JPH04206857A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number
JPH04206857A
JPH04206857A JP2337462A JP33746290A JPH04206857A JP H04206857 A JPH04206857 A JP H04206857A JP 2337462 A JP2337462 A JP 2337462A JP 33746290 A JP33746290 A JP 33746290A JP H04206857 A JPH04206857 A JP H04206857A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sealing resin
resin
semiconductor device
post
deterioration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2337462A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuhiko Akiyama
龍彦 秋山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2337462A priority Critical patent/JPH04206857A/ja
Publication of JPH04206857A publication Critical patent/JPH04206857A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は樹脂封止型半導体装置のポストキユアに関す
るものである。
〔従来の技術〕
第２図は従来の樹脂封止型半導体装置の断面図で、図に
おいて、（１）は半導体素子、（２］は半導体素子（１
）を載置固定するアイランド、（３）はリード、（４）
は半導体素子（１）とリード（３）を電気的に接続する
ツイヤ、（５）は封止樹脂、（６）は封止樹脂（５）が
酸化劣化によ）変色した変質層である。
次ｖｃｉＶＪ作について説明する。アイランド（２）上
に半導体素子（１）を搭載し、ワイヤ（４）によシ半導
体素子（１）とリード（３）を′電気的に接続した半導
体装置は、封止樹脂（５）により成形、封止、絶縁はれ
る。この成形は通常低圧トランスファー法にて、１８０
℃前後の温度下でなされる。更に成形完了後、封止樹脂
（５）の化学反応を完結させて最終的に必要な物性値を
得るために、１８０’ｃ前後の大気雰囲気における５〜
１５時間程時間水ストキュアを実施する。
このポストキユアにおいて、封止樹脂（５）が酸化劣化
により変色し変質ＮＪ（６）が発生する。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の樹脂封止型半導体装置は以上のように構成されて
いだので、１８０°Ｃ，５〜１０時間のポストキユア時
に封止樹脂の表面層が酸化劣化し、封止樹脂の表面の脱
色１色むらなどが発生する場合があるという問題点があ
った。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ポストキユア炉内の酸巣旋度を制御して封止
樹脂の熱酸化劣化による封止樹脂の表面の脱色５色むら
を改善することによって良好な外観の樹脂封止型半導体
装置を得ることを目的とする。
「課題を解決するための手段〕 この発明に係る樹脂制止型半導体装置は、ポストキユア
炉内の圧力を２００　Ｔｏｒｒ以下の減圧下でポストキ
ュアしたものである。
〔作用〕
この発明におけるポストキユア炉内の０２ハ、封止樹脂
はボヌトキュア時ＶＣ環境雰囲気の０２により熱酸化劣
化脱色、変色するが、大気圧では２０％の０２濃度を減
圧して０２漆度を低下させることにより、封止樹脂の熱
酸化劣化を抑制し、脱色、変色を減少させる。
〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）は半導体素子、（２）は半導体素子
（１）を搭載固定するアイランド、（３）はリード、（
４）は半導体素子（１）とリード（３）を電気的に接続
するワイヤ、（５）は封止樹脂である。
次に動作について説明する。アイランド（２）上に半導
体素子（１）を搭載し、ワイヤ（４）により半導体素子
（１）とリード（３）を電気的に接続した半導体装置は
、封止樹脂（５）により成形、封止、絶縁される。この
成形は通常、低圧トランスファー法にて１８０’ｃ前後
の温度下でなされる。更に成形完了後、封止樹脂（５）
の化学反応を完結はせて最終的に必要な物性値を得るた
めに、１８０℃前後で２００　Ｔｏｒｒ以下の減圧下で
５〜１５時間程時間水ストキュアを実施する。
これによって０２濃度が低いだめ、封止樹脂（５）の熱
による酸化劣化が抑制され樹脂の変質層はほとんど発生
しなくなる○ 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、ポストキュア雰囲気を
減圧にしたので、封止樹脂の表面層の熱による酸化劣化
を抑止できるため、変色８色むらの少ない良好な外観の
樹脂封止型半導体装置が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例である樹脂制止型半導体装
置の断面図、第２図は従来の樹脂封止型半導体装置の断
面図である。 図において、（１）は半導体素子、（２）はアイランド
、（３）はリード、（４）はワイヤ、（５）は封止樹脂
金示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子と、この半導体素子を載置固定するアイラン
    ド及びリードと前記半導体素子を電気的に接続するワイ
    ヤと、これらを封止する樹脂を備え、ポストキユア炉内
    の圧力を２００Ｔｏｒｒ以下の減圧下でポストキユアし
    たことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
JP2337462A 1990-11-30 1990-11-30 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH04206857A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2337462A JPH04206857A (ja) 1990-11-30 1990-11-30 樹脂封止型半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2337462A JPH04206857A (ja) 1990-11-30 1990-11-30 樹脂封止型半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04206857A true JPH04206857A (ja) 1992-07-28

Family

ID=18308870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2337462A Pending JPH04206857A (ja) 1990-11-30 1990-11-30 樹脂封止型半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04206857A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1134800A2 (en) * 2000-03-17 2001-09-19 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device baking method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1134800A2 (en) * 2000-03-17 2001-09-19 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device baking method
EP1134800A3 (en) * 2000-03-17 2003-09-10 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device baking method
KR100467934B1 (ko) * 2000-03-17 2005-01-24 샤프 가부시키가이샤 반도체장치의 베이킹방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0396257A (ja) 樹脂封止型半導体装置
MY104895A (en) Method for improving the adhesion of a plastic encapsulant to copper containing leadframes
JPS6436038A (en) Manufacture of semiconductor device
KR900002454A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
US3946427A (en) Semiconductor device
JPH04206857A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH04206856A (ja) 樹脂封止型半導体装置
US3963500A (en) Semiconductor wafer corrosion protection solution
TWI342053B (en) Thermal process for reducing warpage of package
JPS5771137A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH1140710A (ja) 半導体装置
JPH05315475A (ja) 樹脂封止半導体装置およびその製造方法
JPH06151491A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその製造装置
JPH04313245A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS62113433A (ja) 樹脂封止形半導体装置の製造方法
US3904784A (en) Semiconductor wafer corrosion protection and solution therefor
JPS59188947A (ja) 樹脂封止形半導体装置の製造方法
JP2882013B2 (ja) 封止済リードフレームの加工方法
JPS62226634A (ja) 半導体素子の製造方法
JP2003174054A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100198313B1 (ko) 반도체패키지의 리드프레임 제조방법 및 이를 이용한 반도체패키지의 제조방법
JPS60113930A (ja) 半導体装置の樹脂封止成形方法
JPS5833848A (ja) 半導体装置
JPS57177538A (en) Manufacturing method for semiconductor device
JPS6435921A (en) Manufacture of semiconductor device