JPH04205816A - 磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気ディスク装置Info
- Publication number
- JPH04205816A JPH04205816A JP32927890A JP32927890A JPH04205816A JP H04205816 A JPH04205816 A JP H04205816A JP 32927890 A JP32927890 A JP 32927890A JP 32927890 A JP32927890 A JP 32927890A JP H04205816 A JPH04205816 A JP H04205816A
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- Japan
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- sliding
- track
- sub
- storage
- magnetic layer
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- Pending
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Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスク装置の、記憶媒体である磁気ディ
スク円板の記憶面の構造に関する。しかし磁気記憶を用
いる他の記憶層W(磁気テープ等)にも応用可能である
。
スク円板の記憶面の構造に関する。しかし磁気記憶を用
いる他の記憶層W(磁気テープ等)にも応用可能である
。
従来の磁気ディスク円板は記憶面はその面の方向には一
様の構造である。従って、記憶面」よ同時にヘッドスラ
イダの摺動面でもある。公知例はこのような記憶面の記
憶密度を減少させずに、かつ、耐摺動性を向上させるた
め、記憶層の中に、硬質の耐摩耗材を分散させたり、あ
るいは、全体を耐摩耗材の薄膜でおおうなどの構造をと
っている。
様の構造である。従って、記憶面」よ同時にヘッドスラ
イダの摺動面でもある。公知例はこのような記憶面の記
憶密度を減少させずに、かつ、耐摺動性を向上させるた
め、記憶層の中に、硬質の耐摩耗材を分散させたり、あ
るいは、全体を耐摩耗材の薄膜でおおうなどの構造をと
っている。
(特開平1−267824号、特開平1−258220
号、特開平1−258222号公報)。
号、特開平1−258222号公報)。
第6図は従来の磁気ディスク円板の断面を示したもので
ある。すなわち、アルミなどのサブストレート1上に幾
層かの下地層2を着け、その上に磁気記憶を行う磁性層
3を着け、さらにその上にヘッドスライダとの接触時に
磁性層を保護するための保護膜4.潤滑剤5を重ねた構
造となっている。このような従来技術では、゛記憶密度
を上げるためには、ヘッドと磁性層をなるべく近づける
必要があるため、保護膜を充分厚くとることができない
ため、ヘッドスライダとの接触に対しては短時間で損傷
が磁性層にまで達し使用不能となる。
ある。すなわち、アルミなどのサブストレート1上に幾
層かの下地層2を着け、その上に磁気記憶を行う磁性層
3を着け、さらにその上にヘッドスライダとの接触時に
磁性層を保護するための保護膜4.潤滑剤5を重ねた構
造となっている。このような従来技術では、゛記憶密度
を上げるためには、ヘッドと磁性層をなるべく近づける
必要があるため、保護膜を充分厚くとることができない
ため、ヘッドスライダとの接触に対しては短時間で損傷
が磁性層にまで達し使用不能となる。
上記従来技術では、記憶面とへラドスライダの摺動面が
同一である。従って、その面の構造は、最表面にヘッド
スライダとの摺動に耐えるような、耐摺動保護膜及び潤
滑剤が形成されている。しかし、記憶密度を増加させる
にはヘットと記憶のための磁性層の距離を縮めなければ
ならない。そのため、耐摺動保護膜を薄くしなければな
らず、従って耐摺動性が低下する。すなわち、将来の高
密度化に対応して、ヘッドと磁性層の距離を縮めると、
ヘッドスライダと磁気ディスクとの接触確率が増加する
にもかかわらす耐摺動保護膜をさらに薄くする必要があ
り、従って、耐摺動信頼性が低下することが避けられな
いという問題があった。
同一である。従って、その面の構造は、最表面にヘッド
スライダとの摺動に耐えるような、耐摺動保護膜及び潤
滑剤が形成されている。しかし、記憶密度を増加させる
にはヘットと記憶のための磁性層の距離を縮めなければ
ならない。そのため、耐摺動保護膜を薄くしなければな
らず、従って耐摺動性が低下する。すなわち、将来の高
密度化に対応して、ヘッドと磁性層の距離を縮めると、
ヘッドスライダと磁気ディスクとの接触確率が増加する
にもかかわらす耐摺動保護膜をさらに薄くする必要があ
り、従って、耐摺動信頼性が低下することが避けられな
いという問題があった。
本発明の目的は、磁気ディスク円板の耐摺動性を向上し
、低浮上化に伴う接触確率の増大に耐える、信頼性の高
い磁気ディスク装置を提供することにある。
、低浮上化に伴う接触確率の増大に耐える、信頼性の高
い磁気ディスク装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、磁気ディスク円板上で、読
み書きを行う記憶面とへラドスライダが浮上あるいは摺
動する摺動面を分離した。
み書きを行う記憶面とへラドスライダが浮上あるいは摺
動する摺動面を分離した。
磁気ディスク上の記憶は同心円状のトラックで行なわれ
ている。そこで、何本かのトラックごとに一本の摺動専
用のトラックを設置する。このトラックは表面を耐摩耗
性の材量で形成する。一方記憶面には従来のような耐摩
耗性の薄膜や潤滑剤などは一切着けず、記憶のための磁
性層を露出させる。また、摺動専用のトラック間にはさ
まれた何本かの記憶トラックの読み書きを同時に行うこ
とのできるマルチヘッドを装着する。各トラック間に記
憶部磁性層を通す摺動専用領域を部分的(例えばら線状
)に設け、この部分の表面は耐摺動材で形成する。
ている。そこで、何本かのトラックごとに一本の摺動専
用のトラックを設置する。このトラックは表面を耐摩耗
性の材量で形成する。一方記憶面には従来のような耐摩
耗性の薄膜や潤滑剤などは一切着けず、記憶のための磁
性層を露出させる。また、摺動専用のトラック間にはさ
まれた何本かの記憶トラックの読み書きを同時に行うこ
とのできるマルチヘッドを装着する。各トラック間に記
憶部磁性層を通す摺動専用領域を部分的(例えばら線状
)に設け、この部分の表面は耐摺動材で形成する。
摺動専用トラック、あるいは領域を形成する材料として
、各種セラミックス、多結晶ダイヤモンド、あるいは、
硬質カーボン膜、グラファイトを用いる。
、各種セラミックス、多結晶ダイヤモンド、あるいは、
硬質カーボン膜、グラファイトを用いる。
サブトラックはへラドスライダの接触の可能性を前提と
して摺動面専用に用いるので、この部分が摺動損傷を受
けても、ただちに記憶面の損傷、すなわち、記憶の損傷
にはつながらない。また、サブトラックに用いる。セラ
ミックス、多結晶ダイヤモンド、硬質カーボン膜は、必
要充分な厚さ表面につけることができるので(従来は下
にある磁性層とヘットの距離を近づけるため充分な厚さ
がとれなかった。)、ヘッドスライダとの接触時にも充
分な耐摩耗性、耐焼き付き性を持たせることができ、信
頼性が向上する。記憶トラックは磁性層のみで形成し表
面に従来のような耐摺動を前提とした保護をつけないの
で、ヘッドと磁性層の実質距離が小さくなり、S/Nが
向上し、従って、記憶密度が向上する。記憶トラック間
の摺動専用領域はへラドスライダのトラック間の移動に
関して、サブトラックと全く同じ効果を発生する。サブ
トラックを複数個の記憶トラックごとに配置し、このサ
ブトラック間の記憶トラックを一度に読み書きできるマ
ルチヘッドを用いることにより読み書きのスピードが向
上するとともに、サブトラック面積に対して記憶面積の
割合を増加し、ディスク円板面の有効利用の効率を高め
ることができる。
して摺動面専用に用いるので、この部分が摺動損傷を受
けても、ただちに記憶面の損傷、すなわち、記憶の損傷
にはつながらない。また、サブトラックに用いる。セラ
ミックス、多結晶ダイヤモンド、硬質カーボン膜は、必
要充分な厚さ表面につけることができるので(従来は下
にある磁性層とヘットの距離を近づけるため充分な厚さ
がとれなかった。)、ヘッドスライダとの接触時にも充
分な耐摩耗性、耐焼き付き性を持たせることができ、信
頼性が向上する。記憶トラックは磁性層のみで形成し表
面に従来のような耐摺動を前提とした保護をつけないの
で、ヘッドと磁性層の実質距離が小さくなり、S/Nが
向上し、従って、記憶密度が向上する。記憶トラック間
の摺動専用領域はへラドスライダのトラック間の移動に
関して、サブトラックと全く同じ効果を発生する。サブ
トラックを複数個の記憶トラックごとに配置し、このサ
ブトラック間の記憶トラックを一度に読み書きできるマ
ルチヘッドを用いることにより読み書きのスピードが向
上するとともに、サブトラック面積に対して記憶面積の
割合を増加し、ディスク円板面の有効利用の効率を高め
ることができる。
以下、本発明の実施例を第1図ないし第3図により説明
する。
する。
第1図ないし第3図は本発明の磁気ディスク円板の一実
施例である。第1図は記憶トラック6と摺動を前提とし
たサブトラック7を交互に配置した例の平面図である。
施例である。第1図は記憶トラック6と摺動を前提とし
たサブトラック7を交互に配置した例の平面図である。
第2図はその断面図である。
図に示すごとく、サブストレート上に耐摺動性を目的と
して充分な厚さのサブトラックを形成する。
して充分な厚さのサブトラックを形成する。
このサブトラックの材質は、摩擦係数が低く、かつ、対
摩耗性のある、セラミックス、多結晶ダイヤモンド膜、
あるいは硬質カーボン膜などが最適である。また最面に
は液体潤滑剤やあるいは二硫化モリブデンのような固体
潤滑剤をつけることもできる。またセラミックスのポー
ラス構造の中に潤滑剤を含浸させた物、あるいは、固体
潤滑剤を分散させたものを用いることもできる。一方、
磁性層は保護膜をつける必要はなく、磁性層を最表面ま
で露出させる。これによってヘッドと磁性層の距離を縮
め記憶密度を向上させ、かつ、耐摺動を受は持つサブト
ラックには充分な耐摺動性を持たせることができ、記憶
密度の増加と信頼性の向上を両立させることができる。
摩耗性のある、セラミックス、多結晶ダイヤモンド膜、
あるいは硬質カーボン膜などが最適である。また最面に
は液体潤滑剤やあるいは二硫化モリブデンのような固体
潤滑剤をつけることもできる。またセラミックスのポー
ラス構造の中に潤滑剤を含浸させた物、あるいは、固体
潤滑剤を分散させたものを用いることもできる。一方、
磁性層は保護膜をつける必要はなく、磁性層を最表面ま
で露出させる。これによってヘッドと磁性層の距離を縮
め記憶密度を向上させ、かつ、耐摺動を受は持つサブト
ラックには充分な耐摺動性を持たせることができ、記憶
密度の増加と信頼性の向上を両立させることができる。
第3図はトラック間のへラドスライダの移動(シーク)
用の通路8として同様の発明を適用したもので、半径方
向のへラドスライダの移動に対して、その通路となる部
分に摺動専用の通路を設けた。この通路の断面は第2図
と全く同様である。第4図および第5図は複数個の記憶
トラックごとにサブトラックを配置した例である(第4
図)。第1図ないし第3図に示した例では記憶トラック
の面積に対してサブトラックの面積が大きく、円板面の
利用効率が下がる。そこで複数個のトラックごとにサブ
トラックを設置する。そして、サブトラック間の複数個
のトラックに対してはこれを同時に読み書きできるマル
チヘッド第5図の10を用いる。こうすることによって
、磁気ディスク円板面の利用効率を低下させないように
できる。従って、円板全体としての記憶密度が向上し同
時に耐摺動信頼性も向上させることができる。
用の通路8として同様の発明を適用したもので、半径方
向のへラドスライダの移動に対して、その通路となる部
分に摺動専用の通路を設けた。この通路の断面は第2図
と全く同様である。第4図および第5図は複数個の記憶
トラックごとにサブトラックを配置した例である(第4
図)。第1図ないし第3図に示した例では記憶トラック
の面積に対してサブトラックの面積が大きく、円板面の
利用効率が下がる。そこで複数個のトラックごとにサブ
トラックを設置する。そして、サブトラック間の複数個
のトラックに対してはこれを同時に読み書きできるマル
チヘッド第5図の10を用いる。こうすることによって
、磁気ディスク円板面の利用効率を低下させないように
できる。従って、円板全体としての記憶密度が向上し同
時に耐摺動信頼性も向上させることができる。
本発明によれば、磁気ディスク円板面にサブトラックを
設置する事により摺動面と記憶面を分離することができ
、耐摺動性能を向上させる事ができる。サブトラックを
セラミックス、多結晶ダイアモンド、硬質カーボン膜な
どで構成することにより、充分な耐摺動性能と低摩擦係
数を達成できる。トラック間にも同様に摺動専用の通路
を設ける事により、トラック間の移動(シーク)時にも
サブトラックと同様の耐摺動性を持たせることができる
。複数の記憶トラックごとに設けられたサブトラックと
、これら複数の記憶トラックを同時に読み書きできるマ
ルチヘッドを組み合せることにより円板面の利用効率の
低下を防ぐとともにアクセス時間の向上が可能となる。
設置する事により摺動面と記憶面を分離することができ
、耐摺動性能を向上させる事ができる。サブトラックを
セラミックス、多結晶ダイアモンド、硬質カーボン膜な
どで構成することにより、充分な耐摺動性能と低摩擦係
数を達成できる。トラック間にも同様に摺動専用の通路
を設ける事により、トラック間の移動(シーク)時にも
サブトラックと同様の耐摺動性を持たせることができる
。複数の記憶トラックごとに設けられたサブトラックと
、これら複数の記憶トラックを同時に読み書きできるマ
ルチヘッドを組み合せることにより円板面の利用効率の
低下を防ぐとともにアクセス時間の向上が可能となる。
また、サブトラック以外の記憶トラック面はその最表面
まで磁性層とすることに、よりヘラ・ドと磁性層間の距
離を接近させることができ記憶密度を向上させることが
できる。
まで磁性層とすることに、よりヘラ・ドと磁性層間の距
離を接近させることができ記憶密度を向上させることが
できる。
第1図は本発明の磁気ディスク円板の平面図、第2図は
本発明の一実施例である磁気ディスク円板の断面図、第
3図は本発明の一実施例である磁気ディスク円板の平面
図、第4図は本発明の他の実施例である磁気ディスク円
板の平面図、第5図は第4図の断面図および斜視図、第
6図は従来の磁気ディスク円板の構造を示す断面図であ
る。 6・・・記憶トラック、7・サブトラック、8・・・ト
ラック間の摺動専用通路、9・・・ヘッドスライダ、廊
う きり 〉 $を口 に 第3回 案40 第50 O
本発明の一実施例である磁気ディスク円板の断面図、第
3図は本発明の一実施例である磁気ディスク円板の平面
図、第4図は本発明の他の実施例である磁気ディスク円
板の平面図、第5図は第4図の断面図および斜視図、第
6図は従来の磁気ディスク円板の構造を示す断面図であ
る。 6・・・記憶トラック、7・サブトラック、8・・・ト
ラック間の摺動専用通路、9・・・ヘッドスライダ、廊
う きり 〉 $を口 に 第3回 案40 第50 O
Claims (1)
- 1、磁気ディスク円板において、円周状に配設された記
憶トラックの周囲に沿って、前記記憶トラックとは異な
った材質のサブトラックを設けたことを特徴とする磁気
ディスク装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32927890A JPH04205816A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32927890A JPH04205816A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 磁気ディスク装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04205816A true JPH04205816A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18219666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32927890A Pending JPH04205816A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04205816A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100420384B1 (ko) * | 2001-05-25 | 2004-03-04 | 학교법인연세대학교 | 다중 숫자화 데이터 기록 미디어 및 그 데이터 기록재생방법 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP32927890A patent/JPH04205816A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100420384B1 (ko) * | 2001-05-25 | 2004-03-04 | 학교법인연세대학교 | 다중 숫자화 데이터 기록 미디어 및 그 데이터 기록재생방법 |
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