JPH04208909A - 距離検出装置 - Google Patents
距離検出装置Info
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- JPH04208909A JPH04208909A JP34109290A JP34109290A JPH04208909A JP H04208909 A JPH04208909 A JP H04208909A JP 34109290 A JP34109290 A JP 34109290A JP 34109290 A JP34109290 A JP 34109290A JP H04208909 A JPH04208909 A JP H04208909A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 43
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 26
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 101001080825 Homo sapiens PH and SEC7 domain-containing protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 102100027472 PH and SEC7 domain-containing protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 238000003889 chemical engineering Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Focusing (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、距離検出装置に関し、より詳細には、測距対
象に光源から照射したパルス光の反射光スポットが結像
される位置に設けられ、上記光源との視差に基づく上記
測距対象の距離に応じた入射スポットの位置を上記距離
の変化による位置変化方向について連続的に検出し、検
出位置に応じた相互電流比を有する第1および第2の電
流出力を得る半導体光位置検出器を用いた距離検出装置
に関するものである。
象に光源から照射したパルス光の反射光スポットが結像
される位置に設けられ、上記光源との視差に基づく上記
測距対象の距離に応じた入射スポットの位置を上記距離
の変化による位置変化方向について連続的に検出し、検
出位置に応じた相互電流比を有する第1および第2の電
流出力を得る半導体光位置検出器を用いた距離検出装置
に関するものである。
いわゆるコンパクトカメラなどに使用されるオートフォ
ーカス(自動焦点調整)の測距方式として、外光を利用
する、いわゆるパッシブ方式による二重像合致方式を採
用したものがある。
ーカス(自動焦点調整)の測距方式として、外光を利用
する、いわゆるパッシブ方式による二重像合致方式を採
用したものがある。
しかしながら、このパッシブ方式による二重像合致方式
は、一方の像の他方の像に対する相対位置を変化させる
ための可動ミラーを用いることが不可欠の要素となって
おり、可動ミラーを用いることによる耐久性の低さ、お
よび外光の明るさに依存する測距対象のコントラスト情
報により、測距を行っているので、測距対象依存性が強
く、コントラストの悪い測距対象の測距や、暗いときの
測距能力の低さといった問題点があった。
は、一方の像の他方の像に対する相対位置を変化させる
ための可動ミラーを用いることが不可欠の要素となって
おり、可動ミラーを用いることによる耐久性の低さ、お
よび外光の明るさに依存する測距対象のコントラスト情
報により、測距を行っているので、測距対象依存性が強
く、コントラストの悪い測距対象の測距や、暗いときの
測距能力の低さといった問題点があった。
また、このような可動部をもつ方式は、調整が複雑化し
、調整に多くの手間を要するという欠点があった。
、調整に多くの手間を要するという欠点があった。
一方、測距側の装置自体から光などを発する、いわゆる
アクティブ方式による三角測量方式を用いたものは、上
述した測距対象依存性については改善されるものの、赤
外光などの発光部または受光部を回動させるなどの可動
部を有するものは、やはり上述の耐久性の低さ、調整の
複雑化などの問題は避けられない。
アクティブ方式による三角測量方式を用いたものは、上
述した測距対象依存性については改善されるものの、赤
外光などの発光部または受光部を回動させるなどの可動
部を有するものは、やはり上述の耐久性の低さ、調整の
複雑化などの問題は避けられない。
これに対して、アクティブ方式による三角測量方式を用
いたもので、可動部のないものとしては、発光部から投
射した赤外光などの光を測距対象で反射させ、この反射
光が複数個の受光素子からな ・る受光部のどの受光素
子で受光されたかによって、測距対象の距離を知るよう
にしたものがある。
いたもので、可動部のないものとしては、発光部から投
射した赤外光などの光を測距対象で反射させ、この反射
光が複数個の受光素子からな ・る受光部のどの受光素
子で受光されたかによって、測距対象の距離を知るよう
にしたものがある。
この方式の場合は、可動部もなく、耐久性、調整などの
点でもほとんど問題がないといえる。
点でもほとんど問題がないといえる。
しかしながら、この場合は受光部が複数の受光素子によ
って量子化されているため、距離分解能が受′光素子の
数で制限されてしまうという致命的な問題がある。
って量子化されているため、距離分解能が受′光素子の
数で制限されてしまうという致命的な問題がある。
さらに、アクティブ方式の一種として、超音波を発射し
て、測距対象による反射波を受波し、送波から受波まで
に要する時間から測距対象の距離を測定する超音波方式
もある。
て、測距対象による反射波を受波し、送波から受波まで
に要する時間から測距対象の距離を測定する超音波方式
もある。
この場合は、純電気的な処理のみによって測距するため
、処理は容易であるが、高出力の送波出力を要し、この
ため大きな電源を必要とし、コンパクトカメラなどに用
いられる電源では、有効な超音波の送波が困難である。
、処理は容易であるが、高出力の送波出力を要し、この
ため大きな電源を必要とし、コンパクトカメラなどに用
いられる電源では、有効な超音波の送波が困難である。
また、超音擁が測距対象外の物体に送波されて測距精度
が低下するのを防止するためには、指向性をよくする必
要があるが、そのためには、超音波の送受波面の面積を
大きくしなければならず、コンパクトカメラなどに適用
する場合には、大きな問題となる。
が低下するのを防止するためには、指向性をよくする必
要があるが、そのためには、超音波の送受波面の面積を
大きくしなければならず、コンパクトカメラなどに適用
する場合には、大きな問題となる。
これに対し、さほど大きな電力を要せず、諷整も容易で
あり、耐久性も良好で、しかも高い距離分解能が得られ
るものとして、以下に述べる距離検出装置が知られてい
る。
あり、耐久性も良好で、しかも高い距離分解能が得られ
るものとして、以下に述べる距離検出装置が知られてい
る。
この距離検出装置は、第2図に示すように、パルス発光
器としてのLED12から発光したパルス光を投光レン
ズL1を介して測距対象13に照射し、測距対象13で
反射された反射光スポットを、受光レンズL2を通して
、PSDIに入射結像するように構成されている。、こ
のPSDIは、その反射光スポットの入射位置に応じて
PSDの両端から二つの出力電流I0,1. を出力す
る。
器としてのLED12から発光したパルス光を投光レン
ズL1を介して測距対象13に照射し、測距対象13で
反射された反射光スポットを、受光レンズL2を通して
、PSDIに入射結像するように構成されている。、こ
のPSDIは、その反射光スポットの入射位置に応じて
PSDの両端から二つの出力電流I0,1. を出力す
る。
そして、投光レンズL1と受光レンズ孔2間の距離、す
なわち、基線長をS、受光レンズとPSDまでの距離を
f、投光レンズL1から測距対象までの距離をQ、PS
Dl上の反射光スポットの無限遠に対応する位置からの
距離をdとすると、Q=□ ・・・・・・
(1)が成立する。
なわち、基線長をS、受光レンズとPSDまでの距離を
f、投光レンズL1から測距対象までの距離をQ、PS
Dl上の反射光スポットの無限遠に対応する位置からの
距離をdとすると、Q=□ ・・・・・・
(1)が成立する。
PSDlに結像する光スポットの位置が、PSDlから
出力される二つの電流出力−□l I2の割合に対応し
ているため、これらの二つの電流比カニ□t Ifから
測距対象までの距離Qの情報を得ることができる。
出力される二つの電流出力−□l I2の割合に対応し
ているため、これらの二つの電流比カニ□t Ifから
測距対象までの距離Qの情報を得ることができる。
ここで、測距対象距離QとPSDIの電流出力−0,I
2の化工、/■2との関係を求めてみると。
2の化工、/■2との関係を求めてみると。
PSDIの単位長(つまり−)とすれば、■、
より、
= (1+ −) f −S ・・・・・
・ (3)ただし、x=Iz/Iz となり、y= (1/x)+にの関係にあることが知ら
れている。
・ (3)ただし、x=Iz/Iz となり、y= (1/x)+にの関係にあることが知ら
れている。
このような原理に基づく距離検出装置により、測距した
場合には、真暗な場所における測距対象の測距であれば
、問題ないが、一般の写真撮影時にはLED12による
パルス光よりも、はるかに高い光量の定常光が存在する
ため、前記パルス光の反射光スポットの抽出ができなく
なってしまう。
場合には、真暗な場所における測距対象の測距であれば
、問題ないが、一般の写真撮影時にはLED12による
パルス光よりも、はるかに高い光量の定常光が存在する
ため、前記パルス光の反射光スポットの抽出ができなく
なってしまう。
そこで、この場合、PSDIの第1の電流比カニ□、第
2の電流比カニ2 をそれぞれ第1、第2の検出回路で
受けて、定常光の影響を除去し、パルス光の反射光スポ
ットのみによる光電流の変動分をそれぞれ対数変換して
抽出し、その差を差分検出回路で取って、PSDIの第
1、第2の電流出力1.、I2の電流比I、/I、に対
応する距離検出信号を出力することを、本出願人は、種
々試み、例えば、特開昭58−95210号公報に開示
されたもの等を既に提案した。
2の電流比カニ2 をそれぞれ第1、第2の検出回路で
受けて、定常光の影響を除去し、パルス光の反射光スポ
ットのみによる光電流の変動分をそれぞれ対数変換して
抽出し、その差を差分検出回路で取って、PSDIの第
1、第2の電流出力1.、I2の電流比I、/I、に対
応する距離検出信号を出力することを、本出願人は、種
々試み、例えば、特開昭58−95210号公報に開示
されたもの等を既に提案した。
第5図は、上述のように、PSDIの第1、第2の電流
比力を対数圧縮して、その両者の差を検出して測距情報
を得る距離検出装置の従来例を示す回路図である。
比力を対数圧縮して、その両者の差を検出して測距情報
を得る距離検出装置の従来例を示す回路図である。
この第5図において、1はPSDであり、上述のように
、測距対象13(第5図では、図示せず)から反射され
た反射スポット光の結像位置に応じて、第1、第2の電
流出力I、、I2を両端から出力する。
、測距対象13(第5図では、図示せず)から反射され
た反射スポット光の結像位置に応じて、第1、第2の電
流出力I、、I2を両端から出力する。
このPSDIの第1、第2の電流出力I l ?I2は
、それぞれ電流増幅回路2,3で増幅され。
、それぞれ電流増幅回路2,3で増幅され。
これらの電流増幅回路2,3から増幅された電流出力I
、a、 I 、aが出力される。
、a、 I 、aが出力される。
これらの電流増幅回路2,3の電流出力11a。
I2aは、それぞれ第1のダイオードQll、Q12に
より対数圧縮された後に、バッファ4,5および抵抗R
1,R2を介してそれぞれ演算増幅器6の反転入力端お
よび非反転入力端に入力され、その両者の偏差を増幅し
て、演算増幅器6の出力端から測距情報となる出力Vo
utを得るものである。
より対数圧縮された後に、バッファ4,5および抵抗R
1,R2を介してそれぞれ演算増幅器6の反転入力端お
よび非反転入力端に入力され、その両者の偏差を増幅し
て、演算増幅器6の出力端から測距情報となる出力Vo
utを得るものである。
いま、この第5図において、
11a:電流増幅回路2の電流出力、
工2a:電流増幅回路3の電流出力、
k:ボルツマン定数、
T:絶対温度、
q:電子の電荷、
G:増幅器6のゲイン
とすると、演算増幅器6の出力Voutは、となる。
なお、この第5図におけるR4はフィードバック抵抗、
R3は補償抵抗である。
R3は補償抵抗である。
第6図は、距離検出装置の第2の従来例を示す回路図で
ある。
ある。
この第6図の場合も第5図の場合と同様に、PSDIの
第1.第2の電流出力I0.I2はそれぞれ電流増幅回
路2,3で増幅され、これらの電流増幅回路2,3から
増幅された電流出力I28$I2aが出力される。
第1.第2の電流出力I0.I2はそれぞれ電流増幅回
路2,3で増幅され、これらの電流増幅回路2,3から
増幅された電流出力I28$I2aが出力される。
この電流増幅回路2,3の出力端は、それぞれ対数圧縮
用のダイオードQll、Q13および共通の負荷12を
介して、アースされており、したがって、電流増幅回路
2,3の出力電流11alI2aは、それぞれダイオー
ドQll、Q13により対数圧縮され、さらに、バッフ
ァ(ボルテージフォロア)4,5を経て、トランジスタ
Q12b。
用のダイオードQll、Q13および共通の負荷12を
介して、アースされており、したがって、電流増幅回路
2,3の出力電流11alI2aは、それぞれダイオー
ドQll、Q13により対数圧縮され、さらに、バッフ
ァ(ボルテージフォロア)4,5を経て、トランジスタ
Q12b。
Q14のベースに供給される。
トランジスタQ12bのコレクタは、電源Vccに接続
され、トランジスタQ14のコレクタは、コンデンサC
1を介して電源Vccに接続され、さらにスイッチSW
Iを介して定電源11から電流が供給されるようになっ
ているとともに、コンパレータ10の反転入力端に接続
されている。
され、トランジスタQ14のコレクタは、コンデンサC
1を介して電源Vccに接続され、さらにスイッチSW
Iを介して定電源11から電流が供給されるようになっ
ているとともに、コンパレータ10の反転入力端に接続
されている。
両トランジスタQ12b 、Q14の各エミッタは共通
に接続されて定電流源7を介してアースされており、こ
の定電流源7、トランジスタQ12b 、Q14により
差動回路を構成している。
に接続されて定電流源7を介してアースされており、こ
の定電流源7、トランジスタQ12b 、Q14により
差動回路を構成している。
また、上記コンパレータ10の反転入力端と出力端間に
は、スイッチSW2が接続され、コンパレータ10の非
反転入力端には、基準電圧V refが印加されている
。
は、スイッチSW2が接続され、コンパレータ10の非
反転入力端には、基準電圧V refが印加されている
。
これらのコンパレータ10、スイッチSWI。
SW2、コンデンサC1、定電流源11より積分回路が
構成されている。
構成されている。
この第6図において、電流増幅回路2,3の電流出力I
、a、 I 、aは、ダイオードQll、Q13で
それぞれ対数圧縮された後、°バッファ4,5を経てト
ランジスタQ12b、Q14のベースに入力され、その
差分がトランジスタQ14のコレクタ電流工、となる。
、a、 I 、aは、ダイオードQll、Q13で
それぞれ対数圧縮された後、°バッファ4,5を経てト
ランジスタQ12b、Q14のベースに入力され、その
差分がトランジスタQ14のコレクタ電流工、となる。
つまり、この差動回路は、PSDlの電流出力11.I
、をコレクタ電流■、に変換しているのである。
、をコレクタ電流■、に変換しているのである。
いま。
I、a :電流増幅回路2の電流出力、I、a:電流増
幅回路3の電流出力、 工。 :定電流源7の定電流、 とすると、トランジスタQ14のコレクタ電流工うば、 工s :ダイオードQll、Q13(7)逆方向飽和電
流、 I5 :トランジスタQ12bのコレクタ電流、VF□
:ダイオートQllのアノード・カソード間電圧、 ■F2:トランジスタQ12bのベース・エミッタ間電
圧、 vF3:ダイオードQ13のアノード・カソード間電圧
、 ■F4:トランジスタQ14のベース・エミッタ間電圧
、 とすると、 であり、また、 V+r1VF2=VF3 VF4であり、したがって
、q Is q l5 qIs q Is であり、故に、 ■、a I2a 工2a I4 と表わすことができる。
幅回路3の電流出力、 工。 :定電流源7の定電流、 とすると、トランジスタQ14のコレクタ電流工うば、 工s :ダイオードQll、Q13(7)逆方向飽和電
流、 I5 :トランジスタQ12bのコレクタ電流、VF□
:ダイオートQllのアノード・カソード間電圧、 ■F2:トランジスタQ12bのベース・エミッタ間電
圧、 vF3:ダイオードQ13のアノード・カソード間電圧
、 ■F4:トランジスタQ14のベース・エミッタ間電圧
、 とすると、 であり、また、 V+r1VF2=VF3 VF4であり、したがって
、q Is q l5 qIs q Is であり、故に、 ■、a I2a 工2a I4 と表わすことができる。
ここで、I、=I、−1. (I。は定電流源7の電流
)であるから、 となり、したがって となる。いまI□a=k I2.l2a==k ・I2
とすると、 となる。
)であるから、 となり、したがって となる。いまI□a=k I2.l2a==k ・I2
とすると、 となる。
=4.・□
□ ・・・・・・(11)となる。
このコレクタ電流工、を次段の積分回路で積分を行う。
すなわち、コンパレータ10の非反転入力端には、基準
電圧Vrefを印加しておき、スイッチSW1をオフに
し、スイッチSW2をオンしておく。
電圧Vrefを印加しておき、スイッチSW1をオフに
し、スイッチSW2をオンしておく。
この状態では、コンパレータ10の反転の電圧Vcm、
すなわち、コンデンサC1の充電電圧は、基準電圧Vr
efに等しく、したがって、コンパレータ10の出力電
圧Voutは、Lレベルになっている。
すなわち、コンデンサC1の充電電圧は、基準電圧Vr
efに等しく、したがって、コンパレータ10の出力電
圧Voutは、Lレベルになっている。
この状態において、スイッチSW2をオフにすると同時
に、第2図に示すLED12を所定時間発光させて、パ
ルス光が投光レンズL1を通して、測距対象13に照射
する。
に、第2図に示すLED12を所定時間発光させて、パ
ルス光が投光レンズL1を通して、測距対象13に照射
する。
このパルス光は、測距対象13から反射されて、反射光
スポットとなり、受光レンズL2を経て、PSDI上に
照射され、この反射光スポットの受光期間中(すなわち
、LED12の発光期間中)、PSDIの電流出力比が
変化し、それにともなって、トランジスタQ14のコレ
クタ電流工、が増加し、その結果、コンデンサC1の充
電電圧が低下する。
スポットとなり、受光レンズL2を経て、PSDI上に
照射され、この反射光スポットの受光期間中(すなわち
、LED12の発光期間中)、PSDIの電流出力比が
変化し、それにともなって、トランジスタQ14のコレ
クタ電流工、が増加し、その結果、コンデンサC1の充
電電圧が低下する。
したがって、コンパレータ1oの反転入力端の電圧Vc
mが低下し、非反転入力端の基準電圧V ref以下と
なり、コンパレータ10の出力電圧Voutは、Hレベ
ルに反転し、Vref以上になる。
mが低下し、非反転入力端の基準電圧V ref以下と
なり、コンパレータ10の出力電圧Voutは、Hレベ
ルに反転し、Vref以上になる。
次いで、LED12の発光停止後、所定の期間では、コ
ンパレータ10の反転入力端の電位はLED12の発光
終期の電位を保持しており、コンパレータ10の出力電
圧Voutは、Hレベルのままである。
ンパレータ10の反転入力端の電位はLED12の発光
終期の電位を保持しており、コンパレータ10の出力電
圧Voutは、Hレベルのままである。
この保持期間経過後、今度はスイッチSW2を。
オフにしたまま、スイッチSWIオンにすると、定電流
源11の電流がトランジスタQ14のコレクタに流れ、
コンデンサC1は電源vccにより充電されてその、充
電電位が上昇を開始し、コンパレータ10の反転入力端
の電圧Vcmが非反転入力端の基準電圧Vrefと等し
くなると、コンパレータ10の出力電圧Voutは、L
レベルに反転し、これと同時にスイッチSWIがオフす
る。
源11の電流がトランジスタQ14のコレクタに流れ、
コンデンサC1は電源vccにより充電されてその、充
電電位が上昇を開始し、コンパレータ10の反転入力端
の電圧Vcmが非反転入力端の基準電圧Vrefと等し
くなると、コンパレータ10の出力電圧Voutは、L
レベルに反転し、これと同時にスイッチSWIがオフす
る。
このように、スイッチSW2のオフと同時にLEDが発
光し、その発光開始時からコンパレータ10の出力電圧
VoutがHレベルとなり、コンパレータ10の反転入
力端と非反転入力端との電位が等しくなるまでの間、つ
まり、コンパレータ10の出力電圧がHレベルにある間
、トランジスタQ14のコレクタ電流I4の大きさをパ
ルス幅に変換しており、したがって第8図に示すように
距離の逆数に比例したパルス幅の測距情報が得られ、ト
ランジスタQ14のコレクタ電流■、を2重積分し、し
かもディジタル化された測距情報が得られるのである。
光し、その発光開始時からコンパレータ10の出力電圧
VoutがHレベルとなり、コンパレータ10の反転入
力端と非反転入力端との電位が等しくなるまでの間、つ
まり、コンパレータ10の出力電圧がHレベルにある間
、トランジスタQ14のコレクタ電流I4の大きさをパ
ルス幅に変換しており、したがって第8図に示すように
距離の逆数に比例したパルス幅の測距情報が得られ、ト
ランジスタQ14のコレクタ電流■、を2重積分し、し
かもディジタル化された測距情報が得られるのである。
ところで、カメラなどの距離測定にともなう撮影レンズ
の駆動は、距離検出装置の情報をディジタル値に変換し
、パルス出力によってモータを駆動することにより、合
焦動作を行うようにしている。
の駆動は、距離検出装置の情報をディジタル値に変換し
、パルス出力によってモータを駆動することにより、合
焦動作を行うようにしている。
しかしながら、上記第5図の距離検出装置の場合は、P
SDIの電流出力I工r I2に対応した距離情報は、
リニアなアナログ出力となる。したがって、この距離情
報により、合焦レンズを駆動するには、−旦デイジタル
信号に変換するためのA/D変換器が必要となり、回路
構成が複雑、高価となる。
SDIの電流出力I工r I2に対応した距離情報は、
リニアなアナログ出力となる。したがって、この距離情
報により、合焦レンズを駆動するには、−旦デイジタル
信号に変換するためのA/D変換器が必要となり、回路
構成が複雑、高価となる。
これに対して、第6図の距離検出装置の場合は、コンパ
レータ10を主体とする積分回路により、トランジスタ
Q14のコレクタ電流工、を積分しかつディジタル化し
てA/D変換機能も兼備しており、したがって、コンパ
レータ10の出力電圧Vout直接即測距情報として、
モータ駆動用に適用することができる。
レータ10を主体とする積分回路により、トランジスタ
Q14のコレクタ電流工、を積分しかつディジタル化し
てA/D変換機能も兼備しており、したがって、コンパ
レータ10の出力電圧Vout直接即測距情報として、
モータ駆動用に適用することができる。
しかしながら、第6図の従来例の場合、トランジスタQ
12bとQ14による差動回路を構成しており、トラン
ジスタQ12Qb 、Q14の両者にバラツキが生じが
ちであり、入力オフセットがあった場合に入力オフセッ
ト電圧に基づく誤差を生じ、正確な測距ができないとい
う問題がある。
12bとQ14による差動回路を構成しており、トラン
ジスタQ12Qb 、Q14の両者にバラツキが生じが
ちであり、入力オフセットがあった場合に入力オフセッ
ト電圧に基づく誤差を生じ、正確な測距ができないとい
う問題がある。
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので。
その目的とするところは、簡単な回路構成で安価に製作
できるとともに、A/D変換機能を具備し、かつ素子の
バラツキによる誤差を防止して、測距精度の高い距離検
出装置を提供することにある。
できるとともに、A/D変換機能を具備し、かつ素子の
バラツキによる誤差を防止して、測距精度の高い距離検
出装置を提供することにある。
請求項1の発明は、上記目的を達成するために、測距対
象に光源から照射したパルス光の反射光スポットが結像
される位置に設けられ、上記光源との視差に基づく上記
測距対象の距離に応じた入射スポットの位置を上記距離
の変化による位置変化方向について連続的に検出し、検
出位置に応した相互電流比を有する第1および第2の電
流出力を得る半導体光位置検出器と。
象に光源から照射したパルス光の反射光スポットが結像
される位置に設けられ、上記光源との視差に基づく上記
測距対象の距離に応じた入射スポットの位置を上記距離
の変化による位置変化方向について連続的に検出し、検
出位置に応した相互電流比を有する第1および第2の電
流出力を得る半導体光位置検出器と。
第1の定電流源から流れる電流を対数圧縮する第1のト
ランジスタと、 上記第1の電流出力が加えられるとともにベースに上記
第1のトランジスタのベース・エミッタ間電圧を印加す
る第2のトランジスタと。
ランジスタと、 上記第1の電流出力が加えられるとともにベースに上記
第1のトランジスタのベース・エミッタ間電圧を印加す
る第2のトランジスタと。
上記第1および第2の電流出力の合成値を対数圧縮する
第3のトランジスタと、 ベースに上記第1の電流出力を入力するとともにエミッ
タに上記第3のトランジスタのベース・エミッタ間電圧
を印加することにより上記第1および第2の電流出力の
和と上記第1の電流出力との比に上記第1の定電流源の
電流を乗じた値のコレクタ電流を出力する第4のトラン
ジスタと、上記測距対象へのパルス光の照射と同時に上
記コレクタ電流の積分を開始し上記パルス光の照射停止
後所定時間経過後に第2の定電流源からの電流を上記コ
レクタに流入して上記コレクタの電位が基準電位に達す
ると積分動作を停止して上記コレクタ電流に対応しかつ
上記距離の逆数に比例するパルス幅を有するパルス状の
測距情報を出力する積分回路、とを具備したことを特徴
としたものである。
第3のトランジスタと、 ベースに上記第1の電流出力を入力するとともにエミッ
タに上記第3のトランジスタのベース・エミッタ間電圧
を印加することにより上記第1および第2の電流出力の
和と上記第1の電流出力との比に上記第1の定電流源の
電流を乗じた値のコレクタ電流を出力する第4のトラン
ジスタと、上記測距対象へのパルス光の照射と同時に上
記コレクタ電流の積分を開始し上記パルス光の照射停止
後所定時間経過後に第2の定電流源からの電流を上記コ
レクタに流入して上記コレクタの電位が基準電位に達す
ると積分動作を停止して上記コレクタ電流に対応しかつ
上記距離の逆数に比例するパルス幅を有するパルス状の
測距情報を出力する積分回路、とを具備したことを特徴
としたものである。
また、請求項2の発明は、上記の目的を達成させるため
に、測距対象に光源から照射したパルス光の反射光スポ
ットが結像される位置に設けられ、上記光源との視差に
基づく上記測距対象の距離に応じた入射光スポットの位
置を上記距離の変化による位置変化方向について連続的
に検出し、検出位置に応じた相互電流比を有する第1お
よび第2の電流出力を得る半導体光位置検出器と。
に、測距対象に光源から照射したパルス光の反射光スポ
ットが結像される位置に設けられ、上記光源との視差に
基づく上記測距対象の距離に応じた入射光スポットの位
置を上記距離の変化による位置変化方向について連続的
に検出し、検出位置に応じた相互電流比を有する第1お
よび第2の電流出力を得る半導体光位置検出器と。
第1の定電流源から流れる電流を対数圧縮する第1のダ
イオードと、 上記第1の電流出力を対数圧縮するとともにカソードに
上記第1のダイオードのアノード・カソード間電圧が印
加される第2のダイオードと、上記第1の電流出力と上
記第2の電流出力の和の電流を対数圧縮する第3のダイ
オードと、ベースに上記第1の電流出力を入力するとと
もにエミッタに上記第3のダイオードのアノード・カソ
ード間の電圧を印加することにより上記第1および第2
の電流出力の和と上記第1の電流出力の比に上記第1の
定電流源の電流を乗じたコレクタ電流を出力するトラン
ジスタと、 上記測距対象へのパルス光の照射を同時に上記コレクタ
電流の積分を開始し、上記パルス光の照射停止後所定時
間経過後に第2の定電流源からの電流を上記コレクタに
流入して上記コレクタの電位が基準電位に達すると積分
動作を停止して上記コレクタ電流に対応しかつ上記距離
の逆数に比例するパルス幅を有するパルス状の測距情報
を出力する積分回路、とを具備したことを特徴としたも
のである。
イオードと、 上記第1の電流出力を対数圧縮するとともにカソードに
上記第1のダイオードのアノード・カソード間電圧が印
加される第2のダイオードと、上記第1の電流出力と上
記第2の電流出力の和の電流を対数圧縮する第3のダイ
オードと、ベースに上記第1の電流出力を入力するとと
もにエミッタに上記第3のダイオードのアノード・カソ
ード間の電圧を印加することにより上記第1および第2
の電流出力の和と上記第1の電流出力の比に上記第1の
定電流源の電流を乗じたコレクタ電流を出力するトラン
ジスタと、 上記測距対象へのパルス光の照射を同時に上記コレクタ
電流の積分を開始し、上記パルス光の照射停止後所定時
間経過後に第2の定電流源からの電流を上記コレクタに
流入して上記コレクタの電位が基準電位に達すると積分
動作を停止して上記コレクタ電流に対応しかつ上記距離
の逆数に比例するパルス幅を有するパルス状の測距情報
を出力する積分回路、とを具備したことを特徴としたも
のである。
上記のように構成された距離検出装置の半導体光位置検
出器は、光源から出射されたパルス光が測距対象に照射
され、測距対象から反射された反射光スポットを受光し
て、光源との視差に基づく測距対象の距離に応じた入射
光スポットの位置を距離の変化による位置変化方向につ
いて連続的に検出し、その検出位置に応じた相互電流比
を有する第1.第2の電流出力を出力する。
出器は、光源から出射されたパルス光が測距対象に照射
され、測距対象から反射された反射光スポットを受光し
て、光源との視差に基づく測距対象の距離に応じた入射
光スポットの位置を距離の変化による位置変化方向につ
いて連続的に検出し、その検出位置に応じた相互電流比
を有する第1.第2の電流出力を出力する。
第1の電流出力は、第2のトランジスタのエミッタと第
4のトランジスタのベースに加えられるとともに、第1
の電流出力と第2の電流出力との和の電流が第3のトラ
ンジスタで対数圧縮される。
4のトランジスタのベースに加えられるとともに、第1
の電流出力と第2の電流出力との和の電流が第3のトラ
ンジスタで対数圧縮される。
また、第1のトランジスタは、第1の定電流源からの電
流を対数圧縮し、そのベース・エミッタ間電圧を第2の
トランジスタのベースに印加し、第3のトランジスタの
ベース・エミッタ間電圧を第4のトランジスタのエミッ
タに印加することにより、第1および第2のトランジス
タのベース。
流を対数圧縮し、そのベース・エミッタ間電圧を第2の
トランジスタのベースに印加し、第3のトランジスタの
ベース・エミッタ間電圧を第4のトランジスタのエミッ
タに印加することにより、第1および第2のトランジス
タのベース。
エミッタ間電圧の和と、第3および第4のトランジスタ
のベース・エミッタ間電圧の和とが等しくなるため、第
4のトランジスタのコレクタ電流が第1の電流出力と第
2の電流出力の和と第1の電流出力の比に第1の定電流
源の電流を乗じた値になる。
のベース・エミッタ間電圧の和とが等しくなるため、第
4のトランジスタのコレクタ電流が第1の電流出力と第
2の電流出力の和と第1の電流出力の比に第1の定電流
源の電流を乗じた値になる。
このコレクタ電流は、測距対象にパルス光を照射して反
射光スポットが受光されると同時に積分回路により積分
を開始し、反射光スポットの受光位置に応じコレクタ電
流が変化し、パルス光の照射停止から所定時間後に第2
の定電流源からの電流が第4のトランジスタのコレクタ
に流れ、第4のトランジスタのコレクタ電位が基準電圧
と等しくなると、積分回路は、積分動作を停止し、コレ
クタ電流に対応するとともに距離の逆数に比例するパル
ス幅を有するパルス状の測距情報を出力する。
射光スポットが受光されると同時に積分回路により積分
を開始し、反射光スポットの受光位置に応じコレクタ電
流が変化し、パルス光の照射停止から所定時間後に第2
の定電流源からの電流が第4のトランジスタのコレクタ
に流れ、第4のトランジスタのコレクタ電位が基準電圧
と等しくなると、積分回路は、積分動作を停止し、コレ
クタ電流に対応するとともに距離の逆数に比例するパル
ス幅を有するパルス状の測距情報を出力する。
また、請求項2の発明に係る距離検出装置における半導
体光位置検出器は、同様に、光源との視差に基づく測距
対象の距離に対応した入射光スポットの位置を距離の変
化による位置変化方向について連続的に検出し、その検
出位置に応じた相互電流比を有する第1.第2の電流出
力を半導体光検出器から出力する。
体光位置検出器は、同様に、光源との視差に基づく測距
対象の距離に対応した入射光スポットの位置を距離の変
化による位置変化方向について連続的に検出し、その検
出位置に応じた相互電流比を有する第1.第2の電流出
力を半導体光検出器から出力する。
第1の電流出力は、第2のダイオードで対数圧縮される
とともに、トランジスタのベースに加えられる。
とともに、トランジスタのベースに加えられる。
また、第1のダイオードは、第1の定電流源からの電流
を対数圧縮し、そのアノード・カソード間電圧を第2の
ダイオードのカソードに印加する。
を対数圧縮し、そのアノード・カソード間電圧を第2の
ダイオードのカソードに印加する。
第3のダイオードは、第1および第2の電流出力の和の
電流を対数圧縮し、そのアノード・カソード間電圧をト
ランジスタのエミッタに印加する。
電流を対数圧縮し、そのアノード・カソード間電圧をト
ランジスタのエミッタに印加する。
この結果、第1および第2のダイオードのアノード・カ
ソード間電圧の和と、第3のダイオードのアノード・カ
ソード間の電圧とトランジスタのベース・エミッタ間電
圧の和が等しくなり、このトランジスタのコレクタ電流
は、第1および第2の電流出力の和と第1の電流出力と
の比に第1の定電流源の電流を乗じた値になる。
ソード間電圧の和と、第3のダイオードのアノード・カ
ソード間の電圧とトランジスタのベース・エミッタ間電
圧の和が等しくなり、このトランジスタのコレクタ電流
は、第1および第2の電流出力の和と第1の電流出力と
の比に第1の定電流源の電流を乗じた値になる。
このコレクタ電流は、反射光スポットが受光されると同
時に、積分回路により積分を開始され、反射光スポット
の受光位置に応じコレクタ電流が変化し、パルス光の照
射停止から所定時間後に第2の定電流源からの電流がト
ランジスタのコレクタに流れ、トランジスタのコレクタ
電位が基準電圧に等しくなると、積分回路は、積分動作
を停止し、コレクタ電流に対応するとともに距離の逆数
に比例するパルス幅を有するパルス状の測距情報を出力
する。
時に、積分回路により積分を開始され、反射光スポット
の受光位置に応じコレクタ電流が変化し、パルス光の照
射停止から所定時間後に第2の定電流源からの電流がト
ランジスタのコレクタに流れ、トランジスタのコレクタ
電位が基準電圧に等しくなると、積分回路は、積分動作
を停止し、コレクタ電流に対応するとともに距離の逆数
に比例するパルス幅を有するパルス状の測距情報を出力
する。
以下、本発明の実施例を添付図面を用いて具体的に説明
する。
する。
第1図は、本発明に係る距離検出装置の一実施例の全体
構成を示す回路図である。
構成を示す回路図である。
この第1図において、第5図ないし第7図と同一部分に
は、同一符号を付して述べるが、この第1図の実施例の
説明に先立ち、この発明に適用されるPSDIによる位
置検出原理から述べることにする。
は、同一符号を付して述べるが、この第1図の実施例の
説明に先立ち、この発明に適用されるPSDIによる位
置検出原理から述べることにする。
第2図において、パルス発光器としてのLED12から
出射されたパルス光は、投光レンズL1を通して測距対
象13に照射され、測距対象13から反射した反射光ス
ポットは、受光レンズL2を経てPSDIに入射し結像
される。
出射されたパルス光は、投光レンズL1を通して測距対
象13に照射され、測距対象13から反射した反射光ス
ポットは、受光レンズL2を経てPSDIに入射し結像
される。
この反射光スポットの位置と距離との関係は、すでに述
べたように、 Q:投光レンズ上1中心から測距対象13までの距離 S二段光レンズL1と受光レンズL2間の距離(基線長
) f:受光レンズL2中心からPSUIまでの距離 d:PsDlの中心から反射光スポットの受光位置まで
の距離、 とすると、 d であり、故に、 Ω となる。
べたように、 Q:投光レンズ上1中心から測距対象13までの距離 S二段光レンズL1と受光レンズL2間の距離(基線長
) f:受光レンズL2中心からPSUIまでの距離 d:PsDlの中心から反射光スポットの受光位置まで
の距離、 とすると、 d であり、故に、 Ω となる。
このような関係において、PSDIに測距対象13から
の反射光スポットが受光されると、PSDlの両端から
電流出力I4.I2が出力され、この電流出力I工l
I2は、 となる。
の反射光スポットが受光されると、PSDlの両端から
電流出力I4.I2が出力され、この電流出力I工l
I2は、 となる。
このような2つの電流出力I、、I2はそれぞれ第1図
に示すように、電流増幅回路2,3に入力され、そこで
増幅されるようになっている。
に示すように、電流増幅回路2,3に入力され、そこで
増幅されるようになっている。
電流増幅回路2の出力端には、第2のトランジスタQ2
のエミッタと第4のトランジスタQ4のベースが接続さ
れており、それぞれ電流増幅回路2の電流出力11aが
入力されるようになっている。
のエミッタと第4のトランジスタQ4のベースが接続さ
れており、それぞれ電流増幅回路2の電流出力11aが
入力されるようになっている。
また、電流増幅回路2および3の各出力端が第3のトラ
ンジスタQ3のエミッタとバッファ5の非反転入力端に
接続されており、電流増幅回路2の出力電流1、aと電
流増幅回路3の出力電流I2aの和の電流がこの第3の
トランジスタQ3のエミッタとバッファ5の非反転入力
端に加えられるようになっている。
ンジスタQ3のエミッタとバッファ5の非反転入力端に
接続されており、電流増幅回路2の出力電流1、aと電
流増幅回路3の出力電流I2aの和の電流がこの第3の
トランジスタQ3のエミッタとバッファ5の非反転入力
端に加えられるようになっている。
第3のトランジスタQ3のベース・コレクタ間が直結さ
れ、エミッタがアースされて、ダイオードとして使用さ
れており、上記出力電流■1aと工2aの和、すなわち
、電流出力(I 、a+ I 1a)が第3のトランジ
スタQ3により、対数圧縮されるようになっている。
れ、エミッタがアースされて、ダイオードとして使用さ
れており、上記出力電流■1aと工2aの和、すなわち
、電流出力(I 、a+ I 1a)が第3のトランジ
スタQ3により、対数圧縮されるようになっている。
バッファ5の反転入力端と出力端間は直結されており、
このバッファ5の出力端は、第4のトランジスタQ4の
エミッタに接続されている。
このバッファ5の出力端は、第4のトランジスタQ4の
エミッタに接続されている。
また、第1のトランジスタQ1のベース・コレクタ間も
直結され、エミッタがアースされており、このトランジ
スタQ1もダイオードとして使用されている。トランジ
スタQ1のコレクタには、第1の定電流源7からの電流
工。が流入さるようになっており、この電流工。を対数
圧縮する。
直結され、エミッタがアースされており、このトランジ
スタQ1もダイオードとして使用されている。トランジ
スタQ1のコレクタには、第1の定電流源7からの電流
工。が流入さるようになっており、この電流工。を対数
圧縮する。
トランジスタQ1のコレクタは、上記第2のトランジス
タQ2のベースに接続され、そのエミッタは、アースさ
れている。
タQ2のベースに接続され、そのエミッタは、アースさ
れている。
また、第4のトランジスタQ4のコレクタは。
コンデンサC1を介して電源Vccに接続されていると
ともに、スイッチSWIを介して第2の定電流源11か
ら電流が第4のトランジスタQ4のコレクタに流れるよ
うになっている。
ともに、スイッチSWIを介して第2の定電流源11か
ら電流が第4のトランジスタQ4のコレクタに流れるよ
うになっている。
第4のトランジスタQ4のコレクタは、コンパレータ1
0の反転入力端に接続されており、コンパレータ10の
非反転入力端には、所定の基準電圧V refが印加さ
れている。このコンパレータ10の反転入力端と出力端
間には、スイッチSW2が接続されている。
0の反転入力端に接続されており、コンパレータ10の
非反転入力端には、所定の基準電圧V refが印加さ
れている。このコンパレータ10の反転入力端と出力端
間には、スイッチSW2が接続されている。
これらのコンパレータ10、コンデンサC1、スイッチ
SWI、SW2、定電流源11などから、トランジスタ
Q4のコレクタ電流量。を積分する積分回路が構成され
ており、コンパレータ10の出力端から、トランジスタ
Q4のコレクタ電流■4に対応したパルス幅を有するパ
ルス状のディジタル化された測距情報が得られるように
なっており、この積分回路は、A/D変換器も兼備して
いる。
SWI、SW2、定電流源11などから、トランジスタ
Q4のコレクタ電流量。を積分する積分回路が構成され
ており、コンパレータ10の出力端から、トランジスタ
Q4のコレクタ電流■4に対応したパルス幅を有するパ
ルス状のディジタル化された測距情報が得られるように
なっており、この積分回路は、A/D変換器も兼備して
いる。
次に、第1図の実施例の動作について説明する。
PSDIに反射光スポットが受光されることにより、P
SDIの両端から電流出力11.I2が出力されると、
これらの二つの電流量カニ□+ I2は、それぞれ電流
増幅回路2,3で増幅され、電流出力11a、 I2
aが出力される。
SDIの両端から電流出力11.I2が出力されると、
これらの二つの電流量カニ□+ I2は、それぞれ電流
増幅回路2,3で増幅され、電流出力11a、 I2
aが出力される。
電流出力I、aは、第2のトランジスタQ2のエミッタ
と第4のトランジスタQ4のベースに加えられるととも
に、二つの電流増幅回路2,3の電流出力I、aとI2
aが合成されて、その合成電流(I 、a+ I 2a
)が第3のトランジスタQ3のエミッタとバッファ5の
非反転入力端に加えられる。
と第4のトランジスタQ4のベースに加えられるととも
に、二つの電流増幅回路2,3の電流出力I、aとI2
aが合成されて、その合成電流(I 、a+ I 2a
)が第3のトランジスタQ3のエミッタとバッファ5の
非反転入力端に加えられる。
第3のトランジスタQ3のエミッタに上記合成電流(I
、a+ I 、a)が加えられると、その合成電流は
、第3のトランジスタQ3により対数圧縮され、この第
3のトランジスタQ3のベース・エミッタ間電圧が、バ
ッファ5を介して第4のトランジスタQ4のエミッタに
加えられる。
、a+ I 、a)が加えられると、その合成電流は
、第3のトランジスタQ3により対数圧縮され、この第
3のトランジスタQ3のベース・エミッタ間電圧が、バ
ッファ5を介して第4のトランジスタQ4のエミッタに
加えられる。
また、第1のトランジスタQ1は、第1の定電流源7の
電流1.を対数圧縮し、そのベース・エミッタ間電圧を
トランジスタQ2のベースに加える。
電流1.を対数圧縮し、そのベース・エミッタ間電圧を
トランジスタQ2のベースに加える。
ここで、
vFl:第1のトランジスタQ1のベース・エミッタ間
電圧、 Is工:NPNhランジスタの逆方向飽和電流、vF2
:第2のトランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧、 Is2:PNPトランジスタの逆方向飽和電流、vF3
:第3のトランジスタQ3のベース・エミッタ間電圧、 VF4:第4のトランジスタQ4のベース・エミッタ間
電圧、 I4 :第4のトランジスタQ4のコレクタ電流、とす
ると、 q Is工 である。
電圧、 Is工:NPNhランジスタの逆方向飽和電流、vF2
:第2のトランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧、 Is2:PNPトランジスタの逆方向飽和電流、vF3
:第3のトランジスタQ3のベース・エミッタ間電圧、 VF4:第4のトランジスタQ4のベース・エミッタ間
電圧、 I4 :第4のトランジスタQ4のコレクタ電流、とす
ると、 q Is工 である。
ここで、
VFx+VFz=VFi + VF4
””” (20)であるので、上記(16)弐〜(1
9)式より。
””” (20)であるので、上記(16)弐〜(1
9)式より。
q Is、 q l52q
I 82 q I St故に、 工□a+I2a したがって、I、a =k I4. I2a =k
I2とすると、上記(14)式、(15)および(21
)式から、 k (L+L) Il+L CS−f □+□ Q S−f ・・・・・・ (22) となる。
I 82 q I St故に、 工□a+I2a したがって、I、a =k I4. I2a =k
I2とすると、上記(14)式、(15)および(21
)式から、 k (L+L) Il+L CS−f □+□ Q S−f ・・・・・・ (22) となる。
このようにして、得られた第4のトランジスタQ4のコ
レクタ電流工4を次段の積分回路で積分することにより
、コレクタ電流■4に対応するパルス幅を有するパルス
状の測距情報が得られる。
レクタ電流工4を次段の積分回路で積分することにより
、コレクタ電流■4に対応するパルス幅を有するパルス
状の測距情報が得られる。
次に、この積分回路の動作について、第3図のタイムチ
ャートを併用して述べる。
ャートを併用して述べる。
第3図(a)に示すように、当初スイッチSW1はオフ
にしておき、第3図(b)に示すように、スイッチSW
2をオンにするとともに、コンパレータ10の非反転入
力端には、基準電圧Vrefを印加する。コンパレータ
10の反転入力端は、第4のトランジスタQ4のコレク
タに接続されており、コンデンサC1の充電電圧に相当
する電圧vc1が印加されている6 コンパレータ10の反転入力端の電圧Vc1が第3図(
d)に示すように、コンパレータ10の非反転入力端の
基準電圧V ref以上である間は、コンパレータ10
の出力電圧V outは、第3図(e)に示すように、
基準電圧Vref(Lレベル)になっている。
にしておき、第3図(b)に示すように、スイッチSW
2をオンにするとともに、コンパレータ10の非反転入
力端には、基準電圧Vrefを印加する。コンパレータ
10の反転入力端は、第4のトランジスタQ4のコレク
タに接続されており、コンデンサC1の充電電圧に相当
する電圧vc1が印加されている6 コンパレータ10の反転入力端の電圧Vc1が第3図(
d)に示すように、コンパレータ10の非反転入力端の
基準電圧V ref以上である間は、コンパレータ10
の出力電圧V outは、第3図(e)に示すように、
基準電圧Vref(Lレベル)になっている。
次に、スイッチSW2をオフにすると同時に、第2図に
示したLED12をパルス状に第3図(c)に示すよう
に発光させる。これにより、PSDlの相互電流比が変
わり、第4のトランジスタQ4のコレクタにコンデンサ
C1の充電電荷が流れ、コンパレータ10の反転入力端
の電圧Vc工が第3図(d)に示すように、第3図(c
)に示すLED12の発光時間の経過とともに漸減し始
める。
示したLED12をパルス状に第3図(c)に示すよう
に発光させる。これにより、PSDlの相互電流比が変
わり、第4のトランジスタQ4のコレクタにコンデンサ
C1の充電電荷が流れ、コンパレータ10の反転入力端
の電圧Vc工が第3図(d)に示すように、第3図(c
)に示すLED12の発光時間の経過とともに漸減し始
める。
この反転入力端の電圧■c、が非反転入力端の基準電圧
Vrefよりわずかでも低下すると、コンパレータ10
の出力電圧Voutは、Hレベルに反転する。
Vrefよりわずかでも低下すると、コンパレータ10
の出力電圧Voutは、Hレベルに反転する。
次いで、上述のように、LED12の発光時間の経過と
ともに、コンパレータ10の反転入力端の電圧Vc1が
漸減して行き、LED12の発光が停止すると、コンパ
レータ1oの反転入力端の電圧Vcmの低下が停止し、
LED12の発光停止時の電圧VCIを保持している。
ともに、コンパレータ10の反転入力端の電圧Vc1が
漸減して行き、LED12の発光が停止すると、コンパ
レータ1oの反転入力端の電圧Vcmの低下が停止し、
LED12の発光停止時の電圧VCIを保持している。
次いで、第3図(a)に示すように、スイッチSWIを
オンにすると、今度は第2の定電流源11の電流がスイ
ッチSWIを介して第4のトランジスタQ4のコレクタ
に流れ、コンデンサC1は電源Vccで充電され始め、
コンパレータ10の反転入力端の電圧Vc工は、第3図
(d)に示すように、漸増することになる。
オンにすると、今度は第2の定電流源11の電流がスイ
ッチSWIを介して第4のトランジスタQ4のコレクタ
に流れ、コンデンサC1は電源Vccで充電され始め、
コンパレータ10の反転入力端の電圧Vc工は、第3図
(d)に示すように、漸増することになる。
コンパレータ10の反転入力端の電圧Vc工がコンパレ
ータ10の非反転入力端の基準電圧Vrefと等しくな
ると、第3図(e)に示すように、コンパレータ10の
出力電圧V outはHレベルから基準電圧V ref
に反転する。これと同時にスイッチSWIをオフにする
。
ータ10の非反転入力端の基準電圧Vrefと等しくな
ると、第3図(e)に示すように、コンパレータ10の
出力電圧V outはHレベルから基準電圧V ref
に反転する。これと同時にスイッチSWIをオフにする
。
このようにして、コンパレータ10の出力電圧Vout
は、トランジスタQ4のコレクタ電流に対応したパルス
幅を有するパルス状の測距情報として出力されることに
なる。
は、トランジスタQ4のコレクタ電流に対応したパルス
幅を有するパルス状の測距情報として出力されることに
なる。
すなわち、コンパレータ10の出力電圧Voutは、第
4のトランジスタQ4のコレクタ電流工。
4のトランジスタQ4のコレクタ電流工。
を積分し、A/D変換された測距情報となるものである
。
。
このように、この実施例によれば、第1のトランジスタ
Q1と第2のトランジスタQ2のベース・エミッタ間電
圧の和と、第3のトランジスタQ3と第4のトランジス
タQ4のベース・エミッタ間電圧の和が等しいことから
、トランジスタQ4のコレクタ電流I4は、2つの電流
出力1.a、I2aの和と一方の電流比カニ、aとの比
に定電流源7の電流を乗じた値となる。従って、これを
積分することにより、コレクタ電流工、に対応し、かつ
第8図でも示したように、距離の逆数に比例した測距情
報を得るようにしたので、トランジスタQ4、1個で電
流比T4が得られる。
Q1と第2のトランジスタQ2のベース・エミッタ間電
圧の和と、第3のトランジスタQ3と第4のトランジス
タQ4のベース・エミッタ間電圧の和が等しいことから
、トランジスタQ4のコレクタ電流I4は、2つの電流
出力1.a、I2aの和と一方の電流比カニ、aとの比
に定電流源7の電流を乗じた値となる。従って、これを
積分することにより、コレクタ電流工、に対応し、かつ
第8図でも示したように、距離の逆数に比例した測距情
報を得るようにしたので、トランジスタQ4、1個で電
流比T4が得られる。
したがって、素子のバラツキによる測距誤差を防止する
ことができ、かつバッファが1個で済むので、その分、
構成を簡略にでき、ひいてはコスト低減化し得る利点が
得られる。
ことができ、かつバッファが1個で済むので、その分、
構成を簡略にでき、ひいてはコスト低減化し得る利点が
得られる。
次に、この発明の第2の実施例について説明する。第4
図は、この第2の実施例の構成を示す回路図である。
図は、この第2の実施例の構成を示す回路図である。
この第4図に示す実施例では、第1図におけるトランジ
スタQ1〜Q3に代えて、ダイオードQ1a”Q13a
を使用するとともに、バッファ4を追加している。
スタQ1〜Q3に代えて、ダイオードQ1a”Q13a
を使用するとともに、バッファ4を追加している。
すなわち、第1のダイオードQlaの7ノードから第1
の定電流源7の電流工。を流すようにしており、この第
1のダイオードQlaのカソードはアースされ、アノー
ドはバッファ4の非反転入力端に接続され、バッファ4
の反転入力端と出方端間は直結されている。このバッフ
ァ4の出方端は、第2のダイオードQ2aのカソードに
接続される。
の定電流源7の電流工。を流すようにしており、この第
1のダイオードQlaのカソードはアースされ、アノー
ドはバッファ4の非反転入力端に接続され、バッファ4
の反転入力端と出方端間は直結されている。このバッフ
ァ4の出方端は、第2のダイオードQ2aのカソードに
接続される。
第2のダイオードQ2aのアノードとトランジスタQ4
のベースは、電流増幅回路2の出力端に接続され、この
電流増幅回路2の電流出力11aが加えられるようにな
っている。
のベースは、電流増幅回路2の出力端に接続され、この
電流増幅回路2の電流出力11aが加えられるようにな
っている。
また、第3のダイオードQ3aのアノードとバッファ1
5の非反転入力端は、電流増幅回路2の出力端と電流増
幅回路3の出力端に接続されており、開電流増幅回路2
,3の電流出力I、aとI2aの合成電流、すなわち、
(工□a十1.a)を加えるようになっている。
5の非反転入力端は、電流増幅回路2の出力端と電流増
幅回路3の出力端に接続されており、開電流増幅回路2
,3の電流出力I、aとI2aの合成電流、すなわち、
(工□a十1.a)を加えるようになっている。
第3のダイオードQ3aのカソードは、アースされ、バ
ッファ5の反転入力端と出力端は、直結されている。バ
ッファ15の出力端は、トランジスタQ4のエミッタに
接続されている。その他の構成は、第1図と全く同様に
構成されており、この第4図において、第1図と同一部
分には同一符号を付すのみにとどめ、再度の構成の説明
を省略する。
ッファ5の反転入力端と出力端は、直結されている。バ
ッファ15の出力端は、トランジスタQ4のエミッタに
接続されている。その他の構成は、第1図と全く同様に
構成されており、この第4図において、第1図と同一部
分には同一符号を付すのみにとどめ、再度の構成の説明
を省略する。
この第4図においても、第1図の場合と同様にして、
VF工:第1のダイオードQlaのアノード・カソード
間電圧、 ■s:ダイオードの逆方向飽和電流、 VFz:第2のダイオードQ2aのアノード・カソード
間電圧。
間電圧、 ■s:ダイオードの逆方向飽和電流、 VFz:第2のダイオードQ2aのアノード・カソード
間電圧。
vp、:第3のダイオードQ3aのアノード・カソード
間電圧、 Vv4:トランジスタQ4のベース・エミッタ間電圧。
間電圧、 Vv4:トランジスタQ4のベース・エミッタ間電圧。
■。:定電流源7から流入される電流、とすること。
である。
ここで、
V Fl + V F2 = V F’3 + V F
4であるから、上記(23)式〜(26)式より、とな
り、故に、 となる。したがって、I、a=kI2.I2a”k I
。
4であるから、上記(23)式〜(26)式より、とな
り、故に、 となる。したがって、I、a=kI2.I2a”k I
。
とすると、上記(14)式、(15)式および(27)
式より、 となる。
式より、 となる。
このようにして得られたトランジスタQ4のコレクタ電
源I4をコンパレータ10、コンデンサC1、スイッチ
SWI、SW2、定電流源11からなる積分回路で第1
図の場合と全く同様にして、積分を行えば、上記第3図
(e)に示すようなコレクタ電流■4に対応するととも
に距離の逆数に比例するパルス幅を有するパルス状の測
距情報がコンパレータ10の出力端から出力電圧Vou
tとして得られる。
源I4をコンパレータ10、コンデンサC1、スイッチ
SWI、SW2、定電流源11からなる積分回路で第1
図の場合と全く同様にして、積分を行えば、上記第3図
(e)に示すようなコレクタ電流■4に対応するととも
に距離の逆数に比例するパルス幅を有するパルス状の測
距情報がコンパレータ10の出力端から出力電圧Vou
tとして得られる。
このように、第4図の実施例によれば、PSDlの二つ
の電流出力I0.I2をそれぞれ電流増幅回路2.3で
増幅した、一方の電流比カニ、aを第2のダイオードQ
2aとトランジスタQ4に加え、両方の電流出力I、a
と1□aの和を第3のダイオードQ3で対数圧縮すると
ともに、第1の定電流源7の電流比カニ。を第1のダイ
オードQlaで対数圧縮し、第1のダイオードQlaと
Q2aのアノード・カソード間の電圧の和が、第3のダ
イオードQ3aのアノード・カソード間の電圧とトラン
ジスタQ4のベース・エミッタ間電圧の和と等しいこと
から、トランジスタQ4のコレクタ電流T4が、電流出
力I、aとI2aの和と、一方の電流比カニ、aとの比
に定電流源7から印加される電流工。を乗じた値となる
。したがって、これを積分回路で積分して、コレクタ電
流■4に対応し、かつ距離の逆数に比例した測距情報を
得るようにしたので、トランジスタ1段でコレクタ電流
■。
の電流出力I0.I2をそれぞれ電流増幅回路2.3で
増幅した、一方の電流比カニ、aを第2のダイオードQ
2aとトランジスタQ4に加え、両方の電流出力I、a
と1□aの和を第3のダイオードQ3で対数圧縮すると
ともに、第1の定電流源7の電流比カニ。を第1のダイ
オードQlaで対数圧縮し、第1のダイオードQlaと
Q2aのアノード・カソード間の電圧の和が、第3のダ
イオードQ3aのアノード・カソード間の電圧とトラン
ジスタQ4のベース・エミッタ間電圧の和と等しいこと
から、トランジスタQ4のコレクタ電流T4が、電流出
力I、aとI2aの和と、一方の電流比カニ、aとの比
に定電流源7から印加される電流工。を乗じた値となる
。したがって、これを積分回路で積分して、コレクタ電
流■4に対応し、かつ距離の逆数に比例した測距情報を
得るようにしたので、トランジスタ1段でコレクタ電流
■。
が得られ、素子のバラツキによる影響が少なくなり、測
距精度を高めることができる利点を有する。
距精度を高めることができる利点を有する。
なお、本発明は、上述の実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲内において、種々の変形
実施ができるものである。
く、その要旨を逸脱しない範囲内において、種々の変形
実施ができるものである。
以上詳述したように、本発明によれば、半導体光位置検
出器の二つの電流出力のうち一方の電流出力と他方の和
と、上記一方の電流出力との比をとり、距離情報として
するので素子のバラツキによる影響が少なく、比較的簡
単な構成で安価に製作でき、その上測距精度の高い距離
検出装置を提供することができる。
出器の二つの電流出力のうち一方の電流出力と他方の和
と、上記一方の電流出力との比をとり、距離情報として
するので素子のバラツキによる影響が少なく、比較的簡
単な構成で安価に製作でき、その上測距精度の高い距離
検出装置を提供することができる。
第1図は、本発明に係る距離検出装置の第1の実施例の
構成を示す回路図、第2図は、第1図の実施例に用いら
れているPSDの原理説明図、第3図(a)、(b)、
(c)、(d)および(e)は、いずれも第1図の実施
例の積分回路の動作を説明するためのタイムチャート、
第4図は、本発明の距離検出装置の第2の実施例の構成
を示す回路図、第5図および第6図は、それぞれ異なる
従来の距離検出装置の全体構成を示す回路図、第7図は
、従来の距離検出装置におけるバッファの内部構成例を
示す回路図、第8図は、本発明の距離検出装置により得
られる測距情報の距離の逆数対出力パルス幅の関係を示
す特性図である。 1・・・・・・PSD、 2.3・・・・・・電流増幅回路、 4.5・・・・・・バッファ、 7.11・・定電流源、 10・・・・・・コンパレータ、 12・・・・・・LED、 13・・・・・測
距対象、C1・・・ コンデンサ、 Ll・・・投光レンズ、 L2・・・・・受光レンズ、 Q1〜Q4・・・・・トランジスタ、 Q1a=Q3a ・・・・・・ダイオード、SWI、S
W2・・・・・スイッチ。 第 2 1 第 3 因 第 7 図 第 8 図
構成を示す回路図、第2図は、第1図の実施例に用いら
れているPSDの原理説明図、第3図(a)、(b)、
(c)、(d)および(e)は、いずれも第1図の実施
例の積分回路の動作を説明するためのタイムチャート、
第4図は、本発明の距離検出装置の第2の実施例の構成
を示す回路図、第5図および第6図は、それぞれ異なる
従来の距離検出装置の全体構成を示す回路図、第7図は
、従来の距離検出装置におけるバッファの内部構成例を
示す回路図、第8図は、本発明の距離検出装置により得
られる測距情報の距離の逆数対出力パルス幅の関係を示
す特性図である。 1・・・・・・PSD、 2.3・・・・・・電流増幅回路、 4.5・・・・・・バッファ、 7.11・・定電流源、 10・・・・・・コンパレータ、 12・・・・・・LED、 13・・・・・測
距対象、C1・・・ コンデンサ、 Ll・・・投光レンズ、 L2・・・・・受光レンズ、 Q1〜Q4・・・・・トランジスタ、 Q1a=Q3a ・・・・・・ダイオード、SWI、S
W2・・・・・スイッチ。 第 2 1 第 3 因 第 7 図 第 8 図
Claims (2)
- (1)測距対象に光源から照射したパルス光の反射光ス
ポットが結像される位置に設けられ、上記光源との視差
に基づく上記測距対象の距離に応じた入射スポットの位
置を上記距離の変化による位置変化方向について連続的
に検出し、検出位置に応じた相互電流比を有する第1お
よび第2の電流出力を得る半導体光位置検出器と、 第1の定電流源から流れる電流を対数圧縮する第1のト
ランジスタと、 上記第1の電流出力が加えられるとともにベースに上記
第1のトランジスタのベース・エミッタ間電圧を印加す
る第2のトランジスタと、 上記第1および第2の電流出力の合成値を対数圧縮する
第3のトランジスタと、 ベースに上記第1の電流出力を入力するとともにエミッ
タに上記第3のトランジスタのベース・エミッタ間電圧
を印加することにより上記第1および第2の電流出力の
和と上記第1の電流出力との比に上記第1の定電流源の
電流を乗じた値のコレクタ電流を出力する第4のトラン
ジスタと、上記測距対象へのパルス光の照射と同時に上
記コレクタ電流の積分を開始し上記パルス光の照射停止
後所定時間経過後に第2の定電流源からの電流を上記コ
レクタに流入して上記コレクタの電位が基準電位に達す
ると積分動作を停止して上記コレクタ電流に対応しかつ
上記距離の逆数に比例するパルス幅を有するパルス状の
測距情報を出力する積分回路、 とを具備したことを特徴とする距離検出装置。 - (2)測距対象に光源から照射したパルス光の反射光ス
ポットが結像される位置に設けられ、上記光源との視差
に基づく上記測距対象の距離に応じた入射光スポットの
位置を上記距離の変化による位置変化方向について連続
的に検出し、検出位置に応じた相互電流比を有する第1
および第2の電流出力を得る半導体光位置検出器と、 第1の定電流源から流れる電流を対数圧縮する第1のダ
イオードと、 上記第1の電流出力を対数圧縮するとともにカソードに
上記第1のダイオードのアノード・カソード間電圧が印
加される第2のダイオードと、上記第1の電流出力と上
記第2の電流出力の和の電流を対数圧縮する第3のダイ
オードと、ベースに上記第1の電流出力を入力するとと
もにエミッタに上記第3のダイオードのアノード・カソ
ード間の電圧を印加することにより上記第1および第2
の電流出力の和と上記第1の電流出力の比に上記第1の
定電流源の電流を乗じたコレクタ電流を出力するトラン
ジスタと、 上記測距対象へのパルス光の照射と同時に上記コレクタ
電流の積分を開始し、上記パルス光の照射停止後所定時
間経過後に第2の定電流源からの電流を上記コレクタに
流入して上記コレクタの電位が基準電位に達すると積分
動作を停止して上記コレクタ電流に対応しかつ上記距離
の逆数に比例するパルス幅を有するパルス状の測距情報
を出力する積分回路、 とを具備したことを特徴とする距離検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34109290A JPH04208909A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 距離検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34109290A JPH04208909A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 距離検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04208909A true JPH04208909A (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=18343185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34109290A Pending JPH04208909A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 距離検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04208909A (ja) |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP34109290A patent/JPH04208909A/ja active Pending
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