり、その目的は光出力波形の劣
化を有効に補償することができる半導体レーザ駆動回路
を提供することである。
【０００８】
【発明の構成】本発明による半導体レーザ駆動回路は、
所定パルスによりオンオフ制御されるスイッチングトラ
ンジスタと、このトランジスタにより駆動される半導体
レーザダイオードと、一端が前記トランジスタの駆動出
力端に接続され、他端が終端され、かつ遅延量が前記パ
ルスの周期の１／４である遅延素子とを有することを特
徴とする。
所定パルスによりオンオフ制御されるスイッチングトラ
ンジスタと、このトランジスタにより駆動される半導体
レーザダイオードと、一端が前記トランジスタの駆動出
力端に接続され、他端が終端され、かつ遅延量が前記パ
ルスの周期の１／４である遅延素子とを有することを特
徴とする。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１０】図１は本発明による半導体レーザ駆動回路
の一実施例の回路図であり、図２と同等部分は同一符号
により示されている。図において、本実施例の回路はＦ
ＥＴ１と、抵抗２，６，１０と、バイパスコンデンサ３
と、ツェナダイオード４と、半導体レーザタイオード５
と、遅延素子７と、直流バイアス供給回路８とを含んで
構成されている。
の一実施例の回路図であり、図２と同等部分は同一符号
により示されている。図において、本実施例の回路はＦ
ＥＴ１と、抵抗２，６，１０と、バイパスコンデンサ３
と、ツェナダイオード４と、半導体レーザタイオード５
と、遅延素子７と、直流バイアス供給回路８とを含んで
構成されている。
【００１１】かかる構成による本実施例の半導体レーザ
駆動回路において、ＦＥＴ１のゲート電極にパルス信号
（ＲＺ信号）が入力されると、ＦＥＴ１のソース電位は
ツェナダイオード４と抵抗２とにより固定されているの
で、入力パルスに応じたパルス電流が得られる。このパ
ルス電流で半導体レーザダイオード５を変調する場合、
半導体レーザダイオードの発光遅延によるパターン効果
あるいは、緩和振動により光変調波形が大きく劣化する
。特に、現象としては、光変調波形の立上り部分のジッ
タとして生じる。
駆動回路において、ＦＥＴ１のゲート電極にパルス信号
（ＲＺ信号）が入力されると、ＦＥＴ１のソース電位は
ツェナダイオード４と抵抗２とにより固定されているの
で、入力パルスに応じたパルス電流が得られる。このパ
ルス電流で半導体レーザダイオード５を変調する場合、
半導体レーザダイオードの発光遅延によるパターン効果
あるいは、緩和振動により光変調波形が大きく劣化する
。特に、現象としては、光変調波形の立上り部分のジッ
タとして生じる。
【００１２】この劣化した光変調波形を整形するために
、パルス電流波形に補償をする必要がある。そこで、本
実施例では、上述のＦＥＴ１のドレイン端子Ｄに接続さ
れる半導体レーザダイオード５と並列に、抵抗を直列接
続した遅延素子７を接続することで光変調波形の劣化を
抑制している。
、パルス電流波形に補償をする必要がある。そこで、本
実施例では、上述のＦＥＴ１のドレイン端子Ｄに接続さ
れる半導体レーザダイオード５と並列に、抵抗を直列接
続した遅延素子７を接続することで光変調波形の劣化を
抑制している。
【００１３】また、遅延素子７の他端は抵抗１０を介し
て終端されているので、遅延素子７側に分流したパルス
は逆位相で反射する。その時、遅延量を動作周波数に対
してλ／４（λは波長）に設定しておけば、図３に示さ
れているような、パルス波形変換が生ずることになる。
て終端されているので、遅延素子７側に分流したパルス
は逆位相で反射する。その時、遅延量を動作周波数に対
してλ／４（λは波長）に設定しておけば、図３に示さ
れているような、パルス波形変換が生ずることになる。
【００１４】つまり、図３を参照すると、図１の回路の
点ＡではＦＥＴ１に与えられるパルス信号に応じた波形
が観測できるのに対し、点Ｂでは終端抵抗１０による不
整合に起因する反射波が遅延素子７によってλ／２だけ
遅れ、逆位相で重ね合される。これにより、重ね合さっ
た部分は０［Ｖ］を越えてオーバシュート的な効果が生
じることとなる。
点ＡではＦＥＴ１に与えられるパルス信号に応じた波形
が観測できるのに対し、点Ｂでは終端抵抗１０による不
整合に起因する反射波が遅延素子７によってλ／２だけ
遅れ、逆位相で重ね合される。これにより、重ね合さっ
た部分は０［Ｖ］を越えてオーバシュート的な効果が生
じることとなる。
【００１５】なお、実際には実線部のような矩形波とは
ならず、破線部のようになまった波形となる。また、正
しくλ／２の遅延量を得るためには、周知の可変型ディ
レイラインを設けて微調整すれば良い。
ならず、破線部のようになまった波形となる。また、正
しくλ／２の遅延量を得るためには、周知の可変型ディ
レイラインを設けて微調整すれば良い。
【００１６】以上のように、遅延素子の反射波を重ね合
せた駆動パルス波形で半導体レーザダイオードを変調す
るパルス波形にオーバシュート的な操作を行うのである
。この波形で半導体レーザダイオードを変調するため、
光変調波形の立上り部分のジッタを抑制することが可能
となった。また、終端抵抗１０の値を変えれば、不整合
の度合い、すなわち反射波の量が調整可能となり、ジッ
タ補償の程度が可変できる。抵抗値を零、すなわち接地
すれば全反射となる。なお、遅延素子７については、回
路のパターン（マイクロストリップライン）の特性イン
ピーダンスに適合したものを用いれば良い。例えば、回
路のパターンの特性インピーダンスが５０［Ω］であれ
ば、遅延素子７も５０［Ω］の特性インピーダンスのも
のを用いれば良い。
せた駆動パルス波形で半導体レーザダイオードを変調す
るパルス波形にオーバシュート的な操作を行うのである
。この波形で半導体レーザダイオードを変調するため、
光変調波形の立上り部分のジッタを抑制することが可能
となった。また、終端抵抗１０の値を変えれば、不整合
の度合い、すなわち反射波の量が調整可能となり、ジッ
タ補償の程度が可変できる。抵抗値を零、すなわち接地
すれば全反射となる。なお、遅延素子７については、回
路のパターン（マイクロストリップライン）の特性イン
ピーダンスに適合したものを用いれば良い。例えば、回
路のパターンの特性インピーダンスが５０［Ω］であれ
ば、遅延素子７も５０［Ω］の特性インピーダンスのも
のを用いれば良い。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、スイッチ
ングトランジスタの駆動出力端に接続された半導体レー
ザダイオードに、終端抵抗が接続された遅延素子を接続
することにより、光変調波形の立上り部分のジッタ等の
波形劣化を抑制することができるという効果がある。
ングトランジスタの駆動出力端に接続された半導体レー
ザダイオードに、終端抵抗が接続された遅延素子を接続
することにより、光変調波形の立上り部分のジッタ等の
波形劣化を抑制することができるという効果がある。
【図１】本発明の実施例による半導体レーザダイオード
駆動回路の回路図である。
駆動回路の回路図である。
【図２】従来の半導体レーザダイオード駆動回路の回路
図である。
図である。
【図３】図１の各部の波形図である。
１ トランジスタ
５ 半導体レーザダイオード
７ 遅延素子
Claims (1)
- 【請求項１】 所定パルスによりオンオフ制御される
スイッチングトランジスタと、このトランジスタにより
駆動される半導体レーザダイオードと、一端が前記トラ
ンジスタの駆動出力端に接続され、他端が終端され、か
つ遅延量が前記パルスの周期の１／４である遅延素子と
を有することを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2410254A JP2707838B2 (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2410254A JP2707838B2 (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04214689A true JPH04214689A (ja) | 1992-08-05 |
| JP2707838B2 JP2707838B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=18519442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2410254A Expired - Lifetime JP2707838B2 (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2707838B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016072366A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 沖電気工業株式会社 | ドライバ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61114871U (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-19 | ||
| JPS6448480A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Fujitsu Ltd | Semiconductor laser modulation control system |
-
1990
- 1990-12-12 JP JP2410254A patent/JP2707838B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61114871U (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-19 | ||
| JPS6448480A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Fujitsu Ltd | Semiconductor laser modulation control system |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016072366A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 沖電気工業株式会社 | ドライバ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2707838B2 (ja) | 1998-02-04 |
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